【課題】本発明の実施形態は、生産性を向上させることができる反射型マスクの製造方法、および反射型マスクの製造装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、基板の主面に反射層を形成する工程と、前記反射層の上に吸収層を形成する工程と、前記吸収層にパターン領域を形成する工程と、前記吸収層と前記反射層とに前記パターン領域を囲む遮光領域を形成する工程と、を備え、前記遮光領域を形成する工程において、前記反射層を塩素と酸素とを含むガスを用いてエッチング処理する反射型マスクの製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】アモルファスＴｉＯ_２の表面に微細な表面構造を形成することができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施の形態に係るプラズマエッチング方法では、アモルファスＴｉＯ_２をエッチングするに際して、ラジカル反応が支配的な第１のエッチング工程と、イオン照射が支配的な第２のエッチング工程を含む。エッチング開始当初はエッチング圧力を比較的高めに設定した第１のエッチング工程を実施し、マスクパターンの開口領域を等方エッチングする。次いで、エッチング圧力を低くした第２のエッチング工程を実施し、アモルファスＴｉＯ_２をその表面に垂直な方向にエッチングする。これにより、マスクパターンに対応したエッチングパターンを高精度に形成でき、形状特性に優れた表面構造を形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】高誘電率絶縁膜のエッチング制御性を向上することができるプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷ上の半導体デバイスに形成されたハフニウム酸化膜にエッチング処理を施す際、ウエハＷをプラズマ処理装置１０のチャンバ１１内に搬入し、該チャンバ１１内の処理空間ＳにＣ_４Ｆ_８ガス、一酸化炭素ガス、アルゴンガス及びキセノンガスを所定の流量比で供給し、処理空間Ｓに高周波電力を印加して供給された処理ガスからプラズマを発生させ、キセノンによってＣ_４Ｆ_８からのフッ素の解離をより促進して高いエッチレートで高誘電率絶縁膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】所定の層が水分などに一切曝されることない半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】第１の膜、第２の膜及び第３の膜をこの順に積層して形成し、第３の膜上にレジストマスクを形成し、レジストマスクを用いて第３の膜をエッチングすることでマスク層を形成し、レジストマスクを薬液により除去し、マスク層を用いて第２の膜と第１の膜をドライエッチングすることで、第２の層と第１の層を形成し、少なくとも第２の層と第１の層を覆って第４の膜を形成し、第４の膜をエッチバックすることで、少なくとも第１の層の側面のすべてを覆ってサイドウォール層を形成することで薄膜素子を作製する。 （もっと読む）

【課題】エッチングレートを確保しつつ、マスクに対する良好なエッチング選択性を得ることができる誘電体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】上記誘電体デバイスの製造方法においては、エッチングガスとして、塩素系ガス及びフッ化炭素系ガスの少なくとも一種を含むエッチングガスが用いられる。このエッチングガスのプラズマを用いたドライエッチングを実施することで、電極層４を構成する金属層４ａと導電性酸化物層４ｂとが順次エッチングされる。また、この種のエッチングガスを用いることで、電極層４のエッチングレートを確保しつつ、レジストマスクに対する良好なエッチング選択性を得ることができる。 （もっと読む）

【解決手段】透明基板上に形成された１又は２以上の層で構成された膜であり、該膜の最表層がクロム系材料からなる膜を塩素系ドライエッチングによってエッチングする方法であって、加水分解性シラン化合物の加水分解・縮合物、架橋促進剤化合物及び有機溶剤を含む酸化ケイ素系材料膜形成用組成物を用いて成膜した膜厚１〜１０ｎｍの酸化ケイ素系材料膜をエッチングマスクとして上記最表層を塩素系ドライエッチングする方法。
【効果】本発明のエッチングマスク膜は、塩素系ドライエッチングに対して高いエッチング耐性をもち、このエッチングマスク膜を用いてフォトマスクブランクを加工することにより、塩素系ドライエッチングであっても、薄いエッチングマスク膜で高精度の加工が可能である。 （もっと読む）

【課題】表面が曲面形状または凹凸 形状を有する基板上に、平滑性の高い被エッチング層と熱反応型レジスト材料を積層した積層体を設けることを目的の一つとする。
【解決手段】曲面形状または凹凸形状の基板上に、フロン系ガスを用いたドライエッチング処理に用いられ、且つ元素群Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂから少なくとも１種類を含む元素及びその酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、セレン化物、シリサイドのいずれかから選択されるドライエッチング材を含むドライエッチング層と、前記ドライエッチング層の上に熱反応型レジスト層とを積層する。 （もっと読む）

