【課題】イオンビーム照射装置において、安価かつ簡単な構成で、広範囲に渡って基板割れの検出を行う。
【解決手段】基板８の裏面と対向する面に１つ以上の開口部を有する基板支持部材９と、基板８を搭載した基板支持部材９を駆動させて、イオンビーム３の少なくとも一部が基板８上に照射される照射領域とイオンビーム３が基板８上に照射されない非照射領域に基板８を搬送する基板駆動機構と、基板８の下流側でイオンビーム３が照射される位置に配置されたビーム電流計測器１１を備えたイオンビーム照射装置１で、照射領域内に基板８が搬送されているときに、ビーム電流計測器１１によって計測されたビーム電流の計測値に基づいて、基板割れの有無を検出する。 （もっと読む）

【課題】再製作が容易な基板保持体を提供する。
【解決手段】ウェハＷを吸着保持するスピンチャック１は、第１の温度以上の耐熱性を有する吸着盤１０と、吸着盤１０上面の外周縁部に沿って連続して設けられたシール部材１１と、吸着盤１０の上面であってシール部材１１の内側に設けられた支持部材１２と、を有している。シール部材１１と支持部材１２は、第１の温度より低い第２の温度以上で炭化する紫外線硬化樹脂により形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板の位置決め精度が向上すると共に、プロセスへの影響が低減する基板の載置構造及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を内側に収容する複数の貫通孔と、貫通孔の内壁の３箇所に突設され、基板を上面に保持する保持部とを備える基板トレイと、貫通孔に対応して突設された複数の載置台１１と、保持部に対応して、載置台１１の外周部分の３箇所に形成され、保持部を収容する切欠部１３とを備える載置板１０とを有し、基板トレイを載置板１０上に載置すると、貫通孔の内側に載置台１１が配置されて、基板が載置台１１の上面に各々載置される基板の載置構造において、載置台１１の外径を基板の外径より大きくすると共に、大きくした載置台１１の外周部分に基板の外縁を案内するガイド１２を設けた。 （もっと読む）

【課題】ワークローダから基板ステージに搬送される基板Ｗの歪みを低減して、基板をワークチャックに載置することができる露光装置及び露光方法を提供する。
【解決手段】基板ステージ１１のワークチャック３１には、該ワークチャック３１の表面から進出可能な複数の吸着ピン７０が直線状に複数列で設けられており、制御部４は、基板ステージ１１がワークローダ３から基板Ｗを受け取る際、吸着ピン７０の吸着の有無を制御する。 （もっと読む）

【課題】空気の巻き込みによる基板の位置ずれを防止できる基板載置装置を提供する。
【解決手段】基板１０を載置する基板載置装置１００は、基板１０を保持するステージ３０と、ステージ３０に設けられ、基板１０を吸着する真空チャック３１とを備える。真空チャック３１は、ステージ３０の表面３０ｓに配列された吸着孔３２を有しており、真空チャック３１は、ステージ３０の一端３０ａから他端３０ｂに向けて基板１０の吸着を実行する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理中に基板の縁部およびトレイに付着した副生成物の除去を行って、製品の品質を向上させる。
【解決手段】基板が収容される複数の基板収容孔が設けられ、基板収容孔の内壁から突出する基板支持部を有するトレイを基板ステージのトレイ支持部上に載置するとともに基板保持部上に基板を載置して、基板保持部の端縁よりはみ出した基板の縁部と基板支持部とを離間させる基板載置工程と、トレイおよび基板が基板ステージ上に載置された状態にて、チャンバ内を減圧するとともに処理ガスを供給し、基板に対するプラズマ処理を行う第１プラズマ処理工程と、チャンバ内を減圧するとともに処理ガスを供給してプラズマ処理を行い、第１プラズマ処理工程により基板の縁部と基板支持部とに付着した副生成物を除去する第２プラズマ処理工程とを実施する。第２プラズマ処理工程は、副生成物の基板保持部への付着を抑制する位置までトレイを上昇させて行う。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が発生したり、膜厚のばらつきが生じたりすることなく、均一で信頼性の高い薄膜を形成することのできるエピタキシャル成長用サセプタを提供する。
【解決手段】ウエハを載置するウエハ載置面１１に凹部１２を有するエピタキシャル成長用サセプタであって、前記凹部は底面に凸面１３を有し、前記凹部１２は中心軸Ｏ_１を有し、前記ウエハ載置面１１を垂直に分割し、前記凹部１２の前記中心軸を含む断面が、前記中心軸Ｏ_１と前記凸面１３の周縁との中間部で、前記中心軸Ｏ_１上の上端と前記外周縁とをとおる円の外周面よりも外側に突出する領域を有する。 （もっと読む）

