【課題】 基板から揮発性残渣を除去するための方法及びシステムの提供。
【解決手段】 一実施形態において、基板上でハロゲン処理プロセスを行いつつ、揮発性残渣除去プロセスが、システム内のエンルートで行われる。揮発性残渣除去プロセスは、ハロゲン処理チャンバとＦＯＵＰ以外のシステム内で行われる。一実施形態において、基板から揮発性残渣を除去する方法は、真空気密プラットフォームを持つ処理システムを準備するステップと、プラットフォームの処理チャンバ内で基板をハロゲンを含む化学で処理するステップと、処理された基板をプラットフォーム内で処理して、処理された基板から揮発性残渣を放出させるステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】格段が数１００μｍ程度の深さの多段の溝など、各々が数１００μｍ程度の寸法を備える複数の部分から構成された微細構造体が、より高い精度で形成できるようにする。
【解決手段】公知のフォトリソグラフィ技術により、貼り付けられた感光性レジスト膜１０４に開口パターン１４１が形成された状態とする。次に、開口パターン１４１が形成された感光性レジスト膜１０４をマスクとしたドライエッチングにより、半導体基板１０１の溝１０３の底部を選択的にエッチング除去し、溝１０３と同じ方向に延在する溝１０６が、溝１０３の底部に形成された状態とする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の微細パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】被エッチング膜１０６上に保護膜１１０を形成する工程と、保護膜１１０上にハードマスク層を形成する工程と、ハードマスク層上に第１ピッチで複数の第１マスクパターンを反復形成する工程と、複数の第１マスクパターンのうち、相互隣接した２つの第１マスクパターンの間に１つずつ位置する複数の第２マスクパターンを形成する工程と、第１及び第２マスクパターンをエッチングマスクとしてハードマスク層をエッチングし、保護膜１１０を露出させるハードマスクパターンを形成する工程と、第１及び第２マスクパターンを除去する工程と、保護膜１１０の露出された部分を除去し、被エッチング膜１０６を露出させる工程と、ハードマスクパターンをエッチングマスクとして被エッチング膜１０６をエッチングし、第１ピッチの１／２のピッチで複数の微細パターンを反復形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマ放出部の構造を複雑化することなく、また、着火に伴うワークへの悪影響を及ぼすことなく、確実に着火することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、ガス供給手段８と、ノズル５および第１電極２を備えたプラズマ放出部８０と、ワーク１０を介して第１電極２と対向して配置された第２電極３１と、第１電極２および第２電極３１間に電圧を印加する電源回路７とを有し、第１電極２および第２電極３１間に電圧を印加することにより、ノズル５から噴出されたガスを活性化してプラズマを生成し、該プラズマによりワーク処理部５１に設置されたワーク１０の被処理面１０１をプラズマ処理するよう構成され、ワーク処理部５１とは別の位置に、ノズル５から噴出するガスに着火する着火部５２を有するとともに、プラズマ放出部８０をワーク処理部５１と着火部５２との間で移送する移送手段２０を有する。 （もっと読む）

【課題】基板上に配向膜を形成する際に、異物の発生を抑制し、配向膜を良好に形成できる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置は、基板を収容可能であり、収容した基板上に配向膜を形成可能な第１室と、第１室に配置され、基板上に配向膜を形成するための材料を供給可能な材料供給部と、第１室に配置され、材料供給部と基板との間に所定部材が配置されるように所定部材を着脱可能に保持する保持装置と、第１室と別の位置に配置され、所定部材をクリーニング可能なクリーニングシステムと、第１室の保持装置とクリーニングシステムとの間で所定部材を搬送する搬送システムとを備えている。 （もっと読む）

プロセス化学に基づき、3塩化ホウ素（BCl₃）を用いてハフニウム含有材料をエッチングする方法およびシステムについて示した。BCl₃および添加剤ガスを含む乾式エッチング処理プロセスにより、二酸化ハフニウム（HfO₂）のようなハフニウム含有層を有する基板が処理される。添加剤ガスは、O₂のような酸素含有ガス、N2のような窒素含有ガス、CH₄のような炭化水素ガス（C_xH_y）、またはこれらの2以上の組み合わせを含む。
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【課題】半導体処理装置の反応容器内に付着した高誘電率酸化物からなる付着物をホウ素含有ハロゲン系ガスで処理し、この処理によって副次的に生成したホウ素化合物を比較的低温で確実に除去することができる半導体処理装置のクリーニング方法を得る。
【解決手段】チャンバー１内壁面などの付着した付着物Ａを第１のガスを用いて第１のクリーニング処理を行った後、第２のガスを用いて第２のクリーニング処理する。第１のガスにはＢＣｌ３などのホウ素含有ハロゲン系化合物を含むものが、第２のガスには、Ｃｌ２などのホウ素を含まないハロゲン系化合物を含むものが用いられ、これらガスをプラズマ発生部６で活性化してチャンバー１内に送り込む。 （もっと読む）

