【課題】 ボイドの大きさが制御されており、優れた耐食性と基材への密着性を有する耐食性部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
腐食性環境下で用いられる耐食性部材は、基材と、該基材表面の一部もしくは全部を被覆する相対密度が８０％以上のセラミックス溶射膜とを備え、前記セラミックス溶射膜表面に存在するボイドの最大ボイド径が２５μｍ以下である。この耐食性部材は、原料として、嵩密度が少なくとも１．５ｇ／ｃｍ^３以上であり、含水率１％以下に乾燥させたＹ_２Ｏ_３を用い、２個のアノードトーチを備えた溶射装置により、基材に対し４０〜１１０ｋＷの出力でプラズマ溶射することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】 加工用レーザ光の入射面が凹凸面である板状の加工対象物の高精度な切断を可能にするレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 このレーザ加工方法では、板状の加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することで、切断予定ライン５に沿って、切断の起点となる改質領域７１〜７７を形成する。加工対象物におけるレーザ光の入射面ｒは凹凸面である。切断予定ライン５は入射面ｒの凹領域面ｒ２及び凸領域面ｒ１に渡っている。改質領域７１は凹領域面ｒ２から所定距離内側に形成される。凸領域面ｒ１上の部分５１ａに沿ってレーザ光を照射する際には、加工対象物の外部に集光点を合わせる。改質領域７２は凸領域面ｒ１から所定距離内側に形成される。凹領域面ｒ２上の部分５１ｂに沿ってレーザ光を照射する際には、加工対象物の外部に集光点を合わせる。 （もっと読む）

【課題】 処理室を構成する部材を侵さずに、金属原子を含む膜を形成する際に処理室内部に付着した膜をエッチングすることを可能にする。
【解決手段】 処理室１内に付着した金属原子を含む膜のクリーニング工程を次の４つの工程から構成する。第１工程では、第２供給管１１からＧｅＨ₄ガスを処理室１内に供給して、処理室１内部に付着した金属との間でＧｅ−金属結合を作る。第２工程では、第１ガス供給管５からＮ₂ガスを流してガス置換する。第３工程では、リモートプラズマユニット２７で生成したリモートプラズマ酸素を第３ガス供給管１２から供給してＧｅ−金属を酸化し、金属−Ｇｅ−酸素、金属−酸素−Ｇｅ結合を作り、これを昇華して処理室外へ排気する。第４工程では、第１ガス供給管５からＮ₂ガスを流してガス置換する。この４つの工程を１サイクルとして、これを複数回繰り返し、処理室１内部に付着した金属原子を含む膜をクリーニングする。 （もっと読む）

【課題】Ｈｉｇｈ−ｋ層内に形態を形成する方法及びシステムを提供することである。
【解決手段】ｈｉｇｈ−ｋ層をプラズマ処理する方法は、ｈｉｇｈ−ｋ層が上に形成されている基板を、処理チャンバ内の基板ホルダ上に提供することと、この処理チャンバ内にプラズマを生成し、それによって、このｈｉｇｈ−ｋ層をこのプラズマにさらすこととを含む。高周波電力がこの基板ホルダに印加され、この高周波電力は、この基板とこのｈｉｇｈ−ｋ層との間に配設されている酸化物界面層の形成の割合を低減する特性を有する。デバイスは、ｈｉｇｈ−ｋ層内でエッチングされた形態を含む。このデバイスのエッチングプロファイルは、低減されたバーズビークを含むことができ、また、エッチングされた領域内におけるこの基板の表面は、エッチングされていない領域の下の基板と実質的に同一平面にすることができる。 （もっと読む）

【課題】 ＦｅＲＡＭデバイスキャパシタ部の加工において、パターン側壁への反応生成物付着を低減して漏れ電流が生じないキャパシタ部を形成し、かつ異物の発生が少なくデバイス量産性に適したエッチング方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板２７上に形成された、貴金属材料もしくはその酸化物を用いた下部電極層２９，３０、ＳＢＴやＰＺＴ等の強誘電体層３１、貴金属材料もしくはその酸化物を用いた上部電極層３２の積層構造からなるＦｅＲＡＭデバイスの試料を一括若しく数回に分けてプラズマ処理によりエッチング加工を行なう試料処理方法において、下部電極層のパターンを形成するエッチング加工に、酸素６８〜９５％、塩素３〜３０％、フッ素２〜１５％の範囲内の混合ガスを用いたプラズマ処理を行なうようにした。 （もっと読む）