【課題】ウエハへの成膜に悪影響を及ぼすことを抑えることが可能なクランプリングを提供する。
【解決手段】ウエハ１００を下部電極に固定するためのクランプリング６１は、クランプリング６１におけるウエハ１００と接触しない側の表面６３には、複数の凹部６４が設けられており、クランプリング６１の内側における円周方向の凹部６４の間隔Ｘ１は、クランプリング６１の外側における円周方向の間隔Ｘ２と比べて同等である。 （もっと読む）

【課題】調整治具を使用することなく搬送位置調整を行うことが可能な基板搬送装置の位置調整方法を提供する。
【解決手段】基板を搬送する基板搬送部により基板を保持し、基板の位置を検出する第１検出ステップと、基板搬送部により保持される基板を、基板を保持して回転する基板回転部へ搬送するステップと、基板回転部に保持される基板を、基板回転部により所定の角度だけ回転するステップと、基板回転部により回転された基板を、基板搬送部から受け取るステップと、基板搬送部が受け取った当該基板の位置を検出する第２検出ステップと、第１検出ステップで求めた基板の位置と、第２検出ステップで求めた基板の位置とに基づいて、基板回転部の回転中心位置を把握するステップと、把握された回転中心位置に基づいて、基板搬送部の位置を調整するステップとを含む基板搬送装置の位置調整方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】 表面処理装置において、搬入、搬出手段の選択の自由度を高められるようにする。
【解決手段】
表面処理装置３は、上側構造部１０と下側構造部２０とを備えている。下側構造部２０は昇降機構３０により、上側構造部１０に当接し上側構造部１０と協働して密封された処理室を形成する閉じ位置と、上側構造部１０から離間した開き位置との間で昇降され、この昇降に際して、垂直の複数のガイドシャフト４１，４２により案内される。下側構造部１０が開き位置にある時、構造部１０，２０間の搬入・搬出空間Ｓは、３方向にわたって連続した開口１００を有している。この連続開口１００に対応する位置に配置された第１のガイドシャフト４１は第２ガイドシャフト４２より短く、その上端が上側構造部１０から離れている。上側構造部１０は、第２ガイドシャフト４２の上端部に支持されるとともに、連続開口１００を横切らない支持機構５０により支持される。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣやサファイヤ等の難切削性硬質材料基板やメタル膜付基板であっても基板劈開およびメタル膜分断が確実に実施可能な半導体基板のエキスパンド装置を提供する。
【解決手段】エキスパンド装置は、半導体基板１が中央に貼り付けられた弾性体のダイシングテープ３の外周縁部を固定するための環状のダイシングフレーム２を保持するダイシングフレーム保持部（４〜７）と、凸型円盤面１１ａによってダイシングテープ３側から半導体基板１を押圧してダイシングテープ３を引き伸ばすテープ拡張ステージ１１と、凸型円盤面１１ａに対応する凹型円盤面１２ａが形成され、テープ拡張ステージ１１によって引き伸ばされたダイシングテープ３を半導体基板１とともに凹型円盤面１２ａと凸型円盤面１１ａとの間に挟み込む押さえ治具１２とから構成される。 （もっと読む）

【課題】基板の一面に樹脂層を配し、この樹脂層を硬化させた後に生じる、又は基板の一面に導体層を形成した後に生じる、基板の反りを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】一面Ｗａに樹脂層Ｒ１が配された、ウエハ状の半導体からなる基板Ｗを、一面Ｗａの全域が球面状に膨出するように、反らせて保持する第一工程と、前記第一工程の後に、樹脂層Ｒ１を硬化させる第二工程と、を少なくとも有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング装置において、シリコンウエハに比べて厚いサファイア基板を下部電極などのウエハステージ上に、下部電極のウエハ載置面との間隙をサファイア基板の処理中の温度が均一になるようにして保持することを可能とする。
【解決手段】ウエハに対する処理を行うためのチャンバーのステージ上にウエハーを載置してウエハの処理を行うプラズマエッチング装置において、該ウエハーＷａを、該ウエハが該ステージとしての下部電極１２０ａ上に固定されるよう保持するウエハ保持部としてのクランプ部１１０と、該下部電極上に固定されたウエハーＷａの温度が均一に保持されるよう、該ウエハとの間で熱交換を行う熱交換部とを備え、該下部電極は、そのウエハ載置面の形状をサファイアウエハの反り特性に合わせた形状となるよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】イオン注入時のシリコンウエハ等の板状試料におけるダメージを抑制することができ、板状試料の非晶質化をダメージ無く均一に進行させることができ、裏面を大気中に曝露した場合においても結露が生じる虞が無い静電チャック装置を提供する。
【解決手段】表面を板状試料Ｗを載置する載置面１１ａとするとともに静電吸着用内部電極１３を内蔵した静電チャック部２と、この静電チャック部２を所望の温度に調整する温度調整用ベース部３とを備え、静電チャック部２と温度調整用ベース部３との間に温度調整用基材４を設け、この温度調整用基材４の静電チャック部２側に凹部３１を形成し、この凹部３１に冷却媒体を流動させる溝３２を形成した。 （もっと読む）