2倍以上のピッチマルチプリケーションのための単一スペーサープロセスが提供される。一実施形態では、n（n≧2）層の積層マンドレル（150b）、（140a）が基板の上に形成され、n層の各々は互いにほぼ平行な複数のマンドレル（150b）、（140a）から構成される。第n層のマンドレル（150b）は第n-1層のマンドレル（140a）の上にあり、平行で、第n層の隣接マンドレル間の距離は第n-1層の隣接マンドレル間の距離よりも大きい。スペーサー（185）はマンドレル（150b）、（140a）の側壁に接して同時に形成される。マンドレル（150b）、（140a）の露出部分はエッチングで除去され、スペーサー（185）によって画定されるラインのパターンが基板（110）に転写される。
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【課題】有機化合物よりなる処理ガスを安定に供給する処理ガス供給方法、当該処理ガス供給方法を用いた基板処理方法、当該基板処理方法を用いた半導体装置の製造方法、有機化合物よりなる処理ガスを安定に供給する処理ガス供給装置、当該処理ガス供給装置を用いた基板処理装置、および当該基板処理装置を動作させるプログラムが記載された記録媒体を提供する。
【解決手段】有機化合物よりなる原料を気化または昇華し、単量体と多量体を含む処理ガスを生成する第１の工程と、前記処理ガスの圧力または温度を制御することにより、前記多量体を単量体化させる第１の反応、または、前記単量体を多量体化させる第２の反応を生じさせる第２の工程と、当該処理ガスを所定の処理空間に供給する第３の工程と、を有することを特徴とする処理ガス供給方法。 （もっと読む）

【課題】大気中での処理に連続して基板の表面処理を行うことができ、しかも、表面処理に際して、飛散する配線金属またはその化合物等の飛散量を低減でき、更に真空予備室及び真空内での基板の搬送機構を省略して、設置面積を低減できるようにする。
【解決手段】内部に不活性ガスを導入して圧力を略大気圧に保持した処理室内に基板を搬入して該処理室を密閉し、処理室の内部を所定の処理圧力に保持しながら基板を加熱し、処理室の内部に清浄化ガスを導入し基板表面に存在する金属酸化物を清浄化ガスで除去して基板を清浄化し、清浄化した基板を処理室から搬出する。 （もっと読む）

【課題】水蒸気を含む処理ガスを用いて、下地の金属やその近傍の部位にダメージを与えない温度で金属の表面に形成された酸化物を除去することができる処理方法および処理装置を提供すること。
【解決手段】水蒸気と水蒸気よりも酸化膜に対する除去能の高い除去補助物質とを含む処理ガスを表面に酸化膜が形成された金属部分を有する被処理体に接触させ、酸化膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】ファラデーシールドによるパーティクル発生を防止するプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】真空処理室内に第１電極１０７と第２電極１０８と第３電極１０６を備え、半導体ウエハＷを所望のエッチング処理を行った後、第２電極１０８に接続してあるスイッチ１１６を切断し、所定の高周波電力を第１電極１０７に印加され、真空容器１０１内にプラズマを発生させる。その結果、第１電極１０７に印加された高周波電力が第３電極に分配されないため、プラズマ中のイオンを誘電体１０４に引き込まず誘電体をエッチングされない。その結果、パーティクル発生を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】金属膜に設けられる下層の高誘電率材の薄膜をエッチングすることなく、金属膜を１層又は数層毎に少しずつエッチングする金属膜のエッチング方法及びこれをもちいる半導体装置の製造方法である。
【解決手段】半導体基板１０上のゲート１２を形成する工程が、前記金属膜２１にハロゲン原子のイオン又はラジカルに電気的バイアスを印加せずに金属膜２１に吸着させる第１工程と、酸素を含みイオン又はラジカルに電気的バイアスを印加してエッチングする第２工程とを有する金属膜のエッチング方法及び半導体装置１０の製造方法である。この半導体の製造方法は、第１工程と第２工程の双方を有することで、下地に高誘電率材のゲート用の絶縁層２２のエッチングを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程において、金属配線に形成される酸化膜を、安定に効率的に除去することを可能とする。
【解決手段】絶縁膜と金属層が形成された被処理基板を処理する基板処理装置であって、前記被処理基板を保持すると共に該被処理基板を加熱する保持台と、前記保持台を内部に備えた処理容器と、前記処理容器内に、処理ガスを供給するガス供給部と、前記処理容器内からガスを排気するガス排出部と、を備え、前記処理ガスは、無水カルボン酸を含むことを特徴とする基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】基板上の酸化膜を除去する際の処理速度を向上させることができる基板処理装置及び基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板Ｗを収容する処理チャンバ１０と、処理チャンバ１０内に設けられ、基板Ｗを加熱する加熱手段１４と、処理チャンバ１０内に設けられ、基板Ｗに電位を印加する電位印加手段６１、６２と、処理チャンバ１０内の圧力が所定の圧力になるように処理チャンバ１０内のガスを排気する排気制御手段２６と、処理チャンバ１０内に還元性有機化合物を含む処理ガスＧを供給する処理ガス供給口１６と、基板Ｗに電位を印加しつつ処理チャンバ１０内に処理ガスＧを供給するように基板Ｗに印加する電位及び処理ガスＧの量を制御する制御装置６５とを備える基板処理装置、及び酸化膜に処理ガスＧを作用させつつ基板Ｗに電位を印加する基板処理方法。 （もっと読む）