半導体に適用される薄い一面のｈｉｇｈ−ｋ層を形成する方法が提供される。当該方法は、処理チャンバー（１０、４０２）内に基板（２５、１０２、２０２、４０６）を設置する工程、基板（２５、１０２、２０２、４０６）上に厚い一面のｈｉｇｈ−ｋ層（２０６）を堆積する工程、及び基板（２５、１０２、２０２、４０６）上に薄い一面のｈｉｇｈ−ｋ層（１０６、２０７）を形成するために、堆積されたｈｉｇｈ−ｋ層（２０６）を薄層化する工程を有する。基板（２５、１０２、２０２、４０６）は該基板とｈｉｇｈ−ｋ層（１０６、２０７）との間に界面層（１０４、２０４）を含んでいてもよい。薄層化工程は、厚いｈｉｇｈ−ｋ層（２０６）を、反応性プラズマエッチング処理、又は、厚いｈｉｇｈ−ｋ層（２０６）の一部を変性した後、その変性部をウェット処理によって除去することが可能なプラズマ処理、に掛けることによって行われ得る。
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【課題】 強誘電体キャパシタを含む半導体装置の製造方法において、強誘電体膜の劣化を原因とするリーク電流を抑制することにある。
【解決手段】 半導体基板に回路素子を形成するステップと、半導体基板上に回路素子を覆う第１絶縁膜を形成するステップと、第１絶縁膜上に第１電極を形成するステップと、第１電極上に強誘電体膜を形成するステップと、強誘電体膜上に第２電極を形成するステップと、第２電極上に所定のパターンを有するマスク膜を形成するステップと、半導体基板の温度または半導体基板を載置する載置電極の温度を第１温度とし、マスク膜をマスクとして第２電極をエッチングするステップと、半導体基板の温度または半導体基板を載置する載置電極の温度を第１温度以下の第２温度とし、マスク膜をマスクとして強誘電体膜をエッチングするステップと、半導体基板の温度または半導体基板を載置する載置電極の温度を第１温度と略同一の第３温度とし、マスク膜をマスクとして第１電極をエッチングするステップとを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 半導体分野で有用な酸化ハフニウム、酸化珪素ハフニウム、酸化アルミニウムハフニウム等のハフニウム酸化物を成膜する装置において、内壁、冶具等の反応器内部に堆積したこれらの不要な酸化物を除去するクリーニング方法を提供する。
【解決手段】 反応器内部に堆積した不要なハフニウム含有酸化物を除去するに際し、ヘキサフルオロアセチルアセトンと、ＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒ、ＨＩ、Ｆ_２、Ｃｌ_２、Ｂｒ_２、Ｉ_２、またはＣｌＦ_３とを少なくとも含む混合ガスで反応除去する。 （もっと読む）

【課題】 従来技術による金属ゲート電極形成ではシリコン基板が大口径化した場合、ウェハ面内、及び疎密間での寸法及び形状のばらつきが大きくなるという課題があった。
【解決手段】 本発明は、タングステンゲートエッチングにおいて、寸法のウェハ面内均一性に優れた電極形成可能とした半導体装置の製法であって、具体的には、シリコン基板１０１にゲート絶縁膜としてシリコン酸化膜１０２、高誘電体膜（Ｈｉｇｈ−ｋ膜）１０３、ゲート電極材料としてタングステン膜１０４、マスク膜としてシリコン窒化膜１０５を順に成膜する。反射防止膜１０６を塗布し公知のリソグラフィ技術によりパターンを形成し、この基板を反射防止膜１０６、シリコン窒化膜１０５を一般的な条件でエッチングした後、タングステン膜をシリコン基板の中央と外周のプラズマ密度の比を３〜４：１の条件で残膜が３〜５ｎｍになるまでエッチングを行い、最後に残りのタングステン膜をプラズマ密度の比が中央：外周＝１：１の条件でエッチングを行うこと方法である。 （もっと読む）

膜スタックを設け、複数のドライ・エッチング・プロセスを用いてこの膜スタック中にフィーチャを形成するための方法およびシステムが記載される。膜スタック中に形成されたフィーチャは、約２５ｎｍ以下の限界寸法を有するゲート構造を含み得る。この限界寸法は、４つのマスク層を用いてポリシリコン層中に形成できる。
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【課題】 本発明は、処理チャンバにダメージを与えることなく、クリーニング速度を速め、低温度で効率良く処理チャンバのクリーニングを行うことの可能な半導体基板処理装置のクリーニング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、半導体基板に所定の処理を施す処理チャンバを備えた半導体基板処理装置のクリーニング方法において、外部のチャンバ内で発生させたプラズマ放電によって、前記外部のチャンバ内でクリーニング用のガスを活性化させてハロゲンラジカル及び還元性ラジカルを生成させ、前記ハロゲンラジカル及び還元性ラジカルを処理チャンバ内に導入し、処理チャンバ内に堆積している堆積物を前記還元性ラジカルで還元して、前記ハロゲンラジカルで高蒸気圧ハロゲン化物として排気することを特徴とする。 （もっと読む）

半導体処理の構成材は基材および基材の上にある層を含む。層は組成物ＲｅＡ_ｙＯ_{１．５＋２ｙ}を有す、ここで、ＲｅはＹ、Ｌａ、ランタノイド族元素、またはそれらの組み合わせ、Ａは（Ｓｉ_１−ａＧｅ_ａ）、０．２５≦ｙ≦１．２且つ０≦ａ≦ｌである。
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【課題】 エッチングプロセス及び／又はクリーニングプロセス中の物理的損傷及び／又は化学的損傷から、プラズマ反応器又は反応性種発生器等の半導体処理装置の内部コンポーネントを保護する装置及び方法を提供すること。
【解決手段】 ストロンチウムビスマスタンタレート（ＳＢＴ）等の３種以上の金属元素を有する層状超格子材料を使用して、反応室の内部コンポーネントの表面上に保護バリヤーを形成する。 （もっと読む）

