成膜装置
【課題】基板上に配向膜を形成する際に、異物の発生を抑制し、配向膜を良好に形成できる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置は、基板を収容可能であり、収容した基板上に配向膜を形成可能な第１室と、第１室に配置され、基板上に配向膜を形成するための材料を供給可能な材料供給部と、第１室に配置され、材料供給部と基板との間に所定部材が配置されるように所定部材を着脱可能に保持する保持装置と、第１室と別の位置に配置され、所定部材をクリーニング可能なクリーニングシステムと、第１室の保持装置とクリーニングシステムとの間で所定部材を搬送する搬送システムとを備えている。
【解決手段】成膜装置は、基板を収容可能であり、収容した基板上に配向膜を形成可能な第１室と、第１室に配置され、基板上に配向膜を形成するための材料を供給可能な材料供給部と、第１室に配置され、材料供給部と基板との間に所定部材が配置されるように所定部材を着脱可能に保持する保持装置と、第１室と別の位置に配置され、所定部材をクリーニング可能なクリーニングシステムと、第１室の保持装置とクリーニングシステムとの間で所定部材を搬送する搬送システムとを備えている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置は、液晶分子を配向させる配向膜を備えている。配向膜として、ポリイミド等の有機材料からなる配向膜、すなわち有機配向膜を用いる場合が多いが、近時においては、耐熱性及び耐光性の向上等を目的として、窒化珪素等の無機材料からなる配向膜、すなわち無機配向膜を用いることが提案されている。下記特許文献１には、斜方蒸着法によって無機配向膜を形成する場合において、材料供給部（蒸着源）と基板との間に開口を有する部材を配置する技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００２−３６５６３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
材料供給部と基板との間に上述のような部材が配置されている場合、材料供給部から供給される材料の少なくとも一部は、部材の表面に供給される可能性がある。基板以外の部材の表面に供給された材料がその部材の表面に膜を形成した場合、その膜の一部が部材の表面から剥がれる可能性がある。剥がれた膜は異物として作用し、その異物が基板に付着した場合、基板上に配向膜を良好に形成することができず、製造されるデバイスの性能が劣化する可能性がある。
【０００４】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、基板上に配向膜を形成する際に、異物の発生を抑制し、配向膜を良好に形成できる成膜装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するため、本発明は以下の構成を採用する。
本発明の一態様によると、基板上に配向膜を形成する成膜装置であって、前記基板を収容可能であり、該収容した基板上に前記配向膜を形成可能な第１室と、前記第１室に配置され、前記基板上に前記配向膜を形成するための材料を供給可能な材料供給部と、前記第１室に配置され、前記材料供給部と前記基板との間に所定部材が配置されるように該所定部材を着脱可能に保持する保持装置と、前記第１室と別の位置に配置され、前記所定部材をクリーニング可能なクリーニングシステムと、前記第１室の前記保持装置と前記クリーニングシステムとの間で前記所定部材を搬送する搬送システムと、を備えた成膜装置が提供される。
【０００６】
本発明の一態様によれば、所定部材をクリーニングするクリーニングシステムを設けたので、クリーニングシステムにおいて、所定部材に付着した材料を除去できる。したがって、第１室における異物の発生を抑制でき、基板上に配向膜を良好に形成できる。また、同じ所定部材を繰り返し使用できるので、同じ成膜条件で基板上に配向膜を形成できる。したがって、形成される配向膜の品質がばらつくことを抑制できる。また、クリーニングシステムは、基板上に配向膜を形成可能な第１室とは別の位置に配置されているので、例えばクリーニング動作によって生じる様々な物質が第１室又は第１室に配置された基板等に影響を与えることを抑制し、所望の性能を有するデバイスを製造できる。
【０００７】
上記態様の成膜装置において、前記クリーニングシステムは、前記所定部材を収容可能であり、該収容した所定部材をクリーニング可能な第２室を有する構成を採用することができる。
【０００８】
これによれば、クリーニング動作によって生じる様々な物質が周囲に放出されるのを抑制できる。例えば、クリーニング動作に用いられるクリーニング用ガス、あるいはクリーニングによって所定部材から発生する異物等が、第１室又は第１室に配置された基板等に影響を与えることを抑制できる。
【０００９】
上記態様の成膜装置において、前記搬送システムは、前記第１室と前記第２室との間に配置され、前記所定部材を保持して搬送可能な搬送部材を収容可能な第３室を有し、前記第１室と第３室とを接続する第１通路と、前記第２室と前記第３室とを接続する第２通路と、前記第１通路を開閉可能な第１開閉機構と、前記第２通路を開閉可能な第２開閉機構とを有する構成を採用できる。
【００１０】
これによれば、例えば第１室の状態（環境）、及び第２室の状態（環境）の大きな変動を抑制しつつ、第１室と第２室との間で所定部材を円滑に搬送できる。
【００１１】
上記態様の成膜装置において、前記搬送システムは、前記保持装置から前記クリーニングシステムへ前記所定部材を保持して搬送する第１搬送部材と、前記クリーニングシステムから前記保持装置へ前記所定部材を保持して搬送する第２搬送部材とを有する構成を採用できる。
【００１２】
これによれば、第１室において材料が付着している（汚染している）可能性のある所定部材を搬送する第１搬送部材と、クリーニングシステムにおいてクリーニングされた清浄な所定部材を搬送する第２搬送部材とを分けているので、クリーニングシステムにおいてクリーニングされた清浄な所定部材が、汚染されている可能性のある搬送部材で搬送されることを抑制できる。また、第１搬送部材による搬送動作と第２搬送部材による搬送動作とを並行して行うことができ、所定部材の交換動作を短縮でき、デバイスの生産性を向上できる。
【００１３】
上記態様の成膜装置において、前記クリーニングシステムは、前記所定部材に付着している前記材料を除去するための第１クリーニング動作を実行する第１クリーニング装置と、前記第１クリーニング動作後、前記所定部材に残留している物質を除去するための第２クリーニング動作を実行する第２クリーニング装置とを有する構成を採用できる。
【００１４】
これによれば、第１クリーニング動作で所定部材に付着している材料を除去することができる。そして、第１クリーニング動作後において、所定部材上に残渣等が存在する場合においても、その残渣等を第２クリーニング動作によって除去できる。したがって、所定部材を良好にクリーニングできる。
【００１５】
上記態様の成膜装置において、前記第１クリーニング装置は、前記所定部材から前記材料を除去可能な第１クリーニング用ガスを供給する構成を採用できる。
【００１６】
これによれば、所定部材に付着している材料を良好に除去できる。
【００１７】
上記態様の成膜装置において、前記所定部材に付着している前記材料の量を検出可能な検出装置と、前記検出装置の検出結果に基づいて、クリーニング動作を制御する制御装置とを備えた構成を採用できる。
【００１８】
これによれば、例えば検出装置の検出結果に基づいて、第１室において、所定部材に許容量以上の材料が付着したと判断された場合に、クリーニングシステムを用いて、適切なタイミングで、所定部材をクリーニングできる。
【００１９】
上記態様の成膜装置において、前記所定部材は、前記基板上における前記配向膜が形成される形成領域を設定する開口を有する設定部材を含む構成を採用できる。
【００２０】
これによれば、異物の発生のみならず、例えば開口の近傍に材料が付着することによって生じるその開口の形状の変化又は大きさの変化等に伴う成膜条件の変化を抑制できる。
【００２１】
上記態様の成膜装置において、前記所定部材は、前記材料供給部から前記基板へ向かう前記材料を遮断可能なシャッタ部材を含む構成を採用できる。
【００２２】
これによれば、第１室におけるシャッタ部材からの異物の発生を抑制できる。
【００２３】
上記態様の成膜装置において、前記材料供給部は、前記配向膜を形成するための材料の蒸気を発生する蒸着源を含む構成を採用できる。
【００２４】
これによれば、配向膜を蒸着法によって形成するときの異物の発生を抑制できる。
【００２５】
上記態様の成膜装置において、前記材料供給部は、イオン粒子でスパッタされ、前記配向膜を形成するためのスパッタ粒子を放出するターゲット材料を含む構成を採用できる。
【００２６】
これによれば、配向膜をスパッタ法によって形成するときの異物の発生を抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内における所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００２８】
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る成膜装置１を示す概略構成図である。本実施形態の成膜装置１は、液晶装置の少なくとも一部となる基板Ｗの表面に無機材料からなる無機配向膜を形成する成膜装置である。本実施形態においては、成膜装置１は、蒸着法に基づいて、基板Ｗの表面に無機配向膜を形成する。
【００２９】
成膜装置１は、基板Ｗを収容可能であり、その収容した基板Ｗ上に無機配向膜を形成可能な成膜室２を有する成膜システム３と、成膜室２に配置され、基板Ｗを保持して移動可能な基板駆動装置４と、成膜室２に配置され、基板Ｗ上に無機配向膜を形成するための材料を供給可能な蒸着源５と、成膜室２に配置され、蒸着源５と基板Ｗとの間に、開口６Ｋを有する設定部材６が配置されるようにその設定部材６を着脱可能に保持する第１保持装置７と、成膜室２に配置され、蒸着源５と基板Ｗとの間に、シャッタ部材８が配置されるようにそのシャッタ部材８を着脱可能に保持する第２保持装置９と、成膜システム３の成膜室２と別の位置に配置され、設定部材６及びシャッタ部材８の少なくとも一方をクリーニング可能なクリーニングシステム１０と、成膜室２の第１保持装置７とクリーニングシステム１０との間で設定部材６を搬送可能であるとともに、成膜室２の第２保持装置９とクリーニングシステム１０との間でシャッタ部材８を搬送可能な搬送システム１１と、成膜装置１全体の動作を制御する制御装置１２とを備えている。
【００３０】
クリーニングシステム１０は、設定部材６及びシャッタ部材８の少なくとも一方を収容可能であり、その収容した設定部材６及びシャッタ部材８の少なくとも一方をクリーニング可能なクリーニング室１３を有する。また、クリーニングシステム１０は、クリーニング室１３に配置され、設定部材６及びシャッタ部材８の少なくとも一方を着脱可能に保持する第３保持装置１４を有する。
【００３１】
搬送システム１１は、成膜室２とクリーニング室１３との間に配置され、設定部材６及びシャッタ部材８の少なくとも一方を保持して搬送可能な搬送部材１６、１７、１８、１９を収容可能な搬送室１５を有する。
【００３２】
また、成膜装置１は、成膜室２の環境（圧力、温度等）、クリーニング室１３の環境、及び搬送室１５の環境のそれぞれを調整する空調システム２０を備えている。本実施形態においては、制御装置１２は、空調システム２０を用いて、成膜室２、搬送室１５、及びクリーニング室１３を減圧し、ほぼ真空状態にする。
【００３３】
また、成膜装置１は、成膜室２と搬送室１５とを接続する第１通路２１（２１Ａ、２１Ｂ）と、クリーニング室１３と搬送室１５とを接続する第２通路２２と、第１通路２１（２１Ａ、２１Ｂ）を開閉可能な第１開閉機構２３（２３Ａ、２３Ｂ）と、第２通路２２を開閉可能な第２開閉機構２４とを有する。第１開閉機構２３は、第１通路２１を開閉可能な第１扉を有し、その第１扉は、第１通路２１に配置されている。第２開閉機構２４は、第２通路２２を開閉可能な第２扉を有し、その第２扉は、第２通路２２に配置されている。すなわち、第１、第２開閉機構２３、２４は、いわゆるゲートバルブ機構を含む。
【００３４】
制御装置１２は、搬送システム１１と成膜システム３との間で設定部材６及びシャッタ部材８の少なくとも一方を搬送する際、第１扉を駆動して、第１通路２１を開ける。また、制御装置１２は、成膜システム３における処理（成膜処理）を実行する際、第１扉を駆動して、第１通路２１を閉じる。また、制御装置１２は、搬送システム１１とクリーニングシステム１０との間で設定部材６及びシャッタ部材８の少なくとも一方を搬送する際、第２扉を駆動して、第２通路２２を開ける。また、制御装置１２は、クリーニングシステム１０における処理（クリーニング処理）を実行する際、第２扉を駆動して、第２通路２２を閉じる。
【００３５】
これにより、制御装置１２は、成膜室２の状態（真空状態）、及びクリーニング室１３の状態（真空状態）の大きな変動を抑制しつつ、すなわち、成膜室２及びクリーニング室１３の真空度が大きく劣化することを抑制しつつ、搬送システム１１を用いて、設定部材６及びシャッタ部材８の少なくとも一方を搬送できる。
【００３６】
なお、成膜室２には、配向膜を形成する際の前処理（例えば基板の加熱処理）を行うための前処理室（不図示）と、配向膜を形成した後の後処理（例えば基板の冷却処理）を行うための後処理室（不図示）とがそれぞれ接続されている。成膜室２と前処理室及び後処理室のそれぞれとの間にもゲートバルブ機構が設けられており、前処理室から成膜室２への基板Ｗの搬入動作、及び成膜室２から後処理室への基板Ｗの搬出動作が、不図示の搬送装置によって、ゲートバルブ機構を介して実行される。ゲートバルブ機構によって、成膜室２の状態（真空状態）の大きな変動を抑制しつつ、基板Ｗを搬送できる。
【００３７】
蒸着源５は、基板Ｗ上に無機配向膜を形成するための材料を供給するものであって、無機配向膜を形成するための材料の蒸気を発生する。蒸着源５は、成膜室２に配置されている。蒸着源５は、配向膜を形成するための材料を収容する容器（るつぼ）５Ａを有し、不図示の電子ビーム照射装置からの電子ビームが照射されることによって加熱される。これにより、蒸着源５から、無機配向膜を形成するための材料に基づく蒸気が発生する。以下の説明において、基板Ｗ上に無機配向膜を形成するための材料を適宜、配向膜材料、と称する。
【００３８】
本実施形態においては、配向膜材料として、二酸化珪素（ＳｉＯ２）等の酸化珪素（ＳｉＯｘ）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＩＴＯ等の金属酸化物を用いる。
【００３９】
本実施形態においては、蒸着源５は、成膜室２において、−Ｘ側の内壁の近傍の所定位置に配置されている。また、蒸着源５の容器５Ａは開口５Ｋを有し、その開口５Ｋが設定部材６の開口６Ｋを向くように、成膜室２に配置されている。これにより、蒸着源５から発生する配向膜材料の蒸気（昇華材料）は、図１中、二点鎖線で示すように、設定部材６の開口６Ｋ近傍に効率良く供給される。
【００４０】
基板駆動装置４は、基板Ｗを保持して移動可能であり、蒸着源５からの配向膜材料が供給可能な位置に基板Ｗを配置可能である。本実施形態においては、設定部材６が蒸着源５の上方（＋Ｚ側）に配置されており、基板駆動装置４は、その設定部材６の更に上方（＋Ｚ側）において、基板Ｗを保持して移動可能である。
【００４１】
基板駆動装置４は、保持した基板Ｗを、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に移動可能である。基板駆動装置４は、無機配向膜が形成される基板Ｗの表面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｗを保持する。
【００４２】
