半導体デバイスを製造方法であって、２個のエッチング停止層（８、１１）間に挟み込み、また半導体薄膜（９）をバルク基板（１）から分離する犠牲層を有する積層構造を使用して、アンダーエッチングした構造を設ける。アクセストレンチ（４）およびサポートトレンチ（５）を、積層構造で、半導体層（９）および上側エッチング停止層（８）の厚さを貫通して形成する。サポートトレンチは犠牲層（１２）および下側エッチング停止層を貫通してより深く延長させ、充填する。犠牲層を露出させ、エッチング停止層まで選択的にエッチングして空洞（３０）を形成し、充填したサポートトレンチを有する垂直方向の支持構体を介してバルク基板に取り付けた半導体薄膜を形成。
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【課題】基板、特に微小電子半導体基板をプラズマ・エッチングする方法を提供すること。
【解決手段】本発明によれば、基板が設けられ、少なくとも１つのマスクが、基板上に付与される。当該マスクは基板上に堆積した後に構造化されてもよく、もしくは、既に構造化したマスクが付与される。当該構造はマスク内の開口を画定する。これらの開口は、異なる形状、たとえば、円形通路を形成するための丸い構造、ストライプ導体、または通路を画定するための長方形構造を有する。プラズマ・エッチング・プロセスを実施することによって、少なくとも開口において、材料が基板から除去される。 （もっと読む）

【課題】サブミクロン以降の微細ホール加工において、パターン内チャージアップに起因するパターン形状の曲がりを抑制した高精度加工を行う。
【解決手段】真空排気手段により真空排気されている真空容器と、当該真空容器に複数のガスを導入するガス導入手段と、被加工試料を設置する設置手段と、前記真空容器内にプラズマを発生させるための第１の電源と、前記設置手段を介して前記被加工試料に高周波バイアス電力を印加するための第２の電源と、前記各部を制御する制御手段を有するエッチング装置において、前記制御手段は、前記真空容器内でプラズマを発生させ、前記被加工試料にパターンを形成していく表面処理を行うエッチング工程と、当該エッチング工程で作成した前記被加工試料のパターン内のチャージアップを緩和するチャージアップ緩和工程を行うことを特徴とする。
【効果】チャージアップに起因するパターン形状の曲がりを改善できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、塩素をベースとするプラズマの使用のために化学的に非常に反応的な少なくとも一つの物質のスタックをドライエッチングするためのプラズマ組成、及びその使用方法を提供する。
【解決手段】５％から１０％までの少量の窒素がＢＣｌ_３を備えたプラズマに加えられ、異方性ドライエッチング方法に用いられる。これにより、真っ直ぐな断面が得られるように、側面の攻撃から垂直な壁面を保護するために、エッチングされるスタックの垂直な壁面に不動態化フィルムが堆積される。 （もっと読む）

【課題】炭素含有膜エッチング方法及びこれを利用した半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】炭素含有膜上に炭素含有膜の上面を一部露出させるマスクパターンを形成し、マスクパターンをエッチングマスクとして利用して、Ｏ_２、及びＳｉ含有ガスからなる混合ガスのプラズマによって炭素含有膜を異方性エッチングする炭素含有膜エッチング方法である。これにより、高密度セルアレイ領域で互いに隣接した２個のコンタクトホールの間隔が数十ｎｍまたはそれ以下のレベルに小さくなっても、コンタクトホールが互いに良好に分離して隣接した単位セル間の短絡が防止される。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造方法のエッチング処理を高速化するとともに、トレンチの端部にラウンド加工を施す。
【解決手段】 第１の反応ガスプラズマのステップで、開口部にテーパ−状のコーナー部を形成しながらハードマスクパターンの側壁に反応生成物を付着させ、第２の反応ガスプラズマのステップで、反応生成物を後退させながらテーパ−状のコーナーを露出させ、コーナー部の各ポイントに対し、連続的なエッチング開始のタイムラグを設け、反応生成物の形状変化に伴う非線形な後退速度と、前記タイムラグの設定にて、トレンチを加工すると共に上端部にトップラウンドを形成する。次にトレンチ内壁面に反応副生成物を形成し、前記反応生成物をイオン入射のマスクとしてボトムラウンドを形成する。 （もっと読む）

