クランプリング
【課題】ウエハへの成膜に悪影響を及ぼすことを抑えることが可能なクランプリングを提供する。
【解決手段】ウエハ１００を下部電極に固定するためのクランプリング６１は、クランプリング６１におけるウエハ１００と接触しない側の表面６３には、複数の凹部６４が設けられており、クランプリング６１の内側における円周方向の凹部６４の間隔Ｘ１は、クランプリング６１の外側における円周方向の間隔Ｘ２と比べて同等である。
【解決手段】ウエハ１００を下部電極に固定するためのクランプリング６１は、クランプリング６１におけるウエハ１００と接触しない側の表面６３には、複数の凹部６４が設けられており、クランプリング６１の内側における円周方向の凹部６４の間隔Ｘ１は、クランプリング６１の外側における円周方向の間隔Ｘ２と比べて同等である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエハを固定するクランプリングに関する。
【背景技術】
【０００２】
上記したクランプリングは、例えば、特許文献１や特許文献２に記載のように、液晶装置となる前のウエハに処理を施す際に、ウエハをステージに固定するために用いられる。クランプリングの使用方法としては、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いてウエハの全面に処理膜を成膜する。次に、ウエハの周縁部をクランプリングで挟んで固定し、成膜された処理膜の一部をエッチングしてパターニングする。
【０００３】
しかし、エッチングした膜がデポ物としてクランプリングに付着し、ウエハに処理を行う過程でウエハの温度変化と共にクランプリングの温度も変化してデポ物に応力が加わり、クランプリングからデポ物が剥がれてウエハに付着するという問題があった。そこで、クランプリングの表面にブラスト加工を施して表面を粗くし、デポ物が付着する付着面積（表面積）を増やすことにより、クランプリングからデポ物が剥がれることを抑えていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１９０８８号公報
【特許文献２】特開平９−１４３７１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、表面を粗くすることにより尖った部分が形成され、エッチング処理のときに尖った先端部分も一緒に侵食して剥がれ、剥がれたデポ物がウエハに付着するという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係るクランプリングは、ウエハをステージに固定するためのクランプリングであって、前記クランプリングにおける前記ウエハと接触しない側の表面には、凹部又は凸部が設けられており、前記クランプリングの内側における円周方向の前記凹部又は凸部の間隔は、前記クランプリングの外側における円周方向の間隔と比べて同等又は異なることを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、クランプリングの表面に凹部又は凸部が設けられているので、クランプリングの表面の面積（表面積）を多くすることが可能となり、表面に付着するデポ物が剥がれることを抑えることができる。また、従来のように、表面が突起状になっていることと比較して、ウエハに処理を施した際（例えば、エッチング処理）に、表面が一緒に侵食されることを抑えることができる。また、クランプリングにおける内側と外側の凹部又は凸部の間隔が同等又は異なるので、例えば、ウエハを介してクランプリングに伝わる温度分布に対応して、デポ物に生じる応力（デポ物とクランプリングとの熱膨張率の差）を緩和させることができる。これにより、クランプリングに付着したデポ物が、エッチング処理や熱膨張率の差によって剥がれることを抑えることができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に係るクランプリングにおいて、前記円周方向における前記凹部又は凸部の間隔は、前記クランプリングにおける前記外側に比べて前記内側の方が同等又は狭いことが好ましい。
【００１０】
この構成によれば、クランプリングの内側に熱が加えられたときのように、内側の熱膨張率の差（デポ物とクランプリング）が大きい場合、内側の間隔が同等又は狭いので、特に内側のデポ物に加わる応力を緩和させることができる。よって、デポ物がクランプリングから剥がれることを抑えることができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に係るクランプリングにおいて、前記円周方向における前記凹部又は凸部の間隔は、前記クランプリングにおける前記内側に比べて前記外側の方が同等又は狭いことが好ましい。
【００１２】
この構成によれば、例えば、外側に応力が集中する場合、外側の間隔が同等又は狭いので、特に外側のデポ物に加わる応力を緩和させることができる。よって、デポ物がクランプリングから剥がれることを抑えることができる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例に係るクランプリングにおいて、前記凹部又は凸部は、平面的な形状が円形状であることが好ましい。
【００１４】
この構成によれば、平面的に円形状なので、平面方向において応力が集中することを抑えることができる。よって、デポ物がクランプリングから剥がれることを抑えることができる。
【００１５】
［適用例５］上記適用例に係るクランプリングにおいて、前記凹部又は凸部は、半球状であることが好ましい。
【００１６】
この構成によれば、半球状であるので、平面方向及び深さ（高さ）方向における応力の集中を抑えることができる。また、突起状の部分が少ないのでエッチング処理などによって表面が侵食されにくい。これにより、デポ物がクランプリングから剥がれることを抑えることができる。
【００１７】
［適用例６］上記適用例に係るクランプリングにおいて、前記凹部又は凸部は、平面的な方向の長さに対して高さ方向の長さが短いことが好ましい。
【００１８】
この構成によれば、深さが浅いので、凹部又は凸部に付着したデポ物などを洗浄しやすくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】クランプリングを用いて固定されるウエハの構成を示す模式平面図。
【図２】液晶装置の構造を示す模式平面図。
【図３】図２に示す液晶装置のＡ−Ａ'線に沿う模式断面図。
【図４】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図５】エッチング装置の構造を示す模式図。
【図６】エッチング装置の中に設けられたクランプリングの構造を示す模式図であり、（ａ）はクランプリングの構造を示す模式平面図、（ｂ）は（ａ）に示すクランプリングのＢ−Ｂ'線に沿う模式断面図、（ｃ）は（ａ）に示すクランプリングのＣ部を拡大して示す模式拡大図、（ｄ）は（ｃ）に示すクランプリングのＤ−Ｄ'線に沿う模式断面図。
【図７】クランプリングの変形例の構造を示す模式図。
【図８】クランプリングの変形例の構造を示す模式図。
【図９】クランプリングの変形例の構造を示す模式図。
【図１０】クランプリングの変形例の構造を示す模式図。
