【課題】発生したプラズマ励起ガスを効率的に取り出すことができる、簡易な構成のプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】プラズマ発生装置は、電極セルと、当該電極セルに交流電圧を印加する電源部１７と、前記電極セルを囲繞する筐体と、当該筺体外部から前記電極セルの外周部へと原料ガスを供給する原料ガス供給部とを、備えている。前記電極セルは、低圧電極１と高圧電極３と誘電体２ａ，２ｂとを備え、誘電体バリア放電空間６を有し、貫通口ＰＨを有するドーナツ形状である。また、プラズマ発生装置は、貫通口ＰＨの内部に配設されている円筒形状の側面部に噴出孔２１ｘを有する絶縁筒部２１と、絶縁筒部２１の空洞部２１Ａ内の圧力を減圧する、減圧装置とをさらに備えている。 （もっと読む）

【課題】均一性に優れた高品質な薄膜が形成可能な、酸化物薄膜原料を含んだ水溶液の霧化による薄膜形成用の量産装置を提供する。
【解決手段】基板が成長室６の上側に固定して設置され、その下側に設置された貫通孔プレート４とそのさらに下側に設置された整流羽根５の両者が回転することにより、基板に対して均一にミスト７を供給することが可能となる。また、回転部分である貫通孔プレート４と整流羽根５の両者が一体で、これが固定されている基板２に対して回転する。これにより、両者を一体で製作するため部品数が少なくなり、かつ回転部分を一箇所のみにすることができるため、装置構造を簡略化することができる。また、基板回転を行わないため、基板加熱機構（ヒータ）１も簡略化できる。 （もっと読む）

【課題】基体の温度を高くしなくも緻密なＳｉ系アモルファス膜を形成でき安定性に優れるプラズマＣＶＤ装置及びＳｉ系アモルファス膜の形成方法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置１００４において、誘導エネルギー蓄積型のパルス電源１０２８からチャンバの内部に収容された電極対１０１２，１０１６へ直流パルス電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】欠陥等が無く均質化され同じ内部応力の半導体薄膜を、基板の両面に同時に結晶成長させることができ、しかも、製造工程が簡単で、歩留まりも高い半導体薄膜の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体薄膜の製造方法は、基板３の表面３ａに第１の半導体薄膜を、この基板３の裏面３ｂに第２の半導体薄膜を、同時に形成する半導体薄膜の製造方法であり、基板３の表面３ａを赤外線ランプ１５で加熱するとともに、この表面３ａに第１の原料ガスｇ１を導入し、この表面３ａに第１の半導体薄膜を成長させ、同時に、この基板３の裏面３ｂに第２の原料ガスｇ２を導入し、この裏面３ｂに第２の半導体薄膜を成長させる。 （もっと読む）

【課題】結晶性、電気的特性、および光学特性等に優れたＩｎＮを含む半導体層を成膜する方法を提供する。
【解決手段】本発明のＩｎＮを含む半導体層の成膜方法は、プラズマで分解された水素原子と、Ｉｎ金属またはＩｎを含む化合物からなるＩｎ源とを反応させることによってＩｎ水素化物を形成するステップと、プラズマで窒素を分解することによって原子状窒素を形成するステップと、Ｉｎ水素化物と原子状窒素とを反応させることによって、基板上にＩｎＮを含む半導体層を形成するステップとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶に多結晶が癒着することを抑制し、より高品質なＳｉＣ単結晶を製造できるようにする。
【解決手段】台座９をパージガスが種結晶５の裏面側から供給できる構造とし、種結晶５の外縁に向けてパージガスを流動させられるようにする。このような構造とすれば、パージガスの影響により、台座９のうちの種結晶５の周囲に位置する部分に多結晶が形成されることを抑制できる。これにより、ＳｉＣ単結晶２０を長尺成長させたとしても、多結晶のせり上がりによりＳｉＣ単結晶２０の外縁部に多結晶が癒着することを防止することが可能となる。したがって、外縁部の品質が損なわれることなくＳｉＣ単結晶２０を成長させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ多結晶の成長による炉内の閉塞を防止し、長時間の成長を可能とする。
【解決手段】加熱容器８の内周壁面および台座９の外縁にパージガスを流動させる。これにより、台座９の周囲や加熱容器８の内周壁面に多結晶が形成されることを抑制することが可能となり、原料ガス３の流路の閉塞を防止することが出来る。これにより成長結晶の成長端面以外の不要な箇所でのＳｉＣ多結晶の堆積を抑制し、成長結晶の長時間にわたる成長が可能となる。 （もっと読む）