【課題】ＳＦ_６ガスとおよびＯ_２ガスを用いてＳＯＩ基板にトレンチを形成する際に、ハードマスク直下に発生するサイドエッチングや下層酸化膜層上に発生するサイドエッチングを抑制するとともに、ウェハの外周部に発生するブラックシリコンの発生を防止する。
【解決手段】ＳＯＩ基板に溝および／または穴を形成するエッチング方法であって、ＳＦ_６ガスとＯ_２ガスの混合ガスを用いて、混合ガスプラズマを生成し、処理容器内に設置する基板を載置する電極の温度を−３０〜―６０℃に制御し、連続した高周波のバイアスを印加する第１のエッチング工程と、時間的に変調した間欠的な１ＫＨｚ〜２ＭＨｚでデューティ比が２０〜５０％である高周波のバイアスをＳＯＩ基板に印加する第２のエッチング工程を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、チップコスト増加やスループットの低下を招くことの
ない微細なパターン形成を備えた半導体集積回路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によれば、ゲート（電極または配線）をパターンニングする
ステップを有する半導体集積回路装置の製造方法であって、レジストマスクによ
りゲート上のハードマスクをパターニングした後、レジストマスクを除去し、前
記ハードマスクを用いて、ゲート材料側面に反応生成物が残らないドライエッチ
ング条件によりゲート材料側面を細線化し、I型ゲートを形成することを特徴と
する。 （もっと読む）

【課題】ラインエッジ粗さを低減させて特徴をエッチングする
【解決手段】ラインエッジ粗さを低減させて層内に特徴を形成するための方法が提供される。層の上に、フォトレジスト層が形成される。フォトレジスト層は、フォトレジスト側壁をともなうフォトレジスト特徴を形成するために、パターン形成される。複数のサイクルを実施することによって、フォトレジスト特徴の側壁の上に、厚さ１００ｎｍ未満の側壁層が形成される。各サイクルは、単分子層から２０ｎｍまでの厚さを有する層をフォトレジスト層上に堆積させることを含む。フォトレジスト特徴を通して、層内に特徴がエッチングされる。フォトレジスト層および側壁層は、剥ぎ取られる。 （もっと読む）

シリコン等の基板に親水性トレンチをエッチングするのに適した方法が提供される。この方法は、異方性を実現するためのエッチング及び側壁パッシベーションプロセスを含む。エッチングされたトレンチの側壁は、パッシベーションガスプラズマ中の親水化ドーパントのおかげでエッチング時に親水性となる。この方法は、インクジェットプリントヘッドにおけるインク供給チャネルのエッチングに有用である。 （もっと読む）

【課題】処理チャンバ内のガスを効率的に入れ換えることで、エッチング速度を速くしたり、マスク選択比を高くしたり、高精度なエッチング形状を得ることができるエッチング方法などを提供する。
【解決手段】処理チャンバ内の基台上にシリコン基板を載置した後、処理チャンバ内のガスを排気して内部を減圧した状態で、処理チャンバ内にエッチングガスを供給してプラズマ化するとともに、基台にバイアス電位を与え、シリコン基板をエッチングするエッチング工程Ｅと、処理チャンバ内のガスを排気して内部を減圧した状態で、処理チャンバ内に保護膜形成ガスを供給してプラズマ化し、シリコン基板に保護膜を形成する保護膜形成工程Ｄとを交互に繰り返す。各工程Ｅ，Ｄが終了する所定時間前（符号ＥｅやＤｅで示す時間帯）になると、エッチングガス又は保護膜形成ガスの供給を停止するとともに、処理チャンバ内から排気する排気流量をそれ以前よりも多くする。 （もっと読む）

本発明は、基材の処理方法であって、
（ａ）チャンバー中で、反応性のエッチングガスを用いるエッチングステップ、および先行するエッチングステップにより既にエッチングされた構造の部分の側壁上に保護ポリマーを堆積するための堆積ステップを含む周期的なプロセスを用いて、基材に概ね垂直な構造をエッチングすること、および
（ｂ）基材の非存在下において、ステップ（ａ）における堆積ステップの実行によって物質が堆積したチャンバーを、洗浄することを含み、堆積に由来する物質の洗浄に続いて、チャンバーをＯ_２と少なくともエッチャントガスの活性元素との混合物を含むプラズマに暴露することによって、エッチャントガス由来の物質を取り除いてチャンバーが洗浄されることを特徴とした、基材の処理方法である。
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本発明は隔離領域形成法を含む。半導体材料内へ拡張する開口部が形成されることができ、下部周辺は直線化されないが開口部の上部周辺は直線部によって保護されることができる。開口部の広げられた領域を形成するために直線化されない部分が次にエッチングされることができる。その後、隔離領域を形成するために開口部が絶縁材料で満たされることができる。トランジスタ装置は隔離領域の向かい側に形成されることができ、そして隔離領域によってお互いに電気的に隔離されることができる。本発明はまた半導体材料内へ拡張する電気的絶縁隔離構造を含む半導体構造を含み、この構造は球根状底部領域および半導体材料の底部領域から表面へ上方向に拡張する幹領域を含む。 （もっと読む）