設定部材６は、蒸着源５と基板Ｗとの間に配置され、蒸着源５からの配向膜材料の少なくとも一部が通過可能な開口６Ｋを有する。開口６Ｋは、基板Ｗ上における無機配向膜が形成される形成領域、換言すれば、基板Ｗ上における配向膜材料が供給される供給領域を設定するためのものである。設定部材６は、例えば金属、セラミックス、樹脂等、任意の材料で形成可能である。
【００４３】
図２（Ａ）は、設定部材６の近傍の側断面図、図２（Ｂ）は、設定部材６の近傍を＋Ｚ側から見た図である。図２に示すように、本実施形態においては、設定部材６は、Ｙ軸方向を長手方向とするスリット状の開口６Ｋを有する。また、ＸＹ平面内における開口６Ｋの大きさは、基板Ｗの表面の大きさよりも小さい。設定部材６は、開口６Ｋを用いて、蒸着源５からの配向膜材料を、基板Ｗに選択的に蒸着させる。以下の説明において、スリット状の開口６Ｋを有する設定部材６を適宜、スリット部材６、と称する。
【００４４】
スリット部材６の開口６Ｋは、基板Ｗに対する配向膜材料の入射角度を制御可能である。スリット部材６の開口６Ｋは、蒸着源５が配置された位置に対して、ＸＹ平面内において、＋Ｘ方向に所定距離離れた位置に配置される。そして、蒸着源５の開口５Ｋとスリット部材６の開口６Ｋとを結ぶ線と、Ｚ軸とがなす角度θは、基板Ｗの表面に形成される無機配向膜の目標形状に応じて定められる。これにより、配向膜材料の蒸気は、基板Ｗの表面に対して、所定の入射角度で供給され、その基板Ｗを斜方蒸着する。
【００４５】
第１保持装置７は、成膜室２に配置され、蒸着源５と基板Ｗとの間にスリット部材６が配置されるように、スリット部材６を着脱可能に保持する。
【００４６】
第１保持装置７は、蒸着源５と基板Ｗとの間に配置された第１保持部材７Ｈを有する。第１保持部材７Ｈは、板状の部材である。図１等に示すように、基板駆動装置４は、第１保持部材７Ｈの上面と、基板Ｗの下面（無機配向膜が形成される面）とが接近するように、基板Ｗを保持する。第１保持部材７Ｈは、少なくともスリット部材６の開口６Ｋよりも大きい開口７Ｋと、第１保持部材７Ｈの上面において開口７Ｋを囲むように形成され、スリット部材６の周縁領域を支持可能な段差を有する保持部７Ｄとを有する。保持部７Ｄの段差の外形はスリット部材６に応じたものであり、スリット部材６は、保持部７Ｄの段差によって着脱可能に保持される。
【００４７】
なお、スリット部材６を着脱可能に保持する保持部７Ｄは、段差に限られず、例えば静電チャック機構等を有したものであってもよい。静電チャック機構等を有する保持部によっても、スリット部材６を着脱可能に保持できる。
【００４８】
また、本実施形態においては、成膜装置１は、スリット部材６が蒸着源５及び基板Ｗの少なくとも一方に対して所定の位置関係で配置されるように、スリット部材６を位置決めする位置決め機構２５を有する。位置決め機構２５は、スリット部材６の開口６Ｋが蒸着源５及び基板Ｗの少なくとも一方に対して所定の位置関係で配置されるように、スリット部材６を位置決めする。本実施形態においては、位置決め機構２５は、スリット部材６の開口６Ｋの長手方向とＹ軸方向とがほぼ平行となるように、スリット部材６を位置決めする。
【００４９】
図２に示すように、ＸＹ平面内におけるスリット部材６の外形はほぼ円形状であるが、その周縁の一部に、開口６Ｋの長手方向と直交する方向（すなわちＸ軸方向）ほぼ平行に切り欠かれた直線部６Ｌを有する。また、ＸＹ平面内における第１保持部材７Ｈの保持部７Ｄの段差の外形は、スリット部材６の外形に応じた形状を有し、その保持部７Ｄの一部には、スリット部材６の直線部６Ｌに対応する直線部７Ｌが形成されている。これにより、スリット部材６は、そのスリット部材６の直線部６Ｌと保持部７Ｄの直線部７Ｌとが対向する状態でのみ、保持部７Ｄに保持される。このように、本実施形態においては、位置決め機構２５は、スリット部材６の直線部６Ｌと、段差及び直線部７Ｌを含む第１保持部材７Ｈの保持部７Ｄとを含み、この位置決め機構２５によって、スリット部材６の開口６Ｋの長手方向とＹ軸方向とがほぼ平行となるように、スリット部材６が位置決めされる。
【００５０】
なお、位置決め機構２５は、直線部６Ｌ、７Ｌに限られず、例えばピン部材とそのピン部材を配置可能な孔とを有する機構であってもよいし、第１保持部材７Ｈを移動可能な駆動機構を設け、スリット部材６を保持した第１保持部材７Ｈを駆動機構で駆動することによって、第１保持部材７Ｈに保持されたスリット部材６の位置を調整するようにしてもよい。
【００５１】
第１保持部材７Ｈは、基板Ｗよりも十分に大きく、スリット部材６とともに、基板Ｗの表面（−Ｚ側を向く面）のほぼ全域を覆うことができる。そして、スリット部材６及び第１保持部材７Ｈは、蒸着源５からの、スリット部材６の開口６Ｋによって設定された形成領域（供給領域）以外への配向膜材料の供給（蒸着）を抑制する。
【００５２】
また、第１保持部材７Ｈの上面（＋Ｚ側の面）はほぼ平坦であり、第１保持部材７Ｈに保持されたスリット部材６の上面もほぼ平坦である。また、第１保持部材７Ｈの上面と、その第１保持部材７Ｈに保持されたスリット部材６の上面とは、同一平面内（ＸＹ平面内）に配置される。すなわち、第１保持部材７Ｈの上面と、その第１保持部材７Ｈに保持されたスリット部材６の上面とは、ほぼ面一となる。
【００５３】
基板駆動装置４は、基板Ｗを、第１保持部材７Ｈ及びスリット部材６の上面に沿ってＸＹ平面内で移動可能である。そして、本実施形態においては、制御装置１２は、基板駆動装置４を用いて基板ＷをＸ軸方向に移動しつつ、蒸着源５より供給された配向膜材料を、開口６Ｋを介して基板Ｗの表面に連続的に供給する。これにより、開口６Ｋを通過した配向膜材料は、基板Ｗの表面（−Ｚ側を向く面）の所定領域に斜方蒸着される。
【００５４】
シャッタ部材８は、蒸着源５と基板Ｗとの間に配置され、蒸着源５から基板Ｗへ向かう配向膜材料を遮断可能である。シャッタ部材８は、例えば金属、セラミックス、樹脂等、任意の材料で形成可能である。
【００５５】
第２保持装置９は、成膜室２に配置され、蒸着源５と基板Ｗとの間にシャッタ部材８が配置されるように、シャッタ部材８を着脱可能に保持する。
【００５６】
第２保持装置９は、蒸着源５と基板Ｗとの間に配置可能な第２保持部材９Ｈを有する。第２保持装置９は、シャッタ部材８を着脱可能に保持する第２保持部材９Ｈと、そのシャッタ部材８を保持した第２保持部材９Ｈを移動可能な駆動機構とを有する。本実施形態においては、第２保持装置９は、第２保持部材９Ｈで保持したシャッタ部材８を、駆動機構を用いて６自由度の方向に移動可能である。
【００５７】
第２保持部材９Ｈは、上述の第１保持部材７Ｈとほぼ同様、開口９Ｋと、第２保持部材９Ｈの上面において開口９Ｋを囲むように形成され、シャッタ部材８の周縁領域を支持可能な段差を有する保持部９Ｄとを有する。保持部９Ｄの段差の外形はシャッタ部材８に応じたものであり、シャッタ部材８は、保持部９Ｄの段差によって着脱可能に保持される。
【００５８】
なお、シャッタ部材８を着脱可能に保持する保持部は、段差に限られず、例えば静電チャック機構等を有したものであってもよい。静電チャック機構等を有する保持部によっても、シャッタ部材８を着脱可能に保持できる。
【００５９】
図３に示すように、制御装置１２は、第２保持装置９の駆動機構を制御して、第２保持部材９Ｈで保持したシャッタ部材８を、蒸着源５と基板Ｗとの間に配置可能である。より具体的には、制御装置１２は、第２保持部材９Ｈで保持したシャッタ部材８を、蒸着源５の開口５Ｋを覆うように、蒸着源５とスリット部材６の開口６Ｋとを結ぶ線上に配置可能である。これにより、蒸着源５から基板Ｗへ向かう配向膜材料が遮断される。また、制御装置１２は、第２保持装置９の駆動機構を制御して、第２保持部材９Ｈで保持したシャッタ部材８を、蒸着源５と基板Ｗとの間から退避可能である。これにより、蒸着源５から基板Ｗへ向かって配向膜材料が供給される。
【００６０】
制御装置１２は、例えば蒸着源５の配向膜材料が昇華を開始した直後等において、配向膜材料の昇華が安定するまで、蒸着源５の開口５Ｋを覆うように、蒸着源５と基板Ｗとの間にシャッタ部材８を配置する。そして、配向膜材料の昇華が安定した後、制御装置１２は、シャッタ部材８を蒸着源５と基板Ｗとの間から退避させ、蒸着源５から基板Ｗへ向かって配向膜材料が供給可能な状態に設定する。
【００６１】
また、図１に示すように、本実施形態においては、成膜室２の内壁には、蒸着源５からの配向膜材料が成膜室２の内壁に付着することを抑制するための抑制部材（防着板）２６が配置されている。防着板２６は、成膜室２の内壁に着脱可能に配置されており、交換可能である。
【００６２】
また、本実施形態においては、成膜装置１は、スリット部材６に付着している配向膜材料の量を検出可能な第１検出装置２７を備えている。第１検出装置２７は、例えば水晶振動子を含み、スリット部材６に対して所定の位置に配置されている。本実施形態においては、第１検出装置２７は、第１保持装置７に保持されているスリット部材６の近傍であって、そのスリット部材６から僅かに離れた位置に配置されている。
【００６３】
水晶振動子を含む第１検出装置２７は、スリット部材６に付着している配向膜材料の量、換言すれば、配向膜材料に基づいてスリット部材６の表面に形成される膜の量（厚み）を検出可能である。すなわち、本実施形態の第１検出装置２７は、いわゆる水晶振動子型膜厚モニタを含む。
【００６４】
第１検出装置２７の水晶振動子は、その水晶振動子上に形成される膜の量（厚み、重さ）に応じて、その振動状態を変化させる。具体的には、水晶振動子に膜が形成されると、その質量変化により、共振周波数が変化する。すなわち、水晶振動子の振動状態と、その水晶振動子上に形成される膜の量とは対応関係にあり、共振周波数の変化によって、水晶振動子上に形成された膜の量（厚み、重さ）を求めることができる。第１検出装置２７の検出結果は制御装置１２に出力される。
【００６５】
また、本実施形態においては、成膜装置１は、シャッタ部材８に付着している配向膜材料の量を検出可能な第２検出装置２８を備えている。第２検出装置２８は、第１検出装置２７と同様、水晶振動子型膜厚モニタを含む。第２検出装置２８は、シャッタ部材８に対して所定の位置に配置されている。本実施形態においては、第２検出装置２８は、第２保持装置９に保持されているシャッタ部材８の近傍であって、そのシャッタ部材８から僅かに離れた位置に配置されている。また、第２検出装置２８は、不図示の駆動機構によって移動可能であり、第２保持装置２８の駆動機構によってシャッタ部材８が移動したときに、そのシャッタ部材８との位置関係（距離）を維持した状態で、そのシャッタ部材８と同期移動可能である。第２検出装置２８の検出結果は制御装置１２に出力される。
【００６６】
搬送システム１１は、スリット部材６を保持して搬送可能な複数の搬送部材１６、１７を有する第１搬送装置１１Ａと、シャッタ部材８を保持して搬送可能な複数の搬送部材１８、１９を有する第２搬送装置１１Ｂとを備えている。
【００６７】
第１搬送装置１１Ａは、第１保持装置７からクリーニングシステム１０へスリット部材６を保持して搬送する第１搬送部材１６と、クリーニングシステム１０から第１保持装置７へスリット部材６を保持して搬送する第２搬送部材１７とを有する。第１、第２搬送部材１６、１７のそれぞれは、磁力又は静電気力でスリット部材６を保持可能であり、成膜室２の第１保持装置７とクリーニング室１３との間を移動可能である。
【００６８】
第２搬送装置１１Ｂは、第２保持装置９からクリーニングシステム１０へシャッタ部材８を保持して搬送する第３搬送部材１８と、クリーニングシステム１０から第２保持装置９へシャッタ部材８を保持して搬送する第４搬送部材１９とを有する。第３、第４搬送部材１８、１９のそれぞれは、磁力又は静電気力でシャッタ部材８を保持可能であり、成膜室２の第２保持装置９とクリーニング室１３との間を移動可能である。
【００６９】
クリーニングシステム１０は、スリット部材６及びシャッタ部材８の少なくとも一方をクリーニング可能であり、スリット部材６及びシャッタ部材８の少なくとも一方に付着している配向膜材料を除去する。
【００７０】
図４は、クリーニングシステム１０を示す図である。図４において、クリーニングシステム１０は、スリット部材６及びシャッタ部材８の少なくとも一方を収容可能なクリーニング室１３と、クリーニング室１３に配置され、スリット部材６及びシャッタ部材８の少なくとも一方を着脱可能に保持する第３保持装置１４と、クリーニング室１３に配置され、クリーニング室１３に第１クリーニング用ガスを供給する第１クリーニング用ガス供給装置３０と、クリーニング室１３とは別の放電室３１においてプラズマを生成するプラズマ生成装置３２と、クリーニング室１３と放電室３２とを接続する開口３３と、放電室３２で生成されたプラズマを開口３３を介してクリーニング室１３に導入するプラズマ導入装置３４とを備えている。クリーニングシステム１０は、クリーニング室１３に導入されたプラズマによって、第１クリーニング用ガスを用いて、スリット部材６及びシャッタ部材８の少なくとも一方に付着している配向膜材料を除去する。
【００７１】
第３保持装置１４は、クリーニング室１３に配置された第３保持部材１４Ｈを有し、その第３保持部材１４Ｈは、スリット部材６及びシャッタ部材８の少なくとも一方がクリーニング室１３に配置されるように、そのスリット部材６及びシャッタ部材８の少なくとも一方を保持する。また、第３保持部材１４Ｈは、保持したスリット部材６及びシャッタ部材８の少なくとも一方の温度を調整可能な温度調整装置を備えている。また、第３保持部材１４Ｈには、その第３保持部材１４Ｈ（ひいては第３保持部材１４Ｈに保持されたスリット部材６及びシャッタ部材８の少なくとも一方）に所定の電位を印加する電源が接続されている。
【００７２】
第１クリーニング用ガス供給装置３０は、配向膜材料と化学反応することで、スリット部材６及びシャッタ部材８の少なくとも一方から配向膜材料を除去可能な第１クリーニング用ガスを供給する。第１クリーニング用ガスは、配向膜材料に応じて適宜選択される。例えば、配向膜材料として、ＳｉＯ２等の酸化珪素を用いる場合、第１クリーニング用ガスとして、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、ＮＦ３等のＰＦＣ（per fluoro compound）ガスを用いることができる。
【００７３】
クリーニング室１３の所定位置には、第１クリーニング用ガス供給装置３０と接続されたノズル部材３５が配置されており、第１クリーニング用ガス供給装置３０から送出された第１クリーニング用ガスは、供給管３６を介してノズル部材３５に供給される。第１クリーニング用ガス供給装置３０から送出され、供給管３６を流れた第１クリーニング用ガスは、ノズル部材３５を介して、クリーニング室１３に放出される。また、供給管３６の途中には、この供給管３６の流路を開閉可能なバルブ機構３６Ｂが配置されている。
【００７４】
また、クリーニング室１３の所定位置には、クリーニング室１３のガスを排気可能な排気口（不図示）が形成されている。
【００７５】
プラズマ生成装置３２は、放電においてプラズマを生成可能であり、放電室３１に配置され、アーク放電可能な電極３７、３７と、放電室３１に放電用ガスを供給する放電用ガス供給装置３８とを備えている。
【００７６】
放電用ガス供給装置３８は、プラズマ生成装置３２で放電される放電用ガスを、電極３７が配置された放電室３１に供給するものであって、放電用ガスとして、例えば、アルゴンガス等の不活性ガスを供給する。放電用ガス供給装置３８から送出された放電用ガス（本実施形態においてはアルゴンガス）は、供給管３９を介して放電室３１の電極３７間に供給される。また、供給管３９の途中には、この供給管３９の流路を開閉可能なバルブ機構３９Ｂが配置されている。
【００７７】
プラズマ生成装置３２は、電極３７間でアーク放電を発生させ、電極３７間にプラズマ発生領域ＰＵを形成する。プラズマ生成装置３２は、プラズマ発生領域ＰＵに放電用ガス供給装置３８からアルゴンガスを供給し、その供給されたアルゴンガスをアルゴンイオンと電子（荷電粒子）とを含むガスに変換する。すなわち、プラズマ生成装置３２は、放電用ガス（アルゴンガス）をプラズマ化して、そのアルゴンガスのプラズマ（アルゴンプラズマ）を生成する。