【課題】圧電体薄膜を微細加工するとともに制御性良く加工を停止させることを可能とした圧電体薄膜ウェハの製造方法、及び圧電体薄膜ウェハの加工方法、並びに圧電体薄膜素子、圧電体薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】基板２上に組成式（Ｋ_1-xＮａ_x）ＮｂＯ₃（０．７＜ｘ≦１．０）で表される下地層４を形成する工程と、下地層４上に組成式（Ｋ_1-xＮａ_x）ＮｂＯ₃（０．４≦ｘ≦０．７）で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電体薄膜５を形成する工程と、基板２上に形成された下地層４及び圧電体薄膜５に、Ａｒを含むガスを用いてドライエッチングを行う工程と、ドライエッチングにおいて放出されるイオンプラズマ中のＮａの発光ピーク強度の変化を検出してエッチング速度を変更する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】圧電体薄膜を短時間に精度よく微細加工することを可能とした圧電体薄膜ウェハの製造方法、圧電体薄膜素子、及び圧電体薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】圧電薄膜ウェハ１は、基板上に形成された組成式（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）ＮｂＯ_３（０．４≦ｘ≦０．７）で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電体薄膜４に、Ａｒを含むガスを用いてドライエッチングを行うエッチング工程と、放出されるイオンプラズマ中のＮａの発光ピーク強度の変化を検出してエッチング速度を変更する工程とにより製造される。 （もっと読む）

【課題】圧電体薄膜を精度良く微細加工することを可能とした圧電体薄膜の加工方法を提供する。
【解決手段】組成式（Ｋ_1-xＮａ_x）ＮｂＯ₃（０．４≦ｘ≦０．７）で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電体薄膜を備える積層体に、前記圧電体薄膜側からＡｒを含むガスを用いてドライエッチングを行い、前記ドライエッチングにおいて放出されるイオンプラズマ中のＮａ発光ピーク強度の変化を検出してエッチング速度を変更する。 （もっと読む）

【課題】異方的にエッチングされた銅膜に、簡単で実用的にＣｕバリア膜を形成できる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｃｕバリア膜１００上に、銅膜１０１を形成する工程と、銅膜１０１上に、マスク材１０２を形成する工程と、マスク材１０２をマスクに用いて、銅膜１０１をＣｕバリア膜１００が露出するまで異方的にエッチングする工程と、マスク材１０２を除去した後、異方的にエッチングされた銅膜１０１上に、銅膜１０１に対して触媒作用があり、Ｃｕバリア膜１００には触媒作用がない選択析出現象を利用した無電解めっき法を用いて、銅の拡散を抑制する物質を含むめっき膜１０４を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】スループット良く、銅を異方的にエッチングすることを可能とするとともに、銅を用いたバンプ電極を短時間で形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】内部配線１５３上に絶縁膜１５６を形成する工程と、絶縁膜１５６に内部配線１５３に通じる開口１５７を形成する工程と、開口１５７が形成された絶縁膜１５６上に、銅膜１０１を形成する工程と、銅膜１０１上に、バンプ電極形成パターンに対応したマスク材１０２を形成する工程と、マスク材１０２をマスクに用いて、銅膜１０１を異方的にエッチングし、バンプ電極を形成する工程と、とを具備する。 （もっと読む）

【課題】スループット良く、銅を、異方的にエッチングすることが可能なエッチング方法を提供すること。
【解決手段】 表面にマスク材１０２が形成された銅膜１０１に、マスク材１０２をマスクに用いて酸素イオン６を照射し、銅膜１０１内に、銅膜１０１の厚さ方向の全てに対して異方的に酸化された酸化銅１０３を形成する工程と、異方的に酸化された酸化銅１０３をエッチングする工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】複数の層からなるパターンを形成する際の寸法制御性や処理の安定性を向上させることができるエッチング処理装置およびエッチング処理方法を提供する。
【解決手段】処理容器と、ゲートバルブと、フッ素を含むガスを供給する供給部と、排気部と、プラズマ発生部と、を有した第１の処理部１４０と、処理容器と、ゲートバルブと、塩素を含むガスを供給する供給部と、排気部と、プラズマ発生部と、を有した第２の処理部１５０と、第１の搬入搬出口と、第２の搬入搬出口と、を介して被処理物の搬送を行う搬送部１３０と、を備え、前記第１の処理部１４０は、前記被処理物に形成されたタンタルホウ素酸化物を含む層を所定の形状となるように除去し、前記第２の処理部１５０は、前記被処理物に形成されたタンタルホウ素窒化物を含む層を所定の形状となるように除去することを特徴とするエッチング処理装置１００。 （もっと読む）

