【課題】難エッチング材料を含む被エッチング材をエッチングする場合において効果的なプラズマクリーニング技術を提供する。
【解決手段】減圧処理室１１０と、該減圧処理室に処理ガスを供給するガス供給手段１０９と、前記減圧処理室内に、酸素原子とアルミニウムを含む化合物およびシリコンを含む被処理基板を載置して保持する基板電極１１２と、前記減圧処理室に供給された処理ガスに高周波エネルギを供給してプラズマを生成するプラズマ生成手段１０１を備え、生成したプラズマにより前記被処理基板にプラズマエッチング処理を施すプラズマエッチング処理方法であって、プラズマエッチング処理が完了した前記被処理基板を減圧処理室外に搬出した後、減圧処理室に塩素を含むガスを供給して前記減圧処理室内にプラズマを生成する第１のプラズマクリーニング処理、およびフッ素を含むガスを供給して前記減圧処理室内にプラズマを生成する第２のプラズマクリーニング処理を施す。 （もっと読む）

【解決手段】化学機械研磨後に半導体ウェーハを洗浄するための方法を提供する。方法の一例では、ウェーハに酸化環境における熱処理を施し、その後、還元環境における熱処理を施す。酸化環境における熱処理では、残留物を除去すると共に、露出した銅を酸化して酸化銅層を形成する。還元環境における熱処理では、その後、酸化銅を元素銅へ還元する。これにより、露出した銅は清浄となり、無電解メッキ等、更なる処理のための状態となる。 （もっと読む）

【課題】半導体処理に用いるハロゲン含有プラズマによる侵食に耐性のあるセラミック物品を提供する。
【解決手段】セラミック物品は、典型的に、少なくとも２つの相又は３つの相を有する多相のセラミックを含む。第１の実施形態において、セラミックは、モル濃度が約５０モル％〜約７５モル％の酸化イットリウム、モル濃度が約１０モル％〜約３０モル％の酸化ジルコニウム、及びモル濃度が約１０モル％〜約３０モル％の酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化スカンジウム、酸化ネオジム、酸化ニオブ、酸化サマリウム、酸化イッテルビウム、酸化エルビウム、酸化セリウム及びこれらの組み合わせからなる群より選択される少なくとも１つの他の成分から形成されている。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁層の剥離を抑制し、製品の歩留まりが向上するとともに製品信頼性が向上した半導体装置を得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に形成された第１配線膜１５と、反射防止膜１７および第１レジスト膜１８からなる積層体から、第１レジスト膜１８を除去する工程と、前記工程において反射防止膜１７表層に形成された変質膜２２を除去する工程と、前記工程後に第１配線膜１５に電気的に接続するビアプラグと、前記ビアプラグに電気的に接続する第２配線膜とを形成する工程とを含む。 （もっと読む）

本発明は、薄膜トランジスタおよびその製造方法に関する。具体的に、本発明は、薄膜トランジスタにおいて、ソース電極およびドレイン電極としてＳｉ、Ｍｏ、およびＷのうちの１種以上を含む酸化亜鉛系（ＺｎＯ系列）電極を用いる薄膜トランジスタおよびその製造方法に関する。また、本発明は、記ソース電極およびドレイン電極を形成する工程のうち、エッチング工程でフッ素系ガスを用いてドライエッチング工程を経る薄膜トランジスタの製造方法に関する。さらに、本発明は、基板、ゲート電極、絶縁層、半導体層、ソース電極、およびドレイン電極を含む薄膜トランジスタにおいて、前記ソース電極およびドレイン電極は、Ｓｉ、Ｍｏ、およびＷのうちの１種以上を含む酸化亜鉛系電極である薄膜トランジスタに関する。
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【課題】段差を有する膜構造を高精度にエッチングするプラズマ処理装置またはドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】真空容器１０７と、この真空容器内部の処理室内に配置されその上面にエッチング対象のウェハ１１２が載せられる下部電極１１３と、下部電極１１３にバイアス電位を形成するための高周波電力を供給するバイアス印加装置１１８，１２０と、前記処理室内に反応性ガスを導入するガス供給手段１１１と、前記処理室内にプラズマを生成するための電界を供給する電界供給手段１０１〜１０３と、前記高周波電力により前記ウェハ１１２に入射する前記プラズマ中のイオンのエネルギーの分布を調節する調節装置１２７とを備えたプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】強靱化し、半導体製造装置用部材に適用した場合の歩留まり，ハンドリング性，及び信頼性を向上させる。
【解決手段】Ｙ_２Ｏ_３に対し５〜６０ｍｏｌ％の範囲内のＺｒＯ_２を含有させると共に、焼成工程後に１２００〜１５００℃の温度に５分以上保持又は１２００℃迄の降温速度を２００℃／ｈ以下に調整することにより、Ｙ_２Ｏ_３にＺｒＯ_２が固溶したＹ_２Ｏ_３固溶体と、ＺｒＯ_２にＹ_２Ｏ_３が固溶したＺｒＯ_２固溶体とを主結晶相として含む複合材料を製造する。 （もっと読む）