【課題】膜を形成する基板の温度制御を安定して行なう真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】真空蒸着装置１００は、基板２０の上に膜を形成する真空蒸着装置であって、基板ホルダ１０３と、ホルダ加熱部１０５と、基板２０上に形成する膜の原料をその内部に収容する原料保持部と、第１遮断部１１１と、第２遮断部１１２と、を備えている。第１遮断部１１１は、前記原料保持部側から見て、基板ホルダ１０３よりも外周が外側に位置することが可能である。第２遮断部１１２は、第１遮断部１１１と選択的に、前記原料保持部側から見て、基板ホルダ１０３よりも外周が外側に位置することが可能であり、開口部１１２ａを有する。第２遮断部１１２の開口部１１２ａの内接円の半径は、基板２０の外接円の半径の１．５倍以下である。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の薄膜蒸着装置、システム、それを利用した太陽電池の製造方法及び異種接合の太陽電池の製造方法、並びにこれによって製造された異種接合の太陽電池を提供する。
【解決手段】太陽電池の薄膜蒸着装置は、基板Ｗを境界として区分される複数個の単位チャンバー１１０ａ，１１０ｂと、複数個の単位チャンバーに蒸着ガスＧ１，Ｇ２を独立的に注入させるための蒸着ガス注入部１２０ａ，１２０ｂと、前記単位チャンバー内にそれぞれ備えられ、前記注入された蒸着ガスを分解するための分解手段１３０ａ，１３０ｂと、を備え、前記基板の両面それぞれは、前記複数個の単位チャンバーに露出され、太陽電池の薄膜蒸着装置及びそれを利用した製造方法は、基板の回転なしに固定された状態で基板の両面蒸着を可能にする。したがって、一面に対して一層のみが積層される従来の技術に比べて、要求される設備の数が画期的に減ることができる。 （もっと読む）

【課題】円筒状の断熱材を中心軸に対して平行に分割する場合において、分割された隣り合う断熱材同士の間に放電現象が発生することを抑制する。
【解決手段】加熱容器８の周囲に配置される第１外周断熱材１０を円筒形状で構成すると共に、中心軸に平行に円筒形状を複数に分断した分割部１０ａ〜１０ｃを備えた構成とする。そして、各分割部１０ａ〜１０ｃの繋ぎ目の箇所を覆うように低抵抗部材２０を備えた構造とする。これにより、複数の分割部１０ａ〜１０ｃの間の空隙のうち比較的幅が狭い部分において局所的な放電現象が起こることを抑制でき、誘導電力を安定して供給することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】成膜装置の構成を複雑化させることなく、モフォロジーの良好な膜を形成可能で、かつ成膜装置の稼働効率を向上可能な成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜原料堆積チャンバー１７内において、半導体基板２８の表面に、成膜原料を溶媒中に溶解させることで形成される液状の成膜原料液を供給し、成膜原料液に含まれる溶媒を液体から気体に相変化させることにより、溶媒中に溶解している成膜原料を半導体基板２８の表面に堆積させ、その後、成膜原料堆積チャンバー１７とは異なる反応チャンバー１８内において、加熱或いは反応試薬の添加により、半導体基板２８の表面に形成された成膜原料を反応させることで、半導体基板２８の表面に膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】成膜反応を極めて短時間で停止させ、オーバーシュートを抑制する。
【解決手段】基板１０が収容される第１のチャンバー３と、成膜原料が混合された超臨界状態の媒体を第１のチャンバー３へ供給する供給ラインと、第１のチャンバー３内において基板１０を保持するステージ９と、第１のチャンバー３内の圧力を、前記媒体の臨界圧力よりも低い圧力に減圧させるための第２のチャンバー４と、第１のチャンバー３と第２のチャンバー４とを接続する配管７ａと、配管７ａに設けられたバルブ７ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】ターゲットが磁性体・非磁性体であるに関わらず、ターゲット上に均一な平行磁場分布を形成し、均一なエロージョンが得られ、ターゲットの広幅化やスパッタ薄膜形成速度向上あるいはＣＶＤ成膜速度向上の効果が得られる放電電極及び放電方法を提供する。
【解決手段】平板ターゲットを有する放電電極において、前記平板ターゲットの表面側の両側縁に沿うように設けられ、前記平板ターゲットを隔てて対向する磁性体と、該磁性体を隔てて前記平板ターゲットの反対側に前記磁性体と組み合わせて設けられ前記平板ターゲットを隔てて異極性の関係であるターゲット上部磁石を有することを特徴とする放電電極。 （もっと読む）