【図１１】クランプリングの変形例の構造を示す模式図。
【図１２】クランプリングの変形例の構造を示す模式図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２１】
＜ウエハの構成＞
図１は、クランプリングを用いて固定されるウエハの構成を示す模式平面図である。以下、ウエハの構成を、図１を参照しながら説明する。
【００２２】
図１に示すように、ウエハ１００は、例えば、液晶装置１１（図２参照）を製造する際に用いられるものであり、液晶装置１１を構成する一対の基板のうち一方の基板（例えば、素子基板）が複数個分、マトリクス状に面付けされる。ウエハ１００の大きさは、例えば、８インチである。ウエハ１００の厚みは、例えば、１．２ｍｍである。ウエハ１００の材質は、例えば、石英である。
【００２３】
Ａ部は、ウエハ１００における１つの液晶装置１１を構成する部分（四角形の素子基板又は対向基板となる部分）である。なお、ウエハ１００は、平面的に円形であることに限定されず、円周の一部が切り欠かれたオリフラを有する形状であってもよい。以下、ウエハ１００に処理を施し、最終的に形成される液晶装置１１の構造について説明する。
【００２４】
＜液晶装置の構成＞
図２は、液晶装置の構造を示す模式平面図である。図３は、図２に示す液晶装置のＡ−Ａ'線に沿う模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図２及び図３を参照しながら説明する。
【００２５】
図２及び図３に示すように、液晶装置１１は、例えば、薄膜トランジスター（以下、「ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子」と称する。）を画素のスイッチング素子として用いたＴＦＴアクティブマトリクス方式の液晶装置である。液晶装置１１は、一対の基板を構成する素子基板１２と対向基板１３とが、平面視略矩形枠状のシール材１４を介して貼り合わされている。
【００２６】
素子基板１２及び対向基板１３は、例えば、ガラスや石英などの透光性材料から構成されている。液晶装置１１は、シール材１４に囲まれた領域内に液晶層１５が封入された構成になっている。なお、シール材１４には液晶を注入するための注入口１６が設けられ、注入口１６は封止材１７により封止されている。
【００２７】
液晶層１５としては、例えば、正の誘電率異方性を有する液晶材料が用いられる。液晶装置１１は、シール材１４の内周近傍に沿って遮光性材料からなる平面視矩形枠状の額縁遮光膜１８が対向基板１３に形成されており、この額縁遮光膜１８の内側の領域が表示領域１９となっている。
【００２８】
額縁遮光膜１８は、例えば、遮光性材料であるアルミ（Ａｌ）で形成されており、対向基板１３側の表示領域１９の外周を区画するように設けられている。
【００２９】
表示領域１９内には、画素領域２１がマトリクス状に設けられている。画素領域２１は、表示領域１９の最小表示単位となる１画素を構成している。シール材１４の外側の領域には、信号線駆動回路２２及び外部接続端子２３が素子基板１２の一辺（図２における下側）に沿って形成されている。
【００３０】
また、シール材１４の内側の領域には、この一辺に隣接する二辺に沿って走査線駆動回路２４がそれぞれ形成されている。素子基板１２の残る一辺（図２における上側）には、検査回路２５が形成されている。対向基板１３側に形成された額縁遮光膜１８は、例えば、素子基板１２上に形成された走査線駆動回路２４及び検査回路２５に対向する位置（言い換えれば、平面的に重なる位置）に形成されている。
【００３１】
一方、対向基板１３の各角部（例えば、シール材１４のコーナー部の４箇所）には、素子基板１２と対向基板１３との間の電気的導通をとるための上下導通端子２６が配設されている。
【００３２】
また、図３に示すように、素子基板１２の液晶層１５側には、複数の画素電極２７が形成されており、これら画素電極２７を覆うように第１配向膜２８が形成されている。画素電極２７は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料からなる導電膜である。
【００３３】
一方、対向基板１３の液晶層１５側には、格子状の遮光膜（ＢＭ：ブラックマトリクス）（図示せず）が形成され、その上に平面ベタ状の共通電極３１が形成されている。そして、共通電極３１上には、第２配向膜３２が形成されている。共通電極３１は、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる導電膜である。
【００３４】
液晶装置１１は透過型であって、素子基板１２及び対向基板１３における光の入射側と出射側とにそれぞれ偏光板（図示せず）等が配置されて用いられる。なお、液晶装置１１の構成は、これに限定されず、反射型や半透過型の構成であってもよい。
【００３５】
図４は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の電気的な構成を、図４を参照しながら説明する。
【００３６】
図４に示すように、液晶装置１１は、表示領域１９を構成する複数の画素領域２１を有している。各画素領域２１には、それぞれ画素電極２７が配置されている。また、画素領域２１には、ＴＦＴ素子３３が形成されている。
【００３７】
ＴＦＴ素子３３は、画素電極２７へ通電制御を行うスイッチング素子である。ＴＦＴ素子３３のソース側には、信号線３４が電気的に接続されている。各信号線３４には、例えば、信号線駆動回路２２（図２参照）から画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎが供給されるようになっている。
【００３８】
また、ＴＦＴ素子３３のゲート側には、走査線３５が電気的に接続されている。走査線３５には、例えば、走査線駆動回路２４（図２参照）から所定のタイミングでパルス的に走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍが供給されるようになっている。また、ＴＦＴ素子３３のドレイン側には、画素電極２７が電気的に接続されている。
【００３９】
走査線３５から供給された走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍにより、スイッチング素子であるＴＦＴ素子３３が一定期間だけオン状態となることで、信号線３４から供給された画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎが、画素電極２７を介して画素領域２１に所定のタイミングで書き込まれるようになっている。
【００４０】
画素領域２１に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎは、画素電極２７と共通電極３１（図２参照）との間で形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎがリークするのを防止するために、画素電極２７と容量線３６との間に蓄積容量３７が形成されている。
【００４１】