【課題】 狭スペースのトレンチを形成する場合にもサイドエッチングの発生を防止しつつ、トレンチのテーパ角が必要以上に小さくなることも防止する。
【解決手段】
誘導結合型プラズマエッチング装置から、臭化水素と窒素とを含む混合ガスを用いてプラズマエッチングを行ってトレンチを形成する。エッチング深さが大きくなるに従って、窒素の流量を減少させる。窒素の流量が零となる時点におけるエッチング深さは、トレンチの最小幅が小さくなる程大きくなる。 （もっと読む）

【解決手段】エッチング層に形状を形成するための方法が提供されている。フォトレジスト層が、エッチング層の上に形成される。フォトレジスト層は、フォトレジスト側壁を有するフォトレジスト形状を形成するようにパターン化される。制御層が、フォトレジスト層とフォトレジスト形状の底部とを覆うように形成される。フォトレジスト形状のクリティカルディメンションを低減するために、共形層が、フォトレジスト形状の側壁と制御層とを覆うように蒸着される。制御層貫通剤を用いて、制御層に開口部が設けられる。制御層貫通剤とは異なるエッチング剤を用いて、エッチング層に形状がエッチングされる。制御層は、共形層よりもエッチング剤によるエッチングに対するエッチング耐性が高い。 （もっと読む）

【課題】 パターンの密度に関係なく、エッチングによる反応生成物がマスク材料の側壁に付着することを抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、所望の目標パターンにパターニングされるべきマスク材料７０、８０を下地材料１０上に堆積し、目標パターンを含みかつそれよりも広い予備パターンにマスク材料をパターニングし、目標パターンにマスク材料をパターニングし、マスク材料をマスクとして用いて下地材料を処理することを具備する。 （もっと読む）

【課題】
金属膜のサイドエッチを抑制し、良好な形状の配線を形成することができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に金属膜を形成し、金属膜上にハードマスクを形成し、得られた基板を処理チャンバー内に設置し、前記処理チャンバー内を所定圧力に減圧し、前記処理チャンバー内にエッチングガスを供給すると共に、前記処理チャンバー内にプラズマを生成して金属膜をパターニングする工程を備え、前記エッチングガスが、不飽和炭化水素ガスを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】所望する微細な加工形状を得るための半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ナイトライド膜１０３及びレジストパターン１０４を覆うアモルファスカーボン膜にスパッタリングを行って、レジストパターン１０４の側壁上にアモルファスカーボン膜１０６を形成する。レジストパターン１０４とアモルファスカーボン膜１０６とをマスクにして、シリコン基板上１０１、酸化膜１０２及びナイトライド膜１０３をパターニングする。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板の表面におけるトレンチ開口率を大きくし、また、トレンチの深さを深くする。
【解決手段】 複数のトレンチを半導体基板に形成する半導体装置の製造方法において、少なくともＳＦ₆、及び、Ｏ₂を含むエッチングガスを用い、半導体基板の表面におけるトレンチ開口率が３０％以上５０％以下であり、深さが４０μｍ以上１５０μｍ以下であるトレンチ１３を形成する。このようにすると、ＳＦ₆、及び、Ｏ₂の流量を調整することでトレンチ側壁に対するエッチング生成物の堆積量を制御できる。 （もっと読む）

反射防止コーティング層構造（１９）内のフィーチャ（５６、５７、５９）の限界寸法を縮小する方法は、重合剤を利用することができる。反射防止コーティング層構造を用いて、種々の集積回路構造を形成することができる。反射防止コーティング層構造を用いて、ポリシリコン（５４）及び誘電体層（５２）から成るゲートスタック、導電線（８４）又は他のＩＣ構造を形成することができる。重合剤は、炭素、水素及びフッ素を含むことができる。
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