【課題】スイッチング速度、とくにオン状態からオフ状態への高速でのスイッチングが可能なサイリスタ構成の半導体装置、さらにはこのような半導体装置の駆動方法および製造方法を提供する。
【解決手段】第１のｐ型領域ｐ１、第１のｎ型領域ｎ１、第２のｐ型領域ｐ２、および第２のｎ型領域ｎ２がこの順に接して設けられた半導体層１０１、第１のｐ型領域ｐ１に接続されたアノード電極Ａと、第２のｎ型領域ｎ２に接続されたカソード電極Ｋと、第１のｎ型領域ｎ１と第２のｐ型領域ｐ２とに、それぞれ独立して制御可能に接続されたゲート電極Ｇn1，Ｇp2とを備えたことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

高電圧炭化珪素（ＳｉＣ）デバイス、例えばサイリスタ、が提供される。第１の伝導型を有する第１のＳｉＣ層が、第２の伝導型を有する電圧阻止ＳｉＣ基板の第１の表面に設けられる。ＳｉＣの第１の領域が第１のＳｉＣ層の上に設けられ、第２の伝導型を有する。ＳｉＣの第２の領域が、第１のＳｉＣ層の中に設けられ、第１の伝導型を有し、ＳｉＣの第１の領域に近接している。第１の伝導型を有する第２のＳｉＣ層が、電圧阻止ＳｉＣ基板の第２の表面に設けられる。ＳｉＣの第３の領域が、第２のＳｉＣ層の上に設けられ、第２の伝導型を有する。ＳｉＣの第４の領域が、第２のＳｉＣ層の中に設けられ、第１の伝導型を有し、ＳｉＣの第３の領域に近接している。第１および第２のコンタクトが、ＳｉＣの第１および第３の領域の上にそれぞれ設けられる。関連する高電圧ＳｉＣデバイスの作製方法も提供される。
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可制御電流が大きく、かつ低損失のパワー半導体装置を得るために、ワイドギャップ半導体を用いるバイポーラ半導体素子の温度を、ヒーターなどの加熱手段を用いて上昇させる。その温度は、ワイドギャップバイポーラ半導体素子の、温度の上昇に応じて低下するビルトイン電圧の低下量に対応する前記ワイドギャップバイポーラ半導体素子の定常損失の減少量が、前記温度の上昇に応じて増加するオン抵抗の増加量に対応する前記定常損失の増加量よりも大きくなる温度を超える温度にする。
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【課題】 高温リーク電流が少なく、電位が固定されてプロセス外乱に強い高耐圧終端構造を有し、設計が容易な電力用半導体装置を提供する。
【解決手段】 第２導電型ベース領域２（Ｐアノード）の周囲を所定の距離をおいて囲み第１導電型ベース領域１の第１主面に形成された第１導電型ストッパ領域６と、第２導電型ベース領域２と第１導電型ストッパ領域６との間に有り、第１導電型ベース領域１の第１主面に同心円状に形成された第２導電型リング領域８とを備え、第２導電型リング領域８は、第２導電型ベース領域２と第１導電型ストッパ領域６とを電気的に接続する第２導電型コンタクト領域１２と電気的に接続されている。従来電位を浮かしていたガードリング領域をベース領域からストッパ領域までを接続するコンタクト領域の存在により電位を固定しプロセス外乱に強い終端構造とする。コンタクト領域は、ポリシリコン層でも良い。 （もっと読む）

【課題】 トレンチを画定する側壁の一部にのみイオン注入領域が形成されている半導体装置を製造する。
【解決手段】 半導体層の表面に、側壁にイオン注入領域を形成するトレンチ部をエッチングする位置に幅広なトレンチエッチング用開口を有し、側壁にイオン注入領域を形成しないトレンチ部をエッチングする位置に幅狭なトレンチエッチング用開口を有するとともに、側壁にイオン注入領域を形成しないトレンチ部であって第１方向に伸びる第１トレンチ部とそれに交差する第２方向に伸びる第２トレンチ部が交差する位置を覆う関係にパターンニングされたマスク膜を形成する工程と、マスク膜の開口から異方性エッチングして半導体層に初期トレンチを形成する工程と、マスク膜の厚みによって、幅狭な初期トレンチ部では側壁が遮蔽され、幅広な初期トレンチ部では側壁が露出する角度からイオンを注入する工程を備えている製造方法。 （もっと読む）

１５０℃以上の高温で使用するＳｉＣなどのワイドギャップ半導体装置において、ワイドギャップ半導体素子の絶縁性を改善し、高耐電圧のワイドギャップ半導体装置を得るために、ワイドギャップ半導体素子の外面を合成高分子化合物で被覆する前記合成高分子化合物は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合体）による橋かけ構造を有する１種以上の有機珪素ポリマーＡと、シロキサンによる線状連結構造を有する１種以上の有機珪素ポリマーＢとをシロキサン結合により連結させた有機珪素ポリマーＣ同士を、付加反応により生成される共有結合で連結させて三次元の立体構造に形成している。
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【課題】１５０℃以上の高温で使用するＳｉＣなどのワイドギャップ半導体装置において、ワイドギャップ半導体素子の絶縁性を改善し、高耐電圧のワイドギャップ半導体装置を得る。
【解決手段】ワイドギャップ半導体素子の外面を、合成高分子化合物で被覆する。この合成高分子化合物は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合体）による橋かけ構造を有する１種以上の有機珪素ポリマーＡとシロキサンによる線状連結構造を有する１種以上の有機珪素ポリマーＢとをシロキサン結合により連結させた有機珪素ポリマーＣ同士を、付加反応により生成される共有結合で連結させて三次元の立体構造に形成している。この合成高分子化合物に高い熱伝導性を有する絶縁性セラミックスの微粒子を混合し、熱伝導率を高くしている。 （もっと読む）