【００７８】
プラズマ導入装置３４は、プラズマ生成装置３２により放電室３１で生成されたプラズマを、開口３３を介してクリーニング室１３に導入するためのものであって、引き出し電極（陰極）４０、４０を含む。引き出し電極４０には、その引き出し電極４０に所定の電位を印加する電源が接続されている。
【００７９】
引き出し電極４０と対向する位置には対向電極４１が配置されており、プラズマ生成装置３２により放電室３１で生成されたプラズマ（アルゴンプラズマ）は、引き出し電極４０により加速され、開口３３を介して、クリーニング室１３に導入（照射）される。このように、本実施形態のクリーニングシステム１０は、プラズマ生成装置３２の放電室３１で生成されたプラズマをクリーニング室１３に導入（供給）する。
【００８０】
次に、上述の構成を有する成膜装置１を用いて、基板Ｗの表面に無機配向膜を形成する方法について説明する。
【００８１】
まず、成膜処理されるべき基板Ｗが、前処理室から成膜室２の基板駆動装置４に搬入（ロード）される。基板駆動装置４は、ロードされた基板Ｗを保持する。前処理室を有する前処理装置は、基板Ｗの基材（例えばガラス基板）上に所定の機能膜を形成可能であり、本実施形態においては、基板Ｗ上には、前処理装置によって、例えばＩＴＯ等の透明導電膜が予め形成されている。制御装置１２は、空調システム２０を制御して、基板Ｗが搬入された成膜室２を真空状態に調整するとともに、所定の温度に調整する。
【００８２】
また、制御装置１２は、基板Ｗが成膜室２に搬入される前又は後の所定のタイミングで、蒸着源５と基板Ｗとの間にシャッタ部材８を配置して、シャッタ部材８で蒸着源５の開口５Ｋを覆った状態で、配向膜材料を有する蒸着源５を加熱する動作を開始する。そして、制御装置１２は、配向膜材料の昇華が安定した後、シャッタ部材８を蒸着源５と基板Ｗとの間から退避させ、蒸着源５から基板Ｗへ向かって配向膜材料が供給可能な状態に設定する。
【００８３】
制御装置１２は、蒸着源５を用いて、配向膜材料を基板Ｗに蒸着する。蒸着源５から発生する配向膜材料の蒸気（昇華材料）は、図１中、二点鎖線で示すように、スリット部材６の開口６Ｋ近傍に効率良く供給される。また、制御装置１２は、基板駆動装置４を用いて、蒸着源５からの配向膜材料が供給可能な位置に基板Ｗを配置する。蒸着源５より放出された配向材料の少なくとも一部は、スリット部材６の開口６Ｋを通過する。スリット部材６の開口６Ｋを通過した配向膜材料は、基板Ｗ上に供給され、基板Ｗの表面に斜方蒸着する。
【００８４】
そして、本実施形態においては、制御装置１２は、基板駆動装置４を用いて基板ＷをＸ軸方向に移動しつつ、蒸着源５を用いた成膜処理（蒸着処理）を実行する。すなわち、本実施形態においては、基板ＷをＸ軸方向に移動しつつ、スリット部材６の開口６Ｋを介した配向膜材料が、基板Ｗの表面に連続的に供給される。
【００８５】
蒸着処理を実行することによって、蒸着源５からは、配向膜材料が放射状に放出される。本実施形態においては、蒸着源５と基板Ｗとの間に、基板Ｗ上における形成領域（供給領域）を設定する開口６Ｋを有するスリット部材６が配置されているので、蒸着源５から放出された配向膜材料のうち、スリット部材６の開口６Ｋを通過する一部の配向膜材料のみが、基板Ｗ上に供給される。
【００８６】
また、本実施形態においては、スリット部材６の開口６Ｋを通過した配向膜材料が基板Ｗの表面に斜め方向から供給されるように、蒸着源５とスリット部材６の開口６Ｋと基板Ｗとが所定の位置関係で配置されている。具体的には、上述のように、蒸着源５の開口５Ｋとスリット部材６の開口６Ｋとを結ぶ線と、Ｚ軸とが所定の角度θに定められている。したがって、スリット部材６の開口６Ｋを通過した配向膜材料は、基板Ｗの表面に対して角度θ傾斜した斜め方向から、その基板Ｗの表面に供給される。すなわち、基板Ｗの表面には、入射角度θで配向膜材料が供給される。これにより、基板Ｗの表面には、所望の角度で傾くように形成された複数の射方柱（カラム、柱状構造体）を含む無機配向膜が形成される。
【００８７】
図５は、スリット部材６の開口６Ｋの近傍を示す図である。蒸着源５から放出された配向膜材料のうち、スリット部材６の開口６Ｋを通過しない一部の配向膜材料は、図５に示すように、例えばスリット部材６の開口６Ｋ近傍の下面（蒸着源５と対向する−Ｚ側の面）の一部、あるいは、開口６Ｋの内面等に付着し、それら開口６Ｋ近傍に膜Ｍ’を形成する可能性がある。この膜Ｍ’が形成されると、開口６Ｋの大きさが変化したり、開口６Ｋの形状が変化したりして、形成される無機配向膜の膜厚等が均一でなくなるなど、蒸着むらが発生し、所望の無機配向膜を基板Ｗ上に形成できなくなる可能性がある。
【００８８】
また、スリット部材６に形成された膜Ｍ’の一部が剥がれる可能性がある。スリット部材６から剥がれた膜Ｍ’は異物として作用し、その異物（膜Ｍ’の一部）が、例えば開口６Ｋを介して基板Ｗに付着する可能性がある。異物が基板Ｗに付着すると、その基板Ｗに基づいて製造されるデバイスの性能が劣化する。
【００８９】
また、シャッタ部材８にも膜Ｍ’が形成される可能性がある。シャッタ部材８は、蒸着源５の近くに配置されているため、膜Ｍ’が形成される可能性がある。そして、そのシャッタ部材８に形成された膜Ｍ’が異物として作用する可能性がある。
【００９０】
そこで、本実施形態においては、膜Ｍ’が形成されたスリット部材６及びシャッタ部材８の少なくとも一方を、クリーニングシステム１０を用いてクリーニングする。
【００９１】
以下、クリーニングシステム１０を用いたクリーニング動作の一例について説明する。以下の説明においては、簡単のため、クリーニングシステム１０がスリット部材６をクリーニングする場合を例にして説明する。
【００９２】
制御装置１２は、第１検出装置２７の検出結果に基づいて、クリーニング動作を制御する。上述のように、水晶振動子を含む第１検出装置２７は、成膜室２におけるスリット部材６上の配向膜材料の量、ひいては配向膜材料に基づいてスリット部材６の表面に形成される膜Ｍ’の量（厚み）を検出可能である。第１検出装置２７の検出結果は制御装置１２に出力される。
【００９３】
上述のように、水晶振動子の振動状態と、その水晶振動子上に形成される膜Ｍ’の量とは対応関係にあり、その関係に関する情報は、予め求められていて制御装置１２に記憶されている。制御装置１２は、第１検出装置２７の検出結果と、上述の記憶情報とに基づいて、水晶振動子上に形成される膜Ｍ’の量を求めることができる。第１検出装置２７の水晶振動子は、スリット部材６の近傍に配置されており、水晶振動子上に形成される膜Ｍ’の量と、スリット部材６の表面に形成される膜Ｍ’の量とはほぼ等しい。したがって、制御装置１２は、第１検出装置２７の検出結果に基づいて、配向膜材料に基づいてスリット部材６上に形成される膜Ｍ’の量、ひいてはスリット部材６上に供給される配向膜材料の量を検出できる。
【００９４】
制御装置１２は、第１検出装置２７の検出結果に基づいて、搬送システム１１及びクリーニングシステム１０を制御する。具体的には、制御装置１２は、第１検出装置２７の検出結果に基づいて、第１保持装置７に保持されているスリット部材６上の膜Ｍ’の量が、予め定められた許容量以上になったと判断したとき、搬送システム１１を用いて、第１保持装置７に保持されているスリット部材６を成膜室２から搬出する動作を開始する。
【００９５】
なお、この許容量は、膜Ｍ’の剥がれが発生する確率に基づいて定められた値であり、予備実験及びシミュレーションの少なくとも一方を用いて予め求めることができる。例えば、形成される膜Ｍ’の量が許容量以下であれば、その膜Ｍ’にクラック等が発生する確率が非常に低く、したがって、そのクラックに起因して膜の一部が剥がれて異物が発生する確率が非常に低い。一方、形成される膜Ｍ’の量が許容量以上の場合、その膜Ｍ’にクラックが発生する確率が高くなり、異物が発生する確率が高くなる。
【００９６】
制御装置１２は、第１検出装置２７の検出結果に基づいて、第１保持装置７に保持されているスリット部材６上の膜Ｍ’の量が、予め定められた許容量以上になったと判断したとき、成膜システム３による成膜処理（蒸着処理）を停止した後、第１保持装置７によるスリット部材６の保持を解除し、搬送システム１１の第１搬送部材１６を第１保持装置７に接近させ、その第１搬送部材１６を用いて、スリット部材６を第１保持装置７から搬出する。
【００９７】
制御装置１２は、スリット部材６に形成されている膜Ｍ’（配向膜材料）を除去するために、成膜室２から搬出したスリット部材６を、クリーニングシステム１０のクリーニング室１３に搬送する。制御装置１２は、第１搬送部材１６を用いて、クリーニング室１３の第３保持装置１４に、スリット部材６を搬入（ロード）する。
【００９８】
スリット部材６が第３保持装置１４に保持された後、スリット部材６の温度が、第３保持装置１４に配置されている不図示の温度調整装置によって調整される。そして、第１クリーニング用ガス供給装置３０より、ノズル部材３５を介して、クリーニング室１３内に、スリット部材６から膜Ｍ’（配向膜材料）を除去するための第１クリーニング用ガスが供給される。また、プラズマ生成装置３２においては、電極３７間にグロー放電が生成され、、放電用ガス供給装置３８より放電室３１に放電用ガスが供給され、電極３７間にプラズマ発生領域ＰＵが形成される。
【００９９】
プラズマ生成装置３２により放電室３１において生成されたプラズマは、引き出し電極４０を含むプラズマ導入装置３４により、開口３３を介して、クリーニング室１３に導入される。プラズマは、クリーニング室１３を−Ｘ方向に向かって進行する。
【０１００】
クリーニング室１３のプラズマは、クリーニング室１３の第１クリーニング用ガスを励起、イオン化する。クリーニング室１３に導入されたプラズマによって励起、イオン化された第１クリーニング用ガスは、第３保持部材１４Ｈに保持されているスリット部材６の表面に付着している配向膜材料と化学反応し、例えばフッ化珪素（ＳｉＦ４）を生成し、配向膜材料をガス化する。これにより、スリット部材６に付着していた配向膜材料は、そのスリット部材６から除去される。すなわち、本実施形態においては、クリーニングシステム１０は、ドライエッジング（プラズマエッチング）可能なドライエッチング装置を備えており、ドライエッチング（プラズマエッチング）の手法によって、スリット部材６に付着している配向膜材料を除去するための第１クリーニング動作を実行する。
【０１０１】
本実施形態においては、成膜装置１は、クリーニング室１３において、スリット部材６に付着していた配向膜材料が除去されたかどうかを検出する検出装置４２を有している。検出装置４２は、フーリエ変換赤外分光光度計を含み、そのフーリエ変換赤外分光光度計を含む検出装置４２は、図４に示すように、接続管４３を介して、クリーニング室１３と接続されている。
【０１０２】
フーリエ変換赤外分光光度計（ＦＴ−ＩＲ）を含む検出装置４２は、特に、第１クリーニング用ガスとしてフッ素を含むガスを用いた場合に、スリット部材６に付着していた配向膜材料が除去されたかどうかを検出可能である。ＰＦＣ等、フッ素を含むガスは、配向膜材料である酸化珪素と反応してフッ化珪素（ＳｉＦ４）となり、接続管４３を介してフーリエ変換赤外分光光度計を含む検出装置４２に導入される。フーリエ変換赤外分光光度計は、導入されたガス中のフッ化珪素（ＳｉＦ４）の量を検出可能である。
【０１０３】
スリット部材６に配向膜材料が付着している場合、その配向膜材料と第１クリーニング用ガスとの化学反応によってフッ化珪素（ＳｉＦ４）が生成され続けるので、制御装置１２は、フーリエ変換赤外分光光度計を含む検出装置４２の検出結果に基づいて、フッ化珪素が生成されていると判断したとき、スリット部材６には未だ配向膜材料が存在している（スリット部材６に付着していた配向膜材料は未だ除去されていない）と判断できる。一方、スリット部材６上の配向膜材料がほぼ除去された場合、フッ化珪素（ＳｉＦ４）はほとんど生成されないので、制御装置１２は、フーリエ変換赤外分光光度計を含む検出装置４２の検出結果に基づいて、フッ化珪素がほとんど生成されていないと判断したとき、スリット部材６には配向膜材料が存在していない（スリット部材６に付着していた配向膜材料は除去された）と判断できる。このように、制御装置１２は、検出装置４２によってフッ化珪素をほとんど検出しなくなった時点で、スリット部材６から配向膜材料がほぼ除去されたと判断する。
【０１０４】
検出装置４２の検出結果に応じて、スリット部材６から配向膜材料がほぼ除去できたと判断した後、制御装置１２は、第１クリーニング用ガス供給装置３０からのクリーニング室１３に対する第１クリーニング用ガスの供給動作を停止し、ドライエッチングの手法に基づく第１クリーニング動作を終了する。
【０１０５】
第１クリーニング動作終了後、制御装置１２は、スリット部材６を保持している第３保持部材１４Ｈに印加する電位を制御し、プラズマ生成装置３２からクリーニング室１３に供給されているプラズマ（アルゴンプラズマ）を用いて、スリット部材６をスパッタリングする。すなわち、制御装置１２は、クリーニング室１３に配置されているスリット部材６を、アルゴンイオンでスパッタ洗浄する。第１クリーニング終了後においても、スリット部材６上には、フッ素系の残渣等の物質が残留している可能性がある。そこで、制御装置１２は、第１クリーニング動作終了後、スリット部材６に残留している物質を除去するために、スパッタ洗浄の手法を用いて、第２クリーニング動作を実行する。
【０１０６】
そして、制御装置１２は、第１、第２クリーニング動作が終了した後、第２搬送部材１７を用いて、第３保持部材１４Ｈからクリーニング後のスリット部材６を搬出し、成膜室２の第１保持部材７Ｈに搬入（ロード）する。
【０１０７】
以上説明したように、スリット部材６をクリーニングするクリーニングシステム１０を設けたので、クリーニングシステム１０において、スリット部材６に付着した配向膜材料を除去できる。したがって、成膜室２における異物の発生を抑制でき、基板Ｗ上に配向膜を良好に形成できる。したがって、所望の性能を有する液晶装置を製造できる。
【０１０８】
また、基板Ｗ上における配向膜材料が供給される供給領域を設定する開口６Ｋを有するスリット部材６をクリーニングするようにしたので、例えば開口６Ｋの近傍に配向膜材料が付着することによって生じる、その開口６Ｋの形状の変化、又は開口６Ｋの大きさの変化等を抑制できる。開口６Ｋの大きさ又は形状が変化した場合、成膜条件が変化したり、成膜むら（蒸着むら）等が発生したりする不具合が生じるが、本実施形態においては、そのような不具合の発生を、クリーニングシステム１０を用いて抑制できる。
【０１０９】
また、クリーニングシステム１０を設けたことにより、同じスリット部材６を繰り返し使用できるので、同じ成膜条件で基板Ｗ上に配向膜を形成できる。したがって、形成される配向膜の品質がばらつくことを抑制できる。すなわち、例えばスリット部材６上に許容量以上の膜Ｍ’が形成された場合、そのスリット部材６を新たなものと交換することも考えられるが、上述のように、スリット部材６は、供給領域を規定する開口６Ｋを有しており、スリット部材６を新たなもの（別のもの）と交換すると、スリット部材６（開口６Ｋ）の製造誤差（形状誤差）等によって、供給領域が変動する可能性がある。そのため、スリット部材６を新たなもの（別のもの）と頻繁に交換することは望ましくない場合がある。本実施形態においては、スリット部材６をクリーニングシステム１０を用いてクリーニングするので、スリット部材６を交換することなく、異物が発生するのを抑制することができる。
【０１１０】
なお、本実施形態においては、上述のように、二点鎖線で示す方向で、蒸着源５から基板Ｗに配向膜材料が進行する。したがって、第１保持部材７Ｈに付着する配向膜材料の量は僅かである。また、スリット部材６は基板Ｗの形成領域（供給領域）に近い位置に配置されており、スリット部材６に付着する膜Ｍ’に起因する異物は、主に、スリット部材６の開口６Ｋ近傍に付着した膜（配向膜材料）から発生する異物と考えられる。したがって、第１保持部材７Ｈに対して比較的小型のスリット部材６のみをクリーニングすることによって、基板Ｗに異物が付着することを抑制でき、製造されるデバイスの劣化を抑制できる。