このように、液晶層１５に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより、液晶分子の配向状態が変化する。これにより、液晶層１５に入射した光が変調されて、画像光が生成されるようになっている。以下、クランプリングを用いて、液晶装置１１となる前のウエハ１００にエッチング処理を施すためのエッチング装置の構造について説明する。
【００４２】
＜エッチング装置の構成＞
図５は、エッチング装置の構造を示す模式図である。図６は、エッチング装置の中に設けられたクランプリングの構造を示す模式図である。（ａ）は、クランプリングの構造を示す模式平面図である。（ｂ）は、（ａ）に示すクランプリングのＢ−Ｂ'線に沿う模式断面図である。（ｃ）は、（ａ）に示すクランプリングのＣ部を拡大して示す模式拡大図である。（ｄ）は、（ｃ）に示すクランプリングのＤ−Ｄ'線に沿う模式断面図である。以下、エッチング装置の構造及びクランプリングの構造について、図５及び図６を参照しながら説明する。
【００４３】
図５に示すように、エッチング装置４１は、例えば、平行平板型のＲＩＥ（reactive ion etching）装置である。エッチング装置４１は、ＣＶＤ装置等を用いてウエハ１００に成膜された膜にエッチング処理（プラズマエッチング）を施し、ＴＦＴ素子３３などを形成するために用いられる。
【００４４】
エッチング装置４１は、チャンバー４２と、チャンバー４２内に処理ガス４３を導入するガス供給管４４と、チャンバー４２内の処理ガス４３を排気するガス排気管４５と、チャンバー４２内においてウエハ１００を載置するステージとしての下部電極４６と、下部電極４６の上方に設けられた平板状の上部電極４７とを備えている。上部電極４７及び下部電極４６は、例えば、高周波電源４８ａ，４８ｂに接続されている。
【００４５】
ウエハ１００は、ゲート５１からチャンバー４２内に供給され、下部電極４６上に載置される。下部電極４６上に載置されたウエハ１００は、その周縁部１００ａがクランプリング６１と下部電極４６とによって固定されている。クランプリング６１は、上下に可動することが可能になっている。なお、下部電極４６の下側には、インシュレーター５２が配置されている。
【００４６】
なお、上部電極４７の下側には、ヒーター５３が設けられている。ヒーター５３の下側には、天板５４が設けられている。また、下部電極４６におけるウエハ１００と接触する面には、ウエハ１００に温度を加えるためのガスを供給するガス供給管５５と、このガスを排気するガス排気管５６とが設けられている。なお、ガス排気管５６には、ウエハ１００を下部電極４６から外すためのピン（図示せず）が挿入されている。
【００４７】
エッチング装置４１を用いたエッチング処理方法としては、まず、図５に示すように、チャンバー４２内の下方に配置された下部電極４６上にウエハ１００を載置する。その後、クランプリング６１が下降することにより、ウエハ１００がクランプリング６１と下部電極４６とによって固定される。
【００４８】
次に、ガス供給管４４からチャンバー４２内に処理ガス４３を導入すると共に、ガス排気管４５から処理ガス４３を排気する。処理ガス４３は、例えば、ＣＦ4（四フッ化メタン）やＯ2（酸素）である。次に、高周波電源４８ａ，４８ｂをオンしてチャンバー４２内にプラズマを発生させることにより、ウエハ１００にエッチング処理が施される。
【００４９】
エッチング処理している際のウエハ１００の温度は、例えば、７０℃である。エッチング処理が終了すると、ウエハ１００の温度は略０℃になる。このように、ウエハ１００に温度差が生じたときに、ウエハ１００に接触しているクランプリング６１にも温度差が生じ、従来は、クランプリング６１に付着しているデポ物６５が熱応力によって剥がれやすくなる。以下、クランプリング６１の構造について具体的に説明する。
【００５０】
＜クランプリングの構成＞
図６に示すように、クランプリング６１は、ウエハ１００の周縁部１００ａ全体を押さえるためにリング状に形成されている。具体的には、クランプリング６１の中央に形成されている貫通孔６２の領域が、ウエハ１００に処理を施す領域となる。クランプリング６１の内周径（貫通孔６２の直径）は、例えば、１９７ｍｍである。クランプリング６１の幅Ｗは、例えば、４０ｍｍである。また、クランプリング６１の厚みは、例えば、８ｍｍである。
【００５１】
クランプリング６１におけるウエハ１００と接触しない側の表面６３全体には、ディンプル加工が施されている。具体的には、表面６３に半球状の凹部６４が複数形成されている。凹部６４は、互いの間隔が略均一になるように配置されている。
【００５２】
なお、本実施形態では、クランプリング６１の円周方向Ｅにおける凹部６４と凹部６４との間隔Ｘ１，Ｘ２は、クランプリングの内側と外側とにおいて略同じ間隔になっている。半球状の凹部６４の直径は、例えば、２ｍｍである。凹部６４の深さは、例えば、１ｍｍである。
【００５３】
このように、クランプリング６１の表面６３に複数の凹部６４が設けられていることにより、表面６３の表面積を増やすことが可能となり、例えば、クランプリング６１の表面６３に付着したデポ物６５（不要な処理膜）が熱応力によって剥がれることを抑えることができる。
【００５４】
また、半球状の凹部６４を形成したことにより、クランプリング６１とデポ物６５との熱膨張率の差により熱応力が増えたとしても応力が集中することを抑えることができる。クランプリング６１の材質は、例えば、石英である。石英の熱膨張率は、０．４〜０．５５ｐｐｍ／ｋである。また、デポ物６５は、例えば、シリコンである。シリコン（単結晶）の熱膨張率は、３．４３ｐｐｍ／ｋである。このように、凹部６４を設けることによって応力が集中することを抑えることにより、クランプリング６１の表面６３に付着したデポ物６５が剥がれることを抑えることができる。
【００５５】
また、半球状の凹部６４が所定の間隔をあけて複数形成されているので、クランプリング６１の表面６３が鋭角な突起状とならず、エッチング処理などの場合、表面６３が一緒に侵食されることを抑えることができる。よって、パーティクルが発生することを抑えることができる。
【００５６】
また、凹部６４が半球状であり、凹部６４の平面方向の長さに対して深さ方向が長くならないことから、凹部６４の中に付着したデポ物６５を洗浄しやすくすることができる。
【００５７】
以上詳述したように、本実施形態のクランプリング６１によれば、以下に示す効果が得られる。
【００５８】
（１）本実施形態のクランプリング６１によれば、クランプリング６１の表面６３に凹部６４が設けられているので、表面６３の面積（表面積）を多くすることが可能となり、表面６３に付着するデポ物６５が剥がれることを抑えることができる。また、従来のように、表面が突起状になっていることと比較して、ウエハ１００に処理を施した際（例えば、エッチング処理）に、表面６３が一緒に侵食されることを抑えることができる。また、クランプリング６１における内側と外側の凹部６４の間隔が同等なので、例えば、ウエハ１００を介してクランプリング６１に伝わる温度分布に対応して、デポ物６５に生じる応力（デポ物６５とクランプリング６１との熱膨張率の差）を緩和させることができる。これにより、クランプリング６１に付着したデポ物６５が、エッチング処理や熱膨張率の差によって剥がれることを抑えることができる。
【００５９】
