【課題】２回以上フォトレジスト層を露光することによって、基板層における部材をパターニングする方法を提供する。
【解決手段】炭素質マスク層は堆積されてから（２１０）、フォトレジスト層および中間層が動作（２１５）において炭素質マスク層上に堆積される。レチクルは基板層に整列され（２２５）、フォトレジストは第１回目の露光をされ（２３０）、第１の対のフォトレジストラインを形成する。基板層とレチクル間の整列を所定量だけオフセットして（２３５）、フォトレジストは２回目の露光がされ（２４０）、第１の露光によってプリントされたフォトレジストラインの少なくとも１つを分岐させる。２度目に露光されたフォトレジストは次いで現像される（２４５）。フォトレジスト層に形成された二重パターンによって、炭素質マスク層ならびに任意の他の非感光性中間層がパターニングされる（２５０）。 （もっと読む）

【課題】プロセス条件やマスク条件を変えることなく、容易にエッチング形状を制御することができるエッチング装置及び半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】真空チャンバ１０内に、被処理物２０を載置するステージ２２が設けられている。真空チャンバ１０内のステージ２２の上方に、ＩＣＰ電極２４（第１の電極）が設けられている。ＩＣＰ電極２４と真空チャンバ１０の天井１２の間に、平面状電極２６（第２の電極）が設けられている。真空チャンバ１０内に処理ガスを導入するガス供給手段１６が設けられている。高周波電源３２が、ＩＣＰ電極２４に接続され、かつ可変コンデンサ３６（可変容量素子）を介して平面状電極２６にも接続されている。高周波電源３２がＩＣＰ電極２４及び平面状電極２６に高周波電力を供給することで、真空チャンバ１０内に処理ガスの誘導結合プラズマが発生する。 （もっと読む）