【０１１１】
また、クリーニングシステム１０は、基板Ｗ上に配向膜を形成可能な成膜室２とは別の位置に配置されているので、例えばクリーニング動作によって生じる様々な物質が成膜室２又は成膜室２に配置された基板Ｗ等に影響を与えることを抑制できる。すなわち、スリット部材６をクリーニングする際に、ＰＦＣガス等、フッ素を含むガスを用いる場合、成膜室２と同じ空間でクリーニング処理を実行すると、そのフッ素を含むガスが成膜室２に残留したり、成膜室２に配置されている基板Ｗに付着する可能性がある。また、フッ素を含むガスが成膜室２の内壁を腐食する等、成膜室２を劣化させる可能性がある。また、フッ素を含むガスが基板Ｗに付着すると、基板Ｗ（配向膜）の性能が劣化し、ひいては製造されるデバイス（液晶装置）の性能が劣化する可能性がある。本実施形態においては、クリーニングシステム１０は、基板Ｗ上に配向膜を形成可能な成膜室２とは別の位置に配置されているので、上述の不具合を抑制できる。したがって、所望の性能を有するデバイスを製造できる。
【０１１２】
また、本実施形態においては、クリーニングシステム１０は、クリーニング室１３を有しており、クリーニング動作によって生じる様々な物質が周囲に放出されるのを抑制できる。また、クリーニング室１３を真空状態にすることができるので、そのクリーニング室１３で、上述のドライエッチング（プラズマエッチング）の手法に基づく第１クリーニング動作、及びアルゴンイオンによるスパッタ洗浄の手法に基づく第２クリーニング動作を円滑に実行できる。
【０１１３】
また、本実施形態においては、第１通路２１を開閉可能な第１開閉機構２３と、第２通路２２を開閉可能な第２開閉機構２４とが設けられているので、例えば成膜室２の真空状態、及びクリーニング室１３の真空状態の大きな変動を抑制しつつ、成膜室２とクリーニング室１３との間でスリット部材６を円滑に搬送できたり、成膜室２での成膜処理、及びクリーニング室１３でのクリーニング処理を効率良く行うことができる。したがって、デバイスの生産性を向上できる。
【０１１４】
また、本実施形態においては、第１保持装置７からクリーニングシステム１０へスリット部材６を保持して搬送する第１搬送部材１６と、クリーニングシステム１０から第１保持装置７へスリット部材６を保持して搬送する第２搬送部材１７とを設けたので、配向膜材料が付着しているスリット部材６を第１搬送部材１６のみで搬送し、クリーニングシステム１０においてクリーニングされた清浄なスリット部材６を第２搬送部材１７のみで搬送することによって、クリーニングシステム１０においてクリーニングされた清浄なスリット部材６が、配向膜材料が付着しているスリット部材６を保持することによって汚染してしまった可能性のある第１搬送部材１６で搬送されることを抑制できる。したがって、クリーニングシステム１０でクリーニングされたスリット部材６が、成膜室２の第１保持装置７に搬入（ロード）される前に汚れてしまうといった不具合の発生を抑制できる。
【０１１５】
また、本実施形態においては、クリーニングシステム１０は、スリット部材６に付着している配向膜材料を除去するためのドライエッチングの手法に基づく第１クリーニング動作と、その第１クリーニング動作後、スリット部材６に残留している物質を除去するためのスパッタ洗浄の手法に基づく第２クリーニング動作とを実行するので、スリット部材６を良好にクリーニングできる。
【０１１６】
また、本実施形態においては、スリット部材６上の配向膜材料の量を検出する第１検出装置２７を設け、その第１検出装置２７の検出結果に基づいて、スリット部材６のクリーニング動作を制御するので、第１検出装置２７の検出結果に基づいて、成膜室２において、スリット部材６に許容量以上の材料が付着したと判断された場合に、クリーニングシステム１０を用いて、適切なタイミングで、スリット部材６をクリーニングできる。例えば、スリット部材６上の膜Ｍ’の量が僅かであって、スリット部材６のクリーニングを実行しなくてもいい状態であるにもかかわらずクリーニング動作を実行してしまう、といった不具合を抑制できる。
【０１１７】
また、本実施形態においては、第１搬送部材１６による搬送動作と第２搬送部材１７による搬送動作とを並行して行うことができ、スリット部材６の交換動作を短縮でき、デバイスの生産性を向上できる。
【０１１８】
また、スリット部材６を少なくとも２つ用意しておき、一方のスリット部材６が成膜室２に配置されているときに、他方のスリット部材６がクリーニング室１３に配置されて、クリーニング処理されてもよい。そして、成膜室２に配置されていたスリット部材６をクリーニングするために、そのスリット部材６を、第１搬送部材１６を用いて成膜室２からクリーニング室１３に搬送する動作の少なくとも一部と並行して、クリーニング室１３においてクリーニング処理されたスリット部材６を、第２搬送部材１７を用いてクリーニング室１３から成膜室２に搬送する動作を実行するようにしてもよい。
【０１１９】
また、本実施形態においては、基板ＷをＸ軸方向に移動しつつ、Ｙ軸方向に長いスリット状の開口６Ｋを通過した配向膜材料が連続的に基板Ｗに供給されるので、基板Ｗの表面の広い領域において、スリット部材６の開口６Ｋに応じた幅の均一な配向膜を良好に高い生産性で形成することができる。
【０１２０】
また、本実施形態においては、形成しようとする無機配向膜の目標形状（射方柱の目標角度）に応じて、蒸着源５とスリット部材６の開口６Ｋとの位置関係等を最適化することによって、所望の形状（角度）を有する複数の射方柱を含む無機配向膜を基板Ｗ上に良好に形成することができる。したがって、配向性が良好な無機配向膜を形成することができる。したがって、無機配向膜を備えた液晶装置は、液晶分子のプレチルト角を良好に制御することができる。また、配向性が良好な無機配向膜を用いて、液晶分子のプレチルト角を良好に制御することができるので、例えば液晶分子の配向状態をＴＮモードからＶＡモードまで自在に制御することができる。
【０１２１】
なお、本実施形態においては、第１検出装置２７の検出結果に基づいて、スリット部材６のクリーニング動作が実行されるが、スリット部材６の交換動作は、第１検出装置２７の検出結果によらずに、例えば予め定められた基板Ｗの所定処理枚数毎、あるいは所定処理時間間隔毎に実行するようにしてもよい。所定処理枚数は、１枚でもよいし、複数枚でもよい。
【０１２２】
なお、本実施形態においては、第１クリーニング動作においては、ＰＦＣガスをプラズマで活性化させたガス（ラジカル）を用いて、スリット部材６に付着している配向膜材料を除去しているが、Ｃｌ２、（Ｆ２／Ｈ２）等のガスを紫外線等で活性化させた光励起ガスを用いて、スリット部材６に付着している配向膜材料を除去することも可能である。また、ＳｉＯ２との反応性が高いＨＦ等のガスを用いて、スリット部材６に付着している配向膜材料を除去することも可能である。また、ドライアイス粒子を噴射して、スリット部材６に付着している配向膜材料を除去することも可能である。
【０１２３】
なお、本実施形態においては、所定の角度の射方柱を有する無機配向膜を形成するために、蒸着源とスリット部材６の開口６Ｋと基板Ｗとの位置関係を最適化して、配向膜材料を基板Ｗの表面に斜め方向から供給しているが、形成しようとする無機配向膜に応じて、配向膜材料は、必ずしも基板Ｗの表面に斜め方向から供給されなくてもよい。
【０１２４】
なお、本実施形態においては、スリット部材６をクリーニングする場合を例にして説明したが、上述のように、クリーニングシステム１０は、シャッタ部材８もクリーニングできる。制御装置１２は、例えば第２検出装置２８の検出結果に基づいて（又は例えば予め定められた基板Ｗの所定処理枚数毎、あるいは所定処理時間間隔毎に）、シャッタ部材８のクリーニング動作を開始することができる。また、制御装置１２は、成膜室２からクリーニング室１３へのシャッタ部材８の搬送を、第３搬送部材１８を用いて実行し、クリーニング室１３から成膜室２へのシャッタ部材８の搬送を、第４搬送部材１９を用いて実行する。
【０１２５】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。第２実施形態においては、成膜装置１が、スパッタ法に基づいて基板Ｗの表面に無機配向膜を形成する場合を例にして説明する。以下の説明において、上述の第１実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１２６】
図６は、第２実施形態に係る成膜装置１の概略構成図である。図６において、成膜装置１は、基板Ｗを収容可能であり、その収容した基板Ｗ上に無機配向膜を形成可能な成膜室２を有する成膜システム３と、成膜室２に配置され、基板Ｗを保持して移動可能な基板駆動装置４と、成膜室２に配置され、基板Ｗ上に無機配向膜を形成するための材料を供給可能なターゲット材料Ｔと、成膜室２に配置され、ターゲット材料Ｔと基板Ｗとの間に、開口６Ｋを有するスリット部材６が配置されるようにそのスリット部材６を着脱可能に保持する第１保持装置７と、成膜室２に配置され、ターゲット材料Ｔと基板Ｗとの間に、シャッタ部材８が配置されるようにそのシャッタ部材８を着脱可能に保持する第２保持装置９と、成膜システム３の成膜室２と別の位置に配置され、スリット部材６及びシャッタ部材８の少なくとも一方をクリーニング可能なクリーニングシステム１０と、成膜室２の第１保持装置７とクリーニングシステム１０との間でスリット部材６を搬送可能であるとともに、成膜室２の第２保持装置９とクリーニングシステム１０との間でシャッタ部材８を搬送可能な搬送システム１１とを備えている。上述の第１実施形態と同様、本実施形態においても、成膜装置１全体の動作は制御装置１２によって制御される。
【０１２７】
本実施形態においては、成膜システム３は、ターゲット材料Ｔにイオン粒子Ｐ１を照射して、ターゲット材料Ｔより無機配向膜を形成するためのスパッタ粒子Ｐ２を放出させるスパッタ装置５０を有する。
【０１２８】
スパッタ装置５０は、ＲＦスパッタ装置を含み、ターゲット材料Ｔを保持可能な電極を有する保持部材を備える。電極には高周波電源が接続される。スパッタ装置５０は、成膜室２におけるターゲット材料Ｔの近傍、本実施形態においては、ターゲット材料Ｔの−Ｚ側の所定領域において、プラズマを発生させる。また、スパッタ装置５０は、プラズマが発生したプラズマ発生領域ＰＡに、アルゴンガス（Ａｒガス）及び酸素ガス（Ｏ２ガス）の少なくとも一方を放電用ガスとして供給可能である。スパッタ装置５０は、プラズマ発生領域ＰＡに放電用ガスを供給することによって、その放電用ガスに基づくイオン粒子Ｐ１を生成する。スパッタ装置５０は、生成したイオン粒子Ｐ１をターゲット材料Ｔに照射して、そのイオン粒子Ｐ１でターゲット材料Ｔをスパッタし、そのターゲット材料Ｔより、無機配向膜を形成するためのスパッタ粒子Ｐ２を放出させる。
【０１２９】
スリット部材６は、スパッタ装置５０の電極によって保持されるターゲット材料Ｔと、基板Ｗとの間に配置されている。スリット部材６は、ターゲット材料Ｔからのスパッタ粒子Ｐ２の少なくとも一部が通過可能な開口６Ｋを有している。開口６Ｋは、基板Ｗ上におけるスパッタ粒子Ｐ２が供給される供給領域を規定する。
【０１３０】
シャッタ部材８は、ターゲット材料Ｔと、基板Ｗとの間に配置可能である。制御装置１２は、ターゲット材料Ｔと基板Ｗとの間にシャッタ部材８を配置することによって、ターゲット材料Ｔから基板Ｗへ向かうスパッタ粒子Ｐ２を遮断可能である。
【０１３１】
本実施形態において、スリット部材６及びシャッタ部材８の少なくとも一方にスパッタ粒子Ｐ２（配向膜材料）が付着する可能性がある。クリーニングシステム１０は、そのスリット部材６及びシャッタ部材８の少なくとも一方をクリーニング可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１３２】
【図１】第１実施形態に係る成膜装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】スリット部材の近傍を示す図であって、図２（Ａ）はスリット部材近傍の側断面図、図２（Ｂ）はスリット部材近傍を＋Ｚ側から見た図である。
【図３】シャッタ部材を説明するための図である。
【図４】クリーニングシステムを説明するための図である。
【図５】スリット部材の開口に膜が形成されている状態を示す模式図である。
【図６】第２実施形態に係る成膜装置の一例を示す概略構成図である。
【符号の説明】
【０１３３】
１…成膜装置、２…成膜室、３…成膜システム、５…蒸着源、６…スリット部材、６Ｋ…開口、７…第１保持装置、８…シャッタ部材、９…第２保持装置、１０…クリーニングシステム、１１…搬送システム、１２…制御装置、１３…クリーニング室、１５…搬送室、１６…第１搬送部材、１７…第２搬送部材、１８…第３搬送部材、１９…第４搬送部材、２１…第１通路、２２…第２通路、２３…第１開閉機構、２４…第２開閉機構、２７…第１検出装置、２８…第２検出装置、３０…第１クリーニング用ガス供給装置、３１…放電室、Ｐ１…イオン粒子、Ｐ２…スパッタ粒子、Ｔ…ターゲット材料、Ｗ…基板
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置は、液晶分子を配向させる配向膜を備えている。配向膜として、ポリイミド等の有機材料からなる配向膜、すなわち有機配向膜を用いる場合が多いが、近時においては、耐熱性及び耐光性の向上等を目的として、窒化珪素等の無機材料からなる配向膜、すなわち無機配向膜を用いることが提案されている。下記特許文献１には、斜方蒸着法によって無機配向膜を形成する場合において、材料供給部（蒸着源）と基板との間に開口を有する部材を配置する技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００２−３６５６３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
材料供給部と基板との間に上述のような部材が配置されている場合、材料供給部から供給される材料の少なくとも一部は、部材の表面に供給される可能性がある。基板以外の部材の表面に供給された材料がその部材の表面に膜を形成した場合、その膜の一部が部材の表面から剥がれる可能性がある。剥がれた膜は異物として作用し、その異物が基板に付着した場合、基板上に配向膜を良好に形成することができず、製造されるデバイスの性能が劣化する可能性がある。
【０００４】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、基板上に配向膜を形成する際に、異物の発生を抑制し、配向膜を良好に形成できる成膜装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するため、本発明は以下の構成を採用する。
本発明の一態様によると、基板上に配向膜を形成する成膜装置であって、前記基板を収容可能であり、該収容した基板上に前記配向膜を形成可能な第１室と、前記第１室に配置され、前記基板上に前記配向膜を形成するための材料を供給可能な材料供給部と、前記第１室に配置され、前記材料供給部と前記基板との間に所定部材が配置されるように該所定部材を着脱可能に保持する保持装置と、前記第１室と別の位置に配置され、前記所定部材をクリーニング可能なクリーニングシステムと、前記第１室の前記保持装置と前記クリーニングシステムとの間で前記所定部材を搬送する搬送システムと、を備えた成膜装置が提供される。
【０００６】
本発明の一態様によれば、所定部材をクリーニングするクリーニングシステムを設けたので、クリーニングシステムにおいて、所定部材に付着した材料を除去できる。したがって、第１室における異物の発生を抑制でき、基板上に配向膜を良好に形成できる。また、同じ所定部材を繰り返し使用できるので、同じ成膜条件で基板上に配向膜を形成できる。したがって、形成される配向膜の品質がばらつくことを抑制できる。また、クリーニングシステムは、基板上に配向膜を形成可能な第１室とは別の位置に配置されているので、例えばクリーニング動作によって生じる様々な物質が第１室又は第１室に配置された基板等に影響を与えることを抑制し、所望の性能を有するデバイスを製造できる。
