【課題】 連続的にウエハを処理した場合のウエハ温度の変動を抑えることができるようにしたウエハ処理装置を提供すること。
【解決手段】 真空チャンバ９内のウエハステージ２のセラミック板１５の上に順次１枚づつウエハ１を載置し、このときウエハ１とセラミック板１５の間に導入される熱伝導性ガスの圧力を調整してウエハ１の温度を制御し、プラズマ６を用いて順次加工して行く際、伝熱ガスの圧力をウエハ毎に調整する処理とエージング条件の最適化による処理及びヒータ条件の最適化による処理のいずれ実行してロット内ウエハ温度変動を低減するかが選択でるようにしたもの。選択した処理項目については、処理装置の制御コンピュータにより演算することで処理条件を決定し、この決定に基づき処理する。
ロット内のウエハ温度変動を容易な操作で低減することができるので、特に温度の影響が大きな処理などでも極めて再現性のよいプラズマ処理を得ることができる。
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本発明は、ガスを交互プラズマエッチング／デポジション室に導入する改良された方法を提供する。デポジション及びエッチングガス供給装置がオン及びオフにスイッチされた時、交互エッチング／デポジション室への圧力パルスの導入を最小にするために、マスフローコントローラーを用いて、相対的に一定のガス流量を供給する。交互エッチング／デポジション室へのガス導入口が閉じられた時、マスフローコントローラーからガスの流れに代替経路を提供するように、ガスのバイパス又はガスの排出口を設けてある。バイパス又は排出口の設置は、マスフローコントローラーから受け入れるガスの圧力を実質的に一定の水準に維持する。ガスの圧力パルスの消滅又は最小化は、交互エッチング／デポジション室でシリコン基板にエッチングした高アスペクト比機構を有する壁の平滑性を高めることに役立つ。
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【課題】 マスクを用いたエッチング加工を改良した半導体素子の作製方法及び半導体素子を提供すること。
【解決手段】 ＳｉＯ_２膜６３上にレジストを塗布した後に回折格子作製マスク用のレジストパターン６４を作製する（ｃ）。レジストパターンをマスクとしてＳｉＯ_２膜を加工することにより、レジストパターンをＳｉＯ_２膜６３に転写する（ｄ）。レジストパターン６４を除去することにより、ＩｎＰ上に傾斜面ａを有する導波層構造を作製するためのＳｉＯ_２マスクが形成される（ｅ）。マスクから半導体表面への塩素プラズマの拡散によりマスク端から離れるにつれてエッチング深さが浅くなり、傾斜面ａを有する形状が形成される（ｆ）。最後にＳｉＯ_２膜６３を、炭化フッ素系ガスを用いたＲＩＥにより除去する（ｇ）。 （もっと読む）

【解決手段】フォトレジストマスクの下方の誘電体層をエッチングするための方法が提供されている。フォトレジストマスクの下方に配置された誘電体層を有するウエハが、エッチングチャンバ内に供給される。ＣＦ₄およびＨ₂を備えるエッチングガスが、エッチングチャンバに供給される。ＣＦ₄は流速を有し、Ｈ₂は流速を有し、Ｈ₂の流速はＣＦ₄の流速よりも大きい。エッチングガスから、プラズマが形成される。エッチングガスから形成されたプラズマを用いて、エッチングマスクを通して誘電体層に形状がエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】高精度なエッチング形状を得ることができるとともに、エッチング形状のシリコン基板毎のバラツキを抑えることができるエッチング装置などを提供する。
【解決手段】エッチング装置１は、処理チャンバ１１と、処理チャンバ１１内にエッチングガス及び保護膜形成ガスを供給するガス供給装置２０と、コイル３１と、コイル３１に高周波電力を印加してエッチングガス及び保護膜形成ガスをプラズマ化する電力供給装置３２と、ガス供給装置２０などを制御する制御装置４０と備える。制御装置４０は、シリコン基板Ｋをエッチングするエッチング工程と、シリコン基板Ｋに保護膜を形成する第１保護膜形成工程と、耐エッチング性の高い保護膜をシリコン基板Ｋに形成する第２保護膜形成工程とを実行するように構成されるとともに、エッチング工程と第１保護膜形成工程とを交互に所定回数繰り返した後に第２保護膜形成工程を実行するように構成される。 （もっと読む）