【課題】ウェハの熱処理を均一化することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置は、素子形成面が略水平となるようにウェハ３０２をエッジリング３０３が保持し、保持されたウェハ３０２の素子形成面に同心円状に区分されたゾーン毎にプロセスガスをガス導入口３０７が供給する。このため、プロセスガスの流量をウェハ３０２の素子形成面の同心円状のゾーン毎に制御することができるので、例えば、熱処理時（特に到達温度付近）でのウェハ３０２の外周部でガス流量を下げることにより、ウェハ３０２外周部でのウェハ３０２温度低下を抑制し、熱処理の均一化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】膜質の良い絶縁膜を成膜する。
【解決手段】本発明の成膜装置１は電離装置２５を有している。電離装置２５は反応ガスの経路の途中に設けられており、反応ガスは経路を流れる途中で電離装置２５で電離され、成膜室２内部に電離された反応ガスが導入される。電離された反応ガスを成膜室２内部に導入しながら、ターゲット６をスパッタリングすれば、スパッタ粒子と反応ガスとが反応して、基板１１表面に反応物の膜が形成される。反応ガスを電離してからスパッタを行うと、反応ガスを電離させない場合に比べて、成膜速度が速く、かつ、膜質の良い膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置における電極間の電界をより強くする。
【解決手段】基板１０２を保持することが可能な上部電極１２と、上部電極１２と対向するように配置され、上部電極１２と対向する部分に上部電極１２に向かって複数の柱状凸部１４ａが形成された下部電極１４とを設ける。そして、柱状凸部１４ａの配置のピッチＰと先端部の幅Ｗとの比Ｐ／Ｗを１．３以上とする。 （もっと読む）

【課題】膜質及びバリア性を改善する。
【解決手段】搬送される長尺の基材に成膜できる領域である成膜ゾーン２２の下方に配置される少なくとも１本のガス供給管３２であって、該成膜ゾーンの下方から該成膜ゾーンを指向する１個以上のガス供給口３４Ａを有する前記ガス供給管を備えたプラズマＣＶＤ成膜装置１０を用いて、前記成膜ゾーンの下方に位置する前記ガス供給口から前記成膜ゾーンにガスを供給して、前記基材を搬送しながら前記基材上に連続的に成膜する、成膜方法。 （もっと読む）

【課題】CVD装置においてチャンバー内の基板周囲のガス流を安定化し、堆積する膜の成分及び厚みの均質化を図ることによって、高品質な成膜を行うCVD装置を提供する。
【解決手段】排気ガス流速を均等化するための隔壁１１を加熱ステージ及びガスヘッドと排気ポート７，８との間に設置することによって、原料ガスの流れがガスヘッドから基板へ揺らぐことなく噴霧される。これにより、均質な成膜が可能なCVD装置を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】成膜対象物に形成される膜の膜質の低下が抑えられたスパッタリング装置を得ること。
【解決手段】複数の第１小型マグネトロンカソード３１ａおよび第２小型マグネトロンカソード３１ｂの中央磁石３２ａ，３２ｂ付近に生じる非エロージョン領域は、分断されて個々で存在するので、連続した一体の中央磁石で構成されたマグネトロンカソードと比較して狭くできる。個々の非エロージョン領域が狭いことで、非エロージョン領域に形成された厚膜に発生する応力を緩和でき、膜応力等による剥がれが減少することで、パーティクルの発生を抑えることができる。したがって、基板に形成される膜に取り込まれるパーティクルを減少でき、膜質の低下が抑えられるスパッタリング装置を得ることができる。 （もっと読む）