【課題】 ウエハを均一に加熱することができるだけでなく、ウエハ保持体の破損を防止することができる、信頼性の高いウエハ保持体の支持構造を提供する。
【解決手段】 セラミックス焼結体中または表面に電気回路を埋設したウエハ保持体１を筒状支持部材３で支持する支持構造であって、ウエハ保持体１にネジ山が形成されたフランジ部品２が複数のネジ４で取り付けられており、このフランジ部品２のネジ山に筒状支持部材３に設けたネジ山が螺合されている。フランジ部品２に螺合された筒状支持部材３は、回り止めピン５によって固定されている。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ保持体を支持した筒状支持部材をチャンバーに取り付ける際に、確実に取り付けることができ、高い信頼性を有するウエハ保持体の取り付け構造を提供する。
【解決手段】 ウエハ保持体を支持した筒状支持部材１の下端部を支持し且つその下端部外周の少なくとも一部を覆う筒状部３ａを有する支持部品３と、支持部品３と筒状支持部材１の間に配置され且つ筒状支持部材１の下端部外周に設けたフランジ部１ａの上に取り付けられたリング状固定部材４とを備え、リング状固定部材４の外周に形成した雄ネジを支持部品３の筒状部３ａに形成した雌ネジに螺合すると共に、支持部品３の下端突出部３ｂをチャンバー２に取り付ける。 （もっと読む）

【課題】ウエハ毎に発生し得る加工精度のバラツキを低減することができ、しかもウエハの破損を良好に防止することが可能なウエハの固定方法、ならびに、生産性の高い半導体チップの製造方法を提供する。
【解決手段】光を透過可能な支持基板２１及び支持基板２１の一主面上に被着され、光を透過可能な電極膜２２から成る支持体２と、光の照射を受けると接着能が低下する光剥離性樹脂材３を介して支持体２に対して固着されたウエハ１と、を準備する工程と、支持体２を静電チャックに対して吸着させた状態で、ウエハ１の表面処理を行う工程と、光剥離性樹脂材３に対して支持体２を介して光を照射することにより、光剥離性樹脂材３の接着能を低下させ、ウエハ１を支持体２より剥離する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】チャックテーブルの保持面に対するウエーハの位置を適宜に調整し、ウエーハの中心を、裏面に形成する凹部の中心（チャックテーブルの回転中心）から所望の偏心量正確にずらすといった作業を容易とする治具を提供する。
【解決手段】チャックテーブルのテーブル部３６に着脱可能に装着される治具９０であって、テーブル部３６の任意の径方向に沿って移動可能に嵌め込まれ、その状態で、チャックテーブル３０に載置されるウエーハ１が嵌合可能なウエーハ嵌合孔９１ａを有する環状のフレーム９３と、フレーム９３の位置を調整し、かつテーブル部３６にフレーム９３を着脱可能に固定するねじ９４およびナット９５とを備える。 （もっと読む）

【課題】支持ピンによって支持する基板に傷が付くのを防止することができるピンホルダを提供する。
【解決手段】支持ピン５１は昇降棒５２に螺合されるピンホルダ５５に挿入されて保持される。ピンホルダ５５の先端には挿入孔が穿設された円筒状の装着部が形成されている。装着部の周壁面には９０°毎に４箇所のすり割り５８が形設されているため、支持ピン５１を比較的容易にピンホルダ５５に挿入することができる。また、支持ピン５１が挿入されることによって装着部の周壁面が外側に撓むこととなり、その撓みによって発生した弾性力によって支持ピン５１が安定して確実にピンホルダ５５に保持されることとなる。その結果、支持ピン５１のガタつきが抑制され、支持ピン５１によって支持される半導体ウェハーＷに傷が付くのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】基板面内の膜厚の均一性を向上させ、もって基板の処理枚数を増大させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、基板５４を処理する処理室４１と、処理室４１内の基板５４を加熱するヒータ４６と、処理室４１内で複数枚の基板５４を多段に支持する基板支持具３０と、基板支持具３０の下方に設けられ複数枚の断熱板８６を多段に支持するように構成された断熱板ホルダ８１とを有する。断熱板８６は基板５４と中心が異なるように配置される。 （もっと読む）

【課題】予め設定された大きさよりも小さい試料基板を装置内の試料基板保持部で保持することができる保持治具を提供する。
【解決手段】半導体処理装置内で予め設定された大きさの試料基板を保持する試料基板保持部に取り付けられる保持冶具１００であって、試料基板と略同じ大きさを有し、試料基板の大きさよりも小さい試料基板８００の一面を露出した状態で小さい試料基板８００の一面に対する裏面を支持する冶具本体２００を備え、冶具本体２００には、小さい試料基板の裏面を露出する穴２１０が設けられた。 （もっと読む）

