【課題】抵抗変化材料に含まれる金属酸化物の反応生成物がＭＩＭ型素子の側壁に付着した場合でも、抵抗変化素子の性能を劣化させない素子構造を有する半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に下部電極３が配設され、下部電極３上に抵抗が変化する抵抗変化素子４が配設され、抵抗変化素子４上に上部電極５が配設され、抵抗変化層４と上部電極５の側壁面には、抵抗変化層４のドライエッチング時に発生した反応生成物８が付着している。上部電極５（第１領域）はトレンチ形状７に加工され、反応生成物８はトレンチ形状７となった分断された上部電極９（第２領域の）の側壁面に付着する。上部電極の第１領域５は、上部電極５上に配設されたプラグ１１に対して電気的に接続され、第２領域９は電気的に非接続であり、第１領域５と第２領域９とは、物理的に非接触構造である。 （もっと読む）

【課題】波長変換ユニットや波長変換用の設備が不要で、装置のコンパクト化・低コスト化を図れる極めて実用性に優れた有機デバイスの製造装置並びに有機デバイスの製造方法の提供。
【解決手段】基板上に有機化合物層を含む複数の薄膜層を積層して成る有機デバイスを製造する有機デバイスの製造装置であって、前記各薄膜層を夫々レーザアブレーション加工するレーザ加工部を備え、このレーザ加工部は、前記各薄膜層に、夫々１０００〜１６００ｎｍの範囲で同一の波長の短パルスレーザを０．１〜１．５Ｊ／ｃｍ^２のフルエンスで照射してレーザアブレーション加工するように構成する。 （もっと読む）

【課題】反応器内におけるプラズマ環境の浸食的および腐食的性質ならびにパーティクルおよび／または金属による汚染を最小限し、消耗品やその他部品を含めて、十分に高い耐浸食性および耐腐食性を有する装置部品を提供する。
【解決手段】プラズマ雰囲気における耐浸食、耐腐食および／または耐腐食−浸食を与える溶射イットリア含有被膜を備える半導体処理装置の構成要素。この被膜は下地を物理的および／または化学的攻撃から保護することができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理する半導体基板を載せるステージ上の異物を検知し、該異物を、チャンバーを大気開放してのメンテナンスなく除去できる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】エッチングを行うプリクリーンチャンバー4と、バッファチャンバー8と、基板搬送用のロボット5と、基板処理毎のバイアス電圧を検出する検出部7と、設備パラメータの異常判定を行う異常判定部11と、基板の搬送および処理シーケンスを切り替え可能な制御部12とを備え、チャンバー8内にダミー基板を格納する。異常判定部11は、設備のメンテナンス後に変更設定されたバイアス電圧の異常判定規格から前記検出部7での検出値が外れるチャンバー4の異常の有無を判断し、制御部12は、異常判定部11で異常有りと判断されたときに、チャンバー4への被処理基板9の搬入を停止しダミー基板を搬入するクリーニング処理を行う。 （もっと読む）

【課題】被処理体に形成された自然酸化膜を除去することができる被処理体の処理方法、処理装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】 熱処理装置１の制御部１００は、自然酸化膜が形成された半導体ウエハＷを収容した反応管２内を４００℃に加熱する。反応管２内が４００℃に加熱されると、制御部１００は、処理ガス導入管１７から、塩素を含む処理ガスを供給することにより処理ガスに含まれる塩素を活性化させる。この活性化された塩素が半導体ウエハＷに供給されることにより、半導体ウエハＷに形成された自然酸化膜が除去される。 （もっと読む）

本発明は、エッチングすべき少なくとも１つの材料（４）を含む構造体（１）をエッチングするための方法に関し、この方法は、エッチングすべき前記材料（４）と反応できる少なくとも１つの化学種を選択するステップと、前記化学種を放出できる少なくとも１つの可溶性化合物を選択するステップと、前記化合物および懸濁状態にある粒子または固体の粒（１３）の粉体を含む溶液（１１）を製造するステップと、前記溶液内に前記エッチングすべき材料を入れるステップと、前記化学種を発生し、これら化学種がエッチングすべき前記材料と反応し、それによって可溶性化合物または沈殿物を生成するように活性キャビテーションバブルを発生できる、少なくとも１つの周波数の高周波超音波を前記溶液内に発生するステップとを備える。
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【課題】製造工程による抵抗変化層の特性劣化を改善する抵抗変化層を用いた不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】基板１１上に形成された下層配線１５と、下層配線１５上の少なくとも一部に形成された抵抗変化層１６と、下層配線１５と抵抗変化層１６とを含む基板１１上に形成された層間絶縁層１７と、層間絶縁層１７を貫通して抵抗変化層１６に接続するように形成されたコンタクトホール２６と、抵抗変化層１６に接続し、コンタクトホール２６内に形成された埋め込み電極１９と、層間絶縁層１７上に埋め込み電極１９と接続し、下層配線１５に対して交差する上層配線２０とを備え、抵抗変化層１６は少なくとも酸素不足型の遷移金属酸化物を含み、かつコンタクトホール２６が接続する領域の抵抗変化層１６の表層部分がコンタクトホール２６と接続する領域以外の抵抗変化層１６の表層部分に比べて凹んだ形状になっている。 （もっと読む）