本発明の実施形態はフォトマスクプラズマエッチングの後にインサイチュによるチャンバのドライクリーニングを行うための方法を含む。一実施形態において、本方法は支持ペデスタル上にフォトマスクを載置し、プロセスチャンバ内にプロセスガスを導入し、プロセスガスからプラズマを形成し、プラズマが存在する中フォトマスク上に載置されたクロムを含む層に対しエッチングを行い、支持ペデスタルからフォトマスクを取り除き、ペデスタルにダミー基板を載置し、ダミー基板が支持ペデスタル上に置かれている間に、プロセスチャンバに酸素を含むクリーニングガスを流すことによりインサイチュによるドライクリーニングプロセスを実行することを含む。
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基板中に狭いビアを形成するための方法および装置を提供する。従来型のリソグラフィによって、パターンリセスを基板中にエッチングする。パターンリセスの側壁および底部を含んでいる基板の表面の上方に薄いコンフォーマル層を形成する。コンフォーマル層の厚さは、パターンリセスの実効的な幅を縮小する。下方にある基板を暴露させるために、異方性エッチングによってパターンリセスの底からコンフォーマル層を除去する。次に、マスクとしてパターンリセスの側壁を覆っているコンフォーマル層を使用して基板をエッチングする。次に、ウェットエッチャントを使用してコンフォーマル層を除去する。
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【課題】高アスペクト比の孔または溝を穿孔する。
【解決手段】酸化シリコンからなる絶縁膜１に対して、Ｃ₅Ｆ₈、Ｏ₂およびＡｒのエッチングガスを用いプラズマエッチング処理を施し、絶縁膜１を選択的にエッチングすることにより、絶縁膜１に孔３を穿孔する際に、最初は、ポリマー層のデポジション性が弱い条件でエッチング処理を行い、続いてポリマー層のデポジション性が強い条件に切り換えてエッチング処理を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比のホールやトレンチの多段構造を高い加工精度で容易に形成することができるシリコン構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンからなる基材１に凹部４の一部である初期凹部４ａを形成する初期凹部形成工程と、初期凹部４ａの内側面４２ａに保護膜５ａを形成する保護膜形成工程と、内側面４２ａの保護膜５ａを残存させた状態で、初期凹部４ａ及び初期凹部４ａに隣接する周回領域４Ｒの基材１を深さＤ１，Ｄ２方向に異方性エッチングするエッチング工程と、残存させた保護膜５ａを除去して凹部４の全体を形成し、凹部４の内側に深さＤ１，Ｄ２方向の段差４１ｇを形成する保護膜除去工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜特性及び接着性が改善が可能な基板構造形成方法及びこれを用いて形成された基板構造を提供する
【解決手段】基板構造を形成する方法は、基板１０をエッチングして垂直面５１を有するエッチング部５０を形成する段階と、基板１０の全面上にまたは基板１０に部分的に拡散物質層６０を形成する段階と、拡散物質層６０を熱処理して、一部が上記エッチング部５０の表面の下へと拡散したシード層６０’を形成する段階、及びシード層６０’上に金属層７０を形成する段階とを含む。上記方法によれば、シード層６０’によって基板１０のエッチング部５０の表面特性が改善されることもあるので、エッチング部５０の垂直面５１に接着性に優れ且つ均一な厚さの金属層７０を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】垂直性の高い異方性エッチング形状と高いマスク選択比を同時に達成するシリコン構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の１つのシリコン構造体の製造方法は、エッチングガスと有機堆積物形成ガスが交互に導入されて形成されるプラズマを用いてシリコン基板をエッチングする過程で、そのエッチングの開始時から所定時間、エッチングガス導入時の基板への印加電力を一定にする第１電力印加工程と、その所定時間が経過した後にエッチングガス導入時の基板への印加電力を時間と共に上昇させる第２電力印加工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜に設けたホールパターンに形成された導電体膜の断線を防止できる構造を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、第１の導電体膜上に絶縁膜を形成し、絶縁膜を露出する開口部を有するマスク膜を用いた異方性エッチングにより、開口部に露出した絶縁膜の上部に凹部を形成すると共に、マスク膜の側壁部下部に反応生成物を付着させる。次に、等方性エッチングにより、マスク膜の側壁部を水平方向に後退させると共に、異方性エッチングにより、凹部の底部に露出した絶縁膜を垂直方向に掘り下げながら、マスク膜の側壁部下部に付着した反応生成物を除去する。次に、異方性エッチングにより、凹部の周囲に存在する絶縁膜を鉛直方向に掘り下げて段差部を形成すると共に、凹部の底部を貫通させて第１の導電体膜を露出させる。その後、第１の導電体膜の上に第２の導電体膜を形成する。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、基板エッチングシステム及びプロセスに関する。一実施形態において、本方法は、堆積プロセス中に基板上に材料を堆積し、第１エッチングプロセス中に基板の第１層をエッチングし、第２エッチングプロセス中に基板の第２層をエッチングすることを含み、第１プロセス中、第１バイアス電力が基板に印加され、第２エッチングプロセス中、第２バイアス電力が基板に印加される。別の実施形態において、システムは、第１ガスをチャンバに供給するための第１ガスパネルと、第２ガスをチャンバに供給するための第２ガスパネルと、ガスをチャンバに方向付けしてチャンバ及びパネル内外へのガス間の迅速なガス移行を促進するための複数のフローコントローラを備えたガス送出システムを含む。
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【課題】poly-Siからなる被エッチング層のドライエッチングにおいて良好な形状制御性と側壁荒れの低減を実現する。
【解決手段】基板７はSiO₂からなるエッチングストップ層上にpoly-Siからなる被エッチング層を備える。SF₆ガスとO₂ガスをチャンバ３内に導入し、かつＩＣＰコイル４と下部電極８に高周波電力を供給してエッチングを行う。エッチング深さが被エッチング層を貫通する直前に、O₂ガスをフルオロカーボン系ガスであるCF₄ガスに切り換えると共にSF₆ガスの導入を継続し、かつ下部電極８へのバイアス電力の供給を停止してエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】シリコン酸化膜に、プラズマエッチングすることにより、微細径、高アスペクト比のコンタクトホールを、略垂直でネッキングやボーイングの少ない良好な形状で形成することができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】シリコン酸化膜を、マスクを介して、処理ガスを用いてプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、前記処理ガスが、式（１）：ＣｘＨｙＦｚ〔式中、ｘは３〜６のいずれかの整数を表し、ｙは１〜４のいずれかの整数を表し、ｚは正の整数を表し、かつ、（ｙ＋ｚ）は２ｘ以下である。〕で表されるフッ素化炭化水素およびパーフルオロカーボンガスを含むことを特徴とするプラズマエッチング方法である。 （もっと読む）

