非結晶性炭素膜を犠牲ハードマスクとして用いる半導体素子の製造方法
【課題】 本発明は、犠牲ハードマスクのエッチング選択比を増加させ、パターン変形を最小化できる半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明は、被エッチング層上に犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜を形成するステップと、該犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜上にフォトレジストパターンを形成するステップと、該フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜をエッチングし、犠牲ハードマスクを形成するステップと、少なくとも前記犠牲ハードマスクをエッチングマスクとして前記被エッチング層をエッチングし、所定のパターンを形成するステップとを含む。
【解決手段】 本発明は、被エッチング層上に犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜を形成するステップと、該犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜上にフォトレジストパターンを形成するステップと、該フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜をエッチングし、犠牲ハードマスクを形成するステップと、少なくとも前記犠牲ハードマスクをエッチングマスクとして前記被エッチング層をエッチングし、所定のパターンを形成するステップとを含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体素子の製造方法に関し、特に半導体素子のパターン形成方法に関する。さらに詳細には、F2または不和アルゴン(ArF)などのさらに発展した露光源を用いた半導体素子のパターン形成方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体素子の進展を支えてきた微細加工技術は、写真エッチング(Photo lithography)技術であり、この技術の解像力の向上が半導体素子の高集積化の未来と直結するといっても過言ではない。
【0003】
このような写真エッチング工程は、周知のように、フォトレジストパターンを形成する工程と、前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとするエッチング工程とを通して、被エッチング層をエッチングして所望の形態のパターン、例えばコンタクトホール、またはゲート電極などのラインパターンなどを形成する工程を含み、ここでフォトレジストパターンは、被エッチング層上にフォトレジストを塗布する工程と準備された露光マスクを用いてフォトレジストを選択的に露光する工程及び所定の化学溶液で露光されるか、または露光されないフォトレジスト部分を除去する現像工程を通してなされる。
【0004】
一方、写真エッチング工程で具現できるパターンの臨界寸法(Critical Dimension;以下CDとする)は、前記した露光工程において、どのような波長の光源を用いるかによって左右される。これは、露光工程を通して具現できるフォトレジストパターンの幅によって、実際のパターンのCDが決定されるためである。
【0005】
636nm(g−line)の波長の光源と365nm(i−line)の光源を用いた初期のステッパー(Stepper)を経て、現在は248nm(KrF Excimer Laser)波長のDUV(Deep Ultra Violet)を用いるステッパーやスキャナータイプの露光装備を主として用いており、248nmのDUV写真エッチング技術は、初期に時間遅延の効果、物質の特性の依存性などのような多くの問題が発生し、0.18μmデザインの製品開発に用いられた。しかし0.15μm以下のデザインを有する製品を開発するためには、新しい193nm(ArF Excimer Laser)、または157nm(F2 Laser)の波長を有する新しいDUV写真エッチング技術の技術開発が必須である。しかし、このようなDUV写真エッチング技術において、解像力を高めるための様々な技術を組合しても、0.1μm以下のパターンは不可能であるため、新しい光源を有する写真エッチング技術の開発が活発に行われている。
【0006】
ArF露光源を用いたフォトリソグラフィー工程と、F2露光源を用いるフォトリソグラフィー工程技術との核心課題の中のひとつは、F2またはArF用のフォトレジストの開発である。F2またはArFは、KrFのような化学増幅型であるが、材料を根本的に改良しなければならない必要があり、特にArFフォトレジスト材料の開発が難しいのは、ベンゼン環を用いることができないためである。ベンゼン環は、ドライエッチング耐性を確保するために、i−線及びKrF用のフォトレジストに用いられてきた。しかし、例えば、ArF用のフォトレジストにベンゼン環が用いられる場合、ArFレーザの波長領域である193nmで吸光度が大きいため透明性が低下し、フォトレジスト下部まで露光が不可能であるという問題が発生する。このため、ベンゼン環を有さずドライエッチング耐性を確保することができ、接着力が良くて2.38%TMAH(Tetra Methyl Ammonium Hydroxide)に現像され得る材料の研究が行われている。現在まで、世界の多くの会社及び研究所で研究成果を発表している状態であり、今まで商用化されているものとしては、COMA(CycloOlefin Maleic Anhydride)、またはアクリレート(Acrylate)系統のポリマー形態、または、これらの混合形態である。しかし、前記したフォトレジストはベンゼン構造を有している。
【0007】
図1Aは、KrFフォトリソグラフィー工程を適用したラインタイプのマスクパターンを示す平面写真であり、図1Bは、ArFフォトリソグラフィー工程を適用したラインタイプのマスクパターンを示す平面写真である。図2A及び図2Bは、図1A及び図1Bのマスクパターンをそれぞれ用いてエッチング工程を行った後の平面写真である。
【0008】
図1Aに示しているように、KrFフォトリソグラフィー工程を適用する場合マスクパターンM1の変形がほとんど発生しない反面、図1Bに示しているように、ArFフォトリソグラフィー工程を適用する場合には、ストレーション(Striation)のようなマスクパターンM2の変形が起こることが確認できる。
【0009】
図2Aのように、KrFフォトリソグラフィー工程を適用する場合には、パターンP1の変形がほとんど発生せず、マスクパターンM1の形状がそのまま転写される反面、図2Bに示しているように、ArFフォトリソグラフィー工程を適用する場合には、パターンP2を形成するためにエッチング工程を行う時フォトレジストがまとまるか(Cluster)、成形変形(Plastic deformation)される現象と、エッチングの途中にフォトレジスト耐性が弱く片方に追い込まれる現象によって、パターンP2に激しい変形が発生することが確認できる。
【0010】
ArFフォトリソグラフィー工程を用いたパターン形成時、上述のようなパターン変形を最小化するために、タングステンと窒化膜との単独または積層された構造の犠牲ハードマスクを用いる工程技術が開発された。
【0011】
図3Aないし図3Dは、従来の技術に係るF2またはArF露光源を用いた半導体素子パターン形成の工程を示す断面図であり、これを参照して詳細に説明する。
【0012】
後述する半導体素子のラインパターンは、具体的に、導電パターンのうちビットライン形成の工程をその一例とする。
【0013】
まず、図3Aに示しているように、半導体素子を形成するための様々な要素が形成された基板30上に、被エッチング層として伝導層31Aを形成した後、伝導層31A上に絶縁性の物質であり、また被エッチング層である伝導層31Aとの選択比を有するハードマスク材料として用いられるSi3N4またはSiONなどの窒化膜系列の薄膜、またはSiO2などの酸化膜系列の薄膜を用いて、ハードマスク用の絶縁膜32Aを蒸着する。次いで、エッチング工程時、ハードマスク用の絶縁膜32Aの損失によるパターン変形を防止するために、ハードマスク用の絶縁膜32A上にハードマスク用の犠牲膜33Aを形成する。
【0014】
ここで、ハードマスク用の犠牲膜33Aは、ポリシリコン膜、Al膜、W膜、WSix(xは1ないし2)膜、WN膜、Ti膜、TiN膜、TiSix(xは1ないし2)膜、TiAlN膜、TiSiN膜、Pt膜、Ir膜、IrO2膜、Ru膜、RuO2膜、Ag膜、Au膜、Co膜、TaN膜、CrN膜、CoN膜、MoN膜、MoSix(xは1ないし2)膜、Al2O3膜、AlN膜、PtSix(xは1ないし2)膜及びCrSix(xは1ないし2)膜からなるグループから選択された少なくとも何れか1つの薄膜を用いる。
【0015】
次いで、ハードマスク用の犠牲膜33A上にパターン形成のための露光時、下部すなわち、ハードマスク用の犠牲膜33Aの光反射度が高いことによって乱反射が起こり、好ましくないパターンが形成されることを防止し、ハードマスク用の犠牲膜33Aと後続フォトレジストの接着力とを向上させる目的で反射防止膜(ARC:Anti Reflective Coating)34Aを形成する。
【0016】
ここで、反射防止膜34Aは、フォトレジストとそのエッチング特性とが類似の有機系列(Organic)の物質を主に用いる。
【0017】
次いで、反射防止膜34A上にF2露光源用、またはArF露光源用のフォトレジストスピンコーティング(Spin coating)などの方法を通して適切な厚さに塗布した後、F2露光源、またはArF露光源とゲート電極幅とを画定するための所定のレチクル(図示せず)を用いて、フォトレジストの所定の部分を選択的に露光し、現像工程を通して露光工程によって露光されるか、あるいは露光されない部分を残留させた後、後洗浄工程などを通してエッチング残留物などを除去することによって、フォトレジストパターン35Aを形成する。
【0018】
次いで、図3Bに示しているように、フォトレジストパターン35A(図3A参照)をエッチングマスクとする選択的エッチング工程を通して、反射防止膜34A(図3A参照)を選択的にエッチングする。この時、選択的エッチング工程後に残留するフォトレジストパターンは35Bと表記し、選択的エッチング工程後に形成されるパターニングされる反射防止膜は34Bと表記する。
【0019】
次いで、フォトレジストパターン35Bをエッチングマスクとして、ハードマスク用の犠牲膜33A(図3A参照)をエッチングして犠牲ハードマスク33Bを形成する。
【0020】
次いで、図3Cに示しているように、少なくとも(残留するフォトレジストパターン35Bとパターニングされる反射防止膜34B(図3B参照)は、大部分エッチング過程で除去されるが、その一部が残留でき、残留するフォトレジストパターン35B(図3B参照)とパターニングされる反射防止膜34Bとの除去のための別途のフォトレジストストリップ工程を実施しない場合、残留するフォトレジストパターン35Bとパターニングされる反射防止膜34Bとがエッチングマスクの役割を果たすことができるため、「少なくとも」と表現する)犠牲ハードマスク33B(図3B参照)をエッチングマスクとして、ハードマスク用の絶縁膜32A(図3B参照)をエッチングしてハードマスク32Bを形成する。
【0021】
この過程において、上述の残留するフォトレジストパターン35Bと反射防止膜34Bとは、工程を行う過程で自然に除去され、残留する犠牲ハードマスクは33Cと表記する。
【0022】
次に、図3Dに示しているように、残留する犠牲ハードマスク33C(図3C参照)及びハードマスク32B(図3C参照)をエッチングマスクとして、伝導層31A(図3C参照)を選択的にエッチングして伝導層パターン31Bすなわち、ビットラインを形成する。
【0023】
この時、上述の本発明の残留する犠牲ハードマスク33Cの使用によって、これを除去するための追加エッチング工程をなくすために、伝導層31Aをハードマスク用の犠牲膜33Aと同じ薄膜として用いるか、または相互に異なる種類の薄膜でも、その厚さとエッチング条件とを調節することによって、伝導層31Aのエッチング時、残留する犠牲ハードマスク33Cは、全て除去されるようにできる。
【0024】
図4は、従来のArFフォトリソグラフィー工程を適用して形成したコンタクトホールを示しており、「D」のようにコンタクトホールパターンの変形が発生したことが確認できる。
【0025】
図5は、従来の技術に係るフォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いる場合のコンタクトホールパターンを示す断面図である。
【0026】
図5に示しているように,0.2μmサイズのコンタクトホールの形成のために、フォトレジストパターン54をエッチングハードマスクとして用いて、基板50に形成された絶縁膜52をエッチングしてコンタクトホールを形成した。この時、絶縁膜52は、TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate)で形成した。42SCCMのC4F6と27SCCMのO2と500SCCMのArとを用いて、40mTorrの圧力下で1800Wのパワーと40Gの磁気力の線速密度を用いた結果、TEOS膜、すなわち絶縁膜52とフォトレジストパターン54との12:1のエッチング選択比を得ることができる。
【0027】
一方、マスクパターン形態では正常であっても、エッチング時に図3Dに示しているように、LER(Line Edge Roughness)とストレーションなどのようなパターン変形36が発生し、前記犠牲ハードマスクを適用してもエッチング選択比の限界を克服することは難しいのが実情である。
【特許文献1】特開2004−205900
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0028】
本発明は、上述した従来の技術の問題点を解決するためになされたものであって、その目的とするところは、犠牲ハードマスクのエッチング選択比を増加させ、パターン変形を最小化できる半導体素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0029】
上記目的を達成するため、本発明は、被エッチング層上に犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜を形成するステップと、該犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜上にフォトレジストパターンを形成するステップと、該フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜をエッチングし、犠牲ハードマスクを形成するステップと、少なくとも前記犠牲ハードマスクをエッチングマスクとして前記被エッチング層をエッチングし、所定のパターンを形成するステップとを含む半導体素子の製造方法を提供する。
【0030】
また、前記のような問題点を解決するために、本発明は、被エッチング層上に犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜を形成するステップと、該犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜上に犠牲ハードマスク用の物質膜を形成するステップと、該犠牲ハードマスク用の物質膜上にフォトレジストパターンを形成するステップと、該フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記犠牲ハードマスク用の物質膜をエッチングし、第1犠牲ハードマスクを形成するステップと、少なくとも前記第1犠牲ハードマスクをエッチングマスクとして前記犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜をエッチングし、第2犠牲ハードマスクを形成するステップと、少なくとも前記第2犠牲ハードマスクをエッチングマスクとして前記被エッチング層をエッチングし、所定のパターンを形成するステップとを含む半導体素子の製造方法を提供する。
【0031】
また、前記のような問題点を解決するために、本発明は、被エッチング層上に犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜を形成するステップと、該犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜上に反射防止膜を形成するステップと、該反射防止膜上にフォトレジストパターンを形成するステップと、該フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記反射防止膜をエッチングするステップと、前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜をエッチングし、犠牲ハードマスクを形成するステップと、少なくとも前記犠牲ハードマスクをエッチングマスクとして前記被エッチング層をエッチングし、所定のパターンを形成するステップとを含む半導体素子の製造方法を提供する。
【0032】
また、前記のような問題点を解決するために、本発明は、被エッチング層上に犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜を形成するステップと、該犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜上に犠牲ハードマスク用の物質膜を形成するステップと、該犠牲ハードマスク用の物質膜上に反射防止膜を形成するステップと、該反射防止膜上にフォトレジストパターンを形成するステップと、前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記反射防止膜をエッチングするステップと、前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記犠牲ハードマスク用の物質膜をエッチングし、第1犠牲ハードマスクを形成するステップと、少なくとも該第1犠牲ハードマスクをエッチングマスクとして前記犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜をエッチングし、第2犠牲ハードマスクを形成するステップと、少なくとも該第2犠牲ハードマスクをエッチングマスクとして前記被エッチング層をエッチングし、所定のパターンを形成するステップとを含む半導体素子の製造方法を提供する。
【0033】
また、前記のような問題点を解決するために、本発明は、被エッチング層上にハードマスク用の絶縁膜を形成するステップと、該ハードマスク用の絶縁膜上に犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜を形成するステップと、該犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜上に反射防止膜を形成するステップと、該反射防止膜上にフォトレジストパターンを形成するステップと、該フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記反射防止膜をエッチングするステップと、前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜をエッチングし、犠牲ハードマスクを形成するステップと、少なくとも前記犠牲ハードマスクをエッチングマスクとして前記ハードマスク用の絶縁膜をエッチングし、ハードマスクを形成するステップと、前記犠牲ハードマスク及び前記ハードマスクをエッチングマスクとして前記被エッチング層をエッチングし、所定のパターンを形成するステップとを含む半導体素子の製造方法を提供する。
【0034】
また、前記のような問題点を解決するために、本発明は、被エッチング層上にハードマスク用の絶縁膜を形成するステップと、該ハードマスク用の絶縁膜上に犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜を形成するステップと、該犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜上に犠牲ハードマスク用の物質膜を形成するステップと、該犠牲ハードマスク用の物質膜上に反射防止膜を形成するステップと、該反射防止膜上にフォトレジストパターンを形成するステップと、該フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記反射防止膜をエッチングするステップと、該フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記犠牲ハードマスク用の物質膜をエッチングし、第1犠牲ハードマスクを形成するステップと、少なくとも該第1犠牲ハードマスクをエッチングマスクとして前記犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜をエッチングして第2犠牲ハードマスクを形成するステップと、少なくとも該第2犠牲ハードマスクをエッチングマスクとして前記ハードマスク用の絶縁膜をエッチングし、ハードマスクを形成するステップと、前記第2犠牲ハードマスク及び前記ハードマスクをエッチングマスクとして前記被エッチング層をエッチングし、所定のパターンを形成するステップとを含む半導体素子の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【0035】