【０００７】
上記態様の成膜装置において、前記クリーニングシステムは、前記所定部材を収容可能であり、該収容した所定部材をクリーニング可能な第２室を有する構成を採用することができる。
【０００８】
これによれば、クリーニング動作によって生じる様々な物質が周囲に放出されるのを抑制できる。例えば、クリーニング動作に用いられるクリーニング用ガス、あるいはクリーニングによって所定部材から発生する異物等が、第１室又は第１室に配置された基板等に影響を与えることを抑制できる。
【０００９】
上記態様の成膜装置において、前記搬送システムは、前記第１室と前記第２室との間に配置され、前記所定部材を保持して搬送可能な搬送部材を収容可能な第３室を有し、前記第１室と第３室とを接続する第１通路と、前記第２室と前記第３室とを接続する第２通路と、前記第１通路を開閉可能な第１開閉機構と、前記第２通路を開閉可能な第２開閉機構とを有する構成を採用できる。
【００１０】
これによれば、例えば第１室の状態（環境）、及び第２室の状態（環境）の大きな変動を抑制しつつ、第１室と第２室との間で所定部材を円滑に搬送できる。
【００１１】
上記態様の成膜装置において、前記搬送システムは、前記保持装置から前記クリーニングシステムへ前記所定部材を保持して搬送する第１搬送部材と、前記クリーニングシステムから前記保持装置へ前記所定部材を保持して搬送する第２搬送部材とを有する構成を採用できる。
【００１２】
これによれば、第１室において材料が付着している（汚染している）可能性のある所定部材を搬送する第１搬送部材と、クリーニングシステムにおいてクリーニングされた清浄な所定部材を搬送する第２搬送部材とを分けているので、クリーニングシステムにおいてクリーニングされた清浄な所定部材が、汚染されている可能性のある搬送部材で搬送されることを抑制できる。また、第１搬送部材による搬送動作と第２搬送部材による搬送動作とを並行して行うことができ、所定部材の交換動作を短縮でき、デバイスの生産性を向上できる。
【００１３】
上記態様の成膜装置において、前記クリーニングシステムは、前記所定部材に付着している前記材料を除去するための第１クリーニング動作を実行する第１クリーニング装置と、前記第１クリーニング動作後、前記所定部材に残留している物質を除去するための第２クリーニング動作を実行する第２クリーニング装置とを有する構成を採用できる。
【００１４】
これによれば、第１クリーニング動作で所定部材に付着している材料を除去することができる。そして、第１クリーニング動作後において、所定部材上に残渣等が存在する場合においても、その残渣等を第２クリーニング動作によって除去できる。したがって、所定部材を良好にクリーニングできる。
【００１５】
上記態様の成膜装置において、前記第１クリーニング装置は、前記所定部材から前記材料を除去可能な第１クリーニング用ガスを供給する構成を採用できる。
【００１６】
これによれば、所定部材に付着している材料を良好に除去できる。
【００１７】
上記態様の成膜装置において、前記所定部材に付着している前記材料の量を検出可能な検出装置と、前記検出装置の検出結果に基づいて、クリーニング動作を制御する制御装置とを備えた構成を採用できる。
【００１８】
これによれば、例えば検出装置の検出結果に基づいて、第１室において、所定部材に許容量以上の材料が付着したと判断された場合に、クリーニングシステムを用いて、適切なタイミングで、所定部材をクリーニングできる。
【００１９】
上記態様の成膜装置において、前記所定部材は、前記基板上における前記配向膜が形成される形成領域を設定する開口を有する設定部材を含む構成を採用できる。
【００２０】
これによれば、異物の発生のみならず、例えば開口の近傍に材料が付着することによって生じるその開口の形状の変化又は大きさの変化等に伴う成膜条件の変化を抑制できる。
【００２１】
上記態様の成膜装置において、前記所定部材は、前記材料供給部から前記基板へ向かう前記材料を遮断可能なシャッタ部材を含む構成を採用できる。
【００２２】
これによれば、第１室におけるシャッタ部材からの異物の発生を抑制できる。
【００２３】
上記態様の成膜装置において、前記材料供給部は、前記配向膜を形成するための材料の蒸気を発生する蒸着源を含む構成を採用できる。
【００２４】
これによれば、配向膜を蒸着法によって形成するときの異物の発生を抑制できる。
【００２５】
上記態様の成膜装置において、前記材料供給部は、イオン粒子でスパッタされ、前記配向膜を形成するためのスパッタ粒子を放出するターゲット材料を含む構成を採用できる。
【００２６】
これによれば、配向膜をスパッタ法によって形成するときの異物の発生を抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内における所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００２８】
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る成膜装置１を示す概略構成図である。本実施形態の成膜装置１は、液晶装置の少なくとも一部となる基板Ｗの表面に無機材料からなる無機配向膜を形成する成膜装置である。本実施形態においては、成膜装置１は、蒸着法に基づいて、基板Ｗの表面に無機配向膜を形成する。
【００２９】
成膜装置１は、基板Ｗを収容可能であり、その収容した基板Ｗ上に無機配向膜を形成可能な成膜室２を有する成膜システム３と、成膜室２に配置され、基板Ｗを保持して移動可能な基板駆動装置４と、成膜室２に配置され、基板Ｗ上に無機配向膜を形成するための材料を供給可能な蒸着源５と、成膜室２に配置され、蒸着源５と基板Ｗとの間に、開口６Ｋを有する設定部材６が配置されるようにその設定部材６を着脱可能に保持する第１保持装置７と、成膜室２に配置され、蒸着源５と基板Ｗとの間に、シャッタ部材８が配置されるようにそのシャッタ部材８を着脱可能に保持する第２保持装置９と、成膜システム３の成膜室２と別の位置に配置され、設定部材６及びシャッタ部材８の少なくとも一方をクリーニング可能なクリーニングシステム１０と、成膜室２の第１保持装置７とクリーニングシステム１０との間で設定部材６を搬送可能であるとともに、成膜室２の第２保持装置９とクリーニングシステム１０との間でシャッタ部材８を搬送可能な搬送システム１１と、成膜装置１全体の動作を制御する制御装置１２とを備えている。
【００３０】
クリーニングシステム１０は、設定部材６及びシャッタ部材８の少なくとも一方を収容可能であり、その収容した設定部材６及びシャッタ部材８の少なくとも一方をクリーニング可能なクリーニング室１３を有する。また、クリーニングシステム１０は、クリーニング室１３に配置され、設定部材６及びシャッタ部材８の少なくとも一方を着脱可能に保持する第３保持装置１４を有する。
【００３１】
搬送システム１１は、成膜室２とクリーニング室１３との間に配置され、設定部材６及びシャッタ部材８の少なくとも一方を保持して搬送可能な搬送部材１６、１７、１８、１９を収容可能な搬送室１５を有する。
【００３２】
また、成膜装置１は、成膜室２の環境（圧力、温度等）、クリーニング室１３の環境、及び搬送室１５の環境のそれぞれを調整する空調システム２０を備えている。本実施形態においては、制御装置１２は、空調システム２０を用いて、成膜室２、搬送室１５、及びクリーニング室１３を減圧し、ほぼ真空状態にする。
【００３３】
また、成膜装置１は、成膜室２と搬送室１５とを接続する第１通路２１（２１Ａ、２１Ｂ）と、クリーニング室１３と搬送室１５とを接続する第２通路２２と、第１通路２１（２１Ａ、２１Ｂ）を開閉可能な第１開閉機構２３（２３Ａ、２３Ｂ）と、第２通路２２を開閉可能な第２開閉機構２４とを有する。第１開閉機構２３は、第１通路２１を開閉可能な第１扉を有し、その第１扉は、第１通路２１に配置されている。第２開閉機構２４は、第２通路２２を開閉可能な第２扉を有し、その第２扉は、第２通路２２に配置されている。すなわち、第１、第２開閉機構２３、２４は、いわゆるゲートバルブ機構を含む。
【００３４】
制御装置１２は、搬送システム１１と成膜システム３との間で設定部材６及びシャッタ部材８の少なくとも一方を搬送する際、第１扉を駆動して、第１通路２１を開ける。また、制御装置１２は、成膜システム３における処理（成膜処理）を実行する際、第１扉を駆動して、第１通路２１を閉じる。また、制御装置１２は、搬送システム１１とクリーニングシステム１０との間で設定部材６及びシャッタ部材８の少なくとも一方を搬送する際、第２扉を駆動して、第２通路２２を開ける。また、制御装置１２は、クリーニングシステム１０における処理（クリーニング処理）を実行する際、第２扉を駆動して、第２通路２２を閉じる。
【００３５】
これにより、制御装置１２は、成膜室２の状態（真空状態）、及びクリーニング室１３の状態（真空状態）の大きな変動を抑制しつつ、すなわち、成膜室２及びクリーニング室１３の真空度が大きく劣化することを抑制しつつ、搬送システム１１を用いて、設定部材６及びシャッタ部材８の少なくとも一方を搬送できる。
【００３６】
なお、成膜室２には、配向膜を形成する際の前処理（例えば基板の加熱処理）を行うための前処理室（不図示）と、配向膜を形成した後の後処理（例えば基板の冷却処理）を行うための後処理室（不図示）とがそれぞれ接続されている。成膜室２と前処理室及び後処理室のそれぞれとの間にもゲートバルブ機構が設けられており、前処理室から成膜室２への基板Ｗの搬入動作、及び成膜室２から後処理室への基板Ｗの搬出動作が、不図示の搬送装置によって、ゲートバルブ機構を介して実行される。ゲートバルブ機構によって、成膜室２の状態（真空状態）の大きな変動を抑制しつつ、基板Ｗを搬送できる。
【００３７】
蒸着源５は、基板Ｗ上に無機配向膜を形成するための材料を供給するものであって、無機配向膜を形成するための材料の蒸気を発生する。蒸着源５は、成膜室２に配置されている。蒸着源５は、配向膜を形成するための材料を収容する容器（るつぼ）５Ａを有し、不図示の電子ビーム照射装置からの電子ビームが照射されることによって加熱される。これにより、蒸着源５から、無機配向膜を形成するための材料に基づく蒸気が発生する。以下の説明において、基板Ｗ上に無機配向膜を形成するための材料を適宜、配向膜材料、と称する。
【００３８】
本実施形態においては、配向膜材料として、二酸化珪素（ＳｉＯ２）等の酸化珪素（ＳｉＯｘ）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＩＴＯ等の金属酸化物を用いる。
【００３９】
本実施形態においては、蒸着源５は、成膜室２において、−Ｘ側の内壁の近傍の所定位置に配置されている。また、蒸着源５の容器５Ａは開口５Ｋを有し、その開口５Ｋが設定部材６の開口６Ｋを向くように、成膜室２に配置されている。これにより、蒸着源５から発生する配向膜材料の蒸気（昇華材料）は、図１中、二点鎖線で示すように、設定部材６の開口６Ｋ近傍に効率良く供給される。
【００４０】
基板駆動装置４は、基板Ｗを保持して移動可能であり、蒸着源５からの配向膜材料が供給可能な位置に基板Ｗを配置可能である。本実施形態においては、設定部材６が蒸着源５の上方（＋Ｚ側）に配置されており、基板駆動装置４は、その設定部材６の更に上方（＋Ｚ側）において、基板Ｗを保持して移動可能である。
【００４１】
基板駆動装置４は、保持した基板Ｗを、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に移動可能である。基板駆動装置４は、無機配向膜が形成される基板Ｗの表面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｗを保持する。
【００４２】
設定部材６は、蒸着源５と基板Ｗとの間に配置され、蒸着源５からの配向膜材料の少なくとも一部が通過可能な開口６Ｋを有する。開口６Ｋは、基板Ｗ上における無機配向膜が形成される形成領域、換言すれば、基板Ｗ上における配向膜材料が供給される供給領域を設定するためのものである。設定部材６は、例えば金属、セラミックス、樹脂等、任意の材料で形成可能である。
【００４３】
図２（Ａ）は、設定部材６の近傍の側断面図、図２（Ｂ）は、設定部材６の近傍を＋Ｚ側から見た図である。図２に示すように、本実施形態においては、設定部材６は、Ｙ軸方向を長手方向とするスリット状の開口６Ｋを有する。また、ＸＹ平面内における開口６Ｋの大きさは、基板Ｗの表面の大きさよりも小さい。設定部材６は、開口６Ｋを用いて、蒸着源５からの配向膜材料を、基板Ｗに選択的に蒸着させる。以下の説明において、スリット状の開口６Ｋを有する設定部材６を適宜、スリット部材６、と称する。
【００４４】
スリット部材６の開口６Ｋは、基板Ｗに対する配向膜材料の入射角度を制御可能である。スリット部材６の開口６Ｋは、蒸着源５が配置された位置に対して、ＸＹ平面内において、＋Ｘ方向に所定距離離れた位置に配置される。そして、蒸着源５の開口５Ｋとスリット部材６の開口６Ｋとを結ぶ線と、Ｚ軸とがなす角度θは、基板Ｗの表面に形成される無機配向膜の目標形状に応じて定められる。これにより、配向膜材料の蒸気は、基板Ｗの表面に対して、所定の入射角度で供給され、その基板Ｗを斜方蒸着する。
【００４５】
第１保持装置７は、成膜室２に配置され、蒸着源５と基板Ｗとの間にスリット部材６が配置されるように、スリット部材６を着脱可能に保持する。
【００４６】
第１保持装置７は、蒸着源５と基板Ｗとの間に配置された第１保持部材７Ｈを有する。第１保持部材７Ｈは、板状の部材である。図１等に示すように、基板駆動装置４は、第１保持部材７Ｈの上面と、基板Ｗの下面（無機配向膜が形成される面）とが接近するように、基板Ｗを保持する。第１保持部材７Ｈは、少なくともスリット部材６の開口６Ｋよりも大きい開口７Ｋと、第１保持部材７Ｈの上面において開口７Ｋを囲むように形成され、スリット部材６の周縁領域を支持可能な段差を有する保持部７Ｄとを有する。保持部７Ｄの段差の外形はスリット部材６に応じたものであり、スリット部材６は、保持部７Ｄの段差によって着脱可能に保持される。
【００４７】
なお、スリット部材６を着脱可能に保持する保持部７Ｄは、段差に限られず、例えば静電チャック機構等を有したものであってもよい。静電チャック機構等を有する保持部によっても、スリット部材６を着脱可能に保持できる。
【００４８】
また、本実施形態においては、成膜装置１は、スリット部材６が蒸着源５及び基板Ｗの少なくとも一方に対して所定の位置関係で配置されるように、スリット部材６を位置決めする位置決め機構２５を有する。位置決め機構２５は、スリット部材６の開口６Ｋが蒸着源５及び基板Ｗの少なくとも一方に対して所定の位置関係で配置されるように、スリット部材６を位置決めする。本実施形態においては、位置決め機構２５は、スリット部材６の開口６Ｋの長手方向とＹ軸方向とがほぼ平行となるように、スリット部材６を位置決めする。
【００４９】
図２に示すように、ＸＹ平面内におけるスリット部材６の外形はほぼ円形状であるが、その周縁の一部に、開口６Ｋの長手方向と直交する方向（すなわちＸ軸方向）ほぼ平行に切り欠かれた直線部６Ｌを有する。また、ＸＹ平面内における第１保持部材７Ｈの保持部７Ｄの段差の外形は、スリット部材６の外形に応じた形状を有し、その保持部７Ｄの一部には、スリット部材６の直線部６Ｌに対応する直線部７Ｌが形成されている。これにより、スリット部材６は、そのスリット部材６の直線部６Ｌと保持部７Ｄの直線部７Ｌとが対向する状態でのみ、保持部７Ｄに保持される。このように、本実施形態においては、位置決め機構２５は、スリット部材６の直線部６Ｌと、段差及び直線部７Ｌを含む第１保持部材７Ｈの保持部７Ｄとを含み、この位置決め機構２５によって、スリット部材６の開口６Ｋの長手方向とＹ軸方向とがほぼ平行となるように、スリット部材６が位置決めされる。
【００５０】