【課題】機能膜の機能特性を劣化させることなく有機材料を含む機能膜と透光性電極とを積層した機能素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】有機材料を含む光電変換膜１４、１９、２４と、光電変換膜１４、１９、２
４に積層される透光性電極１５、２０、２５とを含む光電変換素子の製造方法であって、透光性電極１５、２０、２５のパターニング工程に含まれる透光性電極１５、２０、２５のエッチング工程において、少なくともエッチング工程開始からエッチング工程完了直前までの所定時間、１０ｎｍ／ｍｉｎ以上のエッチング速度で透光性電極１５、２０、２５をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、犠牲ハードマスクのエッチング選択比を増加させ、パターン変形を最小化できる半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明は、被エッチング層上に犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜を形成するステップと、該犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜上にフォトレジストパターンを形成するステップと、該フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜をエッチングし、犠牲ハードマスクを形成するステップと、少なくとも前記犠牲ハードマスクをエッチングマスクとして前記被エッチング層をエッチングし、所定のパターンを形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 本発明は半導体装置の製造工程において、レジストなどのマスクパターンを用いる際に発生する反応生成物等のレジスト等への不均一な付着によるパターン形状等の不良を生じさせず、また、寸法精度が良好な微細パターンの形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 パターン形成方法を含む半導体装置の製造方法として、第１の薄膜の側壁に第２の薄膜を形成し、その側壁に形成された第２の薄膜の先端部が不均一にならないように、平坦化法により、精度良くエッチバックして揃える。 （もっと読む）

【課題】 電極膜／ペロブスカイト層／電極膜からなる積層体のドライエッチング処理における側壁部の残渣を低減可能なエッチング方法を提供する。
【解決手段】 基板を準備する工程、基板上に下部電極を堆積する工程、下部電極にペロブスカイト層を堆積する工程、ペロブスカイト層上に上部電極を堆積する工程、上部電極上にハードマスクを堆積する工程、ハードマスク上にフォトレジスト層を堆積してパターニングする工程、ハードマスクをエッチングする工程、Ａｒ、Ｏ_２及びＣｌ_２からなるエッチング雰囲気での第１エッチング処理により上部電極をエッチングする工程、第１エッチング処理、及び、Ａｒ及びＯ_２からなるエッチング雰囲気での第２エッチング処理からなるエッチング処理群から選択された少なくとも１つのエッチング処理によりペロブスカイト層をエッチングする工程、及び、第１エッチング処理により下部電極をエッチングする工程を有する。 （もっと読む）

【課題】ｈｉｇｈ−ｋ（高誘電率）誘電材料をエッチングするための方法及びシステム
【解決手段】本発明のある実施形態では、エッチ反応剤が、ｈｉｇｈ−ｋ層と反応したときに揮発性エッチ製品を形成するために利用される。代わりに、ｈｉｇｈ−ｋ層はパターン化されたフォトレジストまたはハードマスクに従って異方エッチングすることができ、中性原子のハイパーサーマルビームがｈｉｇｈ−ｋ層とのエッチ反応剤の反応を助けるために使用される。代わりに、中性原子のハイパーサーマルビームまたはプラズマ処理はｈｉｇｈ−ｋ層を修正し、その後、該修正されたｈｉｇｈ−ｋ層と反応するエッチ反応剤を活用して該修正されたｈｉｇｈ−ｋ層をエッチングするために使用することができる。 （もっと読む）

パターニング方法は、相補的なレチクルの組を個別に転写することを可能にする。一実施形態においては、例えば本方法では、位相シフトマスク（ＰＳＭ）（１１２）をエッチングし、次にｃＰＳＭマスク（１１０）に対応するカットマスクをエッチングする。更に、分離相補型マスクパターン転写方法は２つの個別の、かつ分離されたマスクパターニング工程を含み、これらの工程では、像を最終ウェハパターニングの前に、複合パターンを、中間ハードマスク（１１２）に部分的に転写することにより形成する。中間ハードマスク材料（１１２）及び最終ハードマスク材料（１１０）は、像が最終エッチングプロセスの前に下層の基板（１０２）またはウェハに像が転写されることがないように選択される。
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【解決手段】本発明の処理室のクリーニング方法は、処理室の内壁を第一温度まで加熱する。第一温度は、処理室の内壁に堆積する複数種類の物質の一つである第一物質を揮発させるのに充分な温度である。次に、クリーニング用薬剤を処理室に注入する。クリーニング用薬剤は、複数種類の物質の別の一つである第二物質と反応して、第二物質を第一物質に変換する。揮発した第一物質は処理室から排出される。本発明は、処理室のクリーニングシステムとしても構成可能である。 （もっと読む）