【課題】ナノ構造物が形成された基板の製造方法及びその基板を用いた発光素子並びにその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は発光素子の成長のための基板にナノサイズのアグロメレーションを形成し、該アグロメレーションでマスキングして基板をエッチングして、基板上部にナノ構造物を形成することにより、結晶欠陥が少なく、信頼性が改善された良質の発光構造物を成長させることができ、この発光構造物にはナノ構造物が形成されていて光抽出効率を増加させることができる。 （もっと読む）

【目的】 半導体処理に好適なプラズマ・チャンバにおいて反応性ガスを発生する。
【解決手段】 プラズマ・チャンバであって、導電性材料と、誘導された電流がこのプラズマ・チャンバにおいて生じることを実質的に阻止する電気的不連続をこのプラズマ・チャンバに形成する少なくとも１つの誘電領域と、前記誘電領域を保護する突出したチャンバ壁とを含むプラズマ・チャンバ（１００）と、前記プラズマ・チャンバの一部と一次巻線とを包囲する磁気コアを有する変圧器と、前記一次巻線に電流を提供する交流電源であって、前記電流は前記プラズマ・チャンバの内部に交流電位を誘導し、前記変圧器の二次回路を完成して前記反応性ガスを発生するトロイダル・プラズマを形成する、交流電源とを含む装置によって反応性ガスを発生する。 （もっと読む）

【課題】熱処理装置内に付着した高誘電率材料を効率よく除去することができる薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】熱処理装置１の制御部１００は、反応管２内を少なくとも６００℃に加熱するとともに、処理ガス導入管１７から塩酸を含むクリーニングガスを供給し、活性化した塩素によりハフニウムシリケートを除去する。 （もっと読む）

【課題】 被加工膜上に保護膜を形成して光加工を行う技術において、保護膜の除去を容易にする。
【解決手段】 被加工膜１０７上に有機樹脂で構成された有機膜１４９を形成する工程と、有機膜１４９の内部応力を小さくする工程と、有機膜１４９に加工光を照射し、加工領域の有機膜１４９を選択除去する工程と、有機膜１４９をマスクとして、被加工膜１０７をエッチングする工程を有する。 （もっと読む）

【課題】シリコン又はシリコン酸化膜上のＨｆＯ_２のような高ｋ層を選択的に除去する方法及びプラズマ組成を提供する。
【解決手段】少なくとも２つの材料を選択的にエッチングするためのホウ素−ハロゲンプラズマであって、第１材料のエッチング速度は、第１材料の表面に保護ＢｘＮｙ層を堆積することでほぼゼロまで減じられ、第２材料へのＢｘＮｙ層の堆積が避けられる。 （もっと読む）

【課題】 リモートプラズマを用いたクリーニングでありながら、反応室内に付着した金属酸化膜を容易に除去することができるようにする。
【解決手段】 反応室内でサセプタに保持した基板の上にハフニウムを含む膜またはジルコニウムを含む膜を形成する成膜工程と、反応室外部で塩素原子を含むガスをプラズマで活性化して反応室内に供給することにより前記成膜工程において反応室内に付着した膜を除去するクリーニング工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 被加工膜の加工に際して、パーティクルの発生を無くし、欠陥の発生を抑制する。
【解決手段】 基板上に溶剤を含む塗布膜形成用薬液２０６を供給して基板主面に液膜２０４を形成する工程と、液膜２０４中に含まれる溶剤の一部を除去することにより被加工膜２０７を形成する工程と、被加工膜２０７の加工領域に加工光を選択照射して、被加工膜２０７を選択除去する工程と、加工光照射後に、被加工膜２０７中に含まれる溶剤をほぼ完全に除去する本加熱処理を行う工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】キャパシタを有する半導体装置の製造方法に関し、キャパシタを構成する上部電極の幅と下部電極の幅の差を従来よりも小さくすること。
【解決手段】キャパシタとなる第１導電膜１１、誘電体膜２１、第２導電膜１３を絶縁膜１０上に順に形成する工程と、第１レジストパターン１４をマスクに用いて第２導電膜１３をエッチングすることによりキャパシタ上部電極１３ａを形成する工程と、第１レジストパターン１４を除去する工程と、キャパシタ上部電極１３ａの上にキャパシタ上部電極１３ａのパターン幅と同等かそれ以下の幅を有する第２レジストパターン１５，１６を形成する工程と、第２レジストパターン１５，１６をマスクに使用して、第２レジストパターン１５，１６の側部を後退させてキャパシタ上部電極１３ａの側部寄りの上面を露出させながら誘電体膜１２と第１導電膜１１の少なくとも一部をエッチングする工程とを含む。 （もっと読む）

