【課題】種々の材料のガスクラスタイオンのビーム（ＧＣＩＢ）エッチングプロセスを実行するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】第１の材料、第２の材料及び前記第１の材料及び／又は第２の材料を曝露する表面を持つ基板を保持するための基板ホルダ回りを減圧環境に維持し、１又はそれ以上の目標エッチングプロセス特性を選択し、少なくとも１つのエッチングガスを含む加圧ガスからガスクラスタイオンビーム（ＧＣＩＢ）を形成し；前記１又はそれ以上の目標エッチングプロセス特性を達成するために前記ＧＣＩＢについてのＧＣＩＢプロセス条件の１又はそれ以上のＧＣＩＢ性質を設定し；前記減圧環境を通じて前記ＧＣＩＢを加速し；及び前記基板の前記表面の少なくとも１部分に前記ＧＣＩＢを照射して、前記第１の材料及び前記第２の材料の少なくとも１部分をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】透明性が高く、エッチング選択性が高く、アッシング可能なハードマスク（ＡＨＭ）を提供する。
【解決手段】プラズマ化学気相成長チャンバ内に基板を配置する段階を備える成膜方法を開示する。炭素系の第１のアッシング可能ハードマスク（ＡＨＭ）層１０を基板上に成膜する。第１のＡＨＭ層の成膜時に、シリコン、シラン、ホウ素、窒素、ゲルマニウム、炭素、アンモニア、および、二酸化炭素から成る群から選択される少なくとも１つのドーパントでドープを行う。少なくとも１つのドーパントの原子濃度は、第１のＡＨＭ層の５％以上である。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド半導体の不純物の新しい混入状態を実現する。
【解決手段】ダイヤモンド半導体は、ダイヤモンド１０とダイヤモンド１０内にドーピングされる不純物で構成される。不純物のドーピングにより、ダイヤモンド１０内に複数の高濃度ドープ領域２０が形成される。各高濃度ドープ領域２０は、ダイヤモンド１０内において空間的に局在化されており、そして、ダイヤモンド１０内において複数の高濃度ドープ領域２０が分散的に配置されている。不純物のドーピングによりキャリア生成のための活性化エネルギーを低下させつつ、各高濃度ドープ領域２０の局在化によりキャリア移動度の低下を抑えることが可能になる。 （もっと読む）

本発明は、ガリウムで汚染された層（１２０），（２２０）の電子ビーム誘起エッチング方法に関する。本方法は、エッチングガスとして、少なくとも１種類の第１ハロゲン化合物を、電子ビームが層（１２０），（２２０）に衝突する位置に供給する方法ステップ、および、ガリウムを同位置において除去する前駆体ガスとして、少なくとも１種類の第２ハロゲン化合物を供給する方法ステップ、を含むものである。 （もっと読む）

【課題】高ドーズイオンが注入されたレジストを良好に除去することができる除去工程を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも酸素分子及び水素分子を含む反応ガスをプラズマ処理し、ウエハ６００からレジスト中の有機成分を除去する第１の除去工程と、第１の除去工程に続いて、少なくとも水素分子を含む反応ガスをプラズマ処理し、ウエハ６００からドーパント析出物を除去する第２の除去工程とを経て、ウエハ６００から高ドーズイオンが注入されたレジストの除去がなされる。 （もっと読む）

【課題】近くの導電層とのショートを防止しつつ、上層のプラグと下層のプラグとの接触面積を拡大する。
【解決手段】半導体装置１０は、シリコン基板１１の上部に順次に形成された層間絶縁膜１２及び層間絶縁膜１６と、層間絶縁膜１２を貫通し、頂面が層間絶縁膜１６の内部にあるコンタクトプラグ１４と、層間絶縁膜１６中に形成され、層間絶縁膜１６の頂部から下方に向かって径が小さくなるテーパ形状を有する第１部分と、この第１部分から下方に向かって径が大きくなるテーパ形状を有し、その底面がコンタクトプラグ１４の頂面に略整合する第２部分とを有するビアプラグ１９とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来の反応性イオンエッチングの間、揮発性の化合物を生成しない元素、例えばイットリビウム（Ｙｂ）が注入されたポリシリコンゲートをエッチングすることを目的とする。
【解決手段】本発明は、従来の反応性イオンエッチングを用いて、揮発性の化合物を形成しない元素を含むスタックをパターニングする方法に関する。より詳細には、上記元素はイットリビウム（Ｙｂ）等のランタニド元素であり、上記パターニングは、例えばイットリビウム等のランタニド元素がドープされたシリコン及び／又はゲルマニウム含有構造（例えばゲート）である（例えばＹｂドープゲート）。当該シリコン及び／又はゲルマニウム含有構造がゲート電極である場合、ゲート電極の仕事関数をモデリングするため、上記シリコン及び／又はゲルマニウムにランタニド元素（例えばＹｂ）をドープする。 （もっと読む）

【課題】フレキシブル基板上に室温成膜した比較的厚いＩＴＯ薄膜をエッチングにより残渣やサイドエッチなくパターニングすること。
【解決手段】不純物ドープ酸化インジウム薄膜のパターニング方法において、ドライエッチング法により該不純物ドープ酸化インジウム薄膜のエッチングを行う工程と、
ウェットエッチング法により前記ドライエッチング法を行った不純物ドープ酸化インジウム薄膜のエッチングを行う工程とを行うパターニング方法を用いる。具体的には、ＩＴＯ薄膜を約５０ｎｍ残すように上部をドライエッチングによりエッチングによりエッチングし、連続してウェットエッチングによりエッチングしてパターニングを行うパターニングを方法。 （もっと読む）

【課題】基板の乾式化学処理方法及びその使用法を提供する。
【解決手段】本発明は、加熱された反応チャンバ内で、エッチング剤として塩化水素を含有するガスによりシリコン、セラミック、ガラス、及び石英ガラスから成る群から選択される基板を処理する基板の乾式化学処理方法、及びこの方法により製造することができる基板に関する。本発明は、上記の方法の使用法にも関する。 （もっと読む）

【課題】 ゲート電極のエッチングの制御を容易にし、オーバーエッチングを回避した設計どおりのトランジスタ素子を実現する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子領域１１のゲート絶縁膜１２上にポリシリコン層１３が形成されている。このポリシリコン層１３は、不純物のドープされた領域１３１とノンドープ領域１３２が混在したものとなっている。このようなポリシリコン層１３を同一のドライエッチング工程でパターニングする場合、エッチングレートの違いから不純物のドープされた領域１３１の方が早くエッチングされてしまう。そこで、上記ドライエッチング工程の前に、予めポリシリコン層１３におけるノンドープ領域１３２の全域を所定厚さ分除去しておくプリエッチング工程を設けている。 （もっと読む）