なお、位置決め機構２５は、直線部６Ｌ、７Ｌに限られず、例えばピン部材とそのピン部材を配置可能な孔とを有する機構であってもよいし、第１保持部材７Ｈを移動可能な駆動機構を設け、スリット部材６を保持した第１保持部材７Ｈを駆動機構で駆動することによって、第１保持部材７Ｈに保持されたスリット部材６の位置を調整するようにしてもよい。
【００５１】
第１保持部材７Ｈは、基板Ｗよりも十分に大きく、スリット部材６とともに、基板Ｗの表面（−Ｚ側を向く面）のほぼ全域を覆うことができる。そして、スリット部材６及び第１保持部材７Ｈは、蒸着源５からの、スリット部材６の開口６Ｋによって設定された形成領域（供給領域）以外への配向膜材料の供給（蒸着）を抑制する。
【００５２】
また、第１保持部材７Ｈの上面（＋Ｚ側の面）はほぼ平坦であり、第１保持部材７Ｈに保持されたスリット部材６の上面もほぼ平坦である。また、第１保持部材７Ｈの上面と、その第１保持部材７Ｈに保持されたスリット部材６の上面とは、同一平面内（ＸＹ平面内）に配置される。すなわち、第１保持部材７Ｈの上面と、その第１保持部材７Ｈに保持されたスリット部材６の上面とは、ほぼ面一となる。
【００５３】
基板駆動装置４は、基板Ｗを、第１保持部材７Ｈ及びスリット部材６の上面に沿ってＸＹ平面内で移動可能である。そして、本実施形態においては、制御装置１２は、基板駆動装置４を用いて基板ＷをＸ軸方向に移動しつつ、蒸着源５より供給された配向膜材料を、開口６Ｋを介して基板Ｗの表面に連続的に供給する。これにより、開口６Ｋを通過した配向膜材料は、基板Ｗの表面（−Ｚ側を向く面）の所定領域に斜方蒸着される。
【００５４】
シャッタ部材８は、蒸着源５と基板Ｗとの間に配置され、蒸着源５から基板Ｗへ向かう配向膜材料を遮断可能である。シャッタ部材８は、例えば金属、セラミックス、樹脂等、任意の材料で形成可能である。
【００５５】
第２保持装置９は、成膜室２に配置され、蒸着源５と基板Ｗとの間にシャッタ部材８が配置されるように、シャッタ部材８を着脱可能に保持する。
【００５６】
第２保持装置９は、蒸着源５と基板Ｗとの間に配置可能な第２保持部材９Ｈを有する。第２保持装置９は、シャッタ部材８を着脱可能に保持する第２保持部材９Ｈと、そのシャッタ部材８を保持した第２保持部材９Ｈを移動可能な駆動機構とを有する。本実施形態においては、第２保持装置９は、第２保持部材９Ｈで保持したシャッタ部材８を、駆動機構を用いて６自由度の方向に移動可能である。
【００５７】
第２保持部材９Ｈは、上述の第１保持部材７Ｈとほぼ同様、開口９Ｋと、第２保持部材９Ｈの上面において開口９Ｋを囲むように形成され、シャッタ部材８の周縁領域を支持可能な段差を有する保持部９Ｄとを有する。保持部９Ｄの段差の外形はシャッタ部材８に応じたものであり、シャッタ部材８は、保持部９Ｄの段差によって着脱可能に保持される。
【００５８】
なお、シャッタ部材８を着脱可能に保持する保持部は、段差に限られず、例えば静電チャック機構等を有したものであってもよい。静電チャック機構等を有する保持部によっても、シャッタ部材８を着脱可能に保持できる。
【００５９】
図３に示すように、制御装置１２は、第２保持装置９の駆動機構を制御して、第２保持部材９Ｈで保持したシャッタ部材８を、蒸着源５と基板Ｗとの間に配置可能である。より具体的には、制御装置１２は、第２保持部材９Ｈで保持したシャッタ部材８を、蒸着源５の開口５Ｋを覆うように、蒸着源５とスリット部材６の開口６Ｋとを結ぶ線上に配置可能である。これにより、蒸着源５から基板Ｗへ向かう配向膜材料が遮断される。また、制御装置１２は、第２保持装置９の駆動機構を制御して、第２保持部材９Ｈで保持したシャッタ部材８を、蒸着源５と基板Ｗとの間から退避可能である。これにより、蒸着源５から基板Ｗへ向かって配向膜材料が供給される。
【００６０】
制御装置１２は、例えば蒸着源５の配向膜材料が昇華を開始した直後等において、配向膜材料の昇華が安定するまで、蒸着源５の開口５Ｋを覆うように、蒸着源５と基板Ｗとの間にシャッタ部材８を配置する。そして、配向膜材料の昇華が安定した後、制御装置１２は、シャッタ部材８を蒸着源５と基板Ｗとの間から退避させ、蒸着源５から基板Ｗへ向かって配向膜材料が供給可能な状態に設定する。
【００６１】
また、図１に示すように、本実施形態においては、成膜室２の内壁には、蒸着源５からの配向膜材料が成膜室２の内壁に付着することを抑制するための抑制部材（防着板）２６が配置されている。防着板２６は、成膜室２の内壁に着脱可能に配置されており、交換可能である。
【００６２】
また、本実施形態においては、成膜装置１は、スリット部材６に付着している配向膜材料の量を検出可能な第１検出装置２７を備えている。第１検出装置２７は、例えば水晶振動子を含み、スリット部材６に対して所定の位置に配置されている。本実施形態においては、第１検出装置２７は、第１保持装置７に保持されているスリット部材６の近傍であって、そのスリット部材６から僅かに離れた位置に配置されている。
【００６３】
水晶振動子を含む第１検出装置２７は、スリット部材６に付着している配向膜材料の量、換言すれば、配向膜材料に基づいてスリット部材６の表面に形成される膜の量（厚み）を検出可能である。すなわち、本実施形態の第１検出装置２７は、いわゆる水晶振動子型膜厚モニタを含む。
【００６４】
第１検出装置２７の水晶振動子は、その水晶振動子上に形成される膜の量（厚み、重さ）に応じて、その振動状態を変化させる。具体的には、水晶振動子に膜が形成されると、その質量変化により、共振周波数が変化する。すなわち、水晶振動子の振動状態と、その水晶振動子上に形成される膜の量とは対応関係にあり、共振周波数の変化によって、水晶振動子上に形成された膜の量（厚み、重さ）を求めることができる。第１検出装置２７の検出結果は制御装置１２に出力される。
【００６５】
また、本実施形態においては、成膜装置１は、シャッタ部材８に付着している配向膜材料の量を検出可能な第２検出装置２８を備えている。第２検出装置２８は、第１検出装置２７と同様、水晶振動子型膜厚モニタを含む。第２検出装置２８は、シャッタ部材８に対して所定の位置に配置されている。本実施形態においては、第２検出装置２８は、第２保持装置９に保持されているシャッタ部材８の近傍であって、そのシャッタ部材８から僅かに離れた位置に配置されている。また、第２検出装置２８は、不図示の駆動機構によって移動可能であり、第２保持装置２８の駆動機構によってシャッタ部材８が移動したときに、そのシャッタ部材８との位置関係（距離）を維持した状態で、そのシャッタ部材８と同期移動可能である。第２検出装置２８の検出結果は制御装置１２に出力される。
【００６６】
搬送システム１１は、スリット部材６を保持して搬送可能な複数の搬送部材１６、１７を有する第１搬送装置１１Ａと、シャッタ部材８を保持して搬送可能な複数の搬送部材１８、１９を有する第２搬送装置１１Ｂとを備えている。
【００６７】
第１搬送装置１１Ａは、第１保持装置７からクリーニングシステム１０へスリット部材６を保持して搬送する第１搬送部材１６と、クリーニングシステム１０から第１保持装置７へスリット部材６を保持して搬送する第２搬送部材１７とを有する。第１、第２搬送部材１６、１７のそれぞれは、磁力又は静電気力でスリット部材６を保持可能であり、成膜室２の第１保持装置７とクリーニング室１３との間を移動可能である。
【００６８】
第２搬送装置１１Ｂは、第２保持装置９からクリーニングシステム１０へシャッタ部材８を保持して搬送する第３搬送部材１８と、クリーニングシステム１０から第２保持装置９へシャッタ部材８を保持して搬送する第４搬送部材１９とを有する。第３、第４搬送部材１８、１９のそれぞれは、磁力又は静電気力でシャッタ部材８を保持可能であり、成膜室２の第２保持装置９とクリーニング室１３との間を移動可能である。
【００６９】
クリーニングシステム１０は、スリット部材６及びシャッタ部材８の少なくとも一方をクリーニング可能であり、スリット部材６及びシャッタ部材８の少なくとも一方に付着している配向膜材料を除去する。
【００７０】
図４は、クリーニングシステム１０を示す図である。図４において、クリーニングシステム１０は、スリット部材６及びシャッタ部材８の少なくとも一方を収容可能なクリーニング室１３と、クリーニング室１３に配置され、スリット部材６及びシャッタ部材８の少なくとも一方を着脱可能に保持する第３保持装置１４と、クリーニング室１３に配置され、クリーニング室１３に第１クリーニング用ガスを供給する第１クリーニング用ガス供給装置３０と、クリーニング室１３とは別の放電室３１においてプラズマを生成するプラズマ生成装置３２と、クリーニング室１３と放電室３２とを接続する開口３３と、放電室３２で生成されたプラズマを開口３３を介してクリーニング室１３に導入するプラズマ導入装置３４とを備えている。クリーニングシステム１０は、クリーニング室１３に導入されたプラズマによって、第１クリーニング用ガスを用いて、スリット部材６及びシャッタ部材８の少なくとも一方に付着している配向膜材料を除去する。
【００７１】
第３保持装置１４は、クリーニング室１３に配置された第３保持部材１４Ｈを有し、その第３保持部材１４Ｈは、スリット部材６及びシャッタ部材８の少なくとも一方がクリーニング室１３に配置されるように、そのスリット部材６及びシャッタ部材８の少なくとも一方を保持する。また、第３保持部材１４Ｈは、保持したスリット部材６及びシャッタ部材８の少なくとも一方の温度を調整可能な温度調整装置を備えている。また、第３保持部材１４Ｈには、その第３保持部材１４Ｈ（ひいては第３保持部材１４Ｈに保持されたスリット部材６及びシャッタ部材８の少なくとも一方）に所定の電位を印加する電源が接続されている。
【００７２】
第１クリーニング用ガス供給装置３０は、配向膜材料と化学反応することで、スリット部材６及びシャッタ部材８の少なくとも一方から配向膜材料を除去可能な第１クリーニング用ガスを供給する。第１クリーニング用ガスは、配向膜材料に応じて適宜選択される。例えば、配向膜材料として、ＳｉＯ２等の酸化珪素を用いる場合、第１クリーニング用ガスとして、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、ＮＦ３等のＰＦＣ（per fluoro compound）ガスを用いることができる。
【００７３】
クリーニング室１３の所定位置には、第１クリーニング用ガス供給装置３０と接続されたノズル部材３５が配置されており、第１クリーニング用ガス供給装置３０から送出された第１クリーニング用ガスは、供給管３６を介してノズル部材３５に供給される。第１クリーニング用ガス供給装置３０から送出され、供給管３６を流れた第１クリーニング用ガスは、ノズル部材３５を介して、クリーニング室１３に放出される。また、供給管３６の途中には、この供給管３６の流路を開閉可能なバルブ機構３６Ｂが配置されている。
【００７４】
また、クリーニング室１３の所定位置には、クリーニング室１３のガスを排気可能な排気口（不図示）が形成されている。
【００７５】
プラズマ生成装置３２は、放電においてプラズマを生成可能であり、放電室３１に配置され、アーク放電可能な電極３７、３７と、放電室３１に放電用ガスを供給する放電用ガス供給装置３８とを備えている。
【００７６】
放電用ガス供給装置３８は、プラズマ生成装置３２で放電される放電用ガスを、電極３７が配置された放電室３１に供給するものであって、放電用ガスとして、例えば、アルゴンガス等の不活性ガスを供給する。放電用ガス供給装置３８から送出された放電用ガス（本実施形態においてはアルゴンガス）は、供給管３９を介して放電室３１の電極３７間に供給される。また、供給管３９の途中には、この供給管３９の流路を開閉可能なバルブ機構３９Ｂが配置されている。
【００７７】
プラズマ生成装置３２は、電極３７間でアーク放電を発生させ、電極３７間にプラズマ発生領域ＰＵを形成する。プラズマ生成装置３２は、プラズマ発生領域ＰＵに放電用ガス供給装置３８からアルゴンガスを供給し、その供給されたアルゴンガスをアルゴンイオンと電子（荷電粒子）とを含むガスに変換する。すなわち、プラズマ生成装置３２は、放電用ガス（アルゴンガス）をプラズマ化して、そのアルゴンガスのプラズマ（アルゴンプラズマ）を生成する。
【００７８】
プラズマ導入装置３４は、プラズマ生成装置３２により放電室３１で生成されたプラズマを、開口３３を介してクリーニング室１３に導入するためのものであって、引き出し電極（陰極）４０、４０を含む。引き出し電極４０には、その引き出し電極４０に所定の電位を印加する電源が接続されている。
【００７９】
引き出し電極４０と対向する位置には対向電極４１が配置されており、プラズマ生成装置３２により放電室３１で生成されたプラズマ（アルゴンプラズマ）は、引き出し電極４０により加速され、開口３３を介して、クリーニング室１３に導入（照射）される。このように、本実施形態のクリーニングシステム１０は、プラズマ生成装置３２の放電室３１で生成されたプラズマをクリーニング室１３に導入（供給）する。
【００８０】
次に、上述の構成を有する成膜装置１を用いて、基板Ｗの表面に無機配向膜を形成する方法について説明する。
【００８１】
まず、成膜処理されるべき基板Ｗが、前処理室から成膜室２の基板駆動装置４に搬入（ロード）される。基板駆動装置４は、ロードされた基板Ｗを保持する。前処理室を有する前処理装置は、基板Ｗの基材（例えばガラス基板）上に所定の機能膜を形成可能であり、本実施形態においては、基板Ｗ上には、前処理装置によって、例えばＩＴＯ等の透明導電膜が予め形成されている。制御装置１２は、空調システム２０を制御して、基板Ｗが搬入された成膜室２を真空状態に調整するとともに、所定の温度に調整する。
【００８２】
また、制御装置１２は、基板Ｗが成膜室２に搬入される前又は後の所定のタイミングで、蒸着源５と基板Ｗとの間にシャッタ部材８を配置して、シャッタ部材８で蒸着源５の開口５Ｋを覆った状態で、配向膜材料を有する蒸着源５を加熱する動作を開始する。そして、制御装置１２は、配向膜材料の昇華が安定した後、シャッタ部材８を蒸着源５と基板Ｗとの間から退避させ、蒸着源５から基板Ｗへ向かって配向膜材料が供給可能な状態に設定する。
【００８３】
制御装置１２は、蒸着源５を用いて、配向膜材料を基板Ｗに蒸着する。蒸着源５から発生する配向膜材料の蒸気（昇華材料）は、図１中、二点鎖線で示すように、スリット部材６の開口６Ｋ近傍に効率良く供給される。また、制御装置１２は、基板駆動装置４を用いて、蒸着源５からの配向膜材料が供給可能な位置に基板Ｗを配置する。蒸着源５より放出された配向材料の少なくとも一部は、スリット部材６の開口６Ｋを通過する。スリット部材６の開口６Ｋを通過した配向膜材料は、基板Ｗ上に供給され、基板Ｗの表面に斜方蒸着する。
【００８４】
そして、本実施形態においては、制御装置１２は、基板駆動装置４を用いて基板ＷをＸ軸方向に移動しつつ、蒸着源５を用いた成膜処理（蒸着処理）を実行する。すなわち、本実施形態においては、基板ＷをＸ軸方向に移動しつつ、スリット部材６の開口６Ｋを介した配向膜材料が、基板Ｗの表面に連続的に供給される。
【００８５】
蒸着処理を実行することによって、蒸着源５からは、配向膜材料が放射状に放出される。本実施形態においては、蒸着源５と基板Ｗとの間に、基板Ｗ上における形成領域（供給領域）を設定する開口６Ｋを有するスリット部材６が配置されているので、蒸着源５から放出された配向膜材料のうち、スリット部材６の開口６Ｋを通過する一部の配向膜材料のみが、基板Ｗ上に供給される。
【００８６】
また、本実施形態においては、スリット部材６の開口６Ｋを通過した配向膜材料が基板Ｗの表面に斜め方向から供給されるように、蒸着源５とスリット部材６の開口６Ｋと基板Ｗとが所定の位置関係で配置されている。具体的には、上述のように、蒸着源５の開口５Ｋとスリット部材６の開口６Ｋとを結ぶ線と、Ｚ軸とが所定の角度θに定められている。したがって、スリット部材６の開口６Ｋを通過した配向膜材料は、基板Ｗの表面に対して角度θ傾斜した斜め方向から、その基板Ｗの表面に供給される。すなわち、基板Ｗの表面には、入射角度θで配向膜材料が供給される。これにより、基板Ｗの表面には、所望の角度で傾くように形成された複数の射方柱（カラム、柱状構造体）を含む無機配向膜が形成される。