本発明によると、F2またはArFなどの露光源を用いる写真エッチング工程に係るフォトレジストパターンの変形と損失とを防止でき、半導体素子の収率を大きく向上させることができるという効果を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0036】
以下、本発明のもっとも好ましい実施の形態を,添付する図面を参照して説明する。
【0037】
非結晶性炭素膜は、フォトレジストパターンと類似の特性を有するため、フォトレジストパターンとの間に別途の犠牲ハードマスクと積層して用いることが好ましい。また、その上部に積層される犠牲ハードマスク、例えば、酸化膜、窒化膜、ポリシリコン膜、タングステン膜などとエッチング選択比が大きく、これらの薄い厚さにも厚い非結晶性炭素膜を比較的容易にエッチングできる。
【0038】
非結晶性炭素膜の厚さを厚く有することができるため、これをハードマスクとして適用する場合、被エッチング層に対するエッチングマスクとしての機能を十分に行うことができる。
【0039】
図6A及び図6Bは、非結晶性炭素膜をハードマスクとして用いて、コンタクトホールを形成した例を示す断面写真図である。
【0040】
図6Aは、1.561μmサイズのコンタクトホールで、図6Bは、1.564μmのサイズのコンタクトホールである。二つの場合、全てパターンの変形が無く、コンタクトホールパターンを形成できることが確認できる。
【0041】
参考に、図6A及び図6Bのコンタクトホールのパターン形成時、層間絶縁膜42としては、TEOS膜を用いた。
【0042】
図7は、非結晶性炭素膜を犠牲ハードマスクとして用いる場合のコンタクトホールパターンを示す写真断面図である。
【0043】
図7では,0.18μmサイズのコンタクトホール形成のために、非結晶性炭素膜74を犠牲ハードマスクとして用いた。43SCCMのC4F6と28SCCMのO2と15SCCMのCHF3と500SCCMのArとを用いて、40mTorrの圧力下で1800Wのパワーと40Gの磁気力の線速密度を用いた結果、TEOS膜72と非結晶性炭素膜74との26:1のエッチング選択比を得ることができる。
【0044】
反面、図5で説明したように,0.2μmサイズのコンタクトホール形成のために、フォトレジストパターン54をエッチングハードマスクとして用いた従来の技術と比較してみる時、図7に示しているような非結晶性炭素膜74が、図5のようなフォトレジストパターン54に比べ、パターンの変形なしにコンタクトホールを形成するのに有利であることが分かる。
【0045】
図8Aないし図8Fは、本発明の第1実施の形態に係るF2またはArF露光源を用いた半導体素子パターン形成の工程を示す断面図であり、これを参照して詳細に説明する。
【0046】
後述する本発明の第1実施の形態では、半導体素子のラインパターンを具体的に、導電パターンのうちビットライン形成の工程をその一例として説明するが、本発明の適用対象となるラインパターン(導電パターン)は、第1実施の形態で提示したビットラインだけに限定されるものではなく、ゲート電極、ストレージノードコンタクトまたは金属配線などの多様な形態のパターン形成の工程にも適用が可能である。
【0047】
また、上述のライン形態のパターン以外に孤立した形態である島型(Island type)、ストレージノードコンタクトのようなドーナッツ型にも適用が可能で、伝導層ではない絶縁膜パターンにも適用が可能である。すなわち、本発明の第1実施の形態では、陽刻パターンを形成する工程への適用を示していると言える。
【0048】
まず、図8Aに示しているように、半導体素子を形成するための様々な要素が形成された基板60上に被エッチング層として伝導層61Aを形成した後、伝導層61A上に絶縁性の物質であり、また被エッチング層である伝導層61Aと選択比を有し、ハードマスク材料として用いられるSi3N4またはSiONなどの窒化膜系列の薄膜、またはSiO2などの酸化膜系列の薄膜を用いてハードマスク用の絶縁膜62Aを形成する。次いで、エッチング工程時、ハードマスク用の絶縁膜62Aの損失によるパターン変形を防止するために、ハードマスク用の絶縁膜62A上に犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜63Aを形成する。
【0049】
次いで、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜63A上に犠牲ハードマスク用の物質膜64Aを形成する。
【0050】
犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜63Aは、フォトレジストと類似の炭素成分からなっているため、フォトレジストパターンでこれをエッチングすることは工程の効率性を低下させる。したがって、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜63Aとフォトレジストパターンとの間に追加の犠牲ハードマスクを用いることが好ましい。
【0051】
ここで、犠牲ハードマスク用の物質膜64Aは、ポリシリコン膜、Al膜、W膜、WSix(xは1ないし2)膜、WN膜、Ti膜、TiN膜、TiSix(xは1ないし2)膜、TiAlN膜、TiSiN膜、Pt膜、Ir膜、IrO2膜、Ru膜、RuO2膜、Ag膜、Au膜、Co膜、TaN膜、CrN膜、CoN膜、MoN膜、MoSix(xは1ないし2)膜、Al2O3膜、AlN膜、PtSix(xは1ないし2)膜及びCrSix(xは1ないし2)膜からなるグループから選択された少なくとも何れか1つの薄膜を含む。
【0052】
犠牲ハードマスクとして、タングステン膜/窒化膜(酸化膜)/非結晶性炭素膜の構造を用いると、最上部のタングステン膜の厚さを300Å以下に薄くしてフォトレジストパターンのエッチング選択比に影響を受けないようにする。高解像度のパターン形成の工程であってもArFの場合、フォトレジストを1000Å程度の厚さは有するようにする。すなわち、1000Å程度のフォトレジストパターンで300Å以内のタングステン膜をエッチングすることは、さほど難しくない。一方、タングステン下部の窒化膜(酸化膜)は、300Å〜600Å程度の厚さを有するようにすると、300Åのタングステン膜でエッチングできる。このような方式で、タングステン膜と窒化膜(酸化膜)とを順にエッチングした後、非結晶性炭素膜をエッチングする。この時、N2またはO2ガスを使用する場合、窒化膜(酸化膜)と非結晶性炭素膜とのエッチング選択比を20:1以上に有することができる。
【0053】
20:1のエッチング選択比は、300Å〜600Åの厚さの窒化膜(酸化膜)で6000Å〜12,000Åの非結晶性炭素膜をエッチングできるということを意味する。最小6000Åの厚さを有する非結晶性炭素膜は、3000Å以上の窒化膜を十分にエッチングし、その下部の伝導層をエッチングして2000Å以上残ることになる。
【0054】
ここで、基板60は、その内部に絶縁構造と導電構造とを全て含むもので、上述の本発明の第1実施の形態のように伝導層61Aがビットライン、または金属配線形成用であれば、伝導層61Aと基板60との間にTi膜/TiN膜などの拡散バリヤ膜、ソース/ドレインなどの不純物接合層、層間絶縁膜またはポリシリコン膜またはタングステン(W)膜などの薄膜からなるプラグが形成されているものである。
【0055】
また、伝導層61Aがゲート電極形成用であると、伝導層61Aと基板60との間の界面にゲート絶縁膜(図示せず)を含んでいるものである。
【0056】
次いで、犠牲ハードマスク用の物質膜64A上にパターン形成のための露光の際、下部すなわち、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜63Aの光反射度が高いことによって乱反射がなされ、好ましくないパターンが形成されることを防止し、犠牲ハードマスク用の物質膜64Aと後続フォトレジストの接着力とを向上させる目的で反射防止膜65A、ARCを形成する。
【0057】
ここで、反射防止膜65Aは、フォトレジストとそのエッチング特性とが類似の有機の物質を用いるか、またはSiONなどの無機を用いることができる。
【0058】
次いで、反射防止膜65A上にF2露光源用、またはArF露光源用のフォトレジスト例えば、COMAまたはアクリレートを用いて、これらをスピンコーティングなどの方法を通して適切な厚さに塗布した後、F2露光源、またはArF露光源とゲート電極幅とを画定するための所定のレチクル(図示せず)を用いてフォトレジストの所定の部分を選択的に露光し、現像工程を通して露光工程によって露光されるか、あるいは露光されない部分を残留させた後、後洗浄工程などを通してエッチング残留物などを除去することによって、フォトレジストパターン66Aを形成する。
【0059】
次いで、図8Bに示しているように、フォトレジストパターン66A(図8A参照)をエッチングマスクとする選択的エッチング工程を通して、反射防止膜65A(図8A参照)を選択的にエッチングし、パターニングされる反射防止膜65Bを形成する。
【0060】
この時、フォトレジストパターン66Aの損失を最小化するために、Cl2、BCl3、CCl4またはHClなどのクロリン系ガスを使用したプラズマを用いて、エッチング工程を実施するか、またはCF系列のガスを使用する場合、C/Fの比率が低いガス例えば、CF4、C2F2、CHF3及びCH2F2からなるグループから選択された何れか1つのガスを使用したプラズマを用いて、エッチング工程を実施することが好ましい。
【0061】
これは、反射防止膜65Aのエッチング時には、CDの調節が容易でなければならないが、これは、ポリマーをほとんど発生させない条件でエッチングを行うためである。この時、エッチング工程後に残留するフォトレジストパターンは66Bと表記する。
【0062】
次いで、残留するフォトレジストパターン66Bをエッチングマスクとして犠牲ハードマスク用の物質膜64A(図8A参照)をエッチングし、第1犠牲ハードマスク64Bを形成する。
【0063】
以下、犠牲ハードマスク用の物質膜64Aのエッチング工程を具体的に説明する。
【0064】
犠牲ハードマスク用の物質膜64AがW膜、WSix膜またはWN膜のようにタングステン(W)を含む薄膜である場合、SF6/N2の混合ガスを使用したプラズマを用いて、この時SF6/N2の混合率が0.10〜0.60であるものを用いることが好ましい。
【0065】
犠牲ハードマスク用の物質膜64Aが、ポリシリコン膜またはTi膜、TiN膜、TiSix膜、TiAlN膜またはTiSiN膜のようにチタニウム(Ti)を含む薄膜である場合、クロリン系列のガス、特に、Cl2を主エッチングガスとし、この時エッチング形状の制御のために酸素(O2)またはCFガスを適切に添加して使用する。
【0066】
犠牲ハードマスク用の物質膜64AがPt、Ir、Ruなどの貴金属、またはこれらの酸化物を含む場合、クロリン系列またはフローリン系列のガスを使用したプラズマを用いて、この時、エッチング形状の制御のためには、高いイオン化エネルギーが必要であるため、低圧及びバイアスパワー条件を維持することが好ましい。
【0067】
図8Cに示しているように、少なくとも(残留するフォトレジストパターン66B(図8B参照)とパターニングされる反射防止膜65B(図8B参照)とは、ほとんどエッチング過程で除去されるが、その一部が残留でき、残留フォトレジストパターン66Bとパターニングされる反射防止膜65Bとの除去のための別途のフォトレジストストリップ工程を実施しない場合、残留するフォトレジストパターン66Bとパターニングされる反射防止膜65Bとがエッチングマスクの役割を果たすことができるため、「少なくとも」と表現する)第1犠牲ハードマスク64B(図8B参照)をエッチングマスクに犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜63A(図8B参照)をエッチングし、第2犠牲ハードマスク63Bを形成する。この時、N2またはO2ガスを使用する。
【0068】
上述のように、第1犠牲ハードマスク64Bと犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜63Aとのエッチング選択比が高いため、第2犠牲ハードマスク63Bの厚さを十分に確保することができる。また、図8Cで、64Cは、前記エッチング工程後に残留する第1犠牲ハードマスクを示す。
【0069】
次いで、図8Dに示しているように、第2犠牲ハードマスク63B(図8C参照)をエッチングマスクにハードマスク用の絶縁膜62A(図8C参照)をエッチングしてハードマスク62Bを形成する。
【0070】
この時、通常の窒化膜系列または酸化膜系列の物質をエッチングする時、用いられるCF系列のガスを主エッチングガスとして使用する。
【0071】
第2犠牲ハードマスク63Cの厚さを十分に厚く維持できるため、ハードマスク62B形成のためのエッチング工程においてパターン変形が発生しない。前記エッチング工程後に残留する第2ハードマスクは63Cと表記する。
【0072】
次いで、図8Eに示しているように、第2犠牲ハードマスク63C(図8D参照)及びハードマスク62Bをエッチングマスクとして伝導層61A(図8D参照)を選択的にエッチングして導電パターン61Bすなわち、ビットラインを形成する。
【0073】
伝導層61Aのエッチング時、伝導層61Aの物質種類によって、そのガス種類と流量及びパワーなどを調節する。この時、エッチング後に残留する第2犠牲ハードマスクは63Dと表記する。
【0074】
次いで、図8Fに示しているように、残留する第2犠牲ハードマスク63D(図8E参照)を除去する。残留する第2犠牲ハードマスク63Dは、非結晶性炭素膜からなるため酸素プラズマを用いて簡単に除去できる。
【0075】
図9は、本発明の第2実施の形態に係る非結晶性炭素膜を犠牲ハードマスクに用いる導電パターン形成のための積層構造を示す断面図である。
【0076】
ここで、第1実施の形態と実質的に同一の構成要素に対しては、同一符号を用いる。
【0077】
図9に示しているように、基板60上にTiN、またはポリシリコンからなる第1伝導層67とタングステンからなる第2伝導層61A及びハードマスク用の絶縁膜62Aが積層されている。ハードマスク用の絶縁膜62Aと第2伝導層61A及び第1伝導層67とは、パターンニング工程を通してビットラインなどの導電パターンをなす。ハードマスク用の絶縁膜62A上には、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜63Aが積層されており、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜63A上には、タングステン膜/窒化膜が積層された犠牲ハードマスク用の物質膜68が形成されている。犠牲ハードマスク用の物質膜68上には、反射防止膜65Aが積層されており、反射防止膜65A上には、フォトレジストパターン66Aが形成されている。
【0078】
犠牲ハードマスク用の物質膜68の中のタングステン膜は、200Å〜1000Åの厚さで蒸着することによって、フォトレジストの低い厚さにも十分にエッチングできるようにする。
【0079】
犠牲ハードマスク用の物質膜68中のタングステン膜の下部に位置した窒化膜は、上部のタングステン膜が十分にマスクの役割を果たすため、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜63Aのエッチングが可能になるように、200Å以上の厚さに形成する。
【0080】
窒化膜は、酸化膜、窒化膜、酸化窒化膜の単独または組合構造として置き換えて用いることができる。犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜63Aは、1000Å以上、一般的に2000Å以上で十分に厚く蒸着することによって、下部の被エッチング層に対するエッチング選択比を確保する。
【0081】
図10は、本発明の第3実施の形態に係る非結晶性炭素膜を犠牲ハードマスクに用いる導電パターン形成のための積層構造を示す断面図である。
【0082】
ここで、第1及び第2実施の形態と実質的に同一の構成要素に対しては、同一符号を用いる。
【0083】
図10に示しているように、基板60上にTiNまたはポリシリコンからなる第1伝導層67とタングステンとからなる第2伝導層61A及びハードマスク用の絶縁膜62Aとが積層されている。ハードマスク用の絶縁膜62Aと第2伝導層61A及び第1伝導層67は、パターンニング工程を通してビットラインなどの導電パターンをなす。ハードマスク用の絶縁膜62A上には犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜63Aが積層されており、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜63A上には、ポリシリコン膜/窒化膜が積層された犠牲ハードマスク用の物質膜69が形成されている。犠牲ハードマスク用の物質膜69上には、反射防止膜65Aが積層されており、反射防止膜65A上には、フォトレジストパターン66Aが形成されている。
【0084】
犠牲ハードマスク用の物質膜69中のポリシリコン膜は、200Å〜1000Åの厚さで蒸着することによって、フォトレジストの低い厚さにも十分にエッチングできるようにする。
【0085】
犠牲ハードマスク用の物質膜69の中のポリシリコン膜の下部に位置した窒化膜は、上部のポリシリコン膜が十分にマスクの役割を果たすため、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜63Aのエッチングが可能なように200Å以上の厚さに形成する。
【0086】
窒化膜は、酸化膜、窒化膜、酸化窒化膜の単独または組合構造として置換して用いることができる。犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜63Aは、1000Å以上、一般的に2000Å以上に十分に厚く蒸着することによって、下部の被エッチング層に対するエッチング選択比を確保する。
【0087】
図11は、本発明の第4実施の形態に係る非結晶性炭素膜を犠牲ハードマスクとして用いる導電パターン形成のための積層構造を示す断面図である。
【0088】
ここで、第1ないし第3実施の形態と実質的に同一の構成要素に対しては同一符号を用いる。
【0089】
図11に示しているように、基板60上にTiNまたはポリシリコンからなる第1伝導層67とタングステンからなる第2伝導層61A及びハードマスク用の絶縁膜62Aとが積層されている。ハードマスク用の絶縁膜62Aと第2伝導層61A及び第1伝導層67とは、パターンニング工程を通してビットラインなどの導電パターンをなす。ハードマスク用の絶縁膜62A上には、窒化膜からなる犠牲ハードマスク用の物質膜64Aが形成されており、犠牲ハードマスク用の物質膜64A上には、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜63Aが積層されている。犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜63A上には、反射防止膜65Aが積層されており、反射防止膜65A上には、フォトレジストパターン66Aが形成されている。
【0090】
第4実施の形態では、反射防止膜65Aに無機基であるSiONを用いて、その真下に犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜63Aが位置するようにした。
【0091】
ここでは、反射防止膜65Aが反射防止膜の役割と犠牲ハードマスクとしての役割を果たすようにする。このため、フォトレジストの低い厚さにも十分にエッチングできるように反射防止膜65Aを200Å〜1000Åの厚さで蒸着する。
【0092】
反射防止膜65Aと犠牲ハードマスク用の物質膜64Aとは、酸化膜、窒化膜、酸化窒化膜の単独または組合構造として置換して用いることができる。犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜63Aは、1000Å以上、一般的に2000Å以上に十分に厚く蒸着することによって、下部の被エッチング層に対するエッチング選択比を確保する。
【0093】
図12Aないし図12Dは、本発明の第5実施の形態に係るF2またはArF露光源を用いた半導体素子のパターン形成の工程を示す断面図であり、これを参照にして詳細に説明する。
【0094】
後述する本発明の第5実施の形態では、半導体素子のスペースパターン(Space pattern)例えば、コンタクトホールパターン形成の工程をその一例として説明しており、本発明の適用対象となるコンタクトホールパターンは金属配線コンタクトとビットラインまたはキャパシタのストレージノードコンタクトのためのソース/ドレイン接合などの基板内の不純物接合層とのコンタクト及びコンタクトパッド形成のための工程などに適用が可能である。
【0095】
また、以下の実施の形態は、被エッチング層を絶縁膜とする工程である素子分離(Isolation)のためのトレンチ(Trench)形成の工程や、被エッチング層を伝導層とする工程、例えば、薄膜トランジスタのチャネル形成部分を、オープンさせるためのポリシリコンをエッチングする工程などにも適用が可能である。すなわち、本発明の以下の実施の形態では、陰刻パターンを形成する工程への適用を表していると言える。