基板から酸化金属を除去するためのプラズマ発生装置。この実施例は通電電極、第１誘電層及びそれら通電電極と第１誘電層との間に設置された第１ワイヤメッシュを含む通電電極構造体を含んでいる。この実施例はまた、通電電極構造体の反対側に設置された接地電極構造体を含んでおり、プラズマを発生させる空洞部を形成している。プラズマが空洞部内に存在するとき第１ワイヤメッシュは第１誘電層によってプラズマから遮蔽される。空洞部は酸化金属を除去するプラズマを提供するためにその１端に出口を有している。 （もっと読む）

【課題】 残渣を形成させずにプラズマエッチングリアクタ内で高ｋ誘電材料をエッチングする方法の提供。
【解決手段】 一実施態様においては、ＢＣｌ_３を有する第１プラズマガス反応種混合物で高ｋ誘電材料をプラズマエッチングするステップを含む方法が提供される。高ｋ誘電材料は、シリコン層を有するスタックにおいてＡｌ_２Ｏ_３を含むことができる。エッチングするステップは、パッシベーションガス、例えば、Ｃ_２Ｈ_４を供給するステップを含むことができ、希ガス、例えば、Ｈｅのような希釈ガスを供給するステップを更に含むことができる。ある実施態様においては、エッチングは反応性イオンエッチングプロセスにより行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 チタンを含む金属膜のドライエッチにフッ素系ガスを使用する際に形成される側壁を除去する際に析出異物が生成されることがなく、短絡不良の発生を確実に防止することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板上に形成されたチタンを含む金属膜１７上にエッチングマスク２３を形成し、エッチングマスク２３を介して、金属膜１７をドライエッチングする。当該ドライエッチング後に、エッチングマスク２３を除去し、金属膜１７の表面に水分子の透過を阻害する防水膜３２を形成する。そして、前記ドライエッチングの過程でエッチング部位１８の内側面に形成された反応生成物からなる側壁３１の、金属膜１７の上面より上方に突出する突出部を、フッ素元素を含むガスを用いたプラズマ処理により行うこと除去する。 （もっと読む）

【課題】
高誘電率ゲート絶縁膜をプラズマエッチングする際、下地Ｓｉとの選択比が高く、加工長変化の小さい、高精度のゲート加工が可能なガス種,プロセスや処理装置を提供すること。
【解決手段】
高誘電率ゲート絶縁膜のプラズマエッチングに適するガスは、ＢＣｌ₃ とＦ化炭素系ガスの混合ガスであり、Ｆ化炭素系ガスには、ＣＦ₃Ｃｌ，ＣＦ₂Ｃｌ₂，ＣＨＦ₃，ＣＨ₂Ｆ₂、またはそれらの混合ガス、または前記ガスとＣＦ₄ の混合ガス、または前記ガスとＡｒの混合ガスを用いる。これにより、下地Ｓｉへの選択比が高く、堆積による加工長変化や面荒れを小さくできる。 （もっと読む）

【課題】クリーニング終了時点を高精度に検出すること。
【解決手段】真空容器と、真空容器内にプラズマを形成するプラズマ形成部と、プラズマ形成部に電力を供給する高周波電源と、前記電力の周波数に対する成分レベルを分析する周波数成分分析部と、周波数成分分析部の出力をうけて高周波電源を制御する制御部を備え、真空容器内に堆積した物質をプラズマを発生させることによりクリーニングを行い、制御部が所定周波数における成分レベルの変化に基づいてクリーニングの終了時点を検出して前記プラズマを消滅させる。 （もっと読む）