【課題】圧電体薄膜を短時間で微細加工することができるとともに、選択的に加工を停止させることができる圧電体薄膜ウェハの製造方法、圧電体薄膜素子、及び圧電体薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】基板２上に圧電体薄膜４を備えた圧電体薄膜ウェハ１は、Ａｒを含むガスを用いてイオンエッチングを行う第１の加工工程と、反応性ガスとＡｒとを混合した混合エッチングガスを用いて反応性イオンエッチングを行う第２の加工工程とにより製造される。圧電体薄膜４だけを短時間でエッチングすることが可能である。 （もっと読む）

【解決手段】モリブデンと、ケイ素と、酸素及び／又は窒素とを含有する第１のケイ素系材料層と、モリブデンと、ケイ素と、酸素及び／又は窒素とを含有し、酸素と窒素との合計の含有率（原子％）が上記第１のケイ素系材料層以下であり、かつモリブデンとケイ素との組成比（Ｍｏ／Ｓｉ（原子比））が第１のケイ素系材料層より高い第２のケイ素系材料層との間で、上記第２のケイ素系材料層を、上記第１のケイ素系材料層を残して選択的にエッチング除去する方法であって、酸素を含有する塩素系ドライエッチングガスを用い、上記第１のケイ素系材料層のエッチング速度に対する上記第２のケイ素系材料層のエッチング速度が大きくなるように塩素系ガスと酸素ガスとの比率を設定して、上記第２のケイ素系材料層を選択的にエッチング除去するドライエッチング方法。
【効果】本発明によれば、ケイ素系材料で構成した２層の一方を選択的にエッチングすることができる。 （もっと読む）

【課題】電界効果トランジスタにおいて、フィールドプレート終端での高電界の集中を緩和し、もって高耐圧半導体装置として利用可能とする。
【解決手段】本電界効果トランジスタ３０は、ＧａＮ系エピタキシャル基板３２の電子走行層上に、ゲート電極３８を挟んで配置されたソース電極３４及びドレイン電極３６を備え、ゲート電極３８及びソース電極３４はドレイン電極３６を囲み、ソース電極３４の上部に、ゲート電極３８の上方を通過してドレイン電極３６側に庇状に突き出したフィールドプレート１７０が形成され、ＧａＮ系エピタキシャル基板３２の表面層とフィールドプレート１７０との間に、誘電体膜４６が形成され、誘電体膜４６は、フィールドプレート１７０の直下領域においてフィールドプレート終端面と面一状態となるように切れ込み、その下端からドレイン電極３６に接続するようにドレイン電極３６に向かって延びている。 （もっと読む）

【課題】単一の電源及び単一のマッチングボックスにより、各被エッチング物の最適な周波数を用いてエッチングする。
【解決手段】被エッチング材が載置されるステージを内部に有する真空容器と、前記真空容器内にプロセスガスを供給するプロセスガス供給手段と、前記真空容器内にプラズマを生成させるためのプラズマ生成手段と、前記プラズマ生成手段の電極にプラズマ生成用高周波電力を供給するプラズマ生成用電源と、前記ステージの自己バイアス電位を制御するための単一のバイアス電源であって、出力周波数を変更可能なバイアス電源と、前記ステージと前記バイアス電源との間に電気的に接続された単一の整合器であって、前記バイアス電源の負荷と前記バイアス電源とのインピーダンス整合をとる整合器と、前記バイアス電源の出力周波数を設定する周波数設定手段と、前記バイアス電源の出力周波数に応じて前記整合器のインピーダンスを制御する制御手段とを備えたドライエッチング装置によって上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】Ｄ−ＲＡＭのキャパシタを形成するシリンダのドライエッチ加工において、従来技術の製造方法ではアスペクト比が高いシリンダやコンタクトの形状がボーイング形状となり隣接するホール間ショートの問題やホール内に形成する電極成膜のカバレッジ異常などの問題が発生する。
【解決手段】本発明ではシリコン酸化膜４ａにコンタクトホールを形成する際にボーイングが発生する部分にＬｏｗ−ｋ膜の炭化シリコン酸化膜５を挿入して積層構造とし、ドライエッチでシリコン酸化膜４ａのエッチング速度に対し、炭化シリコン酸化膜５のエッチング速度が１／５〜１／１０と遅い条件にすることでボーイング形状の抑制を可能にした。 （もっと読む）

【課題】high-k/メタルゲートを処理するドライエッチング装置における、クリーニングの課題を解決する。
【解決手段】high-k/メタルゲート構造のドライエッチング後にフッ素を含まずCl₂やBCl₃などの塩素を含むガスのプラズマクリーニングを行い、引き続いてSF₆,CF₄,NF₃などのフッ素を含むガスのプラズマクリーニングを行う。 （もっと読む）