【課題】フォトレジストパターンの側壁にスペーサ膜を形成し、スペーサをエッチングマスクとして用いて微細金属パターンを形成すると同時に、金属配線の断線部分は前記フォトレジストパターン間の間隔を狭めて前記スペーサが接し合うようにし、微細金属パターンが形成されることを防止する半導体素子の金属配線方法の提供。
【解決手段】半導体基板上に絶縁膜を形成する段階と、前記絶縁膜を含んだ全体構造上に複数（多数）の平行なフォトレジストパターンを形成する段階と、前記フォトレジストパターンの側壁にスペーサを形成する段階と、前記フォトレジストパターンを除去して前記絶縁膜を露出させる段階と、前記露出する絶縁膜をエッチングしてダマシンパターンを形成する段階と、前記スペーサを除去する段階と、前記ダマシンパターンを含んだ全体構造上に金属物質を形成した後、平坦化して金属配線を形成する段階とを含む、半導体素子の金属配線形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】歪み発生層に緩和が生じにくい半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１１の上に形成されたゲート電極１５と、ゲート電極１５の両側面上に形成され、断面Ｌ字状の内側サイドウォール１７Ｂと、半導体基板１１におけるゲート電極１５の両側方の領域に埋め込まれた歪み発生層１９とを備えている。内側サイドウォール１７Ｂは、５×１０¹⁹／ｃｍ³以上の炭素を含む炭素含有シリコン酸化膜からなる。歪み発生層１９は、１％以上の炭素を含む炭素含有シリコンエピタキシャル層を有する。 （もっと読む）

【課題】簡単な方法でダイシング処理の後にウェハの剛性を維持すること。
【解決手段】半導体ウェハ１において、素子構造６の形成された中央領域４以外の外周余剰領域５の裏面の外周端部にリブ２が形成されている。リブ２の形成されたウェハ１の裏面の全面には、隙間が入らないように薄膜樹脂３が形成されている。また、ウェハ１のおもて面からダイシング処理がおこなわれ、リブ２を残したまま、素子構造６が個々のチップ８に区切られている。このため、ダイシング処理の後にも、リブ２と個々のチップ８とが薄膜樹脂３によって固定されている。 （もっと読む）

【課題】トレンチ形成工程を有する半導体装置の製造方法において、スループットを改善し、製造コストの低減を図ること。
【解決手段】チャンバー内に保護膜形成ガスとエッチングガスを交互に供給しながら、高いエッチング速度でチャンバー内の半導体基板にトレンチを形成する。トレンチ形成後、半導体基板を高温還元性雰囲気中でアニール処理して、トレンチ２４の側壁に存在する凹凸を消滅させ、トレンチ側壁を平滑化する。また、そのような方法に従って、ｎ型半導体２２に所定のピッチでトレンチ２４を形成し、トレンチ２４内にｐ型半導体をエピタキシャル成長させてトレンチ２４をｐ型半導体で埋めることにより、ｎ型半導体領域とｐ型半導体領域とが交互に繰り返し接合された並列ｐｎ構造を有する半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】サイドエッチングおよびオーバーエッチングの双方を抑制することができる金属パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】基板１上に金属膜２が堆積される。金属膜２上に金属膜２の一部を覆うマスク３が形成される。異方性エッチングにより金属膜２のマスク３から露出された部分を厚み方向に部分的にエッチングすることで、金属膜２に異方性エッチングにともなう再付着膜４に覆われた側壁が形成される。側壁を有する金属膜２ｍのマスク３から露出された部分と再付着膜４とを基板１の材質のエッチング速度よりも金属膜２ｍの材質のエッチング速度が大きくなるようなエッチング条件で等方性エッチングによりエッチングすることで、金属パターン２ｐが形成される。 （もっと読む）

【課題】エッチ処理に高アスペクト比を適用するための異方性特徴部を形成する方法を提供する。本願に記載の本方法は高アスペクト比の特徴部のプロファイルと寸法の制御を円滑に行い、有利である。
【解決手段】一実施形態において、基板上で誘電体層を異方性エッチングする方法は、誘電体層上にパターンマスク層が配置された基板をエッチチャンバ内に配置し、少なくともフッ素・炭素含有ガスとケイ素・フッ素ガスを含むガス混合物をエッチチャンバに供給し、ガス混合物から形成したプラズマの存在下で誘電体層に特徴部をエッチングすることを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部をエッチング対象の膜に形成することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】シリコン基材上にＴＥＯＳ膜５１、ＴｉＮ膜５２、反射防止膜５３及びフォトレジスト膜５４が順に積層され、フォトレジスト膜５４は反射防止膜５３の一部を露出させる開口部５５を有するウエハＷにおいて、ＣＦ系デポ性ガスであるＣＨＦ_３ガス及びハロゲン系ガスであるＨＢｒガスの混合ガスから生成されたプラズマによって露出する反射防止膜５３をエッチングしてＴｉＮ膜５２の一部を露出させた後に、開口部５５の側面にデポ５６を堆積させることにより開口部５５の幅（ＣＤ値）を調整し、その後、Ｃｌ_２ガス及びＮ_２ガスの混合ガスから生成されたプラズマによって露出したＴｉＮ膜５２をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】対レジスト選択比を向上させ、１．０μｍ以上の深さのエッチングを可能とするとともに、エッチングレートを速め加工時間を短縮することが可能な高誘電体材料の加工方法を提供すること。
【解決手段】フッ素に対する炭素の比の大きいガスを使用し、高密度プラズマ・大流量・高真空プロセスを使用することで対レジスト選択比を向上させ、幅３μｍ、高さ１．５μｍのリッジ加工が可能となる。また、酸素放電による結晶回復、結晶欠陥除去を実施することで光散乱を抑制することができ、光閉じ込めが実現できる。 （もっと読む）