【課題】チタン窒化物等の金属窒化物をエッチングする方法及びシステムについて開示している。
【解決手段】そのエッチングの処理は、Ｃｌ_２、ＨＢｒ又はＢＣｌ_２等のハロゲン含有ガス、及び化学式Ｃ_ｘＨ_ｙＦ_ｚを有するフルオロカーボンガスであって、ｘ及びｚは１に等しいか又は１より大きく、ｙは０に等しいか又は０より大きい、フルオロカーボンガスを有する処理成分を導入する段階を有する。 （もっと読む）

【課題】 精度が高く、かつ、安全性の高いＺｎＯ膜の加工方法を提供する。
【解決手段】 酸化亜鉛を含む物質からなる被エッチング部材の上にレジストをパターニング形成する工程と、還元性ガスを含むガスを用いて前記被エッチング部材をエッチングする工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

半導体製造プロセスチャンバー中の表面から不所望の物質を取り除くための方法および装置。フッ素源と酸素源とを含むガス混合物は前処理され、活性なフッ素種を含むようになる。前処理された混合物は、当面、ガス貯蔵デバイス中で貯蔵され、その後、半導体プロセスチャンバーに導入される。前処理されたガスの導入に先立って、チャンバー中の温度は、通常の動作温度以下の温度まで下げられる。チャンバー中でプラズマを発生させないか、または高温条件を発生させることなく、不所望の物質が前処理されたガス混合物との化学反応によって除去されるか、または取り除かれる。
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主ソースガスとして一酸化炭素を用いて遷移金属酸化物薄膜をプラズマエッチングするための方法が提供される。これは加熱なしで外界温度でカルボニル化学が使用されることを可能にする。
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半導体構造をエッチングするためのパルス化反応ガスを補充するパルス化プラズマシステムが記載されている。ある実施形態において、サンプルの一部はパルス化プラズマ・エッチング・プロセスを適用することにより除去される。パルス化プラズマ・エッチング・プロセスは複数のデューティサイクルから成り、各デューティサイクルはプラズマのオン状態とオフ状態の組合せを表す。プラズマは反応ガスから生成され、反応ガスはプラズマのオン状態の間でなくオフ状態の間に補充される。別の実施形態では、サンプルの第１部分は連続プラズマ・エッチング・プロセスを適用して除去される。次に連続エッチング・プロセスは終了され、そしてサンプルの第２部分はパルス化反応ガスを補充するパルス化プラズマ・エッチング・プロセスを適用することにより除去される。 （もっと読む）

【課題】 金属酸化膜パターン形成方法及びこれを利用した半導体素子の形成方法を提供する。
【解決手段】 誘電膜として機能する金属酸化膜パターン形成方法において、基板上に下部に行くほど線幅が増加する予備金属酸化膜パターンを形成する。前記予備金属酸化膜パターンを０．１％乃至１０％ハロゲン元素を含むガス及び不活性ガスを含むソースガスを利用してプラズマ処理して下部線幅が減少された金属酸化膜パターンを形成する。このようにハロゲン元素を含むガス及び不活性ガスを含むソースガスを利用してプラズマ処理することにより、下部線幅が減少された金属酸化膜パターンを獲得することができ、これにより、半導体素子の集積度を向上させることができる。又、前記金属酸化膜パターンの側壁に残留するエッチング残留物も共に除去することにより、半導体素子の信頼度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】銅含有金属膜の表面にＳｉを導入し、その部分を窒化してＣｕＳｉＮバリアを形成する技術を採用する際に、層間絶縁膜へのダメージおよび大気開放による水分吸着の生じ難い半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】表面に銅含有金属膜が露出した状態の半導体基板を準備する工程と、銅含有金属膜の表面をラジカルまたは熱化学的手法により清浄化処理する工程と、銅含有金属膜の表面にＳｉを導入する工程と、銅含有金属膜のＳｉが導入された部分をラジカルにより窒化する工程とによって半導体装置を製造する際に、清浄化処理工程、Ｓｉ導入工程、および窒化工程を真空を破ることなく連続的に行う。 （もっと読む）