（２）本実施形態のクランプリング６１によれば、凹部６４が半球状であるので、平面方向及び深さ方向における応力の集中を抑えることができる。また、突起状の部分が少ないのでエッチング処理などによって侵食されにくい。これにより、デポ物６５がクランプリング６１から剥がれることを抑えることができる。また、凹部６４の深さが浅いので、凹部６４に付着したデポ物６５などを洗浄しやすくすることができる。
【００６０】
なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
【００６１】
（変形例１）
上記したように、クランプリング６１の円周方向Ｅにおける凹部６４と凹部６４との距離は、内側と外側とにおいて略同等（等間隔）にすることに限定されず、以下のようにしてもよい。図７は、クランプリングの表面に形成された凹部周辺の構造を主に示す模式図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すクランプリングのＦ−Ｆ'線に沿う模式断面図である。
【００６２】
図７に示すクランプリング１６１は、円周方向Ｅにおける凹部６４と凹部６４との間隔が、内側の間隔Ｘ１に対して外側の間隔Ｘ２が広くなっている。なお、凹部６４と凹部６４との間隔は、内側から外側に向かって除々に広がるようにしてもよい。
【００６３】
これによれば、ウエハ１００と接触する側（内側）の凹部６４と凹部６４との間隔が狭いので、内側の熱膨張率の差（デポ物６５とクランプリング１６１）が外側に比べて大きい場合でも、デポ物６５に加わる応力を緩和させることができる。よって、デポ物６５がクランプリング６１から剥がれることを抑えることができる。
【００６４】
なお、熱応力を緩和させる方法として、内側の間隔Ｘ１を狭くする方法とは別に、凹部６４の穴径を小さくして、凹部６４と凹部６４との間隔を狭くするように（敷き詰めるように）してもよい。
【００６５】
また、図７に示すクランプリング１６１の形態とは反対に、図８に示すクランプリング２６１のように、内側の間隔Ｘ１に対して外側の間隔Ｘ２が狭くなるように凹部６４と凹部６４とが配置されていてもよい。図８は、クランプリングの表面に形成された凹部周辺の構造を主に示す模式図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すクランプリングのＧ−Ｇ'線に沿う模式断面図である。これによれば、例えば、クランプリング２６１の外側に応力が集中する場合、付着したデポ物６５に加わる応力を緩和させることができる。よって、デポ物６５がクランプリング２６１から剥がれることを抑えることができる。
【００６６】
（変形例２）
上記したように、凹部６４の形状は、半球状であることに限定されず、以下のような形状でもよい。図９及び図１０は、クランプリングの表面の一部を拡大して示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は模式断面図である。
【００６７】
図９に示すクランプリング３６１は、凹部３６４の形状が円柱状になっている。なお、凹部３６４に付着したデポ物６５を洗浄しやすくするために、直径の長さに対して深さが浅いことが望ましい。これによれば、平面的に円形状であり、かつ円柱状の溝となっているので、平面方向における応力の集中を抑えることができる。よって、デポ物６５がクランプリング３６１から剥がれることを抑えることができる。
【００６８】
図１０に示すクランプリング４６１は、凹部４６４の形状が円錐状になっている。なお、上記と同様に、凹部４６４に付着したデポ物６５を洗浄しやすくするために、直径の長さに対して深さが浅いことが望ましい。
【００６９】
（変形例３）
上記したように、クランプリング６１の表面６３の表面積を増やすために凹部６４を設けていることに限定されず、例えば、図１１に示すクランプリング５６１のように、凸部５６４を形成するようにしてもよい。図１１に示す凸部５６４は、半球状になっている。これによれば、表面６３の面積（表面積）を増やすことが可能となり、付着したデポ物６５が剥がれることを抑えることができる。
【００７０】
（変形例４）
上記したように、凹部６４と凹部６４とを千鳥状に配置することに限定されず、例えば、図１２に示すクランプリング６６１のように、クランプリング６６１の中心から外側に向かって広がるような放射状に配置されていてもよい。これによれば、内側の凹部６４と凹部６４との間隔が狭いので、内側の熱膨張率の差が外側に比べて大きい場合でも、デポ物６５に加わる応力を緩和させることができる。
【符号の説明】
【００７１】
１１…液晶装置、１２…素子基板、１３…対向基板、１４…シール材、１５…液晶層、１６…注入口、１７…封止材、１８…額縁遮光膜、１９…表示領域、２１…画素領域、２２…信号線駆動回路、２３…外部接続端子、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通端子、２７…画素電極、２８…第１配向膜、３１…共通電極、３２…第２配向膜、３３…ＴＦＴ素子、３４…信号線、３５…走査線、３６…容量線、３７…蓄積容量、４１…エッチング装置、４２…チャンバー、４３…処理ガス、４４…ガス供給管、４５…ガス排気管、４６…ステージとしての下部電極、４７…上部電極、４８ａ，４８ｂ…高周波電源、５１…ゲート、５２…インシュレーター、５３…ヒーター、５４…天板、５５…ガス供給管、５６…ガス排気管、６１，１６１，２６１，３６１，４６１，５６１，６６１…クランプリング、６２…貫通孔、６３…表面、６４，３６４，４６４…凹部、６５…デポ物、１００…ウエハ、１００ａ…周縁部、５６４…凸部。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエハを固定するクランプリングに関する。
【背景技術】
【０００２】
上記したクランプリングは、例えば、特許文献１や特許文献２に記載のように、液晶装置となる前のウエハに処理を施す際に、ウエハをステージに固定するために用いられる。クランプリングの使用方法としては、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いてウエハの全面に処理膜を成膜する。次に、ウエハの周縁部をクランプリングで挟んで固定し、成膜された処理膜の一部をエッチングしてパターニングする。
【０００３】
しかし、エッチングした膜がデポ物としてクランプリングに付着し、ウエハに処理を行う過程でウエハの温度変化と共にクランプリングの温度も変化してデポ物に応力が加わり、クランプリングからデポ物が剥がれてウエハに付着するという問題があった。そこで、クランプリングの表面にブラスト加工を施して表面を粗くし、デポ物が付着する付着面積（表面積）を増やすことにより、クランプリングからデポ物が剥がれることを抑えていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１９０８８号公報