【0096】
まず、図12Aに示しているように、半導体素子を形成するための様々な要素が形成された基板100上に被エッチング層に絶縁膜101を形成する。
【0097】
絶縁膜101は、不純物がドーピングされるか(Doped)、または不純物がドーピングされない(Undoped)酸化膜、または窒化膜などの絶縁性膜を含む。
【0098】
次いで、エッチング工程時、絶縁膜101の異常損失によるパターン変形を防止するために、絶縁膜101上に犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜102Aを形成する。
【0099】
次いで、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜102A上に犠牲ハードマスク用の物質膜103Aを形成する。
【0100】
犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜102Aは、フォトレジストと類似の炭素成分からなっているため、フォトレジストパターンでこれをエッチングすることは、工程の効率性を低下させる。したがって、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜102Aとフォトレジストパターンとの間に追加の犠牲ハードマスクを用いることが好ましい。
【0101】
ここで、犠牲ハードマスク用の物質膜103Aは、ポリシリコン膜、Al膜、W膜、WSix(xは1ないし2)膜、WN膜、Ti膜、TiN膜、TiSix(xは1ないし2)膜、TiAlN膜、TiSiN膜、Pt膜、Ir膜、IrO2膜、Ru膜、RuO2膜、Ag膜、Au膜、Co膜、TaN膜、CrN膜、CoN膜、MoN膜、MoSix(xは1ないし2)膜、Al2O3膜、AlN膜、PtSix(xは1ないし2)膜及びCrSix(xは1ないし2)膜からなるグループから選択された少なくとも何れか1つの薄膜を含む。
【0102】
犠牲ハードマスクに、タングステン膜/窒化膜(酸化膜)/非結晶性炭素膜の構造を用いると、最上部のタングステン膜の厚さを300Å以下に薄くし、フォトレジストパターンのエッチング選択比に影響を受けないようにする。高解像度のパターン形成の工程であっても、ArFの場合フォトレジストを1000Å程度の厚さは有するようにする。すなわち、1000Å程度のフォトレジストパターンで300Å以内のタングステン膜をエッチングするのは、さほど大きな問題がない。一方、タングステン下部の窒化膜(酸化膜)は、300Å〜600Å程度の厚さを有するようにすると、300Åのタングステン膜にエッチングできる。こういう方式で、タングステン膜と窒化膜(酸化膜)とを順にエッチングした後、非結晶性炭素膜をエッチングする。この時、N2またはO2ガスを使用する場合、窒化膜(酸化膜)と非結晶性炭素膜とのエッチング選択比を20:1以上で有することができる。
【0103】
20:1のエッチング選択比は、300Å〜600Åの厚さの窒化膜(酸化膜)で6000Å〜12,000Åの非結晶性炭素膜をエッチングができるということを意味する。最小6000Åの厚さを有する非結晶性炭素膜は、10,000Å以上の絶縁膜101を十分にエッチングできるようにする。
【0104】
次いで、犠牲ハードマスク用の物質膜103A上にパターン形成のための露光の際、下部すなわち、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜102Aの光反射度が高いことによって乱反射がなされ、好ましくないパターンが形成されることを防止し、犠牲ハードマスク用の物質膜103Aと後続フォトレジストの接着力とを向上させる目的として反射防止膜(ARC)104Aを形成する。
【0105】
ここで、反射防止膜104Aは、フォトレジストとそのエッチングの特性が類似の有機基の物質を用いるか、またはSiONなどの無機基を用いることができる。
【0106】
次いで、反射防止膜104A上にF2露光源用またはArF露光源用のフォトレジスト、例えば、COMAまたはアクリレートを用いて、これらをスピンコーティングなどの方法を通して適切な厚さで塗布した後、F2露光源、またはArF露光源とゲート電極幅とを画定するための所定のレチクル(図示せず)を用いて、フォトレジストの所定の部分を選択的に露光し、現像工程を通して露光工程によって露光されるか、あるいは露光されない部分を残留させた後に、後洗浄工程などを通してエッチング残留物などを除去することによって、フォトレジストパターン105Aを形成する。
【0107】
次いで、図12Bに示しているように、フォトレジストパターン105A(図12A参照)をエッチングマスクとする選択的エッチング工程を通して、反射防止膜104A(図12A参照)を選択的にエッチングし、パターニングされる反射防止膜104Bを形成する。
【0108】
この時、フォトレジストパターン105Aの損失を最小化するためにCl2、BCl3、CCl4またはHClなどのクロリン系列のガスを使用したプラズマを用いて、エッチング工程を実施するか、CF系列のガスを使用する場合、C/Fの比率が低いガス、例えば、CF4、C2F2、CHF3及びCH2F2からなるグループから選択された何れか1つのガスを使用したプラズマを用いて、エッチング工程を実施することが好ましい。
【0109】
これは、反射防止膜104Aのエッチング時には、CDの調節が容易でなければならないため、ポリマーをほとんど発生させない条件でエッチングを行うためである。この時、エッチング後に残留するフォトレジストパターンは105Bと表記する。
【0110】
次いで、残留するフォトレジストパターン105Bをエッチングマスクとして犠牲ハードマスク用の物質膜103A(図12A参照)をエッチングし、第1犠牲ハードマスク103Bを形成する。
【0111】
以下、犠牲ハードマスク用の物質膜103Aのエッチング工程を具体的に説明する。
【0112】
犠牲ハードマスク用の物質膜103AがW膜、WSix膜またはWN膜のようにタングステン(W)を含む薄膜である場合、SF6/N2の混合ガスを使用したプラズマを用いて、この時、SF6/N2の混合率が0.10〜0.60であるものを用いることが好ましい。
【0113】
犠牲ハードマスク用の物質膜103Aが、ポリシリコン膜またはTi膜、TiN膜、TiSix膜、TiAlN膜、またはTiSiN膜のようにチタニウム(Ti)を含む薄膜である場合、クロリン系列のガス、特に、Cl2を主エッチングガスとし、この時エッチング形状の制御のために酸素(O2)またはCFガスを適切に添加して用いる。
【0114】
犠牲ハードマスク用の物質膜103AがPt、Ir、Ruなどの貴金属、またはこれらの酸化物を含む場合、クロリン系列またはフローリン系列のガスを使用したプラズマを用いて、この時、エッチング形状の制御のためには、高いイオン化エネルギーが必要なため、低圧及び高バイアスパワー条件を維持することが好ましい。
【0115】
図12Cに示しているように、少なくとも(残留するフォトレジストパターン105B(図12B参照)とパターニングされる反射防止膜104B(図12B参照)とは、大部分エッチング過程で除去されるか、またその一部が残留でき、残留フォトレジストパターン105Bとパターニングされる反射防止膜104Bとの除去のための別途のフォトレジストストリップ工程を実施しない場合、残留するフォトレジストパターン105Bとパターニングされる反射防止膜104Bとがエッチングマスクの役割を果たすことができるため、「少なくとも」と表現する)第1犠牲ハードマスク103B(図12B参照)をエッチングマスクに犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜102A(図12B参照)をエッチングし、第2犠牲ハードマスク102Bを形成する。この時、N2またはO2ガスを使用する。
【0116】
上述のように、第1犠牲ハードマスク103Bと犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜102Aとのエッチング選択比が高いため、第2犠牲ハードマスク102Bの厚さを十分に確保することができる。また、図12Cにおいて、103Cは、前記エッチング工程後に残留する第1犠牲ハードマスクを示す。
【0117】
次いで、図12Dに示しているように、第2犠牲ハードマスク102B(図12C参照)をエッチングマスクに絶縁膜101を選択的にエッチングし、基板100、具体的には導電構造の表面、またはその上部を露出させるコンタクトホール106を形成する。コンタクトホール形成後に残留する第2犠牲ハードマスクは102Cと表記する。
【0118】
次いで、残留する第2犠牲ハードマスク102Cを除去する。第2犠牲ハードマスク102Cは、非結晶性炭素膜からなるため、酸素プラズマを用いて簡単に除去できる。
【0119】
この時、第2犠牲ハードマスク102Cの厚さを十分に確保することができるため、第2犠牲ハードマスク102Cのエッチングマスクとしての特性を維持でき、犠牲ハードマスクの損失によるコンタクトホール106のCDの増加または減少などのパターン変形を防止できる。
【0120】
上述した絶縁膜101として主に酸化膜系列を用いて、酸化膜に対するエッチング条件をさらに具体的に説明する。
【0121】
酸化膜エッチング時、通常用いられるCF4、CHF3、CH2F2、C4F6、C4F8、C3F8またはC5F8などをCF系列のガスを使用し、この時MERIE(Magnetic Enhancement Reactive Ion Etching)方式のエッチャー(Etcher)で、CFガスのフロー率を20SCCM〜100SCCMにし、1000W〜2500W程度のパワーを用いる。
【0122】
この時、エッチャー内の圧力を25mTorr〜70mTorrに維持し、カソード(Cathode)温度を−20℃〜+60℃程度に維持し、エッチング形状を制御できるように前記CFガスの65%〜80%のフロー率で酸素ガスをさらに添加できる。
【0123】
図13は、本発明の第6実施の形態に係る非結晶性炭素膜を犠牲ハードマスクに用いるコンタクトホール形成のための積層構造を示す断面図である。
【0124】
ここで、第5実施の形態と実質的に同一の構成要素に対しては、同一符号を用いる。
【0125】
図13に示しているように、基板100上に被エッチング層である絶縁膜101と犠牲ハードマスク用の物質膜103Aとが積層されており、犠牲ハードマスク用の物質膜103A上には、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜102Aが積層されている。犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜102A上には反射防止膜104Aが積層されており、反射防止膜104A上には、フォトレジストパターン105Aが形成されている。
【0126】
第6実施の形態では、反射防止膜104Aに無機基であるSiONを用いて、その真下に犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜102Aが位置するようにした。
【0127】
ここでは、反射防止膜の役割と犠牲ハードマスクとしての役割を果たすようにする。このため、フォトレジストの低い厚さにも十分にエッチングできるように反射防止膜104Aを200Å〜1000Åの厚さで蒸着する。
【0128】
反射防止膜104Aと犠牲ハードマスク用の物質膜103Aとは、酸化膜、窒化膜、酸化窒化膜の単独、または組合構造として置換して用いることができる。犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜102Aは、1000Å以上、一般的に2000Å以上で十分に厚く蒸着することによって、下部の被エッチング層に対するエッチング選択比を確保する。
【0129】
図14は、本発明の第7実施の形態に係る非結晶性炭素膜を、犠牲ハードマスクとして使用するコンタクトホール形成のための積層構造を示す断面図である。
【0130】
ここで、第5及び第6実施の形態と実質的に同一の構成要素に対しては、同一符号を用いる。
【0131】
図14に示しているように、基板100上に被エッチング層である絶縁膜101が形成されており、絶縁膜101上には、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜102Aが積層されており、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜102A上には、タングステン膜/窒化膜が積層された犠牲ハードマスク用の物質膜107が形成されている。犠牲ハードマスク用の物質膜107上には、反射防止膜104Aが積層されており、反射防止膜104A上には、フォトレジストパターン105Aが形成されている。
【0132】
犠牲ハードマスク用の物質膜107のうちタングステン膜は、200Å〜1000Åの厚さで蒸着することで、フォトレジストの低い厚さにも十分にエッチングできるようにする。
【0133】
犠牲ハードマスク用の物質膜107のうちのタングステン膜の下部に位置した窒化膜は、上部のタングステン膜が十分にマスクの役割を果たすため、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜102Aのエッチングが可能なように200Å以上の厚さに形成する。
【0134】
窒化膜は、酸化膜、窒化膜、酸化窒化膜の単独、または組合構造として置換して用いることができる。犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜102Aは、1000Å以上、一般的に2000Å以上に十分に厚く蒸着することによって、下部の被エッチング層に対するエッチング選択比を確保する。
【0135】
図15は、本発明の第8実施の形態に係る非結晶性炭素膜を犠牲ハードマスクに用いるコンタクトホール形成のための積層構造を示す断面図である。
【0136】
ここで、第5ないし第7実施の形態と実質的に同一の構成要素に対しては、同一符号を用いる。
【0137】
図15に示しているように、基板100上に被エッチング層である絶縁膜101が形成されており、絶縁膜101上には、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜102Aが積層されており、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜102A上には、ポリシリコン膜/窒化膜が積層された犠牲ハードマスク用の物質膜108が形成されている。犠牲ハードマスク用の物質膜108上には、反射防止膜104Aが積層されており、反射防止膜104A上には、フォトレジストパターン105Aが形成されている。
【0138】
犠牲ハードマスク用の物質膜108の中のポリシリコン膜は、200Å〜1000Åの厚さで蒸着することによって、フォトレジストの低い厚さにも十分にエッチングできるようにする。
【0139】
犠牲ハードマスク用の物質膜108の中のポリシリコン膜の下部に位置した窒化膜は、上部のポリシリコン膜が十分にマスクの役割を果たすため、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜102Aのエッチングが可能なように200Å以上の厚さに形成する。
【0140】
窒化膜は、酸化膜、窒化膜、酸化窒化膜の単独、または組合構造として置換して用いることができる。犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜102Aは、1000Å以上、一般的に2000Å以上に十分に厚く蒸着することによって、下部の被エッチング層に対するエッチング選択比を確保する。
【0141】
以下では、実際DRAM(Dynamic Random Access Memory)工程の例を通し、ホールパターン形成のための構造を説明する。
【0142】
図16は、金属配線の形成のためのマスクパターンが形成された半導体素子を示す平面図である。
【0143】
図16に示しているように、ゲート電極Gが形成されており、ゲート電極G上部でゲート電極Gと交差する方向にビットラインB/Lが形成されている。ゲート電極Gの側面に整列されて形成されたセルコンタクトプラグ(図示せず)と、セルコンタクトプラグにコンタクトされるストレージノード用のコンタクトプラグ(図示せず)と、ストレージノード用のコンタクトプラグ接続されたストレージノード(図示せず)と、ストレージノード上部の誘電体膜(図示せず)と、誘電体膜上のプレート電極Pとが一連の工程を通して形成されている。
【0144】
プレート電極P上部には、金属配線コンタクト形成のためのマスクパターンMが形成されている。
【0145】
一方、ゲート電極Gを含むビットラインB/Lとプレート電極Pなどは、全て信号、または電源ラインとの接続のために金属配線と接続されなければならない。
【0146】
マスクパターンMは、プレート電極Pの金属配線のためのコンタクトAとビットラインB/Lとの金属配線のためのコンタクトB形成のためのものである。
【0147】
図17は、図16をA−A′線方向に沿った断面図である。
【0148】
図17に示しているように、基板150上にゲート電極Gが形成されている。ゲート電極Gはゲート酸化膜151とゲート伝導膜152とゲートハードマスク153の積層構造とその側面のスペーサ154とを具備する。ゲート電極Gは、第1層間絶縁膜155によって囲まれており、第1層間絶縁膜155を貫通して基板150の不純物拡散領域とコンタクトされ、ゲートハードマスク153と平坦化されてアイソレーション(Isolation)がなされたセルコンタクトプラグ156が形成されている。
【0149】
セルコンタクトプラグ156上には、第2層間絶縁膜157が形成されており、第2層間絶縁膜157上には、第2層間絶縁膜157を貫通して図面には図示されないセルコンタクトプラグと電気的に接続されたビットラインB/Lとが形成されている。
【0150】
ビットラインB/Lは、ビットライン伝導膜158とビットラインハードマスク159との積層構造とその側面のスペーサ(図示せず)を具備する。
【0151】
ビットラインB/L上には、第3層間絶縁膜160が形成されている。第3層間絶縁膜160上には、第3層間絶縁膜160と第2層間絶縁膜157とを貫通して図面には図示されないセルコンタクトプラグと電気的に接続されたストレージノード用のコンタクトプラグが形成されている。
【0152】
ストレージノード用のコンタクトプラグ上には、ストレージノード161と誘電体膜162及びプレート電極163とが順に形成されてセルキャパシタをなす。一方、セルキャパシタが形成されない部分では、第4層間絶縁膜164が形成されている。
【0153】
キャパシタ及び第4層間絶縁膜164上には、第5層間絶縁膜165が形成されており、第5層間絶縁膜165上には、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜166が形成されており、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜166上には犠牲ハードマスク用の物質膜167が形成されている。犠牲ハードマスク用の物質膜167上には反射防止膜168が積層されており、反射防止膜168上にはフォトレジストパターン169が形成されている。
【0154】
プレート電極163の金属配線の形成のためのエッチング部位は、「170」のように第5層間絶縁膜170だけを含むため特に関係はないが、ビットラインB/L金属配線を形成のためのエッチング部位は、「171」のように第5層間絶縁膜165と第4層間絶縁膜164及びビットラインハードマスク159とを含むためエッチングターゲットが非常に大きいことが分かる。
【0155】
特に、第4層間絶縁膜164の場合、キャパシタの垂直の高さに達するため、その厚さだけで20,000Å程度になると見ることができる。したがって、「171」のエッチングターゲットは、30,000程度になることが分かる。
【0156】
したがって、従来の犠牲ハードマスクだけを用いる方式では、特に、80nm以下のデザインルールが適用される半導体素子の製造工程の際、所望のコンタクトホールパターンを形成することが事実上不可能である。
【0157】
しかし、10,000Å以上の厚さを確保することができる犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜166を用いることになると、このような深いコンタクトホール形成時にもパターン変形がほとんど無く所望のパターン形成が可能である。
【0158】
図18は、ストレージノードコンタクト形成のためのマスクパターンが形成された半導体素子を示す平面図である。
【0159】
図18に示しているように、ゲート電極G1とG2とが一方向に一定間隔を有して配列されており、ゲート電極G1、G2の上部でゲート電極G1、G2と交差する方向にビットラインB/L1、B/L2が形成されている。ゲート電極G1、G2の側面に整列されてセルコンタクトプラグ(図示せず)が形成されており、ビットラインB/L1、B/L2の上部には、ストレージノード用のコンタクトホール形成のためのマスクパターンMが形成されている。
【0160】
マスクパターンMは、ストレージノード用のコンタクトホール形成のためにビットラインB/L1、B/L2の側面にそれぞれアラインメントされ、「C」のような部分でセルコンタクトプラグを露出させるためである。