【課題】例えば、リソグラフィ装置において物体を熱的に調整するための装置を提供する。
【解決手段】リソグラフィ装置は、パターニングデバイスから基板にパターンを転写するよう構成されている。リソグラフィ装置は、第１の物体と、第２の物体への又は第２の物体からの熱移動を改善するために第１の物体に搭載されている平面部材と、を有する。 （もっと読む）

【課題】気流制御を通して基板を均一に加熱することが可能な加熱処理装置およびこれを備える塗布現像装置を提供する。
【解決手段】基板を収容可能で、前記基板Ｓが通過する第１の搬入口６２Ｉおよび第１の搬出口６２Ｏを有する筐体と、前記第１の搬入口６２Ｉから前記第１の搬出口６２Ｏへ向かう方向に前記基板Ｓを搬送する第１の搬送機構と、前記第１の搬送機構により前記筐体内を搬送される前記基板Ｓを加熱するヒータ７２と、前記筐体に設けられる排気口であって前記第１の搬入口６２Ｉおよび前記第１の搬出口６２Ｏから前記排気口に至る気流を形成可能な当該排気口と、前記第１の搬入口６２Ｉおよび前記第１の搬出口６２Ｏの一方または双方に臨んで設けられ、吸気により前記気流を調整する当該吸気口とを備える加熱処理装置が開示される。 （もっと読む）

【課題】基板を撮像する際に基板を吸着保持している吸着部の写り込みを軽減することが可能な検査装置を提供すること。
【解決手段】検査対象の基板Ｗに所定の処理を施す検査ユニット１００および全体像取得部１３と、基板Ｗを載置して、基板Ｗを搬送する搬送ステージ１２，２０，２１とを有するＦＰＤ検査装置１であって、搬送ステージ１２，２０，２１は、少なくとも基板Ｗを搬送する搬送方向Ｄに移動可能に基板Ｗを支持するフリーローラ１２１，２０１，２１１と、基板Ｗを吸着して保持する吸着部、および吸着部を支持し、搬送方向Ｄと平行に延びる搬送軸３１に沿って吸着部を移動させる駆動部３２を有する駆動機構３０と、を有し、吸着部が全体像取得部１３の処理位置に位置した場合に、該当する吸着部を下降させる制御を行う制御部１ｂを備えた。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウエハの基準面を正確に求めることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明にかかる半導体装置の製造方法は、ウエハ表面にレーザ照射し該ウエハ表面にナンバリング部を形成する工程と、ウエハディスクの爪に形成された押し当て部を該ウエハ表面に押し当てて該ウエハの基準面を求める工程と、該基準面を基準として該ウエハ表面に処理を施す工程と、を備える。そして、該基準面を求める工程では、該ナンバリング部を形成する工程で生じた突起物が、該爪に形成された溝に収容されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高温ウエハを急速冷却し、ウエハズレ起因の異物発生を防止及び抑制できる真空処理装置及び処理方法を提供する。
【解決手段】本発明は被処理体を処理する処理室と、前記処理室で処理された高温の前記被処理体を冷却する冷却室と、真空搬送ロボットを内部に設置し前記処理室と前記冷却室とを接続した真空搬送室とを備える真空処理装置において、前記冷却室は、前記冷却室内を減圧にする排気手段と、前記冷却室にガスを供給するガス供給手段と、前記冷却室内の圧力を制御する圧力制御手段と、前記高温の被処理体を支持する支持手段と、前記支持手段に支持された被処理体を近接保持する載置台とを具備し、前記載置台は、前記載置台表面の温度を前記高温の被処理体を冷却できる温度に温調する温調手段を有し、前記支持手段は昇降速度可変手段を有することを特徴とする真空処理装置である。 （もっと読む）