【課題】強誘電体キャパシタを形成する際の加工性を向上し、良好な強誘電体特性を有する強誘電体キャパシタを形成できるようにした、強誘電体メモリ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基体２上に下部電極層と強誘電体層と上部電極層とからなる強誘電体キャパシタ層を形成する形成する工程と、強誘電体キャパシタ層上にチタン酸化物層を形成する工程と、チタン酸化物層を、２００℃以上５００℃以下での高温エッチングでパターニングし、マスクパターン１７を形成する工程と、マスクパターン１７をマスクにして、強誘電体キャパシタ層をエッチングし、下部電極８と強誘電体膜９と上部電極１０とを有した強誘電体キャパシタを形成する工程と、を備えた強誘電体メモリ装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 CDパフォーマンスの大幅な改善が可能なレベンソン型位相シフトマスク及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 露光光に対して透明な基板に掘り込み部を設け、透過する光の位相を制御したレベンソン型位相シフトマスクにおいて、前記基板掘り込み部に隣接する部分又は基板周辺部に設けられた遮光膜が、フッ素系ガスを主体とするエッチングガスを用いたエッチングプロセスにおいてエッチング可能な材料からなる膜Ａを含むことを特徴とするレベンソン型位相シフトマスク。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エッチング工程における、高アスペクト比用途の異方性フィーチャの形成方法を提供する。
【解決手段】開示された方法は、側壁パッシベーション管理技法を通して、高アスペクト比のフィーチャのプロファイルと寸法の制御を有利に促進する。一実施形態において、側壁パッシベーションは酸化パッシベーション層をエッチング層の側壁及び／又は底部に選択的に形成することによって管理される。他の実施形態において、側壁のパッシベーションは余分な再堆積層を定期的に除去して平坦で均一なパッシベーション層をその上に維持することによって管理される。平坦で均一なパッシベーション層により、欠陥及び／又は下層のオーバーエッチングを起こすことなく、高アスペクト比のフィーチャを、基板上の高及び低フィーチャ密度領域の双方に所望の深さ及び垂直プロファイルの限界寸法に適した形で徐々にエッチングすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エッチング工程における、高アスペクト比用途の異方性フィーチャの形成方法を提供する。
【解決手段】開示された方法は、側壁パッシベーション管理技法を通して、高アスペクト比のフィーチャのプロファイルと寸法の制御を有利に促進する。一実施形態において、側壁パッシベーションは酸化パッシベーション層をエッチング層の側壁及び／又は底部に選択的に形成することによって管理される。他の実施形態において、側壁のパッシベーションは余分な再堆積層を定期的に除去して平坦で均一なパッシベーション層をその上に維持することによって管理される。平坦で均一なパッシベーション層により、欠陥及び／又は下層のオーバーエッチングを起こすことなく、高アスペクト比のフィーチャを、基板上の高及び低フィーチャ密度領域の双方に所望の深さ及び垂直プロファイルの限界寸法に適した形で徐々にエッチングすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に形成された希土類元素の酸化物を高い選択比でエッチングすることができるプラズマエッチング装置、及びシリコン基板上に希土類元素の酸化膜が形成された半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置１において、真空チャンバー２内の雰囲気に対して硼素、弗素、炭素及び珪素を供給する供給手段２１を設ける。供給手段２１は、硼素、弗素、炭素及び珪素を含有する固体状の供給材５２を保持するものである。この装置１により、シリコン基板上に形成されたランタン酸化膜をプラズマエッチングすると、ランタン酸化膜のエッチング速度をシリコン基板のエッチング速度よりも大きくすることができ、高い選択比を得ることができる。これにより、ゲート絶縁膜として誘電率が高いランタン酸化膜を備えたＣＭＯＳを容易に製造することができる。 （もっと読む）