【課題】高アスペクト比のトレンチを形成でき、且つ、トレンチ壁面全面にわたってダメージ層を除去できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】異方性ドライエッチングにより、シリコンを含む半導体基板にアスペクト比が１０以上のトレンチを形成するトレンチ形成工程と、異方性ドライエッチングによって半導体基板に生じたダメージ層を、等方性ドライエッチングにより除去する除去工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、除去工程において、少なくとも炭素及びフッ素を含む第１ガスと、酸素からなる第２ガスとの少なくとも２種類のガスを用い、半導体基板の温度をトレンチの壁面全面にわたってダメージ層を除去できる温度にして、等方性ドライエッチングを実施する。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比構造のエッチングにおけるマイクロローディングを低減するための方法
【解決手段】異なるアスペクト比の構成を導電層内にエッチングするための方法が提供される。方法は、アスペクト比依存性堆積によって導電層の上に堆積を行うことと、導電層のアスペクト比依存性エッチングによって導電層内に構成をエッチングすることと、堆積およびエッチングを少なくとも１回ずつ繰り返すことと、を含む。 （もっと読む）

ブロック共重合体などの自己組織化材料は、ピッチマルチプリケーションのためのマンドリル（１６２）として使用される。共重合体は、基板（１１０）上に堆積され、所望のパターンへと自己組織化を促される。ブロック共重合体を形成するブロックのうちの一つ（１６４）は、選択的に除去される。残っているブロックは、ピッチマルチプリケーションのためのマンドリル（１６２）として使用される。スペーサ材料は、ブロック（１６２）上にブランケット堆積される。スペーサ材料は、マンドリル（１６２）の側壁上にスペーサを形成するために、スペーサエッチングに暴露される。マンドリル（１６２）は、独立したスペーサを残すために選択的に除去される。スペーサは、下部基板（１１０）内にパターンを画定するために、ピッチ増倍化マスク機構として使用されうる。
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【課題】形状及び寸法の精度が高い微細構造の加工方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の微細構造の加工方法は、基板１０に微細な凹部３０を形成する微細構造の加工方法である。エッチングマスク２０を設けた基板１０の露出部をドライエッチングして、第１の深さの凹部３０を形成する工程と、第１の深さの凹部が形成された基板のエッチングマスク上に、液滴吐出法でレジスト液体物を配する工程と、基板のエッチングマスク上に配されたレジスト液体物を硬化させて、エッチングマスクを補強する補強膜７０を形成する工程と、補強膜７０が形成された基板の凹部３０をドライエッチングして深くし、凹部３０を第１の深さよりも深い第２の深さに形成する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被加工物に凹部又は貫通孔を形成する工程において、第１の被加工物の加工を開始してから次の被加工物の加工を開始するまでの時間を短くする事ができるドライエッチング装置及び被加工物の加工方法を提供する。
【解決手段】内部に配置された被加工物に対してドライエッチング処理及び保護膜形成処理が交互に行われ、かつ内壁に膜を形成することを目的として、内部に前記被加工物がないときに成膜処理が行われるチャンバ１１０と、チャンバ１１０を冷却する冷却手段１２４，１２４ａ，１２４ｂと、冷却手段１２４を制御する制御部１２６とを具備する。制御部１２６は、成膜処理が行われる場合に冷却手段１２４を動作させる。制御部１２６により制御され、チャンバ１１０を加熱する加熱手段１２２を具備してもよい。制御部１２６は、被加工物に対してドライエッチング処理及び保護膜形成処理を行う場合に、加熱手段１２２を動作させる。 （もっと読む）

【課題】限界寸法の減じた開口部を、基板層にエッチングする方法が記載されている。
【解決手段】リソグラフィーによりパターン化されたフォトレジストとパターン化されていない有機反射コーティング（ＢＡＲＣ）を含む多層マスクが、エッチングされる基板層上に形成される。ＢＡＲＣ層は、大きな負のエッチングバイアスによりエッチングされて、フォトレジストに、リソグラフィーにより画定された寸法より小さく、多層マスクの開口部の限界寸法を減じる。ＢＡＲＣエッチングの大きな負のエッチングバイアスを利用して、限界寸法の減じた開口部を、基板層にエッチングする。大きな負のエッチングバイアスにより、ＢＡＲＣに開口部をプラズマエッチングするには、ＣＨＦ_３等の重合化学物質を利用する。更なる実施形態において、低圧で提供される重合化学物質は、高周波容量結合源により比較的低電力で電圧印加される。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳデバイス用途で用いられるＳＦ₆ガスによるエッチングとＣ₄Ｆ₈ガスによる側壁保護膜生成を繰り返すＳｉディープエッチングにおいて、簡単な構成でオーバーエッチングをなくし所定の深さで高精度にエッチングを終了するドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】エッチングチャンバ１０１内の圧力を圧力コントロールバルブ１０３にて所定圧力値に維持しつつエッチングを進行させる際、エッチングチャンバ１０１内で所定圧力値に維持されている圧力が一時的に急激に上昇した時点Ｐをエッチング終了点と認定して、エッチング側壁のオーバーエッチングを時間制御しエッチングを終了させる方法であり、これにより低コストで加工断面形状の品質を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法に関し、ビアホールに於ける肩落ちを低減させる為、トレンチのエッチング加工途中でビアホールの側壁に保護膜を形成するのであるが、その形成工程段階を適切に選定することで、保護対象を有効に保護できるようにする。
【解決手段】低誘電率材料であるポーラスシリカからなる絶縁膜１４（無機膜）を用いてデュアルダマシン加工方法を実施する場合に於いて、トレンチ２４形成のエッチングを行なう際に発生するビアホール２３開口エッジの肩落ちを低減させる目的で成膜される側壁保護膜３１の被覆性を向上させる為、その成膜を前記エッチングの途中段階で実施する工程が含まれる。 （もっと読む）