【課題】電極間のリーク電流の発生及び応力集中が効果的に抑制されるとともに、高密度化が可能であり、さらに、圧電体層のプラズマダメージが抑制された圧電素子を提供する。
【解決手段】圧電素子１０は、支持体１２と、支持体１２上に形成されている下部電極１６と、下部電極１６上に形成されている圧電体層２０と、圧電体層２０上に下部電極１６と対向するように形成されている上部電極２４と、を有し、圧電体層２０の下部電極１６側の面が上部電極２４側の面よりも大きくなるように圧電体層２０の下部電極１６側の周囲に段差部２０Ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】容量素子の誘電体膜を形成する際に生じたエッチング生成物が誘電体膜に付着しない容量素子の製造方法を提供する。
【解決手段】強誘電体材料からなる誘電体層４２上に導電層４３を形成する工程と、導電層４３及び誘電体層４２のうちの少なくとも導電層４３上に、保護層１０を形成する工程と、保護層１０上にマスク層４５を形成する工程と、マスク層４５をパターニングする工程と、パターニングされたマスク層４５をマスクとして、保護層１０と共に保護層１０に隣接する下側の層４３をエッチングして、下側の層４３をパターニングする工程と、マスク層４５を除去する工程と、次いで、保護層１０に対してドライエッチングを行う工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】処理室内壁等へのダメージを抑制しつつ、高誘電率膜中へのボロンの混入を抑制する半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室２０１内に基板２００を搬入する工程と、処理室２０１内に処理ガス２３２ａ，ｂを供給して基板２００上に高誘電率膜を形成する処理を行う工程と、処理後の基板を処理室２０１内から搬出する工程と、処理室２０１内にボロンを含むハロゲン系ガス２３２ｃを供給して処理室２０１内に付着した高誘電率膜を含む堆積物を除去し処理室２０１内をクリーニングする工程と、処理室２０１内に酸素系ガス２３２ｄを供給してクリーニング後に処理室内に残留するボロンを除去もしくは固定する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＦｅＲＡＭを製造する際、強誘電体キャパシタのパターニングをシリコン酸化膜よりなるハードマスクを使って行い、占有面積を低減するとともに、生産性および歩留まりを向上させる。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、活性素子が形成された半導体基板上において、第１の導電膜と、強誘電体膜と、第２の導電膜とを順次積層した積層構造体をパターニングし、前記第１の導電膜を下部電極、前記強誘電体膜をキャパシタ絶縁膜、前記第２の導電膜を上部電極とした強誘電体キャパシタを形成する工程を含み、前記積層構造体のパターニングは、前記積層構造の上に形成されたハードマスクパターンをマスクに実行され、前記ハードマスクパターンは、経時的な水分吸収を生じないシリコン酸化膜よりなる。 （もっと読む）

【課題】多層レジストや、メタルゲート／Ｈｉｇｈ−ｋ等の積層膜のドライエッチング加工において、高精度の加工精度が要求される。
【解決手段】複数層の連続エッチング加工において、エッチング後の寸法測定することなく、加工の形状または寸法を、真空処理室１の内壁または半導体基板４と、真空処理室１内に生成されたプラズマとの間の電荷量に応じて変動するバイアス電位を計測し、また、プラズマ中の波長の異なる各イオン種の発光強度を測定し、これらから予め設定したモデル式にて、各膜種のエッチング処理毎に、エッチング後の各膜種の加工寸法を予測し、次の膜のエッチング後寸法が、所定の寸法値になるよう処理条件を変更し、連続して次の膜種のエッチング処理を行うことで、寸法や形状を補正するドライエッチング方法および装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】種々の被エッチング材料、プロセス条件に対応可能なエッチング特性分布調整手段を提供する。
【解決手段】内部を減圧可能な減圧処理室８と、該減圧処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記減圧処理室内にマイクロ波を供給してプラズマを生成するマイクロ波供給手段１と、前記減圧処理室内に静磁場を生成する磁場生成用コイル１８，１９と、前記減圧処理室内に被処理材である試料を載置して保持する試料載置電極１１と、前記減圧処理室に接続され該減圧処理室内のガスを排気する真空排気手段１４を備え、前記減圧処理室、ガス供給手段の処理室へのガス供給部、マイクロ波供給手段の処理室へのマイクロ波導入部、試料載置電極、および真空排気手段を前記減圧処理室の中心軸に対して同軸上に配置し、前記マイクロ波導入部は、直線偏波のマイクロ波を円偏波のマイクロ波に変換するマイクロ波回転発生器２２を備え、前記磁場生成用コイルに励磁電流を供給する励磁回路には励磁電流を反転して供給する手段３３を備えた。 （もっと読む）