【特許文献２】特開平９−１４３７１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、表面を粗くすることにより尖った部分が形成され、エッチング処理のときに尖った先端部分も一緒に侵食して剥がれ、剥がれたデポ物がウエハに付着するという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係るクランプリングは、ウエハをステージに固定するためのクランプリングであって、前記クランプリングにおける前記ウエハと接触しない側の表面には、凹部又は凸部が設けられており、前記クランプリングの内側における円周方向の前記凹部又は凸部の間隔は、前記クランプリングの外側における円周方向の間隔と比べて同等又は異なることを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、クランプリングの表面に凹部又は凸部が設けられているので、クランプリングの表面の面積（表面積）を多くすることが可能となり、表面に付着するデポ物が剥がれることを抑えることができる。また、従来のように、表面が突起状になっていることと比較して、ウエハに処理を施した際（例えば、エッチング処理）に、表面が一緒に侵食されることを抑えることができる。また、クランプリングにおける内側と外側の凹部又は凸部の間隔が同等又は異なるので、例えば、ウエハを介してクランプリングに伝わる温度分布に対応して、デポ物に生じる応力（デポ物とクランプリングとの熱膨張率の差）を緩和させることができる。これにより、クランプリングに付着したデポ物が、エッチング処理や熱膨張率の差によって剥がれることを抑えることができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に係るクランプリングにおいて、前記円周方向における前記凹部又は凸部の間隔は、前記クランプリングにおける前記外側に比べて前記内側の方が同等又は狭いことが好ましい。
【００１０】
この構成によれば、クランプリングの内側に熱が加えられたときのように、内側の熱膨張率の差（デポ物とクランプリング）が大きい場合、内側の間隔が同等又は狭いので、特に内側のデポ物に加わる応力を緩和させることができる。よって、デポ物がクランプリングから剥がれることを抑えることができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に係るクランプリングにおいて、前記円周方向における前記凹部又は凸部の間隔は、前記クランプリングにおける前記内側に比べて前記外側の方が同等又は狭いことが好ましい。
【００１２】
この構成によれば、例えば、外側に応力が集中する場合、外側の間隔が同等又は狭いので、特に外側のデポ物に加わる応力を緩和させることができる。よって、デポ物がクランプリングから剥がれることを抑えることができる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例に係るクランプリングにおいて、前記凹部又は凸部は、平面的な形状が円形状であることが好ましい。
【００１４】
この構成によれば、平面的に円形状なので、平面方向において応力が集中することを抑えることができる。よって、デポ物がクランプリングから剥がれることを抑えることができる。
【００１５】
［適用例５］上記適用例に係るクランプリングにおいて、前記凹部又は凸部は、半球状であることが好ましい。
【００１６】
この構成によれば、半球状であるので、平面方向及び深さ（高さ）方向における応力の集中を抑えることができる。また、突起状の部分が少ないのでエッチング処理などによって表面が侵食されにくい。これにより、デポ物がクランプリングから剥がれることを抑えることができる。
【００１７】
［適用例６］上記適用例に係るクランプリングにおいて、前記凹部又は凸部は、平面的な方向の長さに対して高さ方向の長さが短いことが好ましい。
【００１８】
この構成によれば、深さが浅いので、凹部又は凸部に付着したデポ物などを洗浄しやすくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】クランプリングを用いて固定されるウエハの構成を示す模式平面図。
【図２】液晶装置の構造を示す模式平面図。
【図３】図２に示す液晶装置のＡ−Ａ'線に沿う模式断面図。
【図４】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図５】エッチング装置の構造を示す模式図。
【図６】エッチング装置の中に設けられたクランプリングの構造を示す模式図であり、（ａ）はクランプリングの構造を示す模式平面図、（ｂ）は（ａ）に示すクランプリングのＢ−Ｂ'線に沿う模式断面図、（ｃ）は（ａ）に示すクランプリングのＣ部を拡大して示す模式拡大図、（ｄ）は（ｃ）に示すクランプリングのＤ−Ｄ'線に沿う模式断面図。
【図７】クランプリングの変形例の構造を示す模式図。
【図８】クランプリングの変形例の構造を示す模式図。
【図９】クランプリングの変形例の構造を示す模式図。
【図１０】クランプリングの変形例の構造を示す模式図。
【図１１】クランプリングの変形例の構造を示す模式図。
【図１２】クランプリングの変形例の構造を示す模式図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２１】
＜ウエハの構成＞
図１は、クランプリングを用いて固定されるウエハの構成を示す模式平面図である。以下、ウエハの構成を、図１を参照しながら説明する。
【００２２】
図１に示すように、ウエハ１００は、例えば、液晶装置１１（図２参照）を製造する際に用いられるものであり、液晶装置１１を構成する一対の基板のうち一方の基板（例えば、素子基板）が複数個分、マトリクス状に面付けされる。ウエハ１００の大きさは、例えば、８インチである。ウエハ１００の厚みは、例えば、１．２ｍｍである。ウエハ１００の材質は、例えば、石英である。
【００２３】
Ａ部は、ウエハ１００における１つの液晶装置１１を構成する部分（四角形の素子基板又は対向基板となる部分）である。なお、ウエハ１００は、平面的に円形であることに限定されず、円周の一部が切り欠かれたオリフラを有する形状であってもよい。以下、ウエハ１００に処理を施し、最終的に形成される液晶装置１１の構造について説明する。
【００２４】
＜液晶装置の構成＞
図２は、液晶装置の構造を示す模式平面図である。図３は、図２に示す液晶装置のＡ−Ａ'線に沿う模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図２及び図３を参照しながら説明する。
【００２５】
図２及び図３に示すように、液晶装置１１は、例えば、薄膜トランジスター（以下、「ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子」と称する。）を画素のスイッチング素子として用いたＴＦＴアクティブマトリクス方式の液晶装置である。液晶装置１１は、一対の基板を構成する素子基板１２と対向基板１３とが、平面視略矩形枠状のシール材１４を介して貼り合わされている。
【００２６】
素子基板１２及び対向基板１３は、例えば、ガラスや石英などの透光性材料から構成されている。液晶装置１１は、シール材１４に囲まれた領域内に液晶層１５が封入された構成になっている。なお、シール材１４には液晶を注入するための注入口１６が設けられ、注入口１６は封止材１７により封止されている。
【００２７】