【課題】 レジストパターンと反射防止膜との寸法変換差を小さくすることができるようにした配線の形成方法及び電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】
シリコン基板１上に形成されたポリシリコン膜１３及びＷＳ膜１５を配線形状にパターニングして当該ポリシリコン膜１３及びＷＳ膜１５からなるゲート配線１０を形成する方法であって、ポリシリコン膜１３及びＷＳ膜１５の上方にＢＡＲＣ膜２１を形成し、このＢＡＲＣ膜２１上にフォトレジストを塗布し、このフォトレジストを配線形状に露光し、現像処理してレジストパターン３２を形成し、このレジストパターン３２をマスクにＢＡＲＣ膜２１をＣＨＦ_３ガスとＣＦ_４ガスとＯ_２ガスとからなる第１混合ガスでドライエッチングする。ＢＡＲＣ膜２１をドライエッチングする際に、ＢＡＲＣ膜２１のレジストパターン３２で覆われた部分の側面にポリマー４１を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 無機ポーラス低誘電率材料に及ぼすダメージを大幅に低減し、容易且つ確実にビア孔及び配線溝の形成等を行う。
【解決手段】 ＳｉＯＣ系低誘電率材料からなる第１の絶縁膜１１２と、ポーラスシリカからなる第２の絶縁膜１１３を積層して配線間絶縁膜１１１を形成し、ＣＦ₄を含有するエッチングガスで第２の絶縁膜１１３を、Ｃ₄Ｆ₆を含有するエッチングガスで第１の絶縁膜１１２をそれぞれドライエッチングする。 （もっと読む）

【課題】既存の金属配線パターンマスクを用いてダマシン工程を実施しながら層間絶縁膜の幅を最大限確保し、金属配線間の間隔を広めて相互干渉を防止することにより、半導体素子の誤動作を防止することが可能な半導体素子の金属配線形成方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜１１〜１４の形成された半導体基板を提供する段階と、金属配線パターンマスクを用いたエッチング工程によって前記絶縁膜をパターニングして溝を形成するが、前記エッチング工程の際に発生するポリマーの量を制御し、パターニングされる前記絶縁膜の上部コーナー部位にラウンディング(rounding)１６を形成する段階と、前記溝が埋め込まれるように金属配線を形成する段階と、このラウンディング部が除去されるようにＣＭＰ工程により全体構造上部を平坦化する段階を含む。 （もっと読む）

プラズマ処理チャンバを含むプラズマ処理システムにおいて、基材のエッチングに対する耐性を最適化する方法について開示する。該方法は、エッチングガス混合物と親和性を有するプレコート（pre-coat）ガス混合物をプラズマ処理チャンバに流入させる工程；プレコートガス混合物の第一プラズマを照射する工程；基材を含む基板を導入する工程を含む。また該方法は、プラズマ処理チャンバ内にエッチングガス混合物を流入させる工程；エッチングガス混合物からの第二プラズマを照射する工程；第二プラズマにより基板をエッチングする工程；を含む。
そして、プラズマ処理チャンバ内で、第一プラズマが表面にプレコート残留膜を形成し、基材のエッチング耐性を実質的に維持することを特徴とする。 （もっと読む）

エッチングチャンバー（１２）中に配置された基板（２１）に構造を、殊にシリコン基板にエッチングマスクによって定義された基板の構造を、プラズマ（２２）を用いて異方性エッチングするための方法及びプラズマ装置（５）が提案される。これに関して、エッチングチャンバー（１２）に少なくとも一時的にエッチングガス及び少なくとも一時的にパッシベートガスが供給され、この場合エッチングチャンバー（１２）へのパッシベートガスの供給は０．０５秒〜１秒のパッシベートガスサイクルの時間的な長さで周期的に行われる。プラズマ装置（５）の場合には、これに関して基板（２１）に対して作用するプラズマ（２２）を発生させることが可能なプラズマ供給源（１９）の他に、エッチングチャンバー（１２）へのエッチングガスの少なくとも一時的な供給及びパッシベートガスの少なくとも一時的な供給のための手段（１７、２３、２４、２５、２６、２７、２８、２９、３０）が設けられていて、前記手段はパッシベートガスがエッチングチャンバー（１２）へ周期的に供給可能なように構成されていて、この場合パッシベートガスサイクルは０．０５秒〜１秒の時間的な長さを有する。
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【課題】可視域の波長より微細な周期で、断面が波型をなすレジストパターンを用いても、下層の被エッチング膜に同じ周期をも持たせ、しかも、アスペクト比が高くてエッチング形状が矩形を成す微細構造を有する光学素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】可視域の波長より微細な周期で、断面が波型を成すレジストパターンの下層に金属膜或は金属化合膜を少なくとも１層形成した構成において、金属膜或は金属化合膜をスパッッタリングし、波型を成すレジストパターンの側壁面に該金属膜或は金属化合膜を形成し、これをマスクとして下層の被エッチング膜をドライエッチングする。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板の表面にミクロンサイズ以下の三次元形状を精度よく加工できるシリコン基板加工方法を提供する。この加工方法を用いて加工された光学素子用金型及び光学素子用金型母型、更に光学素子用金型により加工された光学素子及び回折格子を提供する。
【解決手段】 このシリコン基板加工方法は、シリコン基板上にレジストを塗布し、レジストを三次元形状に形成し、レジストをマスクとしてドライエッチングによりシリコン基板を加工しシリコン基板の表面に三次元形状を形成し、ドライエッチングの終点をレジストマスクの消失の程度に基づいて決める。 （もっと読む）