【課題】メサ型半導体装置及びその製造方法において、耐圧を向上させると共にリーク電流を低減する。
【解決手段】半導体基板１の表面にＮ−型半導体層２を形成し、その上層にＰ型半導体層３を形成する。その後、Ｐ型半導体層３の表面から、ＰＮ接合部ＪＣ、Ｎ−型半導体層２、半導体基板１の厚さ方向の途中にかけてエッチングし、半導体基板１に近づくに従って幅が大きくなるメサ溝８を形成する。その後、前記エッチングにより生じたメサ溝８の内壁のダメージ層を、ウェットエッチングにより除去すると共に、Ｐ型半導体層３の表面に近い領域において、Ｐ型半導体層３の表面に近づくに従って幅が大きくなるようにメサ溝８を加工する。その後、半導体基板１及びそれに積層された各層からなる積層体をダイシングする。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチングにおける寸法制御及び形状制御を従来に比べて高精度で行うことができ、所望寸法及び所望形状のエッチングパターンを得ることのできるプラズマエッチング方法等を提供する。
【解決手段】パターニングしたＳＯＧ膜１０４をマスクとして、下層レジスト１０３をプラズマエッチングし、開口１１２を形成する。このプラズマエッチング工程では、処理ガス（エッチングガス）として、酸素を含むガスと、硫黄を含み酸素を含まないガスを含む混合ガスを使用する。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比１０以上のコンタクトホール形成に際して、デポ物の除去効率を高める半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】コンタクトホールのホールエッチング後、フルオロカーボン系ガスと酸素を酸素過多で含む処理ガスでバイアス無印加の条件でライトエッチングし、ホール３側壁に付着するＣ−Ｆ結合を有する反応生成物５をプラズマ処理で除去し、その後ＷＥＴ処理によりホール底に残存するデポ物４を除去してから、ホール内に導電材料を埋め込みコンタクトプラグ７を形成する。 （もっと読む）

【課題】 配線部の占有面積が半導体装置の面積に比べ非常に小さい場合においても半導体装置の特性に影響を与えることなく、サイドエッチなどによるアンダーカットなどの無い、良好な断面形状を有する金属配線の形成方法を提供する。
【解決手段】 配線領域に形成されたレジストパターンと、配線領域近傍に位置する非配線領域に形成されたベタ状態のレジストパターンをマスクとして、下地の金属膜をエッチングし、次いで、非配線領域の金属膜をエッチングすることで断面形状の良好な金属配線が形成できる。 （もっと読む）

【課題】金属配線が疎であっても、サイドエッチングの無い、良好な断面形状を有する金属配線を形成する方法を提供する。
【解決手段】金属配線を形成する領域の近傍にダミー金属配線を配置する領域を設ける。ダミー金属配線領域にはトレンチ１００を形成し、次いで、金属配線のためのレジストパターン１０５を形成すると、トレンチ上のレジストは単位面積当り表面積を大きくすることができる。そして、ドライエッチングによる金属配線形成を行うと、このトレンチ上のレジストからの有機成分が強固な側壁保護膜１０７を作り、異方性エッチングが行われるため、良好な断面形状の金属配線１０８となる。 （もっと読む）

【課題】反射防止層をエッチングする際、または反射防止層およびエッチング対象層をエッチングする際に、ＡｒＦフォトレジストまたはＦ２フォトレジストからなるフォトレジスト層の耐プラズマ性を高く維持することができるプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】エッチング対象層１６１と、このエッチング対象層１６１を覆う有機反射防止層１６２と、有機反射防止層１６２を覆う開口パターン１６３ａが形成されたＡｒＦフォトレジスト層１６３とを有する被処理体Ｗを処理容器内に配置する工程と、この処理容器内にエッチングガスとしてＨ_２を導入する工程と、このエッチングガスをプラズマ化し、ＡｒＦフォトレジスト層１６３の開口パターン１６３ａを通して有機反射防止層１６２をエッチングしつつ、ＡｒＦフォトレジスト層１６３の表面にＳｉ−ＣやＳｉ−Ｏ等を含む耐プラズマ性の高い保護層１６３ｂを形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】露光装備の解像度以下に稠密に配列されたマトリックス状の目標パターンを定義するためのハードマスクパターンを形成すること。
【解決手段】半導体基板上に目標パターンの第１のピッチより2倍大きい第２のピッチを有する第１のエッチングマスクパターンを列方向に形成する段階と、第１のエッチングマスクパターンの表面を含む半導体基板上に補助膜を形成する段階と、補助膜を含む半導体基板上にエッチングマスク膜を形成する段階と、エッチングマスク膜、補助膜及び第１のエッチングマスクパターンを行方向に隔離させ、エッチングマスク膜を第１のエッチングマスクパターン間に残留させて第２のピッチを有する第２のエッチングマスクパターンが形成されるようにエッチング工程を行う段階、及び第１及び第２のエッチングマスクパターン間の補助膜を除去する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】２０以上の高アスペクト比を有する貫通孔や穴形状を形成することができるとともに、ボーイング形状を抑制することができ、良好なエッチング形状を得ることのできるプラズマエッチング方法等を提供する。
【解決手段】少なくともＣ₄Ｆ₆ガスとＣ₆Ｆ₆ガスとを含み、Ｃ₄Ｆ₆ガスのＣ₆Ｆ₆ガスに対する流量比（Ｃ₄Ｆ₆ガス流量／Ｃ₆Ｆ₆ガス流量）が２〜１１である処理ガスをプラズマ化し、アモルファスカーボン層１０５をマスクとして酸化シリコン層１０４をプラズマエッチングし、開口幅に対する深さの比が２０以上の穴形状１１１を形成する。 （もっと読む）