【課題】パターンの疎密によらず安定的な素子分離領域を形成でき、良質な半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】パターンニングされたレジスト２０１の下層に存在する反射防止膜２０２直下のシリコン窒化膜２０３およびシリコン酸化膜２０４から形成される絶縁膜層までのエッチングにおいて、シリコン基板２０５に対しシリコン酸化膜２０４の選択比が低いＨＢｒおよびＣＨＦ_３とＣＦ_４の混合ガスを用いたエッチング条件および０．５〜１．５Ｐａの処理圧力でトレンチのエッチング終了付近のエッチングを行い、シリコン窒化膜２０３およびシリコン酸化膜２０４から形成される絶縁膜層壁面に反応生成物２０７を付着させながらエッチングを進行させ、パターン間隔によらず、形状差の少なくまた十分に丸みを帯びたトップラウンドを形成させる。 （もっと読む）

【課題】低コストな構成で効率的且つ応答性良く処理チャンバの内面を温度制御することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、処理チャンバ１１、処理ガス供給装置２０、排気装置４０、コイル２３、高周波電源２４、ヒータ２６、冷却装置３０、制御装置５０を備える。冷却装置３０は、処理チャンバ１１と間隔を隔てて対向する冷却部材３２と、冷却部材３２の冷却流路３２ａ内に冷却流体を供給，循環させる冷却流体供給部３１と、冷却部材３２と処理チャンバ１１との間に設けられた環状のシール部材３５，３６とから構成され、排気装置４０は、シール部材３５，３６、冷却部材３２、処理チャンバ１１に囲まれた空間Ｓ内を減圧する。制御装置５０は、排気装置４０を制御して、コイル２３に高周波電力を印加していないときには空間Ｓ内を減圧し、コイル２３に高周波電力を印加しているときには空間Ｓ内を大気圧とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法に関し、ゲート電極のトリミングを良好に実施できるように、また、レジストトリミングを行ってもレジスト倒れやレジスト変形が発生しないように、更に、従来のトリミングがプラズマエッチングで実施されていることに起因する問題を解消し、更にまた、ゲート電極のトリミングに関連してサイドウォールの形成時にＳＴＩ部が過剰に損傷されないようにしようとする。
【解決手段】金属を含む材料である金属シリサイド或いは金属単体から成るゲート電極をもつ半導体装置を作製する工程に於いて、ゲート電極１４Ｇのエッチング後にゲート部の表面を酸化させ、ゲート部を有機酸を含むガス状物質に曝露すると共に加熱して金属と有機酸との反応生成物を揮発させてゲート電極１４Ｇのトリミングを行う。 （もっと読む）

【課題】反応室内の圧力が比較的高圧の場合でもプラズマ分布の調整を行うことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマ処理装置２０は、反応室２１ａを形成する真空槽２１と、この真空槽２１の上部を閉塞する天板２８と、反応室２１ａの周囲に配置され第１の高周波電源ＲＦ１に接続された第１のプラズマ源（高周波コイル）２３と、反応室２１ａに磁場ゼロの環状磁気中性線２５を形成する磁場形成手段（磁気コイル群）２４とを備え、天板２８には、第２の高周波電源ＲＦ２に接続されたプラズマ分布調整用の第２のプラズマ源（ＲＦアンテナ）３４が設置されている。これにより、反応室２１ａの圧力が比較的高圧の場合においても、第２のプラズマ源３４によってプラズマ分布を調整することが可能となるとともに、基板３０に対するプラズマ処理の面内均一化を図れるようになる。 （もっと読む）