【課題】IV族元素半導体、III−Ｖ族化合物半導体、II−Ｖ族化合物半導体、IV族化合物半導体、有機半導体、金属結晶もしくはそれらの誘導体又はガラスから成る基板上に作製された高耐圧電子デバイスおよび耐環境電子デバイスを提供する。
【解決手段】本発明においては、ダイオードやトランジスタ等の電子デバイス中で電子又は正孔が走行する領域に、既存の半導体デバイスに用いられている材料から成る基板上に必要に応じて酸化モリブデンから成るバッファ層を介して形成された高純度の酸化モリブデンが用いられる。これにより、高耐圧特性及び高耐環境特性を有する安価な電子デバイスが実現できる。 （もっと読む）

【課題】リカバリー損失の低減を図るべく、アノード電極領域の不純物拡散深さを浅くすることができる電力用半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板１、ゲート電極領域（制御電極領域）２、カソード電極領域（第一の主電極領域）３、アノード電極領域（第二の主電極領域）４、およびガードリング５を備えている。半導体基板１は、断面視において、主面に対して略垂直に形成されている垂直部１ａと、垂直部１ａと接続するメサ部１ｂとを有する側面部を有している。ゲート電極領域２は、半導体基板１の第一の主面１ｃ内に形成されている。カソード電極領域３は、ゲート電極領域２の表面内の一部に形成されている。アノード電極領域４は、半導体基板１の第二の主面１ｄ内に形成されている。ガードリング５は、半導体基板１の第二の主面１ｄ内に形成されており、アノード電極領域４を環状に取り囲んでいる。 （もっと読む）

メサ型のワイドギャップ半導体ゲートターンオフサイリスタでは、ゲートの耐電圧が低く、またリーク電流が大きい。高温時にはｐ型不純物のイオン化率が室温に比べ大幅に増大するため、ホールの注入量が増えるとともに少数キャリアのライフタイムも伸びるため、最大可制御電流が室温に比べ大幅に低下する。その点を解決するために、一方の面にカソード電極を有するｎ型ＳｉＣのカソードエミッタ層の上にｐ型ベース層を設け、ｐ型ベース層の上に薄いｎ型ベース層を設ける。ｎ型ベース層の中央部にメサ型のｐ型アノードエミッタ層を設け、ｎ型ゲートコンタクト領域をｐ型アノードエミッタ層とｎ型ベース層の接合部から十分離して設けるとともに、ｎ型低抵抗ゲート領域をｎ型ベース層内にアノードエミッタ層を取り囲むように設ける。
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約１０^４／ｃｍ^２未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが１０^１９ｃｍ^−３未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板上に配設された１以上のエピタキシャル半導体層を含むデバイス。かかる電子デバイスは、発光ダイオード（ＬＥＤ）及びレーザーダイオード（ＬＤ）用途のような照明用途、並びにＧａＮを基材とするトランジスター、整流器、サイリスター及びカスコードスイッチなどのデバイスの形態を有し得る。また、約１０^４／ｃｍ^２未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが１０^１９ｃｍ^−３未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板を形成し、該基板上に１以上の半導体層をホモエピタキシャルに形成する方法及び電子デバイスも提供される。
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【課題】 転流時臨界電圧上昇率を大きくすることができる双方向サイリスタを提供する。
【解決手段】 半導体基板２は、上方から見た状態で、長方形に形成されている。半導体基板２の上面の表面領域には第３の半導体領域９と第４の半導体領域１０とが形成されている。半導体基板２の下面の表面領域には、第６の半導体領域１２が形成されている。第４の半導体領域と第６の半導体領域とは、半導体基板２の上方から見た状態で、重畳する重畳領域１３を有している。また、第３の半導体領域９と第６の半導体領域１２とは、半導体基板２の上方から見た状態で、半導体基板２の長手方向に並列に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 水分の浸入や汚染物質の侵入を防止し、長期間の使用に対する電気的信頼性を向上することができ、更に外部応力に対する半導体素子の損傷を防止し、半導体素子の電気的特性の変化を防止することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】 樹脂封止型半導体装置において、支持基板１上にベベル端面を有する半導体素子４、例えばダイオードが取り付けられ、この半導体素子４上に中間接続導体６が取り付けられている。中間接続導体６の幅寸法（直径寸法）Ｌ３は半導体素子４の第２の主電極４４の幅寸法（直径寸法）Ｌ２以上に設定されている。中間接続導体６の周縁部分を第２の主電極４４の周縁部分よりも突出させたことによって、半導体素子４のベベル端面４５上には、中間接続導体６の表面上の一部に渡る広範囲で保護樹脂１０を形成することができる。 （もっと読む）