【0161】
図19は、図18をB−B′線方向に沿った断面図である。
【0162】
図19に示しているように、基板200上にゲート電極が形成されており、図18をB−B′線方向に沿った断面ではゲート電極が示されていない。
【0163】
ゲート電極は、第1層間絶縁膜201によって囲まれており、第1層間絶縁膜201を貫通して基板200の不純物拡散領域とコンタクトされてゲートハードマスク(図示せず)と平坦化されてアイソレーションがなされたセルコンタクトプラグ202が形成されている。
【0164】
セルコンタクトプラグ202上には、第2層間絶縁膜203が形成されており、第2層間絶縁膜203上には、第2層間絶縁膜203を貫通して図面には図示されないセルコンタクトプラグと電気的に接続されたビットラインB/Lとが形成されている。
【0165】
ビットラインB/Lは、ビットライン伝導膜204とビットラインハードマスク205の積層構造とその側面のスペーサSとを具備する。
【0166】
ビットラインB/L上には、第3層間絶縁膜206が形成されている。第3層間絶縁膜160上には、ストレージノード形成時、下部のアタック防止のためのストレージノード用ハードマスク207とPE−TEOS(プラズマ化学気相蒸着(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition;以下PECVDとする)方式でTEOS(Tetra Ethyl Ortho SIlicate)ソースを用いて形成した酸化膜208)が積層されている。PE_TEOS膜208上には、エッチング停止膜209が形成されており、エッチング停止膜209上には、窒化膜または酸化膜を用いた犠牲ハードマスク用の絶縁膜210が形成されている。
【0167】
犠牲ハードマスク用の絶縁膜210上には、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜211が形成されており、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜211上には、犠牲ハードマスク用シリコン酸化窒化膜212が形成されている。犠牲ハードマスク用シリコン酸化窒化膜212上には、犠牲ハードマスク用タングステン膜213が形成されている。
【0168】
犠牲ハードマスク用タングステン膜213上には、反射防止膜214が積層されており、反射防止膜214上には、フォトレジストパターン215が形成されている。
【0169】
ストレージノード用のコンタクトホール形成の工程の場合、オーバーラップマージンが大分と不足し、そのエッチングターゲットもまた大きいため、10,000Å以上の厚さを確保することができる犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜212を用いることになると、パターン変形がほとんど無く所望のパターン形成が可能である。
【0170】
図20は、本発明に係るArFフォトリソグラフィー工程を適用したコンタクトホール形成後を示す平面写真である。
【0171】
図4で示しているように、従来のArFフォトリソグラフィー工程を適用して形成したコンタクトホールパターンは、「D」のようにパターンの変形が発生したことを確認することができる。反面、図20の非結晶性炭素膜を犠牲ハードマスクとして用いてArFフォトリソグラフィー工程を適用して形成したコンタクトホールは、「E」のようにコンタクトホールパターンの変形が発生しないことが確認できる。
【0172】
前記したようになされる本発明は、既存の犠牲ハードマスク物質とは異なる非結晶性炭素膜を犠牲ハードマスクとして用いて、ここに酸化膜/窒化膜または/及びポリシリコン/タングステンなどの犠牲ハードマスクと積層構造として用いることによって、フォトレジストの低いエッチング選択比によるArFまたはF2などの露光源を用いたフォトリソグラフィー工程によるパターン形成時、パターン変形を防止できることを実施の形態を通して理解できる。
【0173】
尚、本発明は、上記した本実施の形態に限られるものではなく、本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で多様に変更が可能であり、それらも本発明の技術的範囲に属する。
【産業上の利用可能性】
【0174】
本発明は、半導体素子の製造方法に関し、特に半導体素子のパターン形成方法に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【0175】
【図1A】KrFフォトリソグラフィー工程を適用したラインタイプのマスクパターンを示す平面写真である。
【図1B】ArFフォトリソグラフィー工程を適用したマスクパターンを示す平面写真とKrFフォトリソグラフィー工程を適用したラインタイプのマスクパターンとを比較して示す平面写真である。
【図2A】図1Aのマスクパターンを用いてエッチング工程を行った後の平面写真である。
【図2B】図1Bのマスクパターンを用いてエッチング工程を行った後の平面写真である。
【図3A】従来の技術に係るF2またはArF露光源を用いた半導体素子パターン形成の工程を示す断面図である。
【図3B】従来の技術に係るF2またはArF露光源を用いた半導体素子パターン形成の工程を示す断面図である。
【図3C】従来の技術に係るF2またはArF露光源を用いた半導体素子パターン形成の工程を示す断面図である。
【図3D】従来の技術に係るF2またはArF露光源を用いた半導体素子パターン形成の工程を示す断面図である。
【図4】従来の技術に係るArFフォトリソグラフィー工程を適用したコンタクトホール形成後を示す平面写真である。
【図5】従来の技術に係るフォトレジストパターンをエッチングマスクに用いる場合のコンタクトホールパターンを示す断面図である。
【図6A】非結晶性炭素膜をハードマスクとして用いてコンタクトホールを形成した例を示す断面写真図である。
【図6B】非結晶性炭素膜をハードマスクとして用いてコンタクトホールを形成した例を示す断面写真図である。
【図7】フォトレジストパターンをエッチングマスクに用いる場合と非結晶性炭素膜を犠牲ハードマスクに用いる場合のコンタクトホールパターンを比較して示す写真断面図である。
【図8A】本発明の第1実施の形態に係るF2またはArF露光源を用いた半導体素子パターン形成の工程を示す断面図である。
【図8B】本発明の第1実施の形態に係るF2またはArF露光源を用いた半導体素子パターン形成の工程を示す断面図である。
【図8C】本発明の第1実施の形態に係るF2またはArF露光源を用いた半導体素子パターン形成の工程を示す断面図である。
【図8D】本発明の第1実施の形態に係るF2またはArF露光源を用いた半導体素子パターン形成の工程を示す断面図である。
【図8E】本発明の第1実施の形態に係るF2またはArF露光源を用いた半導体素子パターン形成の工程を示す断面図である。
【図8F】本発明の第1実施の形態に係るF2またはArF露光源を用いた半導体素子パターン形成の工程を示す断面図である。
【図9】本発明の第2実施の形態に係る非結晶性炭素膜を犠牲ハードマスクに用いる導電パターン形成のための積層構造を示す断面図である。
【図10】本発明の第3実施の形態に係る非結晶性炭素膜を犠牲ハードマスクに用いる導電パターン形成のための積層構造を示す断面図である。
【図11】本発明の第4実施の形態に係る非結晶性炭素膜を犠牲ハードマスクに用いる導電パターン形成のための積層構造を示す断面図である。
【図12A】本発明の第5実施の形態に係るF2またはArF露光源を用いた半導体素子のパターン形成の工程を示す断面図である。
【図12B】本発明の第5実施の形態に係るF2またはArF露光源を用いた半導体素子のパターン形成の工程を示す断面図である。
【図12C】本発明の第5実施の形態に係るF2またはArF露光源を用いた半導体素子のパターン形成の工程を示す断面図である。
【図12D】本発明の第5実施の形態に係るF2またはArF露光源を用いた半導体素子のパターン形成の工程を示す断面図である。
【図13】本発明の第6実施の形態に係る非結晶性炭素膜を犠牲ハードマスクに用いるコンタクトホール形成のための積層構造を示す断面図である。
【図14】本発明の第7実施の形態に係る非結晶性炭素膜を犠牲ハードマスクに用いるコンタクトホール形成のための積層構造を示す断面図である。
【図15】本発明の第8実施の形態に係る非結晶性炭素膜を犠牲ハードマスクに用いるコンタクトホール形成のための積層構造を示す断面図である。
【図16】金属配線の形成のためのマスクパターンが形成された半導体素子を示す平面図である。
【図17】図16をA−A′線方向に沿った断面図である。
【図18】ストレージノードコンタクト形成のためのマスクパターンが形成された半導体素子を示す平面図である。
【図19】図18のB−B′線方向に沿った断面図である。
【図20】本発明に係るArFフォトリソグラフィー工程を適用したコンタクトホール形成後を示す平面写真である。
【符号の説明】
【0176】
60 基板
61A 伝導層
62A ハードマスク用の絶縁膜
63A 犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜
65A 反射防止膜
64A 犠牲ハードマスク用の物質膜
66A フォトレジストパターン
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体素子の製造方法に関し、特に半導体素子のパターン形成方法に関する。さらに詳細には、F2または不和アルゴン(ArF)などのさらに発展した露光源を用いた半導体素子のパターン形成方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体素子の進展を支えてきた微細加工技術は、写真エッチング(Photo lithography)技術であり、この技術の解像力の向上が半導体素子の高集積化の未来と直結するといっても過言ではない。
【0003】
このような写真エッチング工程は、周知のように、フォトレジストパターンを形成する工程と、前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとするエッチング工程とを通して、被エッチング層をエッチングして所望の形態のパターン、例えばコンタクトホール、またはゲート電極などのラインパターンなどを形成する工程を含み、ここでフォトレジストパターンは、被エッチング層上にフォトレジストを塗布する工程と準備された露光マスクを用いてフォトレジストを選択的に露光する工程及び所定の化学溶液で露光されるか、または露光されないフォトレジスト部分を除去する現像工程を通してなされる。
【0004】
一方、写真エッチング工程で具現できるパターンの臨界寸法(Critical Dimension;以下CDとする)は、前記した露光工程において、どのような波長の光源を用いるかによって左右される。これは、露光工程を通して具現できるフォトレジストパターンの幅によって、実際のパターンのCDが決定されるためである。
【0005】
636nm(g−line)の波長の光源と365nm(i−line)の光源を用いた初期のステッパー(Stepper)を経て、現在は248nm(KrF Excimer Laser)波長のDUV(Deep Ultra Violet)を用いるステッパーやスキャナータイプの露光装備を主として用いており、248nmのDUV写真エッチング技術は、初期に時間遅延の効果、物質の特性の依存性などのような多くの問題が発生し、0.18μmデザインの製品開発に用いられた。しかし0.15μm以下のデザインを有する製品を開発するためには、新しい193nm(ArF Excimer Laser)、または157nm(F2 Laser)の波長を有する新しいDUV写真エッチング技術の技術開発が必須である。しかし、このようなDUV写真エッチング技術において、解像力を高めるための様々な技術を組合しても、0.1μm以下のパターンは不可能であるため、新しい光源を有する写真エッチング技術の開発が活発に行われている。
【0006】
ArF露光源を用いたフォトリソグラフィー工程と、F2露光源を用いるフォトリソグラフィー工程技術との核心課題の中のひとつは、F2またはArF用のフォトレジストの開発である。F2またはArFは、KrFのような化学増幅型であるが、材料を根本的に改良しなければならない必要があり、特にArFフォトレジスト材料の開発が難しいのは、ベンゼン環を用いることができないためである。ベンゼン環は、ドライエッチング耐性を確保するために、i−線及びKrF用のフォトレジストに用いられてきた。しかし、例えば、ArF用のフォトレジストにベンゼン環が用いられる場合、ArFレーザの波長領域である193nmで吸光度が大きいため透明性が低下し、フォトレジスト下部まで露光が不可能であるという問題が発生する。このため、ベンゼン環を有さずドライエッチング耐性を確保することができ、接着力が良くて2.38%TMAH(Tetra Methyl Ammonium Hydroxide)に現像され得る材料の研究が行われている。現在まで、世界の多くの会社及び研究所で研究成果を発表している状態であり、今まで商用化されているものとしては、COMA(CycloOlefin Maleic Anhydride)、またはアクリレート(Acrylate)系統のポリマー形態、または、これらの混合形態である。しかし、前記したフォトレジストはベンゼン構造を有している。
【0007】
図1Aは、KrFフォトリソグラフィー工程を適用したラインタイプのマスクパターンを示す平面写真であり、図1Bは、ArFフォトリソグラフィー工程を適用したラインタイプのマスクパターンを示す平面写真である。図2A及び図2Bは、図1A及び図1Bのマスクパターンをそれぞれ用いてエッチング工程を行った後の平面写真である。
【0008】
図1Aに示しているように、KrFフォトリソグラフィー工程を適用する場合マスクパターンM1の変形がほとんど発生しない反面、図1Bに示しているように、ArFフォトリソグラフィー工程を適用する場合には、ストレーション(Striation)のようなマスクパターンM2の変形が起こることが確認できる。
【0009】
図2Aのように、KrFフォトリソグラフィー工程を適用する場合には、パターンP1の変形がほとんど発生せず、マスクパターンM1の形状がそのまま転写される反面、図2Bに示しているように、ArFフォトリソグラフィー工程を適用する場合には、パターンP2を形成するためにエッチング工程を行う時フォトレジストがまとまるか(Cluster)、成形変形(Plastic deformation)される現象と、エッチングの途中にフォトレジスト耐性が弱く片方に追い込まれる現象によって、パターンP2に激しい変形が発生することが確認できる。
【0010】
ArFフォトリソグラフィー工程を用いたパターン形成時、上述のようなパターン変形を最小化するために、タングステンと窒化膜との単独または積層された構造の犠牲ハードマスクを用いる工程技術が開発された。
【0011】
図3Aないし図3Dは、従来の技術に係るF2またはArF露光源を用いた半導体素子パターン形成の工程を示す断面図であり、これを参照して詳細に説明する。
【0012】
後述する半導体素子のラインパターンは、具体的に、導電パターンのうちビットライン形成の工程をその一例とする。
【0013】
まず、図3Aに示しているように、半導体素子を形成するための様々な要素が形成された基板30上に、被エッチング層として伝導層31Aを形成した後、伝導層31A上に絶縁性の物質であり、また被エッチング層である伝導層31Aとの選択比を有するハードマスク材料として用いられるSi3N4またはSiONなどの窒化膜系列の薄膜、またはSiO2などの酸化膜系列の薄膜を用いて、ハードマスク用の絶縁膜32Aを蒸着する。次いで、エッチング工程時、ハードマスク用の絶縁膜32Aの損失によるパターン変形を防止するために、ハードマスク用の絶縁膜32A上にハードマスク用の犠牲膜33Aを形成する。
【0014】
ここで、ハードマスク用の犠牲膜33Aは、ポリシリコン膜、Al膜、W膜、WSix(xは1ないし2)膜、WN膜、Ti膜、TiN膜、TiSix(xは1ないし2)膜、TiAlN膜、TiSiN膜、Pt膜、Ir膜、IrO2膜、Ru膜、RuO2膜、Ag膜、Au膜、Co膜、TaN膜、CrN膜、CoN膜、MoN膜、MoSix(xは1ないし2)膜、Al2O3膜、AlN膜、PtSix(xは1ないし2)膜及びCrSix(xは1ないし2)膜からなるグループから選択された少なくとも何れか1つの薄膜を用いる。
【0015】
次いで、ハードマスク用の犠牲膜33A上にパターン形成のための露光時、下部すなわち、ハードマスク用の犠牲膜33Aの光反射度が高いことによって乱反射が起こり、好ましくないパターンが形成されることを防止し、ハードマスク用の犠牲膜33Aと後続フォトレジストの接着力とを向上させる目的で反射防止膜(ARC:Anti Reflective Coating)34Aを形成する。
【0016】
ここで、反射防止膜34Aは、フォトレジストとそのエッチング特性とが類似の有機系列(Organic)の物質を主に用いる。
【0017】
次いで、反射防止膜34A上にF2露光源用、またはArF露光源用のフォトレジストスピンコーティング(Spin coating)などの方法を通して適切な厚さに塗布した後、F2露光源、またはArF露光源とゲート電極幅とを画定するための所定のレチクル(図示せず)を用いて、フォトレジストの所定の部分を選択的に露光し、現像工程を通して露光工程によって露光されるか、あるいは露光されない部分を残留させた後、後洗浄工程などを通してエッチング残留物などを除去することによって、フォトレジストパターン35Aを形成する。
【0018】
次いで、図3Bに示しているように、フォトレジストパターン35A(図3A参照)をエッチングマスクとする選択的エッチング工程を通して、反射防止膜34A(図3A参照)を選択的にエッチングする。この時、選択的エッチング工程後に残留するフォトレジストパターンは35Bと表記し、選択的エッチング工程後に形成されるパターニングされる反射防止膜は34Bと表記する。
【0019】
次いで、フォトレジストパターン35Bをエッチングマスクとして、ハードマスク用の犠牲膜33A(図3A参照)をエッチングして犠牲ハードマスク33Bを形成する。
【0020】
次いで、図3Cに示しているように、少なくとも(残留するフォトレジストパターン35Bとパターニングされる反射防止膜34B(図3B参照)は、大部分エッチング過程で除去されるが、その一部が残留でき、残留するフォトレジストパターン35B(図3B参照)とパターニングされる反射防止膜34Bとの除去のための別途のフォトレジストストリップ工程を実施しない場合、残留するフォトレジストパターン35Bとパターニングされる反射防止膜34Bとがエッチングマスクの役割を果たすことができるため、「少なくとも」と表現する)犠牲ハードマスク33B(図3B参照)をエッチングマスクとして、ハードマスク用の絶縁膜32A(図3B参照)をエッチングしてハードマスク32Bを形成する。
【0021】
この過程において、上述の残留するフォトレジストパターン35Bと反射防止膜34Bとは、工程を行う過程で自然に除去され、残留する犠牲ハードマスクは33Cと表記する。
【0022】
次に、図3Dに示しているように、残留する犠牲ハードマスク33C(図3C参照)及びハードマスク32B(図3C参照)をエッチングマスクとして、伝導層31A(図3C参照)を選択的にエッチングして伝導層パターン31Bすなわち、ビットラインを形成する。
【0023】
この時、上述の本発明の残留する犠牲ハードマスク33Cの使用によって、これを除去するための追加エッチング工程をなくすために、伝導層31Aをハードマスク用の犠牲膜33Aと同じ薄膜として用いるか、または相互に異なる種類の薄膜でも、その厚さとエッチング条件とを調節することによって、伝導層31Aのエッチング時、残留する犠牲ハードマスク33Cは、全て除去されるようにできる。
【0024】
図4は、従来のArFフォトリソグラフィー工程を適用して形成したコンタクトホールを示しており、「D」のようにコンタクトホールパターンの変形が発生したことが確認できる。
【0025】
図5は、従来の技術に係るフォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いる場合のコンタクトホールパターンを示す断面図である。
【0026】
図5に示しているように,0.2μmサイズのコンタクトホールの形成のために、フォトレジストパターン54をエッチングハードマスクとして用いて、基板50に形成された絶縁膜52をエッチングしてコンタクトホールを形成した。この時、絶縁膜52は、TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate)で形成した。42SCCMのC4F6と27SCCMのO2と500SCCMのArとを用いて、40mTorrの圧力下で1800Wのパワーと40Gの磁気力の線速密度を用いた結果、TEOS膜、すなわち絶縁膜52とフォトレジストパターン54との12:1のエッチング選択比を得ることができる。
【0027】
一方、マスクパターン形態では正常であっても、エッチング時に図3Dに示しているように、LER(Line Edge Roughness)とストレーションなどのようなパターン変形36が発生し、前記犠牲ハードマスクを適用してもエッチング選択比の限界を克服することは難しいのが実情である。
【特許文献1】特開2004−205900
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0028】