【課題】所望の形状を有するゲート電極を形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に形成された半導体膜を加工してゲート電極を形成する工程と、ＨＢｒ、Ｃｌ_２、ＣＦ_４、ＳＦ_６若しくはＮＦ_３のうち少なくとも１つおよびＯ_２を含み、Ｏ_２の流量が全体の流量の合計の８０％よりも大きいガス、または、ＨＢｒ、Ｃｌ_２、ＣＦ_４、ＳＦ_６若しくはＮＦ_３のうち少なくとも１つ、Ｏ_２およびＮ_２を含み、Ｏ_２およびＮ_２の流量の合計が全体の合計の８０％よりも大きいガスのプラズマ放電により、前記ゲート電極の側面に保護膜を形成する工程と、前記保護膜を形成した後、前記半導体基板上の前記半導体膜の残渣を除去する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】より微細な配線が形成された半導体装置を容易に製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に導電性膜を形成する工程と、前記導電性膜上に犠牲膜を形成する工程と、前記犠牲膜をパターニングする工程と、パターニングされた前記犠牲膜の側面に、サイドウォールを形成する工程と、パターニングされた前記犠牲膜を除去する工程と、前記サイドウォールをマスクとして用いて前記導電性膜をパターニングして、配線を形成する工程とを有する方法により、半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコンまたはハードマスクに対するＨｉｇｈ−Ｋ材（Ａｌ_２Ｏ_３等）との選択比を有するエッチング方法を提供する。
【解決手段】ハードマスク１１の層間絶縁膜（Ａｌ_２Ｏ_３等のＨｉｇｈ−Ｋ材）１４と層間絶縁膜に接するＰｏｌｙ−Ｓｉ１５を有する試料をプラズマエッチング装置を用いてエッチング処理する半導体装置の製造方法において、Ｈｉｇｈ−Ｋ材１４のエッチング処理を、ＢＣｌ_３とＨｅとＨＢｒを用いて、試料台の温度を常温として、高バイアス電圧を時間変調して印加して行い、さらにこのエッチング処理とＳｉＣｌ_４とＢＣｌ_３とＨｅを用いたデポ処理を繰り返し行う。 （もっと読む）

【課題】アモルファスカーボン膜をハードマスク形状に加工する際、ボーイングやパターンの細りの起こらないアモルファスカーボンハードマスクの形成方法を提供する。
【解決手段】アモルファスカーボン膜１３を加工する際、途中まで加工した後（１６）、露出したアモルファスカーボン膜の側壁に酸化膜からなる保護膜１２ｂを形成する。特に、この保護膜を、アモルファスカーボン膜を加工する際の中間マスク層１２ａをスパッタリングすることで形成する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、Ｈｉｇｈ−ｋ膜である金属酸化物を、下地ポリシリコン膜との高い選択性（比）を保ちつつ、パターンの疎部と密部によるエッチング速度差、及び形状差の小さいエッチング特性を有するＨｉｇｈ−ｋ膜のドライエッチング方法を提供することである。
【解決手段】
プラズマを用いＨｉｇｈ−ｋ膜をドライエッチングする方法で、希ガスと混合したＢＣｌ₃ガスに、炭素元素比率の高いフルオロカーボンガスを微少添加する構成とした。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比を有する銅含有アルミニウム膜及びバリアメタル膜のドライエッチングにおいて、良好な加工形状を実現する。
【解決手段】絶縁膜上に、高融点金属を含有する金属導電膜と、銅含有アルミニウム膜と、マスク層を順次形成し、ドライエッチングによってこの金属導電膜及び銅含有アルミニウム膜の配線パターンを形成するドライエッチング方法を前提とする。そして、このようなドライエッチング方法において、炭化水素系ガスを含まない塩素系ガスを用いて上記銅含有アルミニウム膜をエッチングする工程と、炭化水素系ガスを含む塩素系ガスを用いて上記金属導電膜をエッチングする工程とを備える。即ち、銅含有アルミニウム膜の側壁保護に効果のあるメタンガスを、銅含有アルミニウム膜のドライエッチングが終了した後に添加することで、サイドエッチングを防止するのである。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された有機膜をエッチングするにあたり、良好なエッチング形状を得ること。
【解決手段】シリコン含有膜をプラズマによりエッチングして当該膜上のパターンマスクのパターンを転写する工程と、前記パターンマスクを除去して前記シリコン含有膜の表面を露出させる工程と、プラズマ中の酸素の活性種により前記シリコン含有膜のパターンを介して前記有機膜の表面をエッチングし、凹部を形成する工程と、その後、前記シリコン含有膜をスパッタして前記凹部の内壁面にシリコン含有物からなる保護膜を形成する工程と、凹部を、プラズマ中の酸素の活性種により前記シリコン含有膜のパターンを介して更に深さ方向にエッチングする工程と、を行うことで、凹部の側壁を酸素の活性種から保護しながらエッチングを行うことができるため良好なパターン形状が得られる。 （もっと読む）