【課題】基板上のフォトレジストエッチングマスクを通して低ｋ誘電体層中にフィーチャをエッチングする方法を提供する。
【解決手段】単一のフォトレジストマスクを剥離するガス変調された周期的剥離プロセスが３サイクルより多く行われる。ガス変調された周期的剥離プロセスのそれぞれのサイクルは、保護層形成フェーズおよび剥離フェーズを実行することを含む。保護層形成フェーズは、堆積ガス化学物質と共に第１ガス化学物質を用い、保護層形成フェーズはそれぞれのサイクルについて約０．００５〜１０秒行われる。フォトレジストマスクを剥離する剥離フェーズは、剥離ガス化学物質を用いた第２ガス化学物質を用い、第１ガスは第２ガスとは異なり、エッチングフェーズはそれぞれのサイクルについて約０．００５〜１０秒行われる。 （もっと読む）

【解決課題】本発明は、最少スカラップ基板処理方法に関する。
【解決手段】基板を少スカラップで処理することによって耐久性と品質が改善される。ポリマー蒸着ステップと基板エッチングステップとをあらゆる順序で交互に実施することで、エッチングマスクを通して層に特徴部をエッチング加工する。さらに、プロセスステップ間のプロセスガス圧は実質的に等しくてもよい。また、基板処理全体を通じて継続プラズマ流が維持される。また、プロセスガスが２５０ミリ秒以下で切り替えて、１体の質量流制御バルブによってプロセスガスをコントロールできる。 （もっと読む）

コンタクトホールのエッチングにおいて、エッチングの途中においてイオン照射のエネルギーだけでなく、ガス組成を変化させ、高速エッチングから低速エッチングに切り替え、ダメージを低減させる。低速エッチングでは、ガス組成をも変化させることにより、コンタクトホール底部に、強固なフロロカーボン膜を形成し、シリコン表面を保護した状態でエッチングすることができる。このため、シリコンにドープされた不純物の不活性化を防止できる。
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【課題】基板上の誘電体レイヤにおいてトレンチ深さまでトレンチをエッチングする方法を提供する。
【解決手段】ＡＲＣが前記誘電体レイヤ上に設けられる。厚さを有するフォトレジストマスクが前記ＡＲＣ上に形成される。前記ＡＲＣがエッチングされる。１：１および２：１の間であるフォトレジストに対する誘電体のエッチング選択性で、トレンチが前記誘電体レイヤ中へエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】レイヤ中にフィーチャを形成する方法を提供する。
【解決手段】レイヤ上にフォトレジストレイヤが形成される。フォトレジストレイヤがパターン付けされることによって、フォトレジスト側壁を持つフォトレジストフィーチャが形成され、フォトレジストフィーチャは第１微小寸法を有する。フォトレジストフィーチャの側壁上にコンフォーマルレイヤが堆積されることによって、フォトレジストフィーチャの前記微小寸法が低減される。レイヤ内でフィーチャがエッチングされ、レイヤフィーチャは、第１微小寸法より小さい第２微小寸法を有する。 （もっと読む）

本発明は、交互の周期的な、エッチングプロセス又は時分割多重プロセスの際に、終点を決定するための方法及び装置を提供する。基板がプラズマチャンバ中に置かれ、エッチングステップ及び堆積ステップを有する交互の周期的なプロセスにかけられる。プラズマ発光強度の変動が、既知の発光分析技法を用いてモニタリングされる。包絡線フォロアアルゴリズムを用いて、振幅情報が、プラズマ発光強度の複雑な波形から抽出される。この交互の周期的なプロセスは、終点がモニタリングステップに基づいた時間に到達すると停止される。
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