処理チャンバ及び処理チャンバ内において基板支持アセンブリ上に位置決めされた基板の温度を制御するための方法を提供する。基板支持アセンブリは、熱伝導体と、この熱伝導体の表面上に在り且つその上で大面積基板を支持するように適合された基板支持表面と、熱伝導体内に埋設された１つ以上の加熱要素と、１つ以上の加熱要素と同一平面となるように熱伝導体内に埋設された２つ以上の冷却チャネルを含む。冷却チャネルを、２つ以上の長さの等しい冷却路に分岐してもよく、分岐冷却路は単一の流入口から単一の流出口に延びており、等しい抵抗冷却が得られる。
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【課題】 ボートの中心出し、傾き、高さを自動補正することによって、ウェハ移載の精度を向上させ、炉心管へボートを挿入する時の炉芯管への接触を避け、ウェハ成膜時の面内均一性を向上させることができる半導体製造装置およびボート載置台を提供する。
【解決手段】 ボート２の天板３および底板４の中央部に突起６、７を設け、ウェハ移載機３０に設置したセンサ３１によってボート２の天板３および底板４の突起６、７の位置を検出する。制御部４０は、ボート２の天板３および底板４の突起６、７の座標をセンサ３１の出力に基づき算出し、ボート載置台８の駆動部１５にボート載置台８を変位させることで、ボート２の位置を補正する。 （もっと読む）

【課題】 従来の手法において、ステージ上に設置された基板に振動が伝播し、現状の半導体パターン形成装置では、基板上でサブナノメートルオーダの微少な振動が発生し、これがパターン位置精度を劣化させてしまうという難点があった。
本発明は，従来の問題に対処し、粒子線ビーム描画装置などにおいて基板上にパターンを描画するにあたり，ステージの振動低減による位置決め精度の向上を図ることにより、基板のパターン描画位置精度を向上させるようにしたものである。
【解決手段】 本発明の荷電ビーム描画装置用ステージ駆動装置は、基板の表面に半導体装置の回路パターンを形成に荷電ビーム描画装置を用い、前記回路パターン形成時に前記基板が設置されるステージの位置決めを行う荷電ビーム描画装置用ステージ駆動装置において、前記ステージ１０５の駆動が摩擦駆動で、且つ、ステージとの動力伝達部３０４を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】意図しない部分に薄膜が生成されることを防止するためのマスク手段を静電チャックに付加して、静電チャックの所期のウェハ吸着性能を維持し、パーティクル発生を抑制する。さらに、該マスク手段の高さ調節を可能にして、静電チャックに支持されるウェハとの間の上下隙間を極小化させる。
【解決手段】側面部２３と上面部２４とを有して断面略Ｌ字形に形成されたプラテンリング２２を用いて、意図しない部分への薄膜生成を防止する。上面部は静電チャック（チャックプレート１５）に略密接すると共にそのチャック面と略面一であり、側面部はベース１２の外周端上に支持される。ベース外周端部分に形成した貫通穴１２ｃに下から高さ調節ネジ２５を通し、その先端をプラテンリング側面部の下端に当接させることにより、プラテンリングの上下調節を可能にしている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、反応炉から回転機構へのガスの流入による回転機構の劣化や、ウェーハの汚染によるデバイスの劣化を抑えることが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、プロセスガスが供給・排出され、被処理ウェーハ１上に被膜を形成するための反応炉２と、反応炉２に設置され、被処理ウェーハ１を保持するための支持部と、反応炉２に設けられる開口部２ａと、反応炉２に連結され、被処理ウェーハ１を回転させるための回転機構４と、開口部２ａを貫通して支持部３及び回転機構４と連結し、軸方向にらせん状の翼部５ａを有する回転軸５を備える。 （もっと読む）

【課題】高温ウエハチャックの加熱時のウエハチャック表面の熱変形を抑えて、ウエハチャック表面の平面度を確保する。
【解決手段】ウエハ上に形成されたダイの動作を電気的に検査するため、半導体テスタの各端子をダイの電極にプローブニードルを介して接続するプローバのウエハチャック１６であって、ヒータ５を内蔵してダイを高温状態で検査できる高温ウエハチャック１６において、ウエハチャック１６の本体４を構成するセラミック部材の底面に、熱膨張率の高い金属材料であるアルミやステンレスで構成された金属板５０を貼り付けた高温ウエハチャック１６である。ウエハの高温検査時にヒータ５を動作させると、金属板５０の熱膨張によりウエハチャック１６の本体４の底面側が伸長し、ウエハチャック１６の本体４の上下の伸長度の差が小さくなるので、ウエハチャック表面の平面度が確保される。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置用部材として、より熱膨張係数の低い、高強度な窒化珪素製中空接合体の要求が高まっていた。
【解決手段】窒化珪素を主成分とし、酸化エルビウム（Ｅｒ_２Ｏ_３）およびアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）を含む窒化珪素質焼結体からなる一対の基体１，４がガラスを主成分として、窒化珪素から成る微細結晶およびＥｒ成分とを含む接合層を介して接合されていることから、部材の熱膨張を極力抑え、加熱による部材の形状変化が起こることを防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】載置台を固定した部材を容易に、リフタアーム間に通してチャンバに取り付けることが出来、前記部材をチャンバに取り付けた状態で、リフタアームを交換することが出来るリフタ及び被処理体の処理装置を提供する。
【解決手段】リフタ９の一対のリフタアーム９１，９２は、昇降軸９６，９６に連結部９７，９７を介して連結されている。リフタアーム９１は、連結部９７の支持板９７ａの一端部に突設されており、支持板９７ａの他端部及び該他端部の下側に連結された連結板９７ｂには、固定ねじ９７ｅが貫通され、昇降軸９６の上端部にねじ止めされている。カバー９７ｄは、２枚の支持板９７ａを突き合わせた状態で、支持板９７ａ，９７ａを連結する。カバー９７ｄを外して、固定ねじ９７ｅを緩めることで、支持板９７ａが昇降軸９６に対して回転する。 （もっと読む）