本発明は、上述した従来の技術の問題点を解決するためになされたものであって、その目的とするところは、犠牲ハードマスクのエッチング選択比を増加させ、パターン変形を最小化できる半導体素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0029】
上記目的を達成するため、本発明は、被エッチング層上に犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜を形成するステップと、該犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜上にフォトレジストパターンを形成するステップと、該フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜をエッチングし、犠牲ハードマスクを形成するステップと、少なくとも前記犠牲ハードマスクをエッチングマスクとして前記被エッチング層をエッチングし、所定のパターンを形成するステップとを含む半導体素子の製造方法を提供する。
【0030】
また、前記のような問題点を解決するために、本発明は、被エッチング層上に犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜を形成するステップと、該犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜上に犠牲ハードマスク用の物質膜を形成するステップと、該犠牲ハードマスク用の物質膜上にフォトレジストパターンを形成するステップと、該フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記犠牲ハードマスク用の物質膜をエッチングし、第1犠牲ハードマスクを形成するステップと、少なくとも前記第1犠牲ハードマスクをエッチングマスクとして前記犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜をエッチングし、第2犠牲ハードマスクを形成するステップと、少なくとも前記第2犠牲ハードマスクをエッチングマスクとして前記被エッチング層をエッチングし、所定のパターンを形成するステップとを含む半導体素子の製造方法を提供する。
【0031】
また、前記のような問題点を解決するために、本発明は、被エッチング層上に犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜を形成するステップと、該犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜上に反射防止膜を形成するステップと、該反射防止膜上にフォトレジストパターンを形成するステップと、該フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記反射防止膜をエッチングするステップと、前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜をエッチングし、犠牲ハードマスクを形成するステップと、少なくとも前記犠牲ハードマスクをエッチングマスクとして前記被エッチング層をエッチングし、所定のパターンを形成するステップとを含む半導体素子の製造方法を提供する。
【0032】
また、前記のような問題点を解決するために、本発明は、被エッチング層上に犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜を形成するステップと、該犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜上に犠牲ハードマスク用の物質膜を形成するステップと、該犠牲ハードマスク用の物質膜上に反射防止膜を形成するステップと、該反射防止膜上にフォトレジストパターンを形成するステップと、前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記反射防止膜をエッチングするステップと、前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記犠牲ハードマスク用の物質膜をエッチングし、第1犠牲ハードマスクを形成するステップと、少なくとも該第1犠牲ハードマスクをエッチングマスクとして前記犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜をエッチングし、第2犠牲ハードマスクを形成するステップと、少なくとも該第2犠牲ハードマスクをエッチングマスクとして前記被エッチング層をエッチングし、所定のパターンを形成するステップとを含む半導体素子の製造方法を提供する。
【0033】
また、前記のような問題点を解決するために、本発明は、被エッチング層上にハードマスク用の絶縁膜を形成するステップと、該ハードマスク用の絶縁膜上に犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜を形成するステップと、該犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜上に反射防止膜を形成するステップと、該反射防止膜上にフォトレジストパターンを形成するステップと、該フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記反射防止膜をエッチングするステップと、前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜をエッチングし、犠牲ハードマスクを形成するステップと、少なくとも前記犠牲ハードマスクをエッチングマスクとして前記ハードマスク用の絶縁膜をエッチングし、ハードマスクを形成するステップと、前記犠牲ハードマスク及び前記ハードマスクをエッチングマスクとして前記被エッチング層をエッチングし、所定のパターンを形成するステップとを含む半導体素子の製造方法を提供する。
【0034】
また、前記のような問題点を解決するために、本発明は、被エッチング層上にハードマスク用の絶縁膜を形成するステップと、該ハードマスク用の絶縁膜上に犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜を形成するステップと、該犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜上に犠牲ハードマスク用の物質膜を形成するステップと、該犠牲ハードマスク用の物質膜上に反射防止膜を形成するステップと、該反射防止膜上にフォトレジストパターンを形成するステップと、該フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記反射防止膜をエッチングするステップと、該フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記犠牲ハードマスク用の物質膜をエッチングし、第1犠牲ハードマスクを形成するステップと、少なくとも該第1犠牲ハードマスクをエッチングマスクとして前記犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜をエッチングして第2犠牲ハードマスクを形成するステップと、少なくとも該第2犠牲ハードマスクをエッチングマスクとして前記ハードマスク用の絶縁膜をエッチングし、ハードマスクを形成するステップと、前記第2犠牲ハードマスク及び前記ハードマスクをエッチングマスクとして前記被エッチング層をエッチングし、所定のパターンを形成するステップとを含む半導体素子の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【0035】
本発明によると、F2またはArFなどの露光源を用いる写真エッチング工程に係るフォトレジストパターンの変形と損失とを防止でき、半導体素子の収率を大きく向上させることができるという効果を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0036】
以下、本発明のもっとも好ましい実施の形態を,添付する図面を参照して説明する。
【0037】
非結晶性炭素膜は、フォトレジストパターンと類似の特性を有するため、フォトレジストパターンとの間に別途の犠牲ハードマスクと積層して用いることが好ましい。また、その上部に積層される犠牲ハードマスク、例えば、酸化膜、窒化膜、ポリシリコン膜、タングステン膜などとエッチング選択比が大きく、これらの薄い厚さにも厚い非結晶性炭素膜を比較的容易にエッチングできる。
【0038】
非結晶性炭素膜の厚さを厚く有することができるため、これをハードマスクとして適用する場合、被エッチング層に対するエッチングマスクとしての機能を十分に行うことができる。
【0039】
図6A及び図6Bは、非結晶性炭素膜をハードマスクとして用いて、コンタクトホールを形成した例を示す断面写真図である。
【0040】
図6Aは、1.561μmサイズのコンタクトホールで、図6Bは、1.564μmのサイズのコンタクトホールである。二つの場合、全てパターンの変形が無く、コンタクトホールパターンを形成できることが確認できる。
【0041】
参考に、図6A及び図6Bのコンタクトホールのパターン形成時、層間絶縁膜42としては、TEOS膜を用いた。
【0042】
図7は、非結晶性炭素膜を犠牲ハードマスクとして用いる場合のコンタクトホールパターンを示す写真断面図である。
【0043】
図7では,0.18μmサイズのコンタクトホール形成のために、非結晶性炭素膜74を犠牲ハードマスクとして用いた。43SCCMのC4F6と28SCCMのO2と15SCCMのCHF3と500SCCMのArとを用いて、40mTorrの圧力下で1800Wのパワーと40Gの磁気力の線速密度を用いた結果、TEOS膜72と非結晶性炭素膜74との26:1のエッチング選択比を得ることができる。
【0044】
反面、図5で説明したように,0.2μmサイズのコンタクトホール形成のために、フォトレジストパターン54をエッチングハードマスクとして用いた従来の技術と比較してみる時、図7に示しているような非結晶性炭素膜74が、図5のようなフォトレジストパターン54に比べ、パターンの変形なしにコンタクトホールを形成するのに有利であることが分かる。
【0045】
図8Aないし図8Fは、本発明の第1実施の形態に係るF2またはArF露光源を用いた半導体素子パターン形成の工程を示す断面図であり、これを参照して詳細に説明する。
【0046】
後述する本発明の第1実施の形態では、半導体素子のラインパターンを具体的に、導電パターンのうちビットライン形成の工程をその一例として説明するが、本発明の適用対象となるラインパターン(導電パターン)は、第1実施の形態で提示したビットラインだけに限定されるものではなく、ゲート電極、ストレージノードコンタクトまたは金属配線などの多様な形態のパターン形成の工程にも適用が可能である。
【0047】
また、上述のライン形態のパターン以外に孤立した形態である島型(Island type)、ストレージノードコンタクトのようなドーナッツ型にも適用が可能で、伝導層ではない絶縁膜パターンにも適用が可能である。すなわち、本発明の第1実施の形態では、陽刻パターンを形成する工程への適用を示していると言える。
【0048】
まず、図8Aに示しているように、半導体素子を形成するための様々な要素が形成された基板60上に被エッチング層として伝導層61Aを形成した後、伝導層61A上に絶縁性の物質であり、また被エッチング層である伝導層61Aと選択比を有し、ハードマスク材料として用いられるSi3N4またはSiONなどの窒化膜系列の薄膜、またはSiO2などの酸化膜系列の薄膜を用いてハードマスク用の絶縁膜62Aを形成する。次いで、エッチング工程時、ハードマスク用の絶縁膜62Aの損失によるパターン変形を防止するために、ハードマスク用の絶縁膜62A上に犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜63Aを形成する。
【0049】
次いで、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜63A上に犠牲ハードマスク用の物質膜64Aを形成する。
【0050】
犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜63Aは、フォトレジストと類似の炭素成分からなっているため、フォトレジストパターンでこれをエッチングすることは工程の効率性を低下させる。したがって、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜63Aとフォトレジストパターンとの間に追加の犠牲ハードマスクを用いることが好ましい。
【0051】
ここで、犠牲ハードマスク用の物質膜64Aは、ポリシリコン膜、Al膜、W膜、WSix(xは1ないし2)膜、WN膜、Ti膜、TiN膜、TiSix(xは1ないし2)膜、TiAlN膜、TiSiN膜、Pt膜、Ir膜、IrO2膜、Ru膜、RuO2膜、Ag膜、Au膜、Co膜、TaN膜、CrN膜、CoN膜、MoN膜、MoSix(xは1ないし2)膜、Al2O3膜、AlN膜、PtSix(xは1ないし2)膜及びCrSix(xは1ないし2)膜からなるグループから選択された少なくとも何れか1つの薄膜を含む。
【0052】
犠牲ハードマスクとして、タングステン膜/窒化膜(酸化膜)/非結晶性炭素膜の構造を用いると、最上部のタングステン膜の厚さを300Å以下に薄くしてフォトレジストパターンのエッチング選択比に影響を受けないようにする。高解像度のパターン形成の工程であってもArFの場合、フォトレジストを1000Å程度の厚さは有するようにする。すなわち、1000Å程度のフォトレジストパターンで300Å以内のタングステン膜をエッチングすることは、さほど難しくない。一方、タングステン下部の窒化膜(酸化膜)は、300Å〜600Å程度の厚さを有するようにすると、300Åのタングステン膜でエッチングできる。このような方式で、タングステン膜と窒化膜(酸化膜)とを順にエッチングした後、非結晶性炭素膜をエッチングする。この時、N2またはO2ガスを使用する場合、窒化膜(酸化膜)と非結晶性炭素膜とのエッチング選択比を20:1以上に有することができる。
【0053】
20:1のエッチング選択比は、300Å〜600Åの厚さの窒化膜(酸化膜)で6000Å〜12,000Åの非結晶性炭素膜をエッチングできるということを意味する。最小6000Åの厚さを有する非結晶性炭素膜は、3000Å以上の窒化膜を十分にエッチングし、その下部の伝導層をエッチングして2000Å以上残ることになる。
【0054】
ここで、基板60は、その内部に絶縁構造と導電構造とを全て含むもので、上述の本発明の第1実施の形態のように伝導層61Aがビットライン、または金属配線形成用であれば、伝導層61Aと基板60との間にTi膜/TiN膜などの拡散バリヤ膜、ソース/ドレインなどの不純物接合層、層間絶縁膜またはポリシリコン膜またはタングステン(W)膜などの薄膜からなるプラグが形成されているものである。
【0055】
また、伝導層61Aがゲート電極形成用であると、伝導層61Aと基板60との間の界面にゲート絶縁膜(図示せず)を含んでいるものである。
【0056】
次いで、犠牲ハードマスク用の物質膜64A上にパターン形成のための露光の際、下部すなわち、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜63Aの光反射度が高いことによって乱反射がなされ、好ましくないパターンが形成されることを防止し、犠牲ハードマスク用の物質膜64Aと後続フォトレジストの接着力とを向上させる目的で反射防止膜65A、ARCを形成する。
【0057】
ここで、反射防止膜65Aは、フォトレジストとそのエッチング特性とが類似の有機の物質を用いるか、またはSiONなどの無機を用いることができる。
【0058】
次いで、反射防止膜65A上にF2露光源用、またはArF露光源用のフォトレジスト例えば、COMAまたはアクリレートを用いて、これらをスピンコーティングなどの方法を通して適切な厚さに塗布した後、F2露光源、またはArF露光源とゲート電極幅とを画定するための所定のレチクル(図示せず)を用いてフォトレジストの所定の部分を選択的に露光し、現像工程を通して露光工程によって露光されるか、あるいは露光されない部分を残留させた後、後洗浄工程などを通してエッチング残留物などを除去することによって、フォトレジストパターン66Aを形成する。
【0059】
次いで、図8Bに示しているように、フォトレジストパターン66A(図8A参照)をエッチングマスクとする選択的エッチング工程を通して、反射防止膜65A(図8A参照)を選択的にエッチングし、パターニングされる反射防止膜65Bを形成する。
【0060】
この時、フォトレジストパターン66Aの損失を最小化するために、Cl2、BCl3、CCl4またはHClなどのクロリン系ガスを使用したプラズマを用いて、エッチング工程を実施するか、またはCF系列のガスを使用する場合、C/Fの比率が低いガス例えば、CF4、C2F2、CHF3及びCH2F2からなるグループから選択された何れか1つのガスを使用したプラズマを用いて、エッチング工程を実施することが好ましい。
【0061】
これは、反射防止膜65Aのエッチング時には、CDの調節が容易でなければならないが、これは、ポリマーをほとんど発生させない条件でエッチングを行うためである。この時、エッチング工程後に残留するフォトレジストパターンは66Bと表記する。
【0062】
次いで、残留するフォトレジストパターン66Bをエッチングマスクとして犠牲ハードマスク用の物質膜64A(図8A参照)をエッチングし、第1犠牲ハードマスク64Bを形成する。
【0063】
以下、犠牲ハードマスク用の物質膜64Aのエッチング工程を具体的に説明する。
【0064】
犠牲ハードマスク用の物質膜64AがW膜、WSix膜またはWN膜のようにタングステン(W)を含む薄膜である場合、SF6/N2の混合ガスを使用したプラズマを用いて、この時SF6/N2の混合率が0.10〜0.60であるものを用いることが好ましい。
【0065】
犠牲ハードマスク用の物質膜64Aが、ポリシリコン膜またはTi膜、TiN膜、TiSix膜、TiAlN膜またはTiSiN膜のようにチタニウム(Ti)を含む薄膜である場合、クロリン系列のガス、特に、Cl2を主エッチングガスとし、この時エッチング形状の制御のために酸素(O2)またはCFガスを適切に添加して使用する。
【0066】
犠牲ハードマスク用の物質膜64AがPt、Ir、Ruなどの貴金属、またはこれらの酸化物を含む場合、クロリン系列またはフローリン系列のガスを使用したプラズマを用いて、この時、エッチング形状の制御のためには、高いイオン化エネルギーが必要であるため、低圧及びバイアスパワー条件を維持することが好ましい。
【0067】
図8Cに示しているように、少なくとも(残留するフォトレジストパターン66B(図8B参照)とパターニングされる反射防止膜65B(図8B参照)とは、ほとんどエッチング過程で除去されるが、その一部が残留でき、残留フォトレジストパターン66Bとパターニングされる反射防止膜65Bとの除去のための別途のフォトレジストストリップ工程を実施しない場合、残留するフォトレジストパターン66Bとパターニングされる反射防止膜65Bとがエッチングマスクの役割を果たすことができるため、「少なくとも」と表現する)第1犠牲ハードマスク64B(図8B参照)をエッチングマスクに犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜63A(図8B参照)をエッチングし、第2犠牲ハードマスク63Bを形成する。この時、N2またはO2ガスを使用する。
【0068】
上述のように、第1犠牲ハードマスク64Bと犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜63Aとのエッチング選択比が高いため、第2犠牲ハードマスク63Bの厚さを十分に確保することができる。また、図8Cで、64Cは、前記エッチング工程後に残留する第1犠牲ハードマスクを示す。
【0069】
次いで、図8Dに示しているように、第2犠牲ハードマスク63B(図8C参照)をエッチングマスクにハードマスク用の絶縁膜62A(図8C参照)をエッチングしてハードマスク62Bを形成する。
【0070】
この時、通常の窒化膜系列または酸化膜系列の物質をエッチングする時、用いられるCF系列のガスを主エッチングガスとして使用する。
【0071】
第2犠牲ハードマスク63Cの厚さを十分に厚く維持できるため、ハードマスク62B形成のためのエッチング工程においてパターン変形が発生しない。前記エッチング工程後に残留する第2ハードマスクは63Cと表記する。
【0072】
次いで、図8Eに示しているように、第2犠牲ハードマスク63C(図8D参照)及びハードマスク62Bをエッチングマスクとして伝導層61A(図8D参照)を選択的にエッチングして導電パターン61Bすなわち、ビットラインを形成する。
【0073】
伝導層61Aのエッチング時、伝導層61Aの物質種類によって、そのガス種類と流量及びパワーなどを調節する。この時、エッチング後に残留する第2犠牲ハードマスクは63Dと表記する。
【0074】
次いで、図8Fに示しているように、残留する第2犠牲ハードマスク63D(図8E参照)を除去する。残留する第2犠牲ハードマスク63Dは、非結晶性炭素膜からなるため酸素プラズマを用いて簡単に除去できる。
【0075】
