【課題】基板の位置決め精度が向上すると共に、プロセスへの影響が低減する基板の載置構造及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を内側に収容する複数の貫通孔と、貫通孔の内壁の３箇所に突設され、基板を上面に保持する保持部とを備える基板トレイと、貫通孔に対応して突設された複数の載置台１１と、保持部に対応して、載置台１１の外周部分の３箇所に形成され、保持部を収容する切欠部１３とを備える載置板１０とを有し、基板トレイを載置板１０上に載置すると、貫通孔の内側に載置台１１が配置されて、基板が載置台１１の上面に各々載置される基板の載置構造において、載置台１１の外径を基板の外径より大きくすると共に、大きくした載置台１１の外周部分に基板の外縁を案内するガイド１２を設けた。 （もっと読む）

【課題】検査ステージに載置される基板の貼り付きを防止する。
【解決手段】凹凸状のステージ手２の基板保持部２０１〜２１４の表面に規則正しく配列された凸形のピン状パターン２９を複数設け、基板と載置面との接触面積を小さくする。ピン状パターン２９を基板保持部の全表面に渡って設け、基板保持部の中央付近に真空吸着及び圧空用の穴を複数設ける。真空吸着及び圧空用の穴を基板のサイズに合せその４隅に対応付けて配置する。ピン逃げ穴を千鳥配置とする。基板保持部の基板載置面にプール状窪み部を設け、そこに真空吸着用穴と圧空用穴を設ける。 （もっと読む）

【課題】基板表面の面内温度分布を解消し、基板表面に形成する薄膜の面内均一性を向上させて歩留まりを改善することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】基板保持部材２０に設けた基板保持凹部２３に基板２２を保持し、加熱手段によって加熱される基板保持部材を介して基板を加熱するとともに、基板上に原料ガスを供給して基板表面に薄膜を形成する気相成長装置において、基板保持凹部は、基板の裏面に平行な平面部２６と、平面部から上方に突出して上端に基板載置部２７ａが設けられた基板支持凸部２７と、基板支持凸部に隣接する平面部に設けられた凹溝部２８とを備えている。 （もっと読む）

【課題】サセプタの撓みによるエピタキシャル膜面内の抵抗のばらつきを抑制しつつ、パイロメーターによるサセプタ裏面の温度検出の精度も確保して、高品質のエピタキシャル膜を形成できるエピタキシャル成長装置用サセプタサポートシャフトを提供する。
【解決手段】本発明のサセプタサポートシャフト１０３は、エピタキシャル成長装置内でサセプタ１０２を下方から支持するサセプタサポートシャフト１０３であって、前記サセプタ１０２の中心とほぼ同軸上に位置する支柱１０７と、該支柱１０７から前記サセプタ１０２の周縁部下方へ放射状に延びる複数本のアーム１０８と、隣接する該アーム１０８の先端同士を接続するアーム接続部材１０９と、該アーム接続部材１０９から延び、前記サセプタ１０２を支持するｎ本（ｎは４以上の自然数）の支持ピン１１０と、を有し、前記アーム１０８が（ｎ-１）本以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 固定時のウエハー表面の高さばらつきを抑制したシリコンウエハー固定治具及びシリコンウエハーの検査方法を提供する。
【解決手段】 位置決め孔５３を備えるシリコンウエハーを載置する基台５１と、基台５１の載置部５２にシリコンウエハーの載置面よりも突出するように設けられ且つ位置決め孔５３に挿入されてシリコンウエハーの位置決めを行うための位置決めピン５３と、を備え、位置決めピン５３の少なくとも周縁部には、凹部５４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が発生したり、膜厚のばらつきが生じたりすることなく、均一で信頼性の高い薄膜を形成することのできるエピタキシャル成長用サセプタを提供する。
【解決手段】ウエハを載置するウエハ載置面１１に凹部１２を有するエピタキシャル成長用サセプタであって、前記凹部は底面に凸面１３を有し、前記凹部１２は中心軸Ｏ_１を有し、前記ウエハ載置面１１を垂直に分割し、前記凹部１２の前記中心軸を含む断面が、前記中心軸Ｏ_１と前記凸面１３の周縁との中間部で、前記中心軸Ｏ_１上の上端と前記外周縁とをとおる円の外周面よりも外側に突出する領域を有する。 （もっと読む）

【課題】ウエハへの成膜に悪影響を及ぼすことを抑えることが可能なクランプリングを提供する。
【解決手段】ウエハ１００を下部電極に固定するためのクランプリング６１は、クランプリング６１におけるウエハ１００と接触しない側の表面６３には、複数の凹部６４が設けられており、クランプリング６１の内側における円周方向の凹部６４の間隔Ｘ１は、クランプリング６１の外側における円周方向の間隔Ｘ２と比べて同等である。 （もっと読む）