【課題】発光体近傍の透明導電体層表面に凹凸を形成し、その間隔ピッチ、形状を制御することにより、放熱性の向上と、光取出し効率の更なる向上が図れる発光素子及び該発光素子の製造方法の提供。
【解決手段】屈折率が１．７以上である透明導電体層を少なくとも有する発光素子であって、前記透明導電体層表面に、該表面を基準として複数の凹部が配列されたことによって形成された凹凸部を有してなり、隣接する凹部の中心間の最短距離が１００ｎｍ以上１２００ｎｍ以下であり、かつ凹部深さが６０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下である発光素子とする。 （もっと読む）

【課題】 放電方向に均一な放電を発生させ、放電効率を高める構造を提供すること。
【解決手段】 放電用電極体９，１０は電極２，３と電極２，３を覆う固体誘電体とを備えたものであって、固体誘電体の放電側表面がアルミナと、希土類元素（ＲＥ）を含む酸化物とからなり、かつＡｌをＡｌ_２Ｏ_３換算で６８質量％以上、９４質量％以下、希土類元素（ＲＥ）をＲＥ_２Ｏ_３換算で６質量％以上、３２質量％以下含有するものからなる。また、放電用電極アセンブリ１００は、放電用電極体を２つ備えてなり、これら放電用電極体を対向させてなる。放電処理装置は、放電用電極アセンブリを用いてプラズマを発生させるようになしたものである。これらにより、放電効率が向上するとともに、放電用電極体の放電側表面のプラズマに対する耐食性が向上する。 （もっと読む）

【課題】ネジ止めされた基板載置台の表面に，ネジのある部分とない部分との間の熱膨張量の差に起因して生じる撓みが発生することを防止する。
【解決手段】ウエハＷを載置する載置台２００であって，載置台本体を構成するサセプタ２１０と，このサセプタの周縁部を処理室１０２内に固定するネジ２３２とを備え，サセプタの周縁部に側面全周に渡る環状溝２４０を設けて，サセプタの周縁部をネジ２３２で締め付けられて熱膨張が抑えられる部分を含む下側の部分と，自由に熱膨張する上側の部分とに分けた。 （もっと読む）

【課題】ダマシン配線構造を有する半導体装置に形成される配線表面の酸化物部を選択的に除去する。
【解決手段】ダマシン配線構造を有する半導体装置を製造するに際し、配線表面を、Ｘｅのプラズマで逆スパッタリングする。本発明によれば、Ｘｅのプラズマガスで逆スパッタリングすることにより、配線表面の酸化物部等を選択的に効率よく除去でき、ダマシン配線構造において、上下配線間のコンタクト抵抗の増大を回避できる。また、配線の上に形成されたＣＦなどの絶縁膜へのダメージを抑制でき、絶縁膜の誘電率変動も抑制できる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ電位が低く，より安定した高密度のプラズマを容易に形成する。
【解決手段】処理室１０２内に設けられ，ウエハを載置する載置台１１０と，処理室内に処理ガスを導入するガス供給部１２０と，処理室内を排気して減圧する排気部１３０と，載置台に対向するように板状誘電体１０４を介して配設された平面状の高周波アンテナ１４０と，高周波アンテナを覆うように設けられたシールド部材１６０と，載置台と板状誘電体との間に誘導結合プラズマを生成するための高周波を高周波アンテナに印加する高周波電源１５０とを備え，高周波アンテナは両端を開放するとともに中点又はその近傍を接地し，前記高周波電源からの高周波の１／２波長で共振するように構成したアンテナ素子１４２からなる。 （もっと読む）

【課題】金属膜がアンダカットされることもなく、また、金属膜と酸化物膜とが階段形状になることもなく、エッチング面が垂直形状となるようにする多層膜のエッチング方法の提供。
【解決手段】基板上に設けられた少なくとも１種の金属膜と少なくとも１種の酸化物膜とからなる多層膜をエッチングする方法であって、エッチングガスとして、プラズマ中でラジカルを発生するガスとプラズマ中でイオンを発生するガスとを用いて行う。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の材料コスト、製造コストを低減可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置の製造方法は、シリコンサーメット膜５を形成する工程と、シリコンサーメット膜５を保護する保護膜４を形成する工程と、保護膜４をプラズマエッチングすることでコンタクトホール６を形成する開口工程と、を備える。そして、開口工程におけるエッチングの終点を検出するためのエッチング検出層３が保護膜４と接するように形成されている。保護膜４とエッチング検出層３の少なくとも一方には、保護膜４に含まれる元素とエッチング検出層３に含まれる元素のうち両方に共通しない元素が含まれている。開口工程において、両方に共通しない元素のプラズマ発光に基づき保護膜４のエッチングの終点を検出する。 （もっと読む）