【００８７】
図５は、スリット部材６の開口６Ｋの近傍を示す図である。蒸着源５から放出された配向膜材料のうち、スリット部材６の開口６Ｋを通過しない一部の配向膜材料は、図５に示すように、例えばスリット部材６の開口６Ｋ近傍の下面（蒸着源５と対向する−Ｚ側の面）の一部、あるいは、開口６Ｋの内面等に付着し、それら開口６Ｋ近傍に膜Ｍ’を形成する可能性がある。この膜Ｍ’が形成されると、開口６Ｋの大きさが変化したり、開口６Ｋの形状が変化したりして、形成される無機配向膜の膜厚等が均一でなくなるなど、蒸着むらが発生し、所望の無機配向膜を基板Ｗ上に形成できなくなる可能性がある。
【００８８】
また、スリット部材６に形成された膜Ｍ’の一部が剥がれる可能性がある。スリット部材６から剥がれた膜Ｍ’は異物として作用し、その異物（膜Ｍ’の一部）が、例えば開口６Ｋを介して基板Ｗに付着する可能性がある。異物が基板Ｗに付着すると、その基板Ｗに基づいて製造されるデバイスの性能が劣化する。
【００８９】
また、シャッタ部材８にも膜Ｍ’が形成される可能性がある。シャッタ部材８は、蒸着源５の近くに配置されているため、膜Ｍ’が形成される可能性がある。そして、そのシャッタ部材８に形成された膜Ｍ’が異物として作用する可能性がある。
【００９０】
そこで、本実施形態においては、膜Ｍ’が形成されたスリット部材６及びシャッタ部材８の少なくとも一方を、クリーニングシステム１０を用いてクリーニングする。
【００９１】
以下、クリーニングシステム１０を用いたクリーニング動作の一例について説明する。以下の説明においては、簡単のため、クリーニングシステム１０がスリット部材６をクリーニングする場合を例にして説明する。
【００９２】
制御装置１２は、第１検出装置２７の検出結果に基づいて、クリーニング動作を制御する。上述のように、水晶振動子を含む第１検出装置２７は、成膜室２におけるスリット部材６上の配向膜材料の量、ひいては配向膜材料に基づいてスリット部材６の表面に形成される膜Ｍ’の量（厚み）を検出可能である。第１検出装置２７の検出結果は制御装置１２に出力される。
【００９３】
上述のように、水晶振動子の振動状態と、その水晶振動子上に形成される膜Ｍ’の量とは対応関係にあり、その関係に関する情報は、予め求められていて制御装置１２に記憶されている。制御装置１２は、第１検出装置２７の検出結果と、上述の記憶情報とに基づいて、水晶振動子上に形成される膜Ｍ’の量を求めることができる。第１検出装置２７の水晶振動子は、スリット部材６の近傍に配置されており、水晶振動子上に形成される膜Ｍ’の量と、スリット部材６の表面に形成される膜Ｍ’の量とはほぼ等しい。したがって、制御装置１２は、第１検出装置２７の検出結果に基づいて、配向膜材料に基づいてスリット部材６上に形成される膜Ｍ’の量、ひいてはスリット部材６上に供給される配向膜材料の量を検出できる。
【００９４】
制御装置１２は、第１検出装置２７の検出結果に基づいて、搬送システム１１及びクリーニングシステム１０を制御する。具体的には、制御装置１２は、第１検出装置２７の検出結果に基づいて、第１保持装置７に保持されているスリット部材６上の膜Ｍ’の量が、予め定められた許容量以上になったと判断したとき、搬送システム１１を用いて、第１保持装置７に保持されているスリット部材６を成膜室２から搬出する動作を開始する。
【００９５】
なお、この許容量は、膜Ｍ’の剥がれが発生する確率に基づいて定められた値であり、予備実験及びシミュレーションの少なくとも一方を用いて予め求めることができる。例えば、形成される膜Ｍ’の量が許容量以下であれば、その膜Ｍ’にクラック等が発生する確率が非常に低く、したがって、そのクラックに起因して膜の一部が剥がれて異物が発生する確率が非常に低い。一方、形成される膜Ｍ’の量が許容量以上の場合、その膜Ｍ’にクラックが発生する確率が高くなり、異物が発生する確率が高くなる。
【００９６】
制御装置１２は、第１検出装置２７の検出結果に基づいて、第１保持装置７に保持されているスリット部材６上の膜Ｍ’の量が、予め定められた許容量以上になったと判断したとき、成膜システム３による成膜処理（蒸着処理）を停止した後、第１保持装置７によるスリット部材６の保持を解除し、搬送システム１１の第１搬送部材１６を第１保持装置７に接近させ、その第１搬送部材１６を用いて、スリット部材６を第１保持装置７から搬出する。
【００９７】
制御装置１２は、スリット部材６に形成されている膜Ｍ’（配向膜材料）を除去するために、成膜室２から搬出したスリット部材６を、クリーニングシステム１０のクリーニング室１３に搬送する。制御装置１２は、第１搬送部材１６を用いて、クリーニング室１３の第３保持装置１４に、スリット部材６を搬入（ロード）する。
【００９８】
スリット部材６が第３保持装置１４に保持された後、スリット部材６の温度が、第３保持装置１４に配置されている不図示の温度調整装置によって調整される。そして、第１クリーニング用ガス供給装置３０より、ノズル部材３５を介して、クリーニング室１３内に、スリット部材６から膜Ｍ’（配向膜材料）を除去するための第１クリーニング用ガスが供給される。また、プラズマ生成装置３２においては、電極３７間にグロー放電が生成され、、放電用ガス供給装置３８より放電室３１に放電用ガスが供給され、電極３７間にプラズマ発生領域ＰＵが形成される。
【００９９】
プラズマ生成装置３２により放電室３１において生成されたプラズマは、引き出し電極４０を含むプラズマ導入装置３４により、開口３３を介して、クリーニング室１３に導入される。プラズマは、クリーニング室１３を−Ｘ方向に向かって進行する。
【０１００】
クリーニング室１３のプラズマは、クリーニング室１３の第１クリーニング用ガスを励起、イオン化する。クリーニング室１３に導入されたプラズマによって励起、イオン化された第１クリーニング用ガスは、第３保持部材１４Ｈに保持されているスリット部材６の表面に付着している配向膜材料と化学反応し、例えばフッ化珪素（ＳｉＦ４）を生成し、配向膜材料をガス化する。これにより、スリット部材６に付着していた配向膜材料は、そのスリット部材６から除去される。すなわち、本実施形態においては、クリーニングシステム１０は、ドライエッジング（プラズマエッチング）可能なドライエッチング装置を備えており、ドライエッチング（プラズマエッチング）の手法によって、スリット部材６に付着している配向膜材料を除去するための第１クリーニング動作を実行する。
【０１０１】
本実施形態においては、成膜装置１は、クリーニング室１３において、スリット部材６に付着していた配向膜材料が除去されたかどうかを検出する検出装置４２を有している。検出装置４２は、フーリエ変換赤外分光光度計を含み、そのフーリエ変換赤外分光光度計を含む検出装置４２は、図４に示すように、接続管４３を介して、クリーニング室１３と接続されている。
【０１０２】
フーリエ変換赤外分光光度計（ＦＴ−ＩＲ）を含む検出装置４２は、特に、第１クリーニング用ガスとしてフッ素を含むガスを用いた場合に、スリット部材６に付着していた配向膜材料が除去されたかどうかを検出可能である。ＰＦＣ等、フッ素を含むガスは、配向膜材料である酸化珪素と反応してフッ化珪素（ＳｉＦ４）となり、接続管４３を介してフーリエ変換赤外分光光度計を含む検出装置４２に導入される。フーリエ変換赤外分光光度計は、導入されたガス中のフッ化珪素（ＳｉＦ４）の量を検出可能である。
【０１０３】
スリット部材６に配向膜材料が付着している場合、その配向膜材料と第１クリーニング用ガスとの化学反応によってフッ化珪素（ＳｉＦ４）が生成され続けるので、制御装置１２は、フーリエ変換赤外分光光度計を含む検出装置４２の検出結果に基づいて、フッ化珪素が生成されていると判断したとき、スリット部材６には未だ配向膜材料が存在している（スリット部材６に付着していた配向膜材料は未だ除去されていない）と判断できる。一方、スリット部材６上の配向膜材料がほぼ除去された場合、フッ化珪素（ＳｉＦ４）はほとんど生成されないので、制御装置１２は、フーリエ変換赤外分光光度計を含む検出装置４２の検出結果に基づいて、フッ化珪素がほとんど生成されていないと判断したとき、スリット部材６には配向膜材料が存在していない（スリット部材６に付着していた配向膜材料は除去された）と判断できる。このように、制御装置１２は、検出装置４２によってフッ化珪素をほとんど検出しなくなった時点で、スリット部材６から配向膜材料がほぼ除去されたと判断する。
【０１０４】
検出装置４２の検出結果に応じて、スリット部材６から配向膜材料がほぼ除去できたと判断した後、制御装置１２は、第１クリーニング用ガス供給装置３０からのクリーニング室１３に対する第１クリーニング用ガスの供給動作を停止し、ドライエッチングの手法に基づく第１クリーニング動作を終了する。
【０１０５】
第１クリーニング動作終了後、制御装置１２は、スリット部材６を保持している第３保持部材１４Ｈに印加する電位を制御し、プラズマ生成装置３２からクリーニング室１３に供給されているプラズマ（アルゴンプラズマ）を用いて、スリット部材６をスパッタリングする。すなわち、制御装置１２は、クリーニング室１３に配置されているスリット部材６を、アルゴンイオンでスパッタ洗浄する。第１クリーニング終了後においても、スリット部材６上には、フッ素系の残渣等の物質が残留している可能性がある。そこで、制御装置１２は、第１クリーニング動作終了後、スリット部材６に残留している物質を除去するために、スパッタ洗浄の手法を用いて、第２クリーニング動作を実行する。
【０１０６】
そして、制御装置１２は、第１、第２クリーニング動作が終了した後、第２搬送部材１７を用いて、第３保持部材１４Ｈからクリーニング後のスリット部材６を搬出し、成膜室２の第１保持部材７Ｈに搬入（ロード）する。
【０１０７】
以上説明したように、スリット部材６をクリーニングするクリーニングシステム１０を設けたので、クリーニングシステム１０において、スリット部材６に付着した配向膜材料を除去できる。したがって、成膜室２における異物の発生を抑制でき、基板Ｗ上に配向膜を良好に形成できる。したがって、所望の性能を有する液晶装置を製造できる。
【０１０８】
また、基板Ｗ上における配向膜材料が供給される供給領域を設定する開口６Ｋを有するスリット部材６をクリーニングするようにしたので、例えば開口６Ｋの近傍に配向膜材料が付着することによって生じる、その開口６Ｋの形状の変化、又は開口６Ｋの大きさの変化等を抑制できる。開口６Ｋの大きさ又は形状が変化した場合、成膜条件が変化したり、成膜むら（蒸着むら）等が発生したりする不具合が生じるが、本実施形態においては、そのような不具合の発生を、クリーニングシステム１０を用いて抑制できる。
【０１０９】
また、クリーニングシステム１０を設けたことにより、同じスリット部材６を繰り返し使用できるので、同じ成膜条件で基板Ｗ上に配向膜を形成できる。したがって、形成される配向膜の品質がばらつくことを抑制できる。すなわち、例えばスリット部材６上に許容量以上の膜Ｍ’が形成された場合、そのスリット部材６を新たなものと交換することも考えられるが、上述のように、スリット部材６は、供給領域を規定する開口６Ｋを有しており、スリット部材６を新たなもの（別のもの）と交換すると、スリット部材６（開口６Ｋ）の製造誤差（形状誤差）等によって、供給領域が変動する可能性がある。そのため、スリット部材６を新たなもの（別のもの）と頻繁に交換することは望ましくない場合がある。本実施形態においては、スリット部材６をクリーニングシステム１０を用いてクリーニングするので、スリット部材６を交換することなく、異物が発生するのを抑制することができる。
【０１１０】
なお、本実施形態においては、上述のように、二点鎖線で示す方向で、蒸着源５から基板Ｗに配向膜材料が進行する。したがって、第１保持部材７Ｈに付着する配向膜材料の量は僅かである。また、スリット部材６は基板Ｗの形成領域（供給領域）に近い位置に配置されており、スリット部材６に付着する膜Ｍ’に起因する異物は、主に、スリット部材６の開口６Ｋ近傍に付着した膜（配向膜材料）から発生する異物と考えられる。したがって、第１保持部材７Ｈに対して比較的小型のスリット部材６のみをクリーニングすることによって、基板Ｗに異物が付着することを抑制でき、製造されるデバイスの劣化を抑制できる。
【０１１１】
また、クリーニングシステム１０は、基板Ｗ上に配向膜を形成可能な成膜室２とは別の位置に配置されているので、例えばクリーニング動作によって生じる様々な物質が成膜室２又は成膜室２に配置された基板Ｗ等に影響を与えることを抑制できる。すなわち、スリット部材６をクリーニングする際に、ＰＦＣガス等、フッ素を含むガスを用いる場合、成膜室２と同じ空間でクリーニング処理を実行すると、そのフッ素を含むガスが成膜室２に残留したり、成膜室２に配置されている基板Ｗに付着する可能性がある。また、フッ素を含むガスが成膜室２の内壁を腐食する等、成膜室２を劣化させる可能性がある。また、フッ素を含むガスが基板Ｗに付着すると、基板Ｗ（配向膜）の性能が劣化し、ひいては製造されるデバイス（液晶装置）の性能が劣化する可能性がある。本実施形態においては、クリーニングシステム１０は、基板Ｗ上に配向膜を形成可能な成膜室２とは別の位置に配置されているので、上述の不具合を抑制できる。したがって、所望の性能を有するデバイスを製造できる。
【０１１２】
また、本実施形態においては、クリーニングシステム１０は、クリーニング室１３を有しており、クリーニング動作によって生じる様々な物質が周囲に放出されるのを抑制できる。また、クリーニング室１３を真空状態にすることができるので、そのクリーニング室１３で、上述のドライエッチング（プラズマエッチング）の手法に基づく第１クリーニング動作、及びアルゴンイオンによるスパッタ洗浄の手法に基づく第２クリーニング動作を円滑に実行できる。
【０１１３】
また、本実施形態においては、第１通路２１を開閉可能な第１開閉機構２３と、第２通路２２を開閉可能な第２開閉機構２４とが設けられているので、例えば成膜室２の真空状態、及びクリーニング室１３の真空状態の大きな変動を抑制しつつ、成膜室２とクリーニング室１３との間でスリット部材６を円滑に搬送できたり、成膜室２での成膜処理、及びクリーニング室１３でのクリーニング処理を効率良く行うことができる。したがって、デバイスの生産性を向上できる。
【０１１４】
また、本実施形態においては、第１保持装置７からクリーニングシステム１０へスリット部材６を保持して搬送する第１搬送部材１６と、クリーニングシステム１０から第１保持装置７へスリット部材６を保持して搬送する第２搬送部材１７とを設けたので、配向膜材料が付着しているスリット部材６を第１搬送部材１６のみで搬送し、クリーニングシステム１０においてクリーニングされた清浄なスリット部材６を第２搬送部材１７のみで搬送することによって、クリーニングシステム１０においてクリーニングされた清浄なスリット部材６が、配向膜材料が付着しているスリット部材６を保持することによって汚染してしまった可能性のある第１搬送部材１６で搬送されることを抑制できる。したがって、クリーニングシステム１０でクリーニングされたスリット部材６が、成膜室２の第１保持装置７に搬入（ロード）される前に汚れてしまうといった不具合の発生を抑制できる。
【０１１５】
また、本実施形態においては、クリーニングシステム１０は、スリット部材６に付着している配向膜材料を除去するためのドライエッチングの手法に基づく第１クリーニング動作と、その第１クリーニング動作後、スリット部材６に残留している物質を除去するためのスパッタ洗浄の手法に基づく第２クリーニング動作とを実行するので、スリット部材６を良好にクリーニングできる。
【０１１６】
また、本実施形態においては、スリット部材６上の配向膜材料の量を検出する第１検出装置２７を設け、その第１検出装置２７の検出結果に基づいて、スリット部材６のクリーニング動作を制御するので、第１検出装置２７の検出結果に基づいて、成膜室２において、スリット部材６に許容量以上の材料が付着したと判断された場合に、クリーニングシステム１０を用いて、適切なタイミングで、スリット部材６をクリーニングできる。例えば、スリット部材６上の膜Ｍ’の量が僅かであって、スリット部材６のクリーニングを実行しなくてもいい状態であるにもかかわらずクリーニング動作を実行してしまう、といった不具合を抑制できる。