【課題】 研削液の浸入により反復使用に関する信頼性が低下したり、半導体ウェーハの周辺装置に研削液が付着して汚染が生じるおそれを排除できる固定キャリアを提供する。
【解決手段】 バックグラインド装置に回転可能にセットされる基板２１と、基板２１の表面に形成される凹み穴２２と、凹み穴２２に並べて配設される複数の支持突起２４と、凹み穴２２を被覆して複数の支持突起２４に支持され、半導体ウェーハＷを着脱自在に粘着保持する変形可能な粘着層２５と、基板２１に穿孔され、真空ポンプ２７の駆動に基づいて粘着層２５に被覆された凹み穴２２内の空気を外部に導く給排路２６と、給排路２６に対するバックグラインド装置の研削液の浸入を防止する通気防水膜３０とを備える。通気防水膜３０が凹み穴２２に連通する給排路２６を被覆して研削液を遮断するので、固定キャリア２０内に研削液が浸入して反復使用に対する信頼性を低下させることがない。 （もっと読む）

【課題】基板の温度分布の均熱性を向上させる。
【解決手段】抵抗発熱体５は、面内で発熱密度が最大になる領域Ｒ１，Ｒ２が板状部材４ａの軸上に配列されるように構成され、板状部材４ａは、軸方向が排気部３と排気部３と対向する反応容器２内面とを結ぶ方向ＡＡ’方向と一致するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】冷却液用の太いチューブを用いることなく、冷却することができる保持装置を提供する。
【解決手段】気流発生機構により、ウエハホルダＷＨのウエハＷが載置される載置面から所定距離隔てられた空間に、矢印で示される空気の流れが生じさせられ、液体供給装置４０によりインラインチェック弁４２を介してその気体の流れ中に液滴７０が噴霧されるように冷却用の液体が液体供給通路３６内に供給される。このとき、ウエハホルダＷＨが加熱されていれば、その噴霧された液滴７０が気化（蒸発）し、その際にウエハホルダＷＨから気化熱を奪い、これによりウエハホルダＷＨが冷却される。この場合、冷却用の液体を外部から供給するためには、細いチューブ３８を用いれば足りる。 （もっと読む）

【課題】装置全体を大型化することなく、回転する基板支持台１３に対して電力を供給することができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る真空処理装置１１は、真空チャンバ１２の内部に配置された基板支持台１３を回転させる回転軸１４と、基板支持台１３に対して所要電力を供給するための集電装置１７とを備え、集電装置１７は、回転軸１４の内部に配置されていることを特徴とする。集電装置１７を回転軸１４の内部に配置することにより、回転軸１４の軸長を短くでき、装置全体の小型化を図ることが可能となる。回転軸１４は中空軸で構成することができる。回転軸１４の軸心部には、集電装置１７から導入された電力を基板支持台１３に供給する電気配線や、基板支持台１３に対して冷却水等の冷却媒体を循環供給するための給排管を収容した軸部材２２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 高剛性であり、断熱効果を高めることにより、位置精度の向上や均熱性の向上、更にはチップの急速な昇温と冷却ができ、ウェハ保持体の製造コストの低減が可能なウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ装置を提供する。
【解決手段】 本発明のウェハ保持体は、ウェハを載置するための載置面を有する載置台と、前記載置台を保持する保持部材とから構成されるウェハ保持体において、前記載置台の熱伝導率をＫ１、ヤング率をＹ１、前記保持部材の熱伝導率をＫ２、ヤング率をＹ２としたとき、Ｋ１＞Ｋ２かつＹ１＜Ｙ２であることを特徴とする。また、前記保持部材の下部に支持部材を備え、該支持部材の熱伝導率をＫ３としたとき、Ｋ２＞Ｋ３であることが好ましい。 （もっと読む）