図9は、本発明の第2実施の形態に係る非結晶性炭素膜を犠牲ハードマスクに用いる導電パターン形成のための積層構造を示す断面図である。
【0076】
ここで、第1実施の形態と実質的に同一の構成要素に対しては、同一符号を用いる。
【0077】
図9に示しているように、基板60上にTiN、またはポリシリコンからなる第1伝導層67とタングステンからなる第2伝導層61A及びハードマスク用の絶縁膜62Aが積層されている。ハードマスク用の絶縁膜62Aと第2伝導層61A及び第1伝導層67とは、パターンニング工程を通してビットラインなどの導電パターンをなす。ハードマスク用の絶縁膜62A上には、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜63Aが積層されており、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜63A上には、タングステン膜/窒化膜が積層された犠牲ハードマスク用の物質膜68が形成されている。犠牲ハードマスク用の物質膜68上には、反射防止膜65Aが積層されており、反射防止膜65A上には、フォトレジストパターン66Aが形成されている。
【0078】
犠牲ハードマスク用の物質膜68の中のタングステン膜は、200Å〜1000Åの厚さで蒸着することによって、フォトレジストの低い厚さにも十分にエッチングできるようにする。
【0079】
犠牲ハードマスク用の物質膜68中のタングステン膜の下部に位置した窒化膜は、上部のタングステン膜が十分にマスクの役割を果たすため、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜63Aのエッチングが可能になるように、200Å以上の厚さに形成する。
【0080】
窒化膜は、酸化膜、窒化膜、酸化窒化膜の単独または組合構造として置き換えて用いることができる。犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜63Aは、1000Å以上、一般的に2000Å以上で十分に厚く蒸着することによって、下部の被エッチング層に対するエッチング選択比を確保する。
【0081】
図10は、本発明の第3実施の形態に係る非結晶性炭素膜を犠牲ハードマスクに用いる導電パターン形成のための積層構造を示す断面図である。
【0082】
ここで、第1及び第2実施の形態と実質的に同一の構成要素に対しては、同一符号を用いる。
【0083】
図10に示しているように、基板60上にTiNまたはポリシリコンからなる第1伝導層67とタングステンとからなる第2伝導層61A及びハードマスク用の絶縁膜62Aとが積層されている。ハードマスク用の絶縁膜62Aと第2伝導層61A及び第1伝導層67は、パターンニング工程を通してビットラインなどの導電パターンをなす。ハードマスク用の絶縁膜62A上には犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜63Aが積層されており、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜63A上には、ポリシリコン膜/窒化膜が積層された犠牲ハードマスク用の物質膜69が形成されている。犠牲ハードマスク用の物質膜69上には、反射防止膜65Aが積層されており、反射防止膜65A上には、フォトレジストパターン66Aが形成されている。
【0084】
犠牲ハードマスク用の物質膜69中のポリシリコン膜は、200Å〜1000Åの厚さで蒸着することによって、フォトレジストの低い厚さにも十分にエッチングできるようにする。
【0085】
犠牲ハードマスク用の物質膜69の中のポリシリコン膜の下部に位置した窒化膜は、上部のポリシリコン膜が十分にマスクの役割を果たすため、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜63Aのエッチングが可能なように200Å以上の厚さに形成する。
【0086】
窒化膜は、酸化膜、窒化膜、酸化窒化膜の単独または組合構造として置換して用いることができる。犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜63Aは、1000Å以上、一般的に2000Å以上に十分に厚く蒸着することによって、下部の被エッチング層に対するエッチング選択比を確保する。
【0087】
図11は、本発明の第4実施の形態に係る非結晶性炭素膜を犠牲ハードマスクとして用いる導電パターン形成のための積層構造を示す断面図である。
【0088】
ここで、第1ないし第3実施の形態と実質的に同一の構成要素に対しては同一符号を用いる。
【0089】
図11に示しているように、基板60上にTiNまたはポリシリコンからなる第1伝導層67とタングステンからなる第2伝導層61A及びハードマスク用の絶縁膜62Aとが積層されている。ハードマスク用の絶縁膜62Aと第2伝導層61A及び第1伝導層67とは、パターンニング工程を通してビットラインなどの導電パターンをなす。ハードマスク用の絶縁膜62A上には、窒化膜からなる犠牲ハードマスク用の物質膜64Aが形成されており、犠牲ハードマスク用の物質膜64A上には、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜63Aが積層されている。犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜63A上には、反射防止膜65Aが積層されており、反射防止膜65A上には、フォトレジストパターン66Aが形成されている。
【0090】
第4実施の形態では、反射防止膜65Aに無機基であるSiONを用いて、その真下に犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜63Aが位置するようにした。
【0091】
ここでは、反射防止膜65Aが反射防止膜の役割と犠牲ハードマスクとしての役割を果たすようにする。このため、フォトレジストの低い厚さにも十分にエッチングできるように反射防止膜65Aを200Å〜1000Åの厚さで蒸着する。
【0092】
反射防止膜65Aと犠牲ハードマスク用の物質膜64Aとは、酸化膜、窒化膜、酸化窒化膜の単独または組合構造として置換して用いることができる。犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜63Aは、1000Å以上、一般的に2000Å以上に十分に厚く蒸着することによって、下部の被エッチング層に対するエッチング選択比を確保する。
【0093】
図12Aないし図12Dは、本発明の第5実施の形態に係るF2またはArF露光源を用いた半導体素子のパターン形成の工程を示す断面図であり、これを参照にして詳細に説明する。
【0094】
後述する本発明の第5実施の形態では、半導体素子のスペースパターン(Space pattern)例えば、コンタクトホールパターン形成の工程をその一例として説明しており、本発明の適用対象となるコンタクトホールパターンは金属配線コンタクトとビットラインまたはキャパシタのストレージノードコンタクトのためのソース/ドレイン接合などの基板内の不純物接合層とのコンタクト及びコンタクトパッド形成のための工程などに適用が可能である。
【0095】
また、以下の実施の形態は、被エッチング層を絶縁膜とする工程である素子分離(Isolation)のためのトレンチ(Trench)形成の工程や、被エッチング層を伝導層とする工程、例えば、薄膜トランジスタのチャネル形成部分を、オープンさせるためのポリシリコンをエッチングする工程などにも適用が可能である。すなわち、本発明の以下の実施の形態では、陰刻パターンを形成する工程への適用を表していると言える。
【0096】
まず、図12Aに示しているように、半導体素子を形成するための様々な要素が形成された基板100上に被エッチング層に絶縁膜101を形成する。
【0097】
絶縁膜101は、不純物がドーピングされるか(Doped)、または不純物がドーピングされない(Undoped)酸化膜、または窒化膜などの絶縁性膜を含む。
【0098】
次いで、エッチング工程時、絶縁膜101の異常損失によるパターン変形を防止するために、絶縁膜101上に犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜102Aを形成する。
【0099】
次いで、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜102A上に犠牲ハードマスク用の物質膜103Aを形成する。
【0100】
犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜102Aは、フォトレジストと類似の炭素成分からなっているため、フォトレジストパターンでこれをエッチングすることは、工程の効率性を低下させる。したがって、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜102Aとフォトレジストパターンとの間に追加の犠牲ハードマスクを用いることが好ましい。
【0101】
ここで、犠牲ハードマスク用の物質膜103Aは、ポリシリコン膜、Al膜、W膜、WSix(xは1ないし2)膜、WN膜、Ti膜、TiN膜、TiSix(xは1ないし2)膜、TiAlN膜、TiSiN膜、Pt膜、Ir膜、IrO2膜、Ru膜、RuO2膜、Ag膜、Au膜、Co膜、TaN膜、CrN膜、CoN膜、MoN膜、MoSix(xは1ないし2)膜、Al2O3膜、AlN膜、PtSix(xは1ないし2)膜及びCrSix(xは1ないし2)膜からなるグループから選択された少なくとも何れか1つの薄膜を含む。
【0102】
犠牲ハードマスクに、タングステン膜/窒化膜(酸化膜)/非結晶性炭素膜の構造を用いると、最上部のタングステン膜の厚さを300Å以下に薄くし、フォトレジストパターンのエッチング選択比に影響を受けないようにする。高解像度のパターン形成の工程であっても、ArFの場合フォトレジストを1000Å程度の厚さは有するようにする。すなわち、1000Å程度のフォトレジストパターンで300Å以内のタングステン膜をエッチングするのは、さほど大きな問題がない。一方、タングステン下部の窒化膜(酸化膜)は、300Å〜600Å程度の厚さを有するようにすると、300Åのタングステン膜にエッチングできる。こういう方式で、タングステン膜と窒化膜(酸化膜)とを順にエッチングした後、非結晶性炭素膜をエッチングする。この時、N2またはO2ガスを使用する場合、窒化膜(酸化膜)と非結晶性炭素膜とのエッチング選択比を20:1以上で有することができる。
【0103】
20:1のエッチング選択比は、300Å〜600Åの厚さの窒化膜(酸化膜)で6000Å〜12,000Åの非結晶性炭素膜をエッチングができるということを意味する。最小6000Åの厚さを有する非結晶性炭素膜は、10,000Å以上の絶縁膜101を十分にエッチングできるようにする。
【0104】
次いで、犠牲ハードマスク用の物質膜103A上にパターン形成のための露光の際、下部すなわち、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜102Aの光反射度が高いことによって乱反射がなされ、好ましくないパターンが形成されることを防止し、犠牲ハードマスク用の物質膜103Aと後続フォトレジストの接着力とを向上させる目的として反射防止膜(ARC)104Aを形成する。
【0105】
ここで、反射防止膜104Aは、フォトレジストとそのエッチングの特性が類似の有機基の物質を用いるか、またはSiONなどの無機基を用いることができる。
【0106】
次いで、反射防止膜104A上にF2露光源用またはArF露光源用のフォトレジスト、例えば、COMAまたはアクリレートを用いて、これらをスピンコーティングなどの方法を通して適切な厚さで塗布した後、F2露光源、またはArF露光源とゲート電極幅とを画定するための所定のレチクル(図示せず)を用いて、フォトレジストの所定の部分を選択的に露光し、現像工程を通して露光工程によって露光されるか、あるいは露光されない部分を残留させた後に、後洗浄工程などを通してエッチング残留物などを除去することによって、フォトレジストパターン105Aを形成する。
【0107】
次いで、図12Bに示しているように、フォトレジストパターン105A(図12A参照)をエッチングマスクとする選択的エッチング工程を通して、反射防止膜104A(図12A参照)を選択的にエッチングし、パターニングされる反射防止膜104Bを形成する。
【0108】
この時、フォトレジストパターン105Aの損失を最小化するためにCl2、BCl3、CCl4またはHClなどのクロリン系列のガスを使用したプラズマを用いて、エッチング工程を実施するか、CF系列のガスを使用する場合、C/Fの比率が低いガス、例えば、CF4、C2F2、CHF3及びCH2F2からなるグループから選択された何れか1つのガスを使用したプラズマを用いて、エッチング工程を実施することが好ましい。
【0109】
これは、反射防止膜104Aのエッチング時には、CDの調節が容易でなければならないため、ポリマーをほとんど発生させない条件でエッチングを行うためである。この時、エッチング後に残留するフォトレジストパターンは105Bと表記する。
【0110】
次いで、残留するフォトレジストパターン105Bをエッチングマスクとして犠牲ハードマスク用の物質膜103A(図12A参照)をエッチングし、第1犠牲ハードマスク103Bを形成する。
【0111】
以下、犠牲ハードマスク用の物質膜103Aのエッチング工程を具体的に説明する。
【0112】
犠牲ハードマスク用の物質膜103AがW膜、WSix膜またはWN膜のようにタングステン(W)を含む薄膜である場合、SF6/N2の混合ガスを使用したプラズマを用いて、この時、SF6/N2の混合率が0.10〜0.60であるものを用いることが好ましい。
【0113】
犠牲ハードマスク用の物質膜103Aが、ポリシリコン膜またはTi膜、TiN膜、TiSix膜、TiAlN膜、またはTiSiN膜のようにチタニウム(Ti)を含む薄膜である場合、クロリン系列のガス、特に、Cl2を主エッチングガスとし、この時エッチング形状の制御のために酸素(O2)またはCFガスを適切に添加して用いる。
【0114】
犠牲ハードマスク用の物質膜103AがPt、Ir、Ruなどの貴金属、またはこれらの酸化物を含む場合、クロリン系列またはフローリン系列のガスを使用したプラズマを用いて、この時、エッチング形状の制御のためには、高いイオン化エネルギーが必要なため、低圧及び高バイアスパワー条件を維持することが好ましい。
【0115】
図12Cに示しているように、少なくとも(残留するフォトレジストパターン105B(図12B参照)とパターニングされる反射防止膜104B(図12B参照)とは、大部分エッチング過程で除去されるか、またその一部が残留でき、残留フォトレジストパターン105Bとパターニングされる反射防止膜104Bとの除去のための別途のフォトレジストストリップ工程を実施しない場合、残留するフォトレジストパターン105Bとパターニングされる反射防止膜104Bとがエッチングマスクの役割を果たすことができるため、「少なくとも」と表現する)第1犠牲ハードマスク103B(図12B参照)をエッチングマスクに犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜102A(図12B参照)をエッチングし、第2犠牲ハードマスク102Bを形成する。この時、N2またはO2ガスを使用する。
【0116】
上述のように、第1犠牲ハードマスク103Bと犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜102Aとのエッチング選択比が高いため、第2犠牲ハードマスク102Bの厚さを十分に確保することができる。また、図12Cにおいて、103Cは、前記エッチング工程後に残留する第1犠牲ハードマスクを示す。
【0117】
次いで、図12Dに示しているように、第2犠牲ハードマスク102B(図12C参照)をエッチングマスクに絶縁膜101を選択的にエッチングし、基板100、具体的には導電構造の表面、またはその上部を露出させるコンタクトホール106を形成する。コンタクトホール形成後に残留する第2犠牲ハードマスクは102Cと表記する。
【0118】
次いで、残留する第2犠牲ハードマスク102Cを除去する。第2犠牲ハードマスク102Cは、非結晶性炭素膜からなるため、酸素プラズマを用いて簡単に除去できる。
【0119】
この時、第2犠牲ハードマスク102Cの厚さを十分に確保することができるため、第2犠牲ハードマスク102Cのエッチングマスクとしての特性を維持でき、犠牲ハードマスクの損失によるコンタクトホール106のCDの増加または減少などのパターン変形を防止できる。
【0120】
上述した絶縁膜101として主に酸化膜系列を用いて、酸化膜に対するエッチング条件をさらに具体的に説明する。
【0121】
酸化膜エッチング時、通常用いられるCF4、CHF3、CH2F2、C4F6、C4F8、C3F8またはC5F8などをCF系列のガスを使用し、この時MERIE(Magnetic Enhancement Reactive Ion Etching)方式のエッチャー(Etcher)で、CFガスのフロー率を20SCCM〜100SCCMにし、1000W〜2500W程度のパワーを用いる。
【0122】
この時、エッチャー内の圧力を25mTorr〜70mTorrに維持し、カソード(Cathode)温度を−20℃〜+60℃程度に維持し、エッチング形状を制御できるように前記CFガスの65%〜80%のフロー率で酸素ガスをさらに添加できる。
【0123】
図13は、本発明の第6実施の形態に係る非結晶性炭素膜を犠牲ハードマスクに用いるコンタクトホール形成のための積層構造を示す断面図である。
【0124】
ここで、第5実施の形態と実質的に同一の構成要素に対しては、同一符号を用いる。
【0125】
図13に示しているように、基板100上に被エッチング層である絶縁膜101と犠牲ハードマスク用の物質膜103Aとが積層されており、犠牲ハードマスク用の物質膜103A上には、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜102Aが積層されている。犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜102A上には反射防止膜104Aが積層されており、反射防止膜104A上には、フォトレジストパターン105Aが形成されている。
【0126】
第6実施の形態では、反射防止膜104Aに無機基であるSiONを用いて、その真下に犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜102Aが位置するようにした。
【0127】
ここでは、反射防止膜の役割と犠牲ハードマスクとしての役割を果たすようにする。このため、フォトレジストの低い厚さにも十分にエッチングできるように反射防止膜104Aを200Å〜1000Åの厚さで蒸着する。
【0128】
反射防止膜104Aと犠牲ハードマスク用の物質膜103Aとは、酸化膜、窒化膜、酸化窒化膜の単独、または組合構造として置換して用いることができる。犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜102Aは、1000Å以上、一般的に2000Å以上で十分に厚く蒸着することによって、下部の被エッチング層に対するエッチング選択比を確保する。
【0129】
図14は、本発明の第7実施の形態に係る非結晶性炭素膜を、犠牲ハードマスクとして使用するコンタクトホール形成のための積層構造を示す断面図である。
【0130】
ここで、第5及び第6実施の形態と実質的に同一の構成要素に対しては、同一符号を用いる。
【0131】
図14に示しているように、基板100上に被エッチング層である絶縁膜101が形成されており、絶縁膜101上には、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜102Aが積層されており、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜102A上には、タングステン膜/窒化膜が積層された犠牲ハードマスク用の物質膜107が形成されている。犠牲ハードマスク用の物質膜107上には、反射防止膜104Aが積層されており、反射防止膜104A上には、フォトレジストパターン105Aが形成されている。
【0132】
犠牲ハードマスク用の物質膜107のうちタングステン膜は、200Å〜1000Åの厚さで蒸着することで、フォトレジストの低い厚さにも十分にエッチングできるようにする。
【0133】
犠牲ハードマスク用の物質膜107のうちのタングステン膜の下部に位置した窒化膜は、上部のタングステン膜が十分にマスクの役割を果たすため、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜102Aのエッチングが可能なように200Å以上の厚さに形成する。
【0134】
窒化膜は、酸化膜、窒化膜、酸化窒化膜の単独、または組合構造として置換して用いることができる。犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜102Aは、1000Å以上、一般的に2000Å以上に十分に厚く蒸着することによって、下部の被エッチング層に対するエッチング選択比を確保する。
【0135】
図15は、本発明の第8実施の形態に係る非結晶性炭素膜を犠牲ハードマスクに用いるコンタクトホール形成のための積層構造を示す断面図である。