【課題】成膜レートの安定化、面内均一性の向上およびターゲットの長寿命化を図る。
【解決手段】プラズマ形成空間２１ａを形成する真空槽２１と、この真空槽の上部を閉塞する天板２９と、プラズマ形成空間にプラズマを発生させる高周波コイル２３と、磁気コイル群２４と、プラズマ形成空間に設置された基板支持用のステージ２６と、プラズマ形成空間へプロセスガスを導入するガス導入部３３と、天板に固定されたスパッタリング用のターゲット４０とを備え、エッチング処理とスパッタ処理を交互に行って基板の表面に高アスペクト比の孔又は溝を形成するプラズマ処理装置２０であって、ターゲット４０の外周部をプラズマ形成空間に向かって突出形成することによって、ターゲットの外周部の集中的な摩耗による成膜レートのバラツキ、面内均一性の低下およびターゲットの寿命の低下を抑制する。 （もっと読む）

【課題】被エッチング膜の上に積層された、有機膜と、その有機膜の上に積層されたレジストパターンが開口したレジスト膜とを備える、被エッチング膜のエッチングマスクとなる複数層レジストの前記有機膜に、高い垂直性を有するマスクパターンを形成すること。
【解決手段】前記複数層レジストの前記有機膜を、二酸化炭素と水素とを含む処理ガスをプラズマ化して得たプラズマにより前記レジストパターンに沿ってエッチングして、前記被エッチング膜をエッチングするためのマスクパターンを形成する。実験により複数層レジストを構成する有機膜に垂直性が高いマスクパターンを得ることができることが示されている。 （もっと読む）

【課題】 大幅な工程の増加を招来することなく、同一チップ内における埋め込み用絶縁膜の表面の平坦性を担保可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＳｉＯ_２膜２が堆積された半導体基板１上に、ＳｉＮ膜３、ポリシリコン膜４、ＳｉＯＮ膜５を堆積後、パターニングする。次に、ウェットエッチング処理を行い、ＳｉＯＮ膜５の基板面と平行方向に係る寸法をポリシリコン膜４よりも小さくする。次に、全面にサイドウォール形成用絶縁膜１２を堆積し、異方性エッチング処理を施す。次に、半導体基板１に対して異方性エッチング処理を施し、トレンチ１３を形成する。このとき、ＳｉＮ膜３の外周部分に突出部１２が形成される。その後、全面に埋め込み用絶縁膜を堆積した後、研磨処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】１回のフォトリソグラフィ工程により、従来の二重パターニング法と同程度の微細パターンを形成することが可能で、パターンの線幅の均一性の確保及び製造コストの節減が可能な半導体素子の微細パターン形成方法を提供すること。
【解決手段】被エッチング層２０上に、エッチング停止膜２２及び犠牲膜を順に形成するステップと、犠牲膜上にフォトレジストパターンを形成するステップと、フォトレジストパターンをエッチングバリアとして、犠牲膜をエッチングすることにより、犠牲膜パターンを形成するステップと、犠牲膜パターンの両側壁にスペーサ２５を形成するステップと、犠牲膜パターンを除去するステップと、スペーサ２５をエッチングバリアとして、エッチング停止膜２２及び被エッチング層２０を順にエッチングするステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】ディープシリコンエッチングにおけるマスクアンダカットの最小化
【解決手段】シリコン層内に構造を形成するための方法が提供される。シリコン層の上に、複数のマスク開口を伴うマスクが形成される。Ｃ₄Ｆ₈を含む水素フリー堆積ガスを流すこと、堆積ガスからプラズマを発生させること、少なくとも２０秒間にわたってプラズマからポリマを堆積させること、および少なくとも２０秒間の後にポリマの堆積を停止させることによって、マスクの上にポリマ層が堆積される。開口ガスを流すこと、複数のマスク開口の底面に堆積されたポリマを複数のマスク開口の側面に堆積されたポリマについて選択的に除去するプラズマを開口ガスから発生させること、および複数のマスク構造の少なくとも一部が開口されたときに開口を停止させることによって、堆積ポリマ層は、開口される。シリコン層は、マスクおよび堆積ポリマ層を通してエッチングされる。 （もっと読む）