【課題】基板をそれぞれ搭載する複数のサセプタに高周波電力を印加して、誘導加熱により当該複数のサセプタを加熱して基板を処理する基板処理装置であって、積層方向において均熱領域をより長く確保することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数のサセプタ１５０を積層して保持するサセプタ保持部材２１７と、複数のサセプタを収容する容器２０３と、容器の外側に配置された誘導コイル２０７と、容器２０３の外側に配置された保温材３６０と、を備え、容器２０３は上側の閉塞部２７０と、側壁部２７２とを有し、保温材３６０は、容器２０３の閉塞部２７０を覆うと共に、閉塞部２７０から側壁部２７２の一部までを覆って側壁部２７２と誘導コイル２０７との間を延在して設けられている。 （もっと読む）

【課題】位置センサを備えることなく押圧手段を所定位置にセットアップでき、装置全体にかかるコストを低減すること。
【解決手段】本実施の形態に係るワーク保持装置は、気体供給部６３７によって供給される気体を吸引口から噴出しながら保持部（保持板６２４）とステージ６０２との間の距離を変化させ、このときの圧力変化のマップを圧力センサ６３３によって検出し、圧力センサ６３３の検出する圧力の値と前記マップに基づいて保持部とステージ６０２との間の距離を算出する構成とした。 （もっと読む）

【課題】ワーク厚みのバラつきや樹脂の量の増減にかかわらず、樹脂を適切に押し広げること。
【解決手段】本実施の形態に係る樹脂塗布装置１は、ステージ６０２の上面に供給された液状樹脂Ｌを押圧部６０４における押圧面６３４に保持したワークＷで上から押圧し液状樹脂ＬをワークＷ下面に広げる樹脂塗布装置１であって、押圧部６０４には、移動部６０６によるワークＷのステージ６０２への接近によってワークＷ下面に液状樹脂Ｌが押し広げられる際に押圧面６３４が受ける圧力を検出する圧力センサ６３３が備えられ、制御部は圧力センサ６３３が検出した圧力に基づいて移動部６０６の動作を制御する構成とした。 （もっと読む）

【課題】サセプタ及び化学気相蒸着装置に関する。
【解決手段】化学気相蒸着装置用サセプタ１００は、光透過性物質からなり基板１０１を収容するポケットを少なくとも一つ備えるサセプタ本体部１０４と、サセプタ本体部の上面に形成され、光吸収性物質になって前記サセプタ本体部を通過した光を吸収する光吸収部１０７とを含む。ポケットは、底部と、底部から上昇した位置に基板の周囲部を載せるように形成された係止段差部とを備え、係止段差部は、サセプタ本体部に形成されるか、または、ポケットまで延長されて形成された光吸収部の端部に形成される。 （もっと読む）

【課題】サセプタのマーキングとしての刻印を打つ位置の特定方法を提供し、それにより刻印を打ったサセプタを提供する。また、好ましい刻印の条件についても教示する。
【解決手段】刻印は、気相成長等においてウェーハの品質に影響を及ぼさない位置になされるべきであり（第１の条件）、かつ、サセプタを単独で取り扱う際に容易に判読可能な位置になされるべきであり（第２の条件）、かつ、刻印は表面を削るので、削られるサセプタの機械的強度に影響の少ないところになされるべきである（第３の条件）。そのため、サセプタの裏側の面で、ウェーハ載置のためのポケットに対応する位置に刻印を施す。 （もっと読む）

【課題】
被処理基板の温度制御性がよく、基板全体において局所的に抜熱量が急変するような特異点の無い基板載置台を提供する。
【解決手段】
基板載置台表面に、熱伝達用ガスの流入口と流出口を設け、基板載置台表面と基板との間の閉空間を流路とする定常的なガス流を形成させ、この流路に各種の障害物を置くことによってガスの流れやすさ（コンダクタンス）を調整し、ガスの流入口と流出口との間に１０Ｔｏｒｒから４０Ｔｏｒｒの差圧を発生させる。ガスの熱伝達率が圧力に比例することから、この差圧により被処理基板の温度分布を調節することができる。 （もっと読む）

【課題】ウエハが載置される部分に切削痕ができないサセプタ基材の加工方法及びサセプタ基材を提供する。
【解決手段】回転刃物を用いて切削加工を行うサセプタ基材１１の加工方法であって、回転刃物１５の軸先端がＲ形状であり、回転刃物１５がサセプタ基材１１の上面の法線２３に対して所定角度傾斜させて前記サセプタ基材の切削加工を行い、サセプタ基材１１の切削加工が行われた凹部に切削痕のない加工面２７を形成する。 （もっと読む）