【課題】エッチング工程において所望の形状の孔又は溝を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成された絶縁膜に第１の孔と前記第１の孔よりもアスペクト比が低い第２の孔とを形成させる半導体装置の製造方法であって、前記絶縁膜のエッチングを行う第１のエッチング処理と、前記絶縁膜の表面に形成される堆積層の堆積速度が前記第１のエッチング処理よりも低い条件で前記絶縁膜のエッチングを行う第２のエッチング処理と、を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】エッチングガスと保護膜形成用の反応ガスとの共存を原因とするエッチングレートの低下を抑制でき、かつ、保護膜の成膜レートを向上させることができるドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明のドライエッチング方法は、真空槽内でプラズマを発生させて、基板をエッチングする工程と、基板に対向して配置された固体材料をスパッタして、エッチングパターンの側壁部に保護膜を形成する工程を、交互に繰り返して行うドライエッチング方法であって、保護膜の形成工程では、スパッタガスとして、希ガスに保護膜形成用の反応ガスを添加した混合ガスを用いる。好適には、スパッタガスに占める反応ガスの割合は、１０％以下とする。 （もっと読む）

いくつかの実施形態は、犠牲材料に沿ったポリマースペーサーの形成、犠牲材料の除去、および集積回路の製造中におけるマスクとしてのポリマースペーサーの利用、を含む。ポリマースペーサーマスクは、例えばフラッシュメモリアレイのフラッシュゲートをパターン化するために利用されてもよい。いくつかの実施形態では、ポリマーは大きな犠牲構造と小さな犠牲構造にわたって同時に形成される。ポリマーは、小さな犠牲構造にわたってよりも、大きな犠牲構造にわたっての方が厚く、こうした厚さの差を利用して、高密度構造と低密度構造を単一フォトマスクで製造する。
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【課題】微細孔（貫通孔）の形成において、エッチングマスクと孔側壁の凹凸を一括で除去でき、工数及びコストを削減した半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、一方の面から他方の面に至る微細孔が形成された半導体基板と、前記半導体基板の一方の面側であって、前記微細孔の一端を覆うように配された電極と、を備えた半導体基板の製造方法において、前記半導体基板の他方の面に形成したエッチングマスクにより、該半導体基板の他方の面から、前記電極が露出するまで前記微細孔を形成する工程Ａと、前記微細孔の側壁の凹凸の除去と、前記エッチングマスクの剥離とを一括に行う工程Ｂと、を少なくとも備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パターンの疎密差のあるマスクを介してシリコンに対してプラズマエッチングによりラインとスペースとを形成するにあたり、面内においてラインの壁面の傾斜角度が小さくなり、且つ揃うようにエッチングすること。
【解決手段】処理ガスとして、Ｃｌ2ガス及びＨＢｒガスと共に、ＣＯガスやＣＯ2ガスを供給して、この処理ガスをプラズマ化してエッチングを行うことにより、パターンの疎密差に基づく堆積物の堆積量が無視できる程堆積量を増やして、パターンの疎部分と密部分における堆積物の差を少なくする。 （もっと読む）

【課題】シリコンのドライエッチングにおいて生成された堆積物を選択的に除去することができる基板の処理方法を提供する。
【解決手段】シリコン基材４０と、該シリコン基材上に形成された窒化珪素膜４１と、該窒化珪素膜４１上に形成されたハードマスク４２とを有するウエハＷに臭化水素ガスから生成されたプラズマ４４によってドライエッチングを施してシリコン基材４０をエッチングしてトレンチ４５を形成し、ウエハＷを２００℃以上に加熱し、ウエハＷに向けて弗化水素ガス３１及びヘリウムガスを供給し、ウエハＷのトレンチ４５内へ向けて酸素ラジカル３２を供給し、ウエハＷに再びプラズマ４４によってドライエッチングを施してシリコン基材４０をエッチングし、形成されたトレンチ４５の深さが所望値よりも大きい場合には本処理を終了する。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比の穴形状であっても高精度なエッチング形状を得ることができるエッチング装置などを提供する。
【解決手段】エッチング装置１は、処理チャンバ１１と、シリコン基板Ｋが載置される基台１５と、エッチングガス，耐エッチング層形成ガス及びキャリアガスを処理チャンバ１１内に供給するガス供給装置２３と、コイル３３と、コイル用高周波電源３４と、基台用高周波電源３５と、エッチングガスを供給するエッチング工程、耐エッチング層形成ガスを供給する第１耐エッチング層形成工程、耐エッチング層形成ガス及びキャリアガスを供給する第２耐エッチング層形成工程を実行する制御装置４０と備える。制御装置４０は、エッチング工程と第１耐エッチング層形成工程とを所定回数繰り返し行った後に第２耐エッチング層形成工程を実行し、この後、エッチング工程と第１耐エッチング層形成工程とを再度繰り返し行う。 （もっと読む）

【課題】 ダミー配線やデポ性ガスの添加を用いずに、配線幅や形状が安定したアルミ合金のエッチングを提供する。
【解決手段】 フォトレジスト３にレジストが薄い部分と厚い部分からなるレジストの溝３１を形成し、ウエハ上のレジスト表面積を増やすことで、デポジション成分をレジストから供給し、配線幅や形状が安定したアルミ合金のエッチングを提供する。 （もっと読む）