【０１１７】
また、本実施形態においては、第１搬送部材１６による搬送動作と第２搬送部材１７による搬送動作とを並行して行うことができ、スリット部材６の交換動作を短縮でき、デバイスの生産性を向上できる。
【０１１８】
また、スリット部材６を少なくとも２つ用意しておき、一方のスリット部材６が成膜室２に配置されているときに、他方のスリット部材６がクリーニング室１３に配置されて、クリーニング処理されてもよい。そして、成膜室２に配置されていたスリット部材６をクリーニングするために、そのスリット部材６を、第１搬送部材１６を用いて成膜室２からクリーニング室１３に搬送する動作の少なくとも一部と並行して、クリーニング室１３においてクリーニング処理されたスリット部材６を、第２搬送部材１７を用いてクリーニング室１３から成膜室２に搬送する動作を実行するようにしてもよい。
【０１１９】
また、本実施形態においては、基板ＷをＸ軸方向に移動しつつ、Ｙ軸方向に長いスリット状の開口６Ｋを通過した配向膜材料が連続的に基板Ｗに供給されるので、基板Ｗの表面の広い領域において、スリット部材６の開口６Ｋに応じた幅の均一な配向膜を良好に高い生産性で形成することができる。
【０１２０】
また、本実施形態においては、形成しようとする無機配向膜の目標形状（射方柱の目標角度）に応じて、蒸着源５とスリット部材６の開口６Ｋとの位置関係等を最適化することによって、所望の形状（角度）を有する複数の射方柱を含む無機配向膜を基板Ｗ上に良好に形成することができる。したがって、配向性が良好な無機配向膜を形成することができる。したがって、無機配向膜を備えた液晶装置は、液晶分子のプレチルト角を良好に制御することができる。また、配向性が良好な無機配向膜を用いて、液晶分子のプレチルト角を良好に制御することができるので、例えば液晶分子の配向状態をＴＮモードからＶＡモードまで自在に制御することができる。
【０１２１】
なお、本実施形態においては、第１検出装置２７の検出結果に基づいて、スリット部材６のクリーニング動作が実行されるが、スリット部材６の交換動作は、第１検出装置２７の検出結果によらずに、例えば予め定められた基板Ｗの所定処理枚数毎、あるいは所定処理時間間隔毎に実行するようにしてもよい。所定処理枚数は、１枚でもよいし、複数枚でもよい。
【０１２２】
なお、本実施形態においては、第１クリーニング動作においては、ＰＦＣガスをプラズマで活性化させたガス（ラジカル）を用いて、スリット部材６に付着している配向膜材料を除去しているが、Ｃｌ２、（Ｆ２／Ｈ２）等のガスを紫外線等で活性化させた光励起ガスを用いて、スリット部材６に付着している配向膜材料を除去することも可能である。また、ＳｉＯ２との反応性が高いＨＦ等のガスを用いて、スリット部材６に付着している配向膜材料を除去することも可能である。また、ドライアイス粒子を噴射して、スリット部材６に付着している配向膜材料を除去することも可能である。
【０１２３】
なお、本実施形態においては、所定の角度の射方柱を有する無機配向膜を形成するために、蒸着源とスリット部材６の開口６Ｋと基板Ｗとの位置関係を最適化して、配向膜材料を基板Ｗの表面に斜め方向から供給しているが、形成しようとする無機配向膜に応じて、配向膜材料は、必ずしも基板Ｗの表面に斜め方向から供給されなくてもよい。
【０１２４】
なお、本実施形態においては、スリット部材６をクリーニングする場合を例にして説明したが、上述のように、クリーニングシステム１０は、シャッタ部材８もクリーニングできる。制御装置１２は、例えば第２検出装置２８の検出結果に基づいて（又は例えば予め定められた基板Ｗの所定処理枚数毎、あるいは所定処理時間間隔毎に）、シャッタ部材８のクリーニング動作を開始することができる。また、制御装置１２は、成膜室２からクリーニング室１３へのシャッタ部材８の搬送を、第３搬送部材１８を用いて実行し、クリーニング室１３から成膜室２へのシャッタ部材８の搬送を、第４搬送部材１９を用いて実行する。
【０１２５】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。第２実施形態においては、成膜装置１が、スパッタ法に基づいて基板Ｗの表面に無機配向膜を形成する場合を例にして説明する。以下の説明において、上述の第１実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１２６】
図６は、第２実施形態に係る成膜装置１の概略構成図である。図６において、成膜装置１は、基板Ｗを収容可能であり、その収容した基板Ｗ上に無機配向膜を形成可能な成膜室２を有する成膜システム３と、成膜室２に配置され、基板Ｗを保持して移動可能な基板駆動装置４と、成膜室２に配置され、基板Ｗ上に無機配向膜を形成するための材料を供給可能なターゲット材料Ｔと、成膜室２に配置され、ターゲット材料Ｔと基板Ｗとの間に、開口６Ｋを有するスリット部材６が配置されるようにそのスリット部材６を着脱可能に保持する第１保持装置７と、成膜室２に配置され、ターゲット材料Ｔと基板Ｗとの間に、シャッタ部材８が配置されるようにそのシャッタ部材８を着脱可能に保持する第２保持装置９と、成膜システム３の成膜室２と別の位置に配置され、スリット部材６及びシャッタ部材８の少なくとも一方をクリーニング可能なクリーニングシステム１０と、成膜室２の第１保持装置７とクリーニングシステム１０との間でスリット部材６を搬送可能であるとともに、成膜室２の第２保持装置９とクリーニングシステム１０との間でシャッタ部材８を搬送可能な搬送システム１１とを備えている。上述の第１実施形態と同様、本実施形態においても、成膜装置１全体の動作は制御装置１２によって制御される。
【０１２７】
本実施形態においては、成膜システム３は、ターゲット材料Ｔにイオン粒子Ｐ１を照射して、ターゲット材料Ｔより無機配向膜を形成するためのスパッタ粒子Ｐ２を放出させるスパッタ装置５０を有する。
【０１２８】
スパッタ装置５０は、ＲＦスパッタ装置を含み、ターゲット材料Ｔを保持可能な電極を有する保持部材を備える。電極には高周波電源が接続される。スパッタ装置５０は、成膜室２におけるターゲット材料Ｔの近傍、本実施形態においては、ターゲット材料Ｔの−Ｚ側の所定領域において、プラズマを発生させる。また、スパッタ装置５０は、プラズマが発生したプラズマ発生領域ＰＡに、アルゴンガス（Ａｒガス）及び酸素ガス（Ｏ２ガス）の少なくとも一方を放電用ガスとして供給可能である。スパッタ装置５０は、プラズマ発生領域ＰＡに放電用ガスを供給することによって、その放電用ガスに基づくイオン粒子Ｐ１を生成する。スパッタ装置５０は、生成したイオン粒子Ｐ１をターゲット材料Ｔに照射して、そのイオン粒子Ｐ１でターゲット材料Ｔをスパッタし、そのターゲット材料Ｔより、無機配向膜を形成するためのスパッタ粒子Ｐ２を放出させる。
【０１２９】
スリット部材６は、スパッタ装置５０の電極によって保持されるターゲット材料Ｔと、基板Ｗとの間に配置されている。スリット部材６は、ターゲット材料Ｔからのスパッタ粒子Ｐ２の少なくとも一部が通過可能な開口６Ｋを有している。開口６Ｋは、基板Ｗ上におけるスパッタ粒子Ｐ２が供給される供給領域を規定する。
【０１３０】
シャッタ部材８は、ターゲット材料Ｔと、基板Ｗとの間に配置可能である。制御装置１２は、ターゲット材料Ｔと基板Ｗとの間にシャッタ部材８を配置することによって、ターゲット材料Ｔから基板Ｗへ向かうスパッタ粒子Ｐ２を遮断可能である。
【０１３１】
本実施形態において、スリット部材６及びシャッタ部材８の少なくとも一方にスパッタ粒子Ｐ２（配向膜材料）が付着する可能性がある。クリーニングシステム１０は、そのスリット部材６及びシャッタ部材８の少なくとも一方をクリーニング可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１３２】
【図１】第１実施形態に係る成膜装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】スリット部材の近傍を示す図であって、図２（Ａ）はスリット部材近傍の側断面図、図２（Ｂ）はスリット部材近傍を＋Ｚ側から見た図である。
【図３】シャッタ部材を説明するための図である。
【図４】クリーニングシステムを説明するための図である。
【図５】スリット部材の開口に膜が形成されている状態を示す模式図である。
【図６】第２実施形態に係る成膜装置の一例を示す概略構成図である。
【符号の説明】
【０１３３】
１…成膜装置、２…成膜室、３…成膜システム、５…蒸着源、６…スリット部材、６Ｋ…開口、７…第１保持装置、８…シャッタ部材、９…第２保持装置、１０…クリーニングシステム、１１…搬送システム、１２…制御装置、１３…クリーニング室、１５…搬送室、１６…第１搬送部材、１７…第２搬送部材、１８…第３搬送部材、１９…第４搬送部材、２１…第１通路、２２…第２通路、２３…第１開閉機構、２４…第２開閉機構、２７…第１検出装置、２８…第２検出装置、３０…第１クリーニング用ガス供給装置、３１…放電室、Ｐ１…イオン粒子、Ｐ２…スパッタ粒子、Ｔ…ターゲット材料、Ｗ…基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に配向膜を形成する成膜装置であって、
前記基板を収容可能であり、該収容した基板上に前記配向膜を形成可能な第１室と、
前記第１室に配置され、前記基板上に前記配向膜を形成するための材料を供給可能な材料供給部と、
前記第１室に配置され、前記材料供給部と前記基板との間に所定部材が配置されるように該所定部材を着脱可能に保持する保持装置と、
前記第１室と別の位置に配置され、前記所定部材をクリーニング可能なクリーニングシステムと、
前記第１室の前記保持装置と前記クリーニングシステムとの間で前記所定部材を搬送する搬送システムと、を備えた成膜装置。
【請求項２】
前記クリーニングシステムは、前記所定部材を収容可能であり、該収容した所定部材をクリーニング可能な第２室を有する請求項１記載の成膜装置。
【請求項３】
前記搬送システムは、前記第１室と前記第２室との間に配置され、前記所定部材を保持して搬送可能な搬送部材を収容可能な第３室を有し、
前記第１室と第３室とを接続する第１通路と、前記第２室と前記第３室とを接続する第２通路と、前記第１通路を開閉可能な第１開閉機構と、前記第２通路を開閉可能な第２開閉機構とを有する請求項２記載の成膜装置。
【請求項４】
前記搬送システムは、前記保持装置から前記クリーニングシステムへ前記所定部材を保持して搬送する第１搬送部材と、
前記クリーニングシステムから前記保持装置へ前記所定部材を保持して搬送する第２搬送部材とを有する請求項１〜３のいずれか一項記載の成膜装置。
【請求項５】
前記クリーニングシステムは、前記所定部材に付着している前記材料を除去するための第１クリーニング動作を実行する第１クリーニング装置と、前記第１クリーニング動作後、前記所定部材に残留している物質を除去するための第２クリーニング動作を実行する第２クリーニング装置とを有する請求項１〜４のいずれか一項記載の成膜装置。
【請求項６】
前記第１クリーニング装置は、前記所定部材から前記材料を除去可能な第１クリーニング用ガスを供給する請求項５記載の成膜装置。
【請求項７】
前記所定部材に付着している前記材料の量を検出可能な検出装置と、
前記検出装置の検出結果に基づいて、クリーニング動作を制御する制御装置とを備えた請求項１〜６のいずれか一項記載の成膜装置。
【請求項８】
前記所定部材は、前記基板上における前記配向膜が形成される形成領域を設定する開口を有する設定部材を含む請求項１〜７のいずれか一項記載の成膜装置。
【請求項９】
前記所定部材は、前記材料供給部から前記基板へ向かう前記材料を遮断可能なシャッタ部材を含む請求項１〜７のいずれか一項記載の成膜装置。
【請求項１０】
前記材料供給部は、前記配向膜を形成するための材料の蒸気を発生する蒸着源を含む請求項１〜９のいずれか一項記載の成膜装置。
【請求項１１】
前記材料供給部は、イオン粒子でスパッタされ、前記配向膜を形成するためのスパッタ粒子を放出するターゲット材料を含む請求項１〜９のいずれか一項記載の成膜装置。
【請求項１】
基板上に配向膜を形成する成膜装置であって、
前記基板を収容可能であり、該収容した基板上に前記配向膜を形成可能な第１室と、
前記第１室に配置され、前記基板上に前記配向膜を形成するための材料を供給可能な材料供給部と、
前記第１室に配置され、前記材料供給部と前記基板との間に所定部材が配置されるように該所定部材を着脱可能に保持する保持装置と、
前記第１室と別の位置に配置され、前記所定部材をクリーニング可能なクリーニングシステムと、
前記第１室の前記保持装置と前記クリーニングシステムとの間で前記所定部材を搬送する搬送システムと、を備えた成膜装置。
【請求項２】
前記クリーニングシステムは、前記所定部材を収容可能であり、該収容した所定部材をクリーニング可能な第２室を有する請求項１記載の成膜装置。
【請求項３】
前記搬送システムは、前記第１室と前記第２室との間に配置され、前記所定部材を保持して搬送可能な搬送部材を収容可能な第３室を有し、
前記第１室と第３室とを接続する第１通路と、前記第２室と前記第３室とを接続する第２通路と、前記第１通路を開閉可能な第１開閉機構と、前記第２通路を開閉可能な第２開閉機構とを有する請求項２記載の成膜装置。
【請求項４】
前記搬送システムは、前記保持装置から前記クリーニングシステムへ前記所定部材を保持して搬送する第１搬送部材と、
前記クリーニングシステムから前記保持装置へ前記所定部材を保持して搬送する第２搬送部材とを有する請求項１〜３のいずれか一項記載の成膜装置。
【請求項５】
前記クリーニングシステムは、前記所定部材に付着している前記材料を除去するための第１クリーニング動作を実行する第１クリーニング装置と、前記第１クリーニング動作後、前記所定部材に残留している物質を除去するための第２クリーニング動作を実行する第２クリーニング装置とを有する請求項１〜４のいずれか一項記載の成膜装置。
【請求項６】
前記第１クリーニング装置は、前記所定部材から前記材料を除去可能な第１クリーニング用ガスを供給する請求項５記載の成膜装置。
【請求項７】
前記所定部材に付着している前記材料の量を検出可能な検出装置と、
前記検出装置の検出結果に基づいて、クリーニング動作を制御する制御装置とを備えた請求項１〜６のいずれか一項記載の成膜装置。
【請求項８】
前記所定部材は、前記基板上における前記配向膜が形成される形成領域を設定する開口を有する設定部材を含む請求項１〜７のいずれか一項記載の成膜装置。
【請求項９】
前記所定部材は、前記材料供給部から前記基板へ向かう前記材料を遮断可能なシャッタ部材を含む請求項１〜７のいずれか一項記載の成膜装置。
【請求項１０】
前記材料供給部は、前記配向膜を形成するための材料の蒸気を発生する蒸着源を含む請求項１〜９のいずれか一項記載の成膜装置。
【請求項１１】
前記材料供給部は、イオン粒子でスパッタされ、前記配向膜を形成するためのスパッタ粒子を放出するターゲット材料を含む請求項１〜９のいずれか一項記載の成膜装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２００８−７１９３８（Ｐ２００８−７１９３８Ａ）
【公開日】平成２０年３月２７日（２００８．３．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−２４９３１５（Ｐ２００６−２４９３１５）
【出願日】平成１８年９月１４日（２００６．９．１４）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年３月２７日（２００８．３．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年９月１４日（２００６．９．１４）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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