液晶層１５としては、例えば、正の誘電率異方性を有する液晶材料が用いられる。液晶装置１１は、シール材１４の内周近傍に沿って遮光性材料からなる平面視矩形枠状の額縁遮光膜１８が対向基板１３に形成されており、この額縁遮光膜１８の内側の領域が表示領域１９となっている。
【００２８】
額縁遮光膜１８は、例えば、遮光性材料であるアルミ（Ａｌ）で形成されており、対向基板１３側の表示領域１９の外周を区画するように設けられている。
【００２９】
表示領域１９内には、画素領域２１がマトリクス状に設けられている。画素領域２１は、表示領域１９の最小表示単位となる１画素を構成している。シール材１４の外側の領域には、信号線駆動回路２２及び外部接続端子２３が素子基板１２の一辺（図２における下側）に沿って形成されている。
【００３０】
また、シール材１４の内側の領域には、この一辺に隣接する二辺に沿って走査線駆動回路２４がそれぞれ形成されている。素子基板１２の残る一辺（図２における上側）には、検査回路２５が形成されている。対向基板１３側に形成された額縁遮光膜１８は、例えば、素子基板１２上に形成された走査線駆動回路２４及び検査回路２５に対向する位置（言い換えれば、平面的に重なる位置）に形成されている。
【００３１】
一方、対向基板１３の各角部（例えば、シール材１４のコーナー部の４箇所）には、素子基板１２と対向基板１３との間の電気的導通をとるための上下導通端子２６が配設されている。
【００３２】
また、図３に示すように、素子基板１２の液晶層１５側には、複数の画素電極２７が形成されており、これら画素電極２７を覆うように第１配向膜２８が形成されている。画素電極２７は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料からなる導電膜である。
【００３３】
一方、対向基板１３の液晶層１５側には、格子状の遮光膜（ＢＭ：ブラックマトリクス）（図示せず）が形成され、その上に平面ベタ状の共通電極３１が形成されている。そして、共通電極３１上には、第２配向膜３２が形成されている。共通電極３１は、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる導電膜である。
【００３４】
液晶装置１１は透過型であって、素子基板１２及び対向基板１３における光の入射側と出射側とにそれぞれ偏光板（図示せず）等が配置されて用いられる。なお、液晶装置１１の構成は、これに限定されず、反射型や半透過型の構成であってもよい。
【００３５】
図４は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の電気的な構成を、図４を参照しながら説明する。
【００３６】
図４に示すように、液晶装置１１は、表示領域１９を構成する複数の画素領域２１を有している。各画素領域２１には、それぞれ画素電極２７が配置されている。また、画素領域２１には、ＴＦＴ素子３３が形成されている。
【００３７】
ＴＦＴ素子３３は、画素電極２７へ通電制御を行うスイッチング素子である。ＴＦＴ素子３３のソース側には、信号線３４が電気的に接続されている。各信号線３４には、例えば、信号線駆動回路２２（図２参照）から画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎが供給されるようになっている。
【００３８】
また、ＴＦＴ素子３３のゲート側には、走査線３５が電気的に接続されている。走査線３５には、例えば、走査線駆動回路２４（図２参照）から所定のタイミングでパルス的に走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍが供給されるようになっている。また、ＴＦＴ素子３３のドレイン側には、画素電極２７が電気的に接続されている。
【００３９】
走査線３５から供給された走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍにより、スイッチング素子であるＴＦＴ素子３３が一定期間だけオン状態となることで、信号線３４から供給された画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎが、画素電極２７を介して画素領域２１に所定のタイミングで書き込まれるようになっている。
【００４０】
画素領域２１に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎは、画素電極２７と共通電極３１（図２参照）との間で形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎがリークするのを防止するために、画素電極２７と容量線３６との間に蓄積容量３７が形成されている。
【００４１】
このように、液晶層１５に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより、液晶分子の配向状態が変化する。これにより、液晶層１５に入射した光が変調されて、画像光が生成されるようになっている。以下、クランプリングを用いて、液晶装置１１となる前のウエハ１００にエッチング処理を施すためのエッチング装置の構造について説明する。
【００４２】
＜エッチング装置の構成＞
図５は、エッチング装置の構造を示す模式図である。図６は、エッチング装置の中に設けられたクランプリングの構造を示す模式図である。（ａ）は、クランプリングの構造を示す模式平面図である。（ｂ）は、（ａ）に示すクランプリングのＢ−Ｂ'線に沿う模式断面図である。（ｃ）は、（ａ）に示すクランプリングのＣ部を拡大して示す模式拡大図である。（ｄ）は、（ｃ）に示すクランプリングのＤ−Ｄ'線に沿う模式断面図である。以下、エッチング装置の構造及びクランプリングの構造について、図５及び図６を参照しながら説明する。
【００４３】
図５に示すように、エッチング装置４１は、例えば、平行平板型のＲＩＥ（reactive ion etching）装置である。エッチング装置４１は、ＣＶＤ装置等を用いてウエハ１００に成膜された膜にエッチング処理（プラズマエッチング）を施し、ＴＦＴ素子３３などを形成するために用いられる。
【００４４】
エッチング装置４１は、チャンバー４２と、チャンバー４２内に処理ガス４３を導入するガス供給管４４と、チャンバー４２内の処理ガス４３を排気するガス排気管４５と、チャンバー４２内においてウエハ１００を載置するステージとしての下部電極４６と、下部電極４６の上方に設けられた平板状の上部電極４７とを備えている。上部電極４７及び下部電極４６は、例えば、高周波電源４８ａ，４８ｂに接続されている。
【００４５】
ウエハ１００は、ゲート５１からチャンバー４２内に供給され、下部電極４６上に載置される。下部電極４６上に載置されたウエハ１００は、その周縁部１００ａがクランプリング６１と下部電極４６とによって固定されている。クランプリング６１は、上下に可動することが可能になっている。なお、下部電極４６の下側には、インシュレーター５２が配置されている。
【００４６】
なお、上部電極４７の下側には、ヒーター５３が設けられている。ヒーター５３の下側には、天板５４が設けられている。また、下部電極４６におけるウエハ１００と接触する面には、ウエハ１００に温度を加えるためのガスを供給するガス供給管５５と、このガスを排気するガス排気管５６とが設けられている。なお、ガス排気管５６には、ウエハ１００を下部電極４６から外すためのピン（図示せず）が挿入されている。