【課題】エッチング反応向け構造を提供する。
【解決手段】該構造にはウェハー区域のエッチングからの防護用マスクおよびマスク下面の下に貼り付けられるシールリングがある。該マスクにはエッチング区域を暴露させる少なくともひとつの空気開口部がある。さらに、マスクはシールリングによりウェハーに貼り付けられる。さらに、本発明によりドライエッチング反応用マスクを形成する方法も提供される。まず、本発明にはベース材料の準備および該ベース材料両面のマスキング材料の塗布の段階が含まれる。次の段階は開口部を形成するマスキング材料のパターン付けである。引き続き、ベース材料は少なくとも１つのマスク開口部を生成する開口部とマスク孔を通じてエッチングされる。最後に、マスク材料の除去が行われる。 （もっと読む）

【課題】ソース/ドレインコンタクトホールを自己整列工程で形成する際に、窒化膜による膜ストレスを減らすことができ、エッチング停止膜の消失を防ぐことにより半導体基板を損傷から保護することができる製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０２の上部に選択ラインとワードラインを形成する。それらの上部に薄い窒化膜からなる第１のエッチング停止膜１１８と、さらにエッチング選択比の異なる高誘電体膜からなる第２のエッチング停止膜１２０を形成する。この上に第１の絶縁膜１２２を形成する。第１の絶縁膜の一部をＣＦ_４ガスによりエッチング除去する。第２のエッチング停止膜をＢＣｌ_３ガスにより除去し、第１のエッチング停止膜をＣＨＦ_３ガスにより除去し基板に達するコンタクトホールを形成する。 （もっと読む）

【課題】歩留まりを向上させることが可能な強誘電体キャパシタを備えた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第２導電膜４３の上にマスク材料膜４５を形成する工程と、マスク材料膜４５の上にレジストパターン４６を形成する工程と、ＩＰＣエッチングチャンバ内においてマスク材料膜４５をエッチングして補助マスク４５ａにする工程と、エッチングチャンバからシリコン基板２０を取り出さずに、エッチングチャンバ内において第２導電膜４３をエッチングすることによりパーティクル数の増加傾向を抑制して、第２導電膜４３を上部電極にする工程と、強誘電体膜４２をパターニングしてキャパシタ誘電体膜にする工程と、第１導電膜４１をパターニングして下部電極にし、下部電極、キャパシタ誘電体膜、及び上部電極でキャパシタQを構成する工程とを有する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】計測とエッチング処理を統合する装置の提供。
【解決手段】装置は、移送チャンバ１０５と、エッチングチャンバと、計測チャンバ１１０と、エッチングチャンバと計測チャンバとの間で基板を移送するように構成されたロボット１４０とを有するマルチチャンバシステム１００を備える。また、基板を処理し、この装置を用いて計測測定を実行する方法も開示されている。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極とエクステンション領域との間隔を大きくして、電気的特性に優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。また、下地の半導体基板にダメージを与えることなしに高誘電率絶縁膜をエッチングすることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極８を形成する際のドライエッチングによって、高誘電率絶縁膜７をダメージ層に変え、このダメージ層をウェットエッチングによって除去する。また、ゲート電極８を形成する工程において、ゲート電極８の側壁部方向へのエッチングを行うことによって、その幅方向の寸法Ｗ_２を高誘電率絶縁膜７の幅方向の寸法Ｗ_１より小さくする。Ｗ_１とＷ_２との差は５ｎｍ〜６０ｎｍの範囲内にあることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクをエッチングするための方法及び装置を提供する。
【解決手段】本装置は基板支持体上方にシールドを備えた処理チャンバを含む。シールドは開口部を有するプレートを備え、プレートは材料又は電位バイアス等の少なくとも１つの特性を有し、その特性が互いに異なる２つのゾーンを有する。本方法により、シールドを通過するイオンと中性種を分散させてフォトマスク基板をエッチングする。 （もっと読む）