【0136】
ここで、第5ないし第7実施の形態と実質的に同一の構成要素に対しては、同一符号を用いる。
【0137】
図15に示しているように、基板100上に被エッチング層である絶縁膜101が形成されており、絶縁膜101上には、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜102Aが積層されており、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜102A上には、ポリシリコン膜/窒化膜が積層された犠牲ハードマスク用の物質膜108が形成されている。犠牲ハードマスク用の物質膜108上には、反射防止膜104Aが積層されており、反射防止膜104A上には、フォトレジストパターン105Aが形成されている。
【0138】
犠牲ハードマスク用の物質膜108の中のポリシリコン膜は、200Å〜1000Åの厚さで蒸着することによって、フォトレジストの低い厚さにも十分にエッチングできるようにする。
【0139】
犠牲ハードマスク用の物質膜108の中のポリシリコン膜の下部に位置した窒化膜は、上部のポリシリコン膜が十分にマスクの役割を果たすため、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜102Aのエッチングが可能なように200Å以上の厚さに形成する。
【0140】
窒化膜は、酸化膜、窒化膜、酸化窒化膜の単独、または組合構造として置換して用いることができる。犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜102Aは、1000Å以上、一般的に2000Å以上に十分に厚く蒸着することによって、下部の被エッチング層に対するエッチング選択比を確保する。
【0141】
以下では、実際DRAM(Dynamic Random Access Memory)工程の例を通し、ホールパターン形成のための構造を説明する。
【0142】
図16は、金属配線の形成のためのマスクパターンが形成された半導体素子を示す平面図である。
【0143】
図16に示しているように、ゲート電極Gが形成されており、ゲート電極G上部でゲート電極Gと交差する方向にビットラインB/Lが形成されている。ゲート電極Gの側面に整列されて形成されたセルコンタクトプラグ(図示せず)と、セルコンタクトプラグにコンタクトされるストレージノード用のコンタクトプラグ(図示せず)と、ストレージノード用のコンタクトプラグ接続されたストレージノード(図示せず)と、ストレージノード上部の誘電体膜(図示せず)と、誘電体膜上のプレート電極Pとが一連の工程を通して形成されている。
【0144】
プレート電極P上部には、金属配線コンタクト形成のためのマスクパターンMが形成されている。
【0145】
一方、ゲート電極Gを含むビットラインB/Lとプレート電極Pなどは、全て信号、または電源ラインとの接続のために金属配線と接続されなければならない。
【0146】
マスクパターンMは、プレート電極Pの金属配線のためのコンタクトAとビットラインB/Lとの金属配線のためのコンタクトB形成のためのものである。
【0147】
図17は、図16をA−A′線方向に沿った断面図である。
【0148】
図17に示しているように、基板150上にゲート電極Gが形成されている。ゲート電極Gはゲート酸化膜151とゲート伝導膜152とゲートハードマスク153の積層構造とその側面のスペーサ154とを具備する。ゲート電極Gは、第1層間絶縁膜155によって囲まれており、第1層間絶縁膜155を貫通して基板150の不純物拡散領域とコンタクトされ、ゲートハードマスク153と平坦化されてアイソレーション(Isolation)がなされたセルコンタクトプラグ156が形成されている。
【0149】
セルコンタクトプラグ156上には、第2層間絶縁膜157が形成されており、第2層間絶縁膜157上には、第2層間絶縁膜157を貫通して図面には図示されないセルコンタクトプラグと電気的に接続されたビットラインB/Lとが形成されている。
【0150】
ビットラインB/Lは、ビットライン伝導膜158とビットラインハードマスク159との積層構造とその側面のスペーサ(図示せず)を具備する。
【0151】
ビットラインB/L上には、第3層間絶縁膜160が形成されている。第3層間絶縁膜160上には、第3層間絶縁膜160と第2層間絶縁膜157とを貫通して図面には図示されないセルコンタクトプラグと電気的に接続されたストレージノード用のコンタクトプラグが形成されている。
【0152】
ストレージノード用のコンタクトプラグ上には、ストレージノード161と誘電体膜162及びプレート電極163とが順に形成されてセルキャパシタをなす。一方、セルキャパシタが形成されない部分では、第4層間絶縁膜164が形成されている。
【0153】
キャパシタ及び第4層間絶縁膜164上には、第5層間絶縁膜165が形成されており、第5層間絶縁膜165上には、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜166が形成されており、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜166上には犠牲ハードマスク用の物質膜167が形成されている。犠牲ハードマスク用の物質膜167上には反射防止膜168が積層されており、反射防止膜168上にはフォトレジストパターン169が形成されている。
【0154】
プレート電極163の金属配線の形成のためのエッチング部位は、「170」のように第5層間絶縁膜170だけを含むため特に関係はないが、ビットラインB/L金属配線を形成のためのエッチング部位は、「171」のように第5層間絶縁膜165と第4層間絶縁膜164及びビットラインハードマスク159とを含むためエッチングターゲットが非常に大きいことが分かる。
【0155】
特に、第4層間絶縁膜164の場合、キャパシタの垂直の高さに達するため、その厚さだけで20,000Å程度になると見ることができる。したがって、「171」のエッチングターゲットは、30,000程度になることが分かる。
【0156】
したがって、従来の犠牲ハードマスクだけを用いる方式では、特に、80nm以下のデザインルールが適用される半導体素子の製造工程の際、所望のコンタクトホールパターンを形成することが事実上不可能である。
【0157】
しかし、10,000Å以上の厚さを確保することができる犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜166を用いることになると、このような深いコンタクトホール形成時にもパターン変形がほとんど無く所望のパターン形成が可能である。
【0158】
図18は、ストレージノードコンタクト形成のためのマスクパターンが形成された半導体素子を示す平面図である。
【0159】
図18に示しているように、ゲート電極G1とG2とが一方向に一定間隔を有して配列されており、ゲート電極G1、G2の上部でゲート電極G1、G2と交差する方向にビットラインB/L1、B/L2が形成されている。ゲート電極G1、G2の側面に整列されてセルコンタクトプラグ(図示せず)が形成されており、ビットラインB/L1、B/L2の上部には、ストレージノード用のコンタクトホール形成のためのマスクパターンMが形成されている。
【0160】
マスクパターンMは、ストレージノード用のコンタクトホール形成のためにビットラインB/L1、B/L2の側面にそれぞれアラインメントされ、「C」のような部分でセルコンタクトプラグを露出させるためである。
【0161】
図19は、図18をB−B′線方向に沿った断面図である。
【0162】
図19に示しているように、基板200上にゲート電極が形成されており、図18をB−B′線方向に沿った断面ではゲート電極が示されていない。
【0163】
ゲート電極は、第1層間絶縁膜201によって囲まれており、第1層間絶縁膜201を貫通して基板200の不純物拡散領域とコンタクトされてゲートハードマスク(図示せず)と平坦化されてアイソレーションがなされたセルコンタクトプラグ202が形成されている。
【0164】
セルコンタクトプラグ202上には、第2層間絶縁膜203が形成されており、第2層間絶縁膜203上には、第2層間絶縁膜203を貫通して図面には図示されないセルコンタクトプラグと電気的に接続されたビットラインB/Lとが形成されている。
【0165】
ビットラインB/Lは、ビットライン伝導膜204とビットラインハードマスク205の積層構造とその側面のスペーサSとを具備する。
【0166】
ビットラインB/L上には、第3層間絶縁膜206が形成されている。第3層間絶縁膜160上には、ストレージノード形成時、下部のアタック防止のためのストレージノード用ハードマスク207とPE−TEOS(プラズマ化学気相蒸着(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition;以下PECVDとする)方式でTEOS(Tetra Ethyl Ortho SIlicate)ソースを用いて形成した酸化膜208)が積層されている。PE_TEOS膜208上には、エッチング停止膜209が形成されており、エッチング停止膜209上には、窒化膜または酸化膜を用いた犠牲ハードマスク用の絶縁膜210が形成されている。
【0167】
犠牲ハードマスク用の絶縁膜210上には、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜211が形成されており、犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜211上には、犠牲ハードマスク用シリコン酸化窒化膜212が形成されている。犠牲ハードマスク用シリコン酸化窒化膜212上には、犠牲ハードマスク用タングステン膜213が形成されている。
【0168】
犠牲ハードマスク用タングステン膜213上には、反射防止膜214が積層されており、反射防止膜214上には、フォトレジストパターン215が形成されている。
【0169】
ストレージノード用のコンタクトホール形成の工程の場合、オーバーラップマージンが大分と不足し、そのエッチングターゲットもまた大きいため、10,000Å以上の厚さを確保することができる犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜212を用いることになると、パターン変形がほとんど無く所望のパターン形成が可能である。
【0170】
図20は、本発明に係るArFフォトリソグラフィー工程を適用したコンタクトホール形成後を示す平面写真である。
【0171】
図4で示しているように、従来のArFフォトリソグラフィー工程を適用して形成したコンタクトホールパターンは、「D」のようにパターンの変形が発生したことを確認することができる。反面、図20の非結晶性炭素膜を犠牲ハードマスクとして用いてArFフォトリソグラフィー工程を適用して形成したコンタクトホールは、「E」のようにコンタクトホールパターンの変形が発生しないことが確認できる。
【0172】
前記したようになされる本発明は、既存の犠牲ハードマスク物質とは異なる非結晶性炭素膜を犠牲ハードマスクとして用いて、ここに酸化膜/窒化膜または/及びポリシリコン/タングステンなどの犠牲ハードマスクと積層構造として用いることによって、フォトレジストの低いエッチング選択比によるArFまたはF2などの露光源を用いたフォトリソグラフィー工程によるパターン形成時、パターン変形を防止できることを実施の形態を通して理解できる。
【0173】
尚、本発明は、上記した本実施の形態に限られるものではなく、本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で多様に変更が可能であり、それらも本発明の技術的範囲に属する。
【産業上の利用可能性】
【0174】
本発明は、半導体素子の製造方法に関し、特に半導体素子のパターン形成方法に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【0175】
【図1A】KrFフォトリソグラフィー工程を適用したラインタイプのマスクパターンを示す平面写真である。
【図1B】ArFフォトリソグラフィー工程を適用したマスクパターンを示す平面写真とKrFフォトリソグラフィー工程を適用したラインタイプのマスクパターンとを比較して示す平面写真である。
【図2A】図1Aのマスクパターンを用いてエッチング工程を行った後の平面写真である。
【図2B】図1Bのマスクパターンを用いてエッチング工程を行った後の平面写真である。
【図3A】従来の技術に係るF2またはArF露光源を用いた半導体素子パターン形成の工程を示す断面図である。
【図3B】従来の技術に係るF2またはArF露光源を用いた半導体素子パターン形成の工程を示す断面図である。
【図3C】従来の技術に係るF2またはArF露光源を用いた半導体素子パターン形成の工程を示す断面図である。
【図3D】従来の技術に係るF2またはArF露光源を用いた半導体素子パターン形成の工程を示す断面図である。
【図4】従来の技術に係るArFフォトリソグラフィー工程を適用したコンタクトホール形成後を示す平面写真である。
【図5】従来の技術に係るフォトレジストパターンをエッチングマスクに用いる場合のコンタクトホールパターンを示す断面図である。
【図6A】非結晶性炭素膜をハードマスクとして用いてコンタクトホールを形成した例を示す断面写真図である。
【図6B】非結晶性炭素膜をハードマスクとして用いてコンタクトホールを形成した例を示す断面写真図である。
【図7】フォトレジストパターンをエッチングマスクに用いる場合と非結晶性炭素膜を犠牲ハードマスクに用いる場合のコンタクトホールパターンを比較して示す写真断面図である。
【図8A】本発明の第1実施の形態に係るF2またはArF露光源を用いた半導体素子パターン形成の工程を示す断面図である。
【図8B】本発明の第1実施の形態に係るF2またはArF露光源を用いた半導体素子パターン形成の工程を示す断面図である。
【図8C】本発明の第1実施の形態に係るF2またはArF露光源を用いた半導体素子パターン形成の工程を示す断面図である。
【図8D】本発明の第1実施の形態に係るF2またはArF露光源を用いた半導体素子パターン形成の工程を示す断面図である。
【図8E】本発明の第1実施の形態に係るF2またはArF露光源を用いた半導体素子パターン形成の工程を示す断面図である。
【図8F】本発明の第1実施の形態に係るF2またはArF露光源を用いた半導体素子パターン形成の工程を示す断面図である。
【図9】本発明の第2実施の形態に係る非結晶性炭素膜を犠牲ハードマスクに用いる導電パターン形成のための積層構造を示す断面図である。
【図10】本発明の第3実施の形態に係る非結晶性炭素膜を犠牲ハードマスクに用いる導電パターン形成のための積層構造を示す断面図である。
【図11】本発明の第4実施の形態に係る非結晶性炭素膜を犠牲ハードマスクに用いる導電パターン形成のための積層構造を示す断面図である。
【図12A】本発明の第5実施の形態に係るF2またはArF露光源を用いた半導体素子のパターン形成の工程を示す断面図である。
【図12B】本発明の第5実施の形態に係るF2またはArF露光源を用いた半導体素子のパターン形成の工程を示す断面図である。
【図12C】本発明の第5実施の形態に係るF2またはArF露光源を用いた半導体素子のパターン形成の工程を示す断面図である。
【図12D】本発明の第5実施の形態に係るF2またはArF露光源を用いた半導体素子のパターン形成の工程を示す断面図である。
【図13】本発明の第6実施の形態に係る非結晶性炭素膜を犠牲ハードマスクに用いるコンタクトホール形成のための積層構造を示す断面図である。
【図14】本発明の第7実施の形態に係る非結晶性炭素膜を犠牲ハードマスクに用いるコンタクトホール形成のための積層構造を示す断面図である。
【図15】本発明の第8実施の形態に係る非結晶性炭素膜を犠牲ハードマスクに用いるコンタクトホール形成のための積層構造を示す断面図である。
【図16】金属配線の形成のためのマスクパターンが形成された半導体素子を示す平面図である。
【図17】図16をA−A′線方向に沿った断面図である。
【図18】ストレージノードコンタクト形成のためのマスクパターンが形成された半導体素子を示す平面図である。
【図19】図18のB−B′線方向に沿った断面図である。
【図20】本発明に係るArFフォトリソグラフィー工程を適用したコンタクトホール形成後を示す平面写真である。
【符号の説明】
【0176】
60 基板
61A 伝導層
62A ハードマスク用の絶縁膜
63A 犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜
65A 反射防止膜
64A 犠牲ハードマスク用の物質膜
66A フォトレジストパターン
【特許請求の範囲】
【請求項1】
被エッチング層上に犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜を形成するステップと、
該犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜上にフォトレジストパターンを形成するステップと、
該フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜をエッチングし、犠牲ハードマスクを形成するステップと、
少なくとも前記犠牲ハードマスクをエッチングマスクとして前記被エッチング層をエッチングし、所定のパターンを形成するステップと
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項2】
被エッチング層上に犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜を形成するステップと、
該犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜上に犠牲ハードマスク用の物質膜を形成するステップと、
該犠牲ハードマスク用の物質膜上にフォトレジストパターンを形成するステップと、
該フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記犠牲ハードマスク用の物質膜をエッチングし、第1犠牲ハードマスクを形成するステップと、
少なくとも前記第1犠牲ハードマスクをエッチングマスクとして前記犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜をエッチングし、第2犠牲ハードマスクを形成するステップと、
少なくとも前記第2犠牲ハードマスクをエッチングマスクとして前記被エッチング層をエッチングし、所定のパターンを形成するステップと
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項3】
前記所定のパターンは、陰刻または陽刻パターンを含むことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項4】
前記被エッチング層は絶縁膜であり、前記所定のパターンはコンタクトホールパターンを含むことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項5】
前記被エッチング層は伝導層であり、前記所定のパターンはビットライン、ワードラインまたは金属配線のうち何れか1つを含むことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項6】
前記フォトレジストパターンを形成するステップにおいて、ArFまたはF2露光源を用いたフォトリソグラフィー工程を用いることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項7】
前記犠牲ハードマスク用の物質膜が、
ポリシリコン膜、Al膜、W膜、WSix(xは1ないし2)膜、WN膜、Ti膜、TiN膜、TiSix(xは1ないし2)膜、TiAlN膜、TiSiN膜、Pt膜、Ir膜、IrO2膜、Ru膜、RuO2膜、Ag膜、Au膜、Co膜、TaN膜、CrN膜、CoN膜、MoN膜、MoSix(xは1ないし2)膜、Al2O3膜、AlN膜、PtSix(xは1ないし2)膜及びCrSix(xは1ないし2)膜からなるグループから選択された少なくとも何れか1つの薄膜を含むことを特徴とする請求項2に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項8】
被エッチング層上に犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜を形成するステップと、
該犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜上に反射防止膜を形成するステップと、
該反射防止膜上にフォトレジストパターンを形成するステップと、
該フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記反射防止膜をエッチングするステップと、
前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜をエッチングし、犠牲ハードマスクを形成するステップと、
少なくとも前記犠牲ハードマスクをエッチングマスクとして前記被エッチング層をエッチングし、所定のパターンを形成するステップと
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項9】