【００４７】
エッチング装置４１を用いたエッチング処理方法としては、まず、図５に示すように、チャンバー４２内の下方に配置された下部電極４６上にウエハ１００を載置する。その後、クランプリング６１が下降することにより、ウエハ１００がクランプリング６１と下部電極４６とによって固定される。
【００４８】
次に、ガス供給管４４からチャンバー４２内に処理ガス４３を導入すると共に、ガス排気管４５から処理ガス４３を排気する。処理ガス４３は、例えば、ＣＦ4（四フッ化メタン）やＯ2（酸素）である。次に、高周波電源４８ａ，４８ｂをオンしてチャンバー４２内にプラズマを発生させることにより、ウエハ１００にエッチング処理が施される。
【００４９】
エッチング処理している際のウエハ１００の温度は、例えば、７０℃である。エッチング処理が終了すると、ウエハ１００の温度は略０℃になる。このように、ウエハ１００に温度差が生じたときに、ウエハ１００に接触しているクランプリング６１にも温度差が生じ、従来は、クランプリング６１に付着しているデポ物６５が熱応力によって剥がれやすくなる。以下、クランプリング６１の構造について具体的に説明する。
【００５０】
＜クランプリングの構成＞
図６に示すように、クランプリング６１は、ウエハ１００の周縁部１００ａ全体を押さえるためにリング状に形成されている。具体的には、クランプリング６１の中央に形成されている貫通孔６２の領域が、ウエハ１００に処理を施す領域となる。クランプリング６１の内周径（貫通孔６２の直径）は、例えば、１９７ｍｍである。クランプリング６１の幅Ｗは、例えば、４０ｍｍである。また、クランプリング６１の厚みは、例えば、８ｍｍである。
【００５１】
クランプリング６１におけるウエハ１００と接触しない側の表面６３全体には、ディンプル加工が施されている。具体的には、表面６３に半球状の凹部６４が複数形成されている。凹部６４は、互いの間隔が略均一になるように配置されている。
【００５２】
なお、本実施形態では、クランプリング６１の円周方向Ｅにおける凹部６４と凹部６４との間隔Ｘ１，Ｘ２は、クランプリングの内側と外側とにおいて略同じ間隔になっている。半球状の凹部６４の直径は、例えば、２ｍｍである。凹部６４の深さは、例えば、１ｍｍである。
【００５３】
このように、クランプリング６１の表面６３に複数の凹部６４が設けられていることにより、表面６３の表面積を増やすことが可能となり、例えば、クランプリング６１の表面６３に付着したデポ物６５（不要な処理膜）が熱応力によって剥がれることを抑えることができる。
【００５４】
また、半球状の凹部６４を形成したことにより、クランプリング６１とデポ物６５との熱膨張率の差により熱応力が増えたとしても応力が集中することを抑えることができる。クランプリング６１の材質は、例えば、石英である。石英の熱膨張率は、０．４〜０．５５ｐｐｍ／ｋである。また、デポ物６５は、例えば、シリコンである。シリコン（単結晶）の熱膨張率は、３．４３ｐｐｍ／ｋである。このように、凹部６４を設けることによって応力が集中することを抑えることにより、クランプリング６１の表面６３に付着したデポ物６５が剥がれることを抑えることができる。
【００５５】
また、半球状の凹部６４が所定の間隔をあけて複数形成されているので、クランプリング６１の表面６３が鋭角な突起状とならず、エッチング処理などの場合、表面６３が一緒に侵食されることを抑えることができる。よって、パーティクルが発生することを抑えることができる。
【００５６】
また、凹部６４が半球状であり、凹部６４の平面方向の長さに対して深さ方向が長くならないことから、凹部６４の中に付着したデポ物６５を洗浄しやすくすることができる。
【００５７】
以上詳述したように、本実施形態のクランプリング６１によれば、以下に示す効果が得られる。
【００５８】
（１）本実施形態のクランプリング６１によれば、クランプリング６１の表面６３に凹部６４が設けられているので、表面６３の面積（表面積）を多くすることが可能となり、表面６３に付着するデポ物６５が剥がれることを抑えることができる。また、従来のように、表面が突起状になっていることと比較して、ウエハ１００に処理を施した際（例えば、エッチング処理）に、表面６３が一緒に侵食されることを抑えることができる。また、クランプリング６１における内側と外側の凹部６４の間隔が同等なので、例えば、ウエハ１００を介してクランプリング６１に伝わる温度分布に対応して、デポ物６５に生じる応力（デポ物６５とクランプリング６１との熱膨張率の差）を緩和させることができる。これにより、クランプリング６１に付着したデポ物６５が、エッチング処理や熱膨張率の差によって剥がれることを抑えることができる。
【００５９】
（２）本実施形態のクランプリング６１によれば、凹部６４が半球状であるので、平面方向及び深さ方向における応力の集中を抑えることができる。また、突起状の部分が少ないのでエッチング処理などによって侵食されにくい。これにより、デポ物６５がクランプリング６１から剥がれることを抑えることができる。また、凹部６４の深さが浅いので、凹部６４に付着したデポ物６５などを洗浄しやすくすることができる。
【００６０】
なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
【００６１】
（変形例１）
上記したように、クランプリング６１の円周方向Ｅにおける凹部６４と凹部６４との距離は、内側と外側とにおいて略同等（等間隔）にすることに限定されず、以下のようにしてもよい。図７は、クランプリングの表面に形成された凹部周辺の構造を主に示す模式図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すクランプリングのＦ−Ｆ'線に沿う模式断面図である。
【００６２】
図７に示すクランプリング１６１は、円周方向Ｅにおける凹部６４と凹部６４との間隔が、内側の間隔Ｘ１に対して外側の間隔Ｘ２が広くなっている。なお、凹部６４と凹部６４との間隔は、内側から外側に向かって除々に広がるようにしてもよい。
【００６３】
これによれば、ウエハ１００と接触する側（内側）の凹部６４と凹部６４との間隔が狭いので、内側の熱膨張率の差（デポ物６５とクランプリング１６１）が外側に比べて大きい場合でも、デポ物６５に加わる応力を緩和させることができる。よって、デポ物６５がクランプリング６１から剥がれることを抑えることができる。
【００６４】
なお、熱応力を緩和させる方法として、内側の間隔Ｘ１を狭くする方法とは別に、凹部６４の穴径を小さくして、凹部６４と凹部６４との間隔を狭くするように（敷き詰めるように）してもよい。
【００６５】
また、図７に示すクランプリング１６１の形態とは反対に、図８に示すクランプリング２６１のように、内側の間隔Ｘ１に対して外側の間隔Ｘ２が狭くなるように凹部６４と凹部６４とが配置されていてもよい。図８は、クランプリングの表面に形成された凹部周辺の構造を主に示す模式図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すクランプリングのＧ−Ｇ'線に沿う模式断面図である。これによれば、例えば、クランプリング２６１の外側に応力が集中する場合、付着したデポ物６５に加わる応力を緩和させることができる。よって、デポ物６５がクランプリング２６１から剥がれることを抑えることができる。