【課題】電気的特性に優れた、より高性能な強誘電体メモリ装置。
【解決手段】第１絶縁膜３０及び強誘電体キャパシタ構造体４０を覆う水素バリア膜６０を形成し、水素バリア膜上に、第２絶縁膜７０を形成し、第２絶縁膜を貫通し、水素バリア膜の表面６０ａに至る第１開口部７２を形成し、水素バリア膜を貫通する第２開口部６２を形成し、かつ第２開口部に連通してエッチングストッパ層４７の厚み内に至る凹部を形成し、凹部の底部を削って、上部電極４６を露出させる第３開口部５２を形成して、第２絶縁膜の表面から上部電極に至るコンタクトホール９０を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 微細なメタルゲート電極であっても、安定したエッチングを行うことができるプラズマエッチング方法、及びプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】 まず、チャンバ１の内壁に被覆膜が形成される。次に、当該被覆膜が形成された状況下で、ウエハ７のエッチング処理が行われ、その後当該エッチング処理の過程で上記被覆膜上に付着した反応生成物が、上記被覆膜とともにエッチング除去される。そして、これら各工程が、上記エッチング処理が開始される時のチャンバ内壁の状態が、常に、略同一となる頻度で実施される。これにより、例えば、上記被覆膜の除去を、１つの被加工体のエッチング処理が終了する度に行うことで、チャンバ内が常に同一の状態で、被加工体のエッチング処理を行うことが可能となる。このため、微細なパターンを形成するエッチング処理であっても、再現性のよい、安定した加工を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 水素を含むガスが導入されたチャンバを短時間に減圧可能な方法、及び当該方法に好適な処理装置を提供することを目的としている。
【解決手段】 本発明の一実施形態に係る方法は、水素を含むガスが導入されたチャンバを減圧する方法であって、（１）チャンバ内、又はチャンバとポンプとを連通する接続部の内部に、チャンバの外部から水蒸気を供給する工程と、（２）チャンバの内部をポンプによって減圧する工程と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 キャパシタの上部電極の表面形状を安定化させることが可能な半導体装置とその製造方法を提供すること。
【解決手段】 シリコン基板２０上に第１アルミナ膜（下地絶縁膜）３７を形成する工程と、第１アルミナ膜３７上に第１導電膜４１、強誘電体膜４２、第２導電膜４３を順に形成する工程と、第２導電膜４３上にマスク材料膜４５を形成する工程と、マスク材料膜４５を補助マスク４５ａにする工程と、補助マスク４５ａと第１レジストパターン４６とをマスクにするエッチングで第２導電膜４３を上部電極４３ａにする工程と、強誘電体膜４２をパターニングしてキャパシタ誘電体膜４２ａにする工程と、第１導電膜４１をパターニングして下部電極４１ａにし、下部電極４１ａ、キャパシタ誘電体膜４２ａ、上部電極４３ａをキャパシタQとする工程とを有する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】金属酸化膜のエッチングに物理スパッタを用いると、膜にダメージを与え、デバイス特性に悪影響を与えるという問題があった。
【解決手段】プラズマで反応性ガスを活性化させ、活性化した反応性ガスを金属酸化膜４４にあてて、金属酸化膜４４をエッチングする。これにより、同じエッチレートを得るのに、従来のような高エネルギーイオンを照射する必要がなくなる。また、金属酸化膜４４を１００℃以上に加熱してエッチングを行う。さらに、エッチレートを５０ｎｍ／ｍｉｎ以下に調整する。 （もっと読む）

【課題】 高比誘電率膜（Ｈｉｇｈ−ｋ）のプラズマエッチング時に、Ｓｉ系膜のサイドエッチ、下地Ｓｉ層の削れ量、マスク後退を低減する方法を提供する。
【解決手段】 高比誘電率膜４２のエッチングガスに、Ｃ_２Ｈ_２、Ｃ_２Ｈ_４、Ｃ_２Ｈ_６、Ｃ_３Ｈ_６、Ｃ_３Ｈ_８、Ｃ_４Ｈ_６、Ｃ_４Ｈ_８、Ｃ_４Ｈ_１０、ＣＨＣｌ_３、ＣＨＦ_３、ＣＨ_２Ｃｌ_２、ＣＨ_２Ｆ_２、ＣＨ_２Ｂｒ_２、ＣＨ_３Ｃｌ、ＣＨ_３Ｆ、ＣＨ_３Ｂｒ、ＣＨ_３ＯＨ、Ｃ_２Ｈ_５ＯＨ、Ｃ_２Ｈ_２Ｃｌ_２、Ｃ_２Ｈ_５Ｃｌ、Ｃ_３Ｈ_６Ｃｌ_２のうちから選ばれる少なくとも１種のガス、若しくは前記ガスとＣｌ_２、ＨＣｌ、ＢＣｌ_３、ＨＢｒのうちから選ばれる少なくとも１種のガスとの混合ガス、若しくは前記ガスと不活性ガスとＣｌ_２、ＨＣｌ、ＢＣｌ_３、ＨＢｒのうちから選ばれる少なくとも１種のガスとの混合ガスを用いることによって、Ｓｉ基板４２、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜４３などに対して高比誘電率膜４２を選択的にエッチングする。 （もっと読む）

【課題】強誘電体膜のドライエッチング工程において、ハロゲンガスと不活性ガスの混合ガスをエッチング処理ガスとし、高真空、高密度プラズマ下で強誘電体膜に高周波のバイアス電力を印加することにより側壁付着物のないドライエッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ハロゲンガスと不活性ガスの混合ガスをエッチング処理ガスとし、高真空、高密度プラズマ下で強誘電体膜に高周波のバイアス電力を印加する方法とする。 （もっと読む）