被エッチング層上に犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜を形成するステップと、
該犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜上に犠牲ハードマスク用の物質膜を形成するステップと、
該犠牲ハードマスク用の物質膜上に反射防止膜を形成するステップと、
該反射防止膜上にフォトレジストパターンを形成するステップと、
前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記反射防止膜をエッチングするステップと、
前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記犠牲ハードマスク用の物質膜をエッチングし、第1犠牲ハードマスクを形成するステップと、
少なくとも該第1犠牲ハードマスクをエッチングマスクとして前記犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜をエッチングし、第2犠牲ハードマスクを形成するステップと、
少なくとも該第2犠牲ハードマスクをエッチングマスクとして前記被エッチング層をエッチングし、所定のパターンを形成するステップと
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項10】
前記所定のパターンが、陰刻または陽刻パターンを含むことを特徴とする請求項8または請求項9に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項11】
前記被エッチング層は絶縁膜であり、前記所定のパターンは、コンタクトホールパターンを含むことを特徴とする請求項8または請求項9に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項12】
前記被エッチング層は伝導層であり、前記所定のパターンはビットライン、ワードラインまたは金属配線のうち何れか1つを含むことを特徴とする請求項8または請求項9に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項13】
前記フォトレジストパターンを形成するステップにおいて、ArFまたはF2露光源を用いたフォトリソグラフィー工程を用いることを特徴とする請求項8または請求項9に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項14】
前記犠牲ハードマスク用の物質膜が、
ポリシリコン膜、Al膜、W膜、WSix(xは1ないし2)膜、WN膜、Ti膜、TiN膜、TiSix(xは1ないし2)膜、TiAlN膜、TiSiN膜、Pt膜、Ir膜、IrO2膜、Ru膜、RuO2膜、Ag膜、Au膜、Co膜、TaN膜、CrN膜、CoN膜、MoN膜、MoSix(xは1ないし2)膜、Al2O3膜、AlN膜、PtSix(xは1ないし2)膜及びCrSix(xは1ないし2)膜からなるグループから選択された少なくとも何れか1つの薄膜を含むことを特徴とする請求項9に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項15】
前記反射防止膜は有機または無機基であることを特徴とする請求項8または請求項9に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項16】
被エッチング層上にハードマスク用の絶縁膜を形成するステップと、
該ハードマスク用の絶縁膜上に犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜を形成するステップと、
該犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜上に反射防止膜を形成するステップと、
該反射防止膜上にフォトレジストパターンを形成するステップと、
該フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記反射防止膜をエッチングするステップと、
前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜をエッチングし、犠牲ハードマスクを形成するステップと、
少なくとも前記犠牲ハードマスクをエッチングマスクとして前記ハードマスク用の絶縁膜をエッチングし、ハードマスクを形成するステップと、
前記犠牲ハードマスク及び前記ハードマスクをエッチングマスクとして前記被エッチング層をエッチングし、所定のパターンを形成するステップと
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項17】
被エッチング層上にハードマスク用の絶縁膜を形成するステップと、
該ハードマスク用の絶縁膜上に犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜を形成するステップと、
該犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜上に犠牲ハードマスク用の物質膜を形成するステップと、
該犠牲ハードマスク用の物質膜上に反射防止膜を形成するステップと、
該反射防止膜上にフォトレジストパターンを形成するステップと、
該フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記反射防止膜をエッチングするステップと、
該フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記犠牲ハードマスク用の物質膜をエッチングし、第1犠牲ハードマスクを形成するステップと、
少なくとも該第1犠牲ハードマスクをエッチングマスクとして前記犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜をエッチングして第2犠牲ハードマスクを形成するステップと、
少なくとも該第2犠牲ハードマスクをエッチングマスクとして前記ハードマスク用の絶縁膜をエッチングし、ハードマスクを形成するステップと、
前記第2犠牲ハードマスク及び前記ハードマスクをエッチングマスクとして前記被エッチング層をエッチングし、所定のパターンを形成するステップと
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項18】
前記フォトレジストパターンを形成するステップにおいて、ArFまたはF2露光源を用いたフォトリソグラフィー工程を用いることを特徴とする請求項16または請求項17に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項19】
前記犠牲ハードマスク用の物質膜が、
ポリシリコン膜、Al膜、W膜、WSix(xは1ないし2)膜、WN膜、Ti膜、TiN膜、TiSix(xは1ないし2)膜、TiAlN膜、TiSiN膜、Pt膜、Ir膜、IrO2膜、Ru膜、RuO2膜、Ag膜、Au膜、Co膜、TaN膜、CrN膜、CoN膜、MoN膜、MoSix(xは1ないし2)膜、Al2O3膜、AlN膜、PtSix(xは1ないし2)膜及びCrSix(xは1ないし2)膜からなるグループから選択された少なくとも何れか1つの薄膜を含むことを特徴とする請求項17に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項1】
被エッチング層上に犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜を形成するステップと、
該犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜上にフォトレジストパターンを形成するステップと、
該フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜をエッチングし、犠牲ハードマスクを形成するステップと、
少なくとも前記犠牲ハードマスクをエッチングマスクとして前記被エッチング層をエッチングし、所定のパターンを形成するステップと
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項2】
被エッチング層上に犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜を形成するステップと、
該犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜上に犠牲ハードマスク用の物質膜を形成するステップと、
該犠牲ハードマスク用の物質膜上にフォトレジストパターンを形成するステップと、
該フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記犠牲ハードマスク用の物質膜をエッチングし、第1犠牲ハードマスクを形成するステップと、
少なくとも前記第1犠牲ハードマスクをエッチングマスクとして前記犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜をエッチングし、第2犠牲ハードマスクを形成するステップと、
少なくとも前記第2犠牲ハードマスクをエッチングマスクとして前記被エッチング層をエッチングし、所定のパターンを形成するステップと
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項3】
前記所定のパターンは、陰刻または陽刻パターンを含むことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項4】
前記被エッチング層は絶縁膜であり、前記所定のパターンはコンタクトホールパターンを含むことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項5】
前記被エッチング層は伝導層であり、前記所定のパターンはビットライン、ワードラインまたは金属配線のうち何れか1つを含むことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項6】
前記フォトレジストパターンを形成するステップにおいて、ArFまたはF2露光源を用いたフォトリソグラフィー工程を用いることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項7】
前記犠牲ハードマスク用の物質膜が、
ポリシリコン膜、Al膜、W膜、WSix(xは1ないし2)膜、WN膜、Ti膜、TiN膜、TiSix(xは1ないし2)膜、TiAlN膜、TiSiN膜、Pt膜、Ir膜、IrO2膜、Ru膜、RuO2膜、Ag膜、Au膜、Co膜、TaN膜、CrN膜、CoN膜、MoN膜、MoSix(xは1ないし2)膜、Al2O3膜、AlN膜、PtSix(xは1ないし2)膜及びCrSix(xは1ないし2)膜からなるグループから選択された少なくとも何れか1つの薄膜を含むことを特徴とする請求項2に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項8】
被エッチング層上に犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜を形成するステップと、
該犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜上に反射防止膜を形成するステップと、
該反射防止膜上にフォトレジストパターンを形成するステップと、
該フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記反射防止膜をエッチングするステップと、
前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜をエッチングし、犠牲ハードマスクを形成するステップと、
少なくとも前記犠牲ハードマスクをエッチングマスクとして前記被エッチング層をエッチングし、所定のパターンを形成するステップと
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項9】
被エッチング層上に犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜を形成するステップと、
該犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜上に犠牲ハードマスク用の物質膜を形成するステップと、
該犠牲ハードマスク用の物質膜上に反射防止膜を形成するステップと、
該反射防止膜上にフォトレジストパターンを形成するステップと、
前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記反射防止膜をエッチングするステップと、
前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記犠牲ハードマスク用の物質膜をエッチングし、第1犠牲ハードマスクを形成するステップと、
少なくとも該第1犠牲ハードマスクをエッチングマスクとして前記犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜をエッチングし、第2犠牲ハードマスクを形成するステップと、
少なくとも該第2犠牲ハードマスクをエッチングマスクとして前記被エッチング層をエッチングし、所定のパターンを形成するステップと
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項10】
前記所定のパターンが、陰刻または陽刻パターンを含むことを特徴とする請求項8または請求項9に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項11】
前記被エッチング層は絶縁膜であり、前記所定のパターンは、コンタクトホールパターンを含むことを特徴とする請求項8または請求項9に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項12】
前記被エッチング層は伝導層であり、前記所定のパターンはビットライン、ワードラインまたは金属配線のうち何れか1つを含むことを特徴とする請求項8または請求項9に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項13】
前記フォトレジストパターンを形成するステップにおいて、ArFまたはF2露光源を用いたフォトリソグラフィー工程を用いることを特徴とする請求項8または請求項9に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項14】
前記犠牲ハードマスク用の物質膜が、
ポリシリコン膜、Al膜、W膜、WSix(xは1ないし2)膜、WN膜、Ti膜、TiN膜、TiSix(xは1ないし2)膜、TiAlN膜、TiSiN膜、Pt膜、Ir膜、IrO2膜、Ru膜、RuO2膜、Ag膜、Au膜、Co膜、TaN膜、CrN膜、CoN膜、MoN膜、MoSix(xは1ないし2)膜、Al2O3膜、AlN膜、PtSix(xは1ないし2)膜及びCrSix(xは1ないし2)膜からなるグループから選択された少なくとも何れか1つの薄膜を含むことを特徴とする請求項9に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項15】
前記反射防止膜は有機または無機基であることを特徴とする請求項8または請求項9に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項16】
被エッチング層上にハードマスク用の絶縁膜を形成するステップと、
該ハードマスク用の絶縁膜上に犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜を形成するステップと、
該犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜上に反射防止膜を形成するステップと、
該反射防止膜上にフォトレジストパターンを形成するステップと、
該フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記反射防止膜をエッチングするステップと、
前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜をエッチングし、犠牲ハードマスクを形成するステップと、
少なくとも前記犠牲ハードマスクをエッチングマスクとして前記ハードマスク用の絶縁膜をエッチングし、ハードマスクを形成するステップと、
前記犠牲ハードマスク及び前記ハードマスクをエッチングマスクとして前記被エッチング層をエッチングし、所定のパターンを形成するステップと
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項17】
被エッチング層上にハードマスク用の絶縁膜を形成するステップと、
該ハードマスク用の絶縁膜上に犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜を形成するステップと、
該犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜上に犠牲ハードマスク用の物質膜を形成するステップと、
該犠牲ハードマスク用の物質膜上に反射防止膜を形成するステップと、
該反射防止膜上にフォトレジストパターンを形成するステップと、
該フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記反射防止膜をエッチングするステップと、
該フォトレジストパターンをエッチングマスクとして前記犠牲ハードマスク用の物質膜をエッチングし、第1犠牲ハードマスクを形成するステップと、
少なくとも該第1犠牲ハードマスクをエッチングマスクとして前記犠牲ハードマスク用の非結晶性炭素膜をエッチングして第2犠牲ハードマスクを形成するステップと、
少なくとも該第2犠牲ハードマスクをエッチングマスクとして前記ハードマスク用の絶縁膜をエッチングし、ハードマスクを形成するステップと、
前記第2犠牲ハードマスク及び前記ハードマスクをエッチングマスクとして前記被エッチング層をエッチングし、所定のパターンを形成するステップと
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項18】
前記フォトレジストパターンを形成するステップにおいて、ArFまたはF2露光源を用いたフォトリソグラフィー工程を用いることを特徴とする請求項16または請求項17に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項19】
前記犠牲ハードマスク用の物質膜が、
ポリシリコン膜、Al膜、W膜、WSix(xは1ないし2)膜、WN膜、Ti膜、TiN膜、TiSix(xは1ないし2)膜、TiAlN膜、TiSiN膜、Pt膜、Ir膜、IrO2膜、Ru膜、RuO2膜、Ag膜、Au膜、Co膜、TaN膜、CrN膜、CoN膜、MoN膜、MoSix(xは1ないし2)膜、Al2O3膜、AlN膜、PtSix(xは1ないし2)膜及びCrSix(xは1ないし2)膜からなるグループから選択された少なくとも何れか1つの薄膜を含むことを特徴とする請求項17に記載の半導体素子の製造方法。
【図1A】
【図1B】
【図2A】
【図2B】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図3D】
【図4】
【図5】
【図6A】
【図6B】
【図7】
【図8A】
【図8B】
【図8C】
【図8D】
【図8E】
【図8F】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12A】
【図12B】
【図12C】
【図12D】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図1B】
【図2A】
【図2B】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図3D】
【図4】
【図5】
【図6A】
【図6B】
【図7】
【図8A】
【図8B】
【図8C】
【図8D】
【図8E】
【図8F】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12A】
【図12B】
【図12C】
【図12D】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【公開番号】特開2006−41486(P2006−41486A)
【公開日】平成18年2月9日(2006.2.9)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2005−170855(P2005−170855)
【出願日】平成17年6月10日(2005.6.10)
【出願人】(591024111)株式会社ハイニックスセミコンダクター (1,189)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成18年2月9日(2006.2.9)
【国際特許分類】
【出願日】平成17年6月10日(2005.6.10)
【出願人】(591024111)株式会社ハイニックスセミコンダクター (1,189)
【Fターム(参考)】
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