【００６６】
（変形例２）
上記したように、凹部６４の形状は、半球状であることに限定されず、以下のような形状でもよい。図９及び図１０は、クランプリングの表面の一部を拡大して示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は模式断面図である。
【００６７】
図９に示すクランプリング３６１は、凹部３６４の形状が円柱状になっている。なお、凹部３６４に付着したデポ物６５を洗浄しやすくするために、直径の長さに対して深さが浅いことが望ましい。これによれば、平面的に円形状であり、かつ円柱状の溝となっているので、平面方向における応力の集中を抑えることができる。よって、デポ物６５がクランプリング３６１から剥がれることを抑えることができる。
【００６８】
図１０に示すクランプリング４６１は、凹部４６４の形状が円錐状になっている。なお、上記と同様に、凹部４６４に付着したデポ物６５を洗浄しやすくするために、直径の長さに対して深さが浅いことが望ましい。
【００６９】
（変形例３）
上記したように、クランプリング６１の表面６３の表面積を増やすために凹部６４を設けていることに限定されず、例えば、図１１に示すクランプリング５６１のように、凸部５６４を形成するようにしてもよい。図１１に示す凸部５６４は、半球状になっている。これによれば、表面６３の面積（表面積）を増やすことが可能となり、付着したデポ物６５が剥がれることを抑えることができる。
【００７０】
（変形例４）
上記したように、凹部６４と凹部６４とを千鳥状に配置することに限定されず、例えば、図１２に示すクランプリング６６１のように、クランプリング６６１の中心から外側に向かって広がるような放射状に配置されていてもよい。これによれば、内側の凹部６４と凹部６４との間隔が狭いので、内側の熱膨張率の差が外側に比べて大きい場合でも、デポ物６５に加わる応力を緩和させることができる。
【符号の説明】
【００７１】
１１…液晶装置、１２…素子基板、１３…対向基板、１４…シール材、１５…液晶層、１６…注入口、１７…封止材、１８…額縁遮光膜、１９…表示領域、２１…画素領域、２２…信号線駆動回路、２３…外部接続端子、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通端子、２７…画素電極、２８…第１配向膜、３１…共通電極、３２…第２配向膜、３３…ＴＦＴ素子、３４…信号線、３５…走査線、３６…容量線、３７…蓄積容量、４１…エッチング装置、４２…チャンバー、４３…処理ガス、４４…ガス供給管、４５…ガス排気管、４６…ステージとしての下部電極、４７…上部電極、４８ａ，４８ｂ…高周波電源、５１…ゲート、５２…インシュレーター、５３…ヒーター、５４…天板、５５…ガス供給管、５６…ガス排気管、６１，１６１，２６１，３６１，４６１，５６１，６６１…クランプリング、６２…貫通孔、６３…表面、６４，３６４，４６４…凹部、６５…デポ物、１００…ウエハ、１００ａ…周縁部、５６４…凸部。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハをステージに固定するためのクランプリングであって、
前記クランプリングにおける前記ウエハと接触しない側の表面には、凹部又は凸部が設けられており、
前記クランプリングの内側における円周方向の前記凹部又は凸部の間隔は、前記クランプリングの外側における円周方向の間隔と比べて同等又は異なることを特徴とするクランプリング。
【請求項２】
請求項１に記載のクランプリングであって、
前記円周方向における前記凹部又は凸部の間隔は、前記クランプリングにおける前記外側に比べて前記内側の方が同等又は狭いことを特徴とするクランプリング。
【請求項３】
請求項１に記載のクランプリングであって、
前記円周方向における前記凹部又は凸部の間隔は、前記クランプリングにおける前記内側に比べて前記外側の方が同等又は狭いことを特徴とするクランプリング。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のクランプリングであって、
前記凹部又は凸部は、平面的な形状が円形状であることを特徴とするクランプリング。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のクランプリングであって、
前記凹部又は凸部は、半球状であることを特徴とするクランプリング。
【請求項６】
請求項４又は請求項５に記載のクランプリングであって、
前記凹部又は凸部は、平面的な方向の長さに対して高さ方向の長さが短いことを特徴とするクランプリング。
【請求項１】
ウエハをステージに固定するためのクランプリングであって、
前記クランプリングにおける前記ウエハと接触しない側の表面には、凹部又は凸部が設けられており、
前記クランプリングの内側における円周方向の前記凹部又は凸部の間隔は、前記クランプリングの外側における円周方向の間隔と比べて同等又は異なることを特徴とするクランプリング。
【請求項２】
請求項１に記載のクランプリングであって、
前記円周方向における前記凹部又は凸部の間隔は、前記クランプリングにおける前記外側に比べて前記内側の方が同等又は狭いことを特徴とするクランプリング。
【請求項３】
請求項１に記載のクランプリングであって、
前記円周方向における前記凹部又は凸部の間隔は、前記クランプリングにおける前記内側に比べて前記外側の方が同等又は狭いことを特徴とするクランプリング。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のクランプリングであって、
前記凹部又は凸部は、平面的な形状が円形状であることを特徴とするクランプリング。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のクランプリングであって、
前記凹部又は凸部は、半球状であることを特徴とするクランプリング。
【請求項６】
請求項４又は請求項５に記載のクランプリングであって、
前記凹部又は凸部は、平面的な方向の長さに対して高さ方向の長さが短いことを特徴とするクランプリング。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２０１２−１９９２６６（Ｐ２０１２−１９９２６６Ａ）
【公開日】平成２４年１０月１８日（２０１２．１０．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−６０４６７（Ｐ２０１１−６０４６７）
【出願日】平成２３年３月１８日（２０１１．３．１８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１０月１８日（２０１２．１０．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月１８日（２０１１．３．１８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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