【課題】外縁部に凸部を有する被着体に対しても、空隙を生じさせることなく接着シートを貼付できるシート貼付装置およびシート貼付方法を提供すること。
【解決手段】シート貼付装置１は、被着体Ｗに対向して配置した接着シートＭＳを支持するシート支持手段６，７と、支持している接着シートＭＳを被着体Ｗ側に撓ませて被着体Ｗに貼付するシート変形手段８Ａ，８Ｂと、被着体Ｗを平面視したときに被着体外縁よりも外側に位置する接着シート領域が被着体Ｗ側へ変形することを規制する変形規制手段４Ａとを備えている。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコンで構成された半導体ウェハを熱処理中に支持するための支持リング、該半導体ウェハの熱処理のための方法、および単結晶シリコンで構成された熱処理された半導体ウェハを提供する。
【解決手段】単結晶シリコンで構成された半導体ウェハを、半導体ウェハの熱処理中に支持するための支持リングであって、外部側面および内部側面と、外部側面から内部側面に延在し、半導体ウェハの配置に役立つ湾曲面とを含み、湾曲面は、直径３００ｍｍの半導体ウェハの配置用に設計されている場合には６０００ｍｍ以上９０００ｍｍ以下の曲率半径を有し、直径４５０ｍｍの半導体ウェハの配置用に設計されている場合には９０００ｍｍ以上１４０００ｍｍ以下の曲率半径を有する、支持リング、該半導体ウェハの熱処理のための方法、および単結晶シリコンで構成された熱処理された半導体ウェハである。 （もっと読む）

【課題】ウエハの回路が形成された面を傷つけずに、ウエハの表面にテープを貼付することができるテープ貼付装置およびテープ貼付方法を提供すること。
【解決手段】裏面の中央部に外周端部２よりも薄い凹部３が形成された半導体ウエハ１の、おもて面４側の外周端部２のみをウエハ支持台１３によって支持する。テープ貼付装置内の第１の密閉空間２１を真空状態にした後、第１の密閉空間２１のうち、半導体ウエハ１とウエハ支持台１３との間に形成される第２の密閉空間２２に、加圧装置１５によって圧力を導入する。それと同時に、半導体ウエハ１の上方に粘着テープ５を介して昇降可能な状態で設けられた貼付部材１７を下降させ、半導体ウエハ１の裏面の凹部３に粘着テープ５を押込んで貼付する。 （もっと読む）

【課題】ウエハを均一に加熱することができるとともに、低コストで大量生産が可能である支持体、及びこの支持体を用いたウエハ成膜処理方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイス製造工程において用いられ、ウエハＷを載置する凹部１０が設けられている上面１ａを有する支持体であって、該支持体は、炭化ケイ素によって形成されており、凹部１０は、平面視において略円形状であるとともに、平面視における前記凹部１０の中心部を中心とした同心円状に設けられた複数の円環状の段によって形成されている底部１０Ｂを有する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板と支持基板の接合を適切に行いつつ、接合処理のスループットを向上させる。
【解決手段】接合装置７００は、受渡部７２０と、被処理ウェハＷ又は支持ウェハＳの表裏面を反転させる反転部７２１と、被処理ウェハＷと支持ウェハＳとを押圧して接合する接合部１０１と、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを搬送する搬送部７２２とを有している。搬送部７２２は、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの裏面を保持するＯリングを備えた第１の搬送アームと、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳの表面の外周部を保持する第２の保持部材を備えた第２の搬送アーム７８１と、を有している。第２の保持部材は、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳの表面の外周部を載置する載置部と、当該載置部から上方に延伸し、内側面が下側から上側に向かってテーパ状に拡大しているテーパ部と、を有している。 （もっと読む）

【課題】空隙や弛みを生じさせることなく被着体に接着シートを貼付できるシート貼付装置および貼付方法を提供すること。
【解決手段】被着体Ｗに接着シートＭＳを貼付するシート貼付装置１は、被着体Ｗに対向して配置した接着シートＭＳを支持するシート支持手段６，７と、被着体Ｗと当該被着体Ｗに対向して配置した接着シートＭＳとを減圧雰囲気に保つ減圧手段３と、接着シートＭＳを減圧雰囲気下で被着体Ｗに接近させて貼付する貼付手段８Ａ，８Ｂとを備え、被着体Ｗへの接着シートＭＳの貼付後に被着体Ｗと接着シートＭＳとの間に存在する空隙を除去する空隙除去手段４とを有する。 （もっと読む）