【課題】熱処理される半導体ウェーハの支持に関し、コストが増大することなくスリップ欠陥の発生を抑制することができるようにする。
【解決手段】熱処理される半導体ウェーハＷを裏面Ｗ_Ｂから複数のピン６によって水平に支持するものであって、ピン６として平面形状の上面を有するものを用いるとともに、ピン６の上面６ａを半導体ウェーハＷの裏面Ｗ_Ｂに対して傾斜させた状態として、ピン６の上面６ａと側面６ｃとがなす角部６ｄの上に半導体ウェーハＷを載せて支持する。 （もっと読む）

【課題】キャリアとベアリングとの耐摩耗性を向上させることによって、生産性の更なる向上を可能としたインライン式成膜装置を提供する。
【解決手段】キャリア４に保持された基板Ｗを複数のチャンバの間で順次搬送させながら成膜処理を行うインライン式成膜装置であって、キャリア４を非接触状態で駆動する駆動機構２０と、駆動機構２０により駆動されるキャリア４をガイドするガイド機構２１とを備え、ガイド機構２１は、キャリア４に設けられたガイドレール２９に係合された状態で、駆動機構２０により駆動されるキャリア４を鉛直方向にガイドする主ベアリング２８と、キャリア４を挟み込んだ状態で、駆動機構２０により駆動されるキャリア４を水平方向にガイドする副ベアリング３０とを有して、これらベアリング２８，３０とキャリア４との何れかの接触面に、コルモノイ系合金による耐摩耗処理が施されている。 （もっと読む）

【課題】 裏面相互接続構造と製造方法を提供する。
【解決手段】 集積回路構造を形成する方法であって、前記方法は、半導体ウエハの端から前記半導体ウエハの中に延びる第１ノッチを含む半導体ウエハを提供するステップ、及び前記半導体ウエハの上に、第２ノッチを含むキャリアウエハを設置するステップを含み、前記キャリアウエハを設置するステップは、前記第１ノッチの少なくとも一部を前記第２ノッチの少なくとも一部と重ねる方法である。 （もっと読む）

【課題】移動体の位置情報を高精度で計測する。
【解決手段】 露光ステーション２００では、ウエハを保持するステージＷＦＳ１の位置情報は、計測アーム７１Ａを含む第１の微動ステージ位置計測系により計測され、計測ステーション３００では、ウエハを保持するステージＷＦＳ２の位置情報は、計測アーム７１Ｂを含む第２の微動ステージ位置計測系により計測される。露光装置１００は、ステージＷＦＳ２が計測ステーション３００から露光ステーション２００へ搬送される際、このステージＷＦＳ２の位置情報を計測可能な第３の微動ステージ計測系を有する。第３の微動ステージ計測系は、複数のＹヘッド９６，９７を含むエンコーダシステムとレーザ干渉計７６ａ〜７６ｄを含むレーザ干渉計システムとを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、貼合部材を保護するとともに、貼合部材をしっかり保持できる真空貼合装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る真空貼合装置は、貼合部材を貼合することに用いられ、前記貼合部材の位置を調整するアライメントアセンブリと、前記アライメントアセンブリに連接固定され、且つ少なくとも２つのチャック部材を備えるチャック機構と、前記チャック機構に対向して設置されるチャックヘッドと、前記チャック機構及び前記チャックヘッドを収容する密封室と、を備え、前記少なくとも２つのチャック部材が前記密封室内で相対運動することによって、前記貼合部材を保持又は解放する。 （もっと読む）

【課題】製膜される膜の膜質を安定させることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】内部で製膜処理が行われる真空容器と、製膜処理が施される基板Ｓが載せられる基板テーブル１２と基板Ｓおよび基板テーブル１２における温度分布を所定の範囲内に制御する基板ヒータ１３と、基板テーブル１２の基板Ｓと接する面における複数の箇所の温度を測定する温度測定部２３−１から温度測定部２３−９と、基板Ｓが基板テーブル１２に載せられて、基板Ｓの温度分布を均一化させる温度安定化期間が終了する前に、基板Ｓに対して製膜処理を開始させる制御部６と、が設けられ、制御部６は、複数の箇所における温度の間での温度差に基づいて、安定化期間の長さを制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】成膜を行なう半導体製造装置において、基板の処理における加熱を行なう際の、処理対象物を保持する部材における熱応力の集中を抑制する。
【解決手段】処理対象物を保持する、回転可能なサセプタ３と、サセプタ３の外周部に設置され、サセプタ３とともに回転可能なフレーム２３と、フレーム２３を支持するサセプタ支持部２１と、サセプタ支持部２１を固定する架台２２とを備えている。サセプタ支持部２１と架台２２とが互いに対向する領域において、架台２２に対するサセプタ支持部２１の位置を固定するように、サセプタ支持部２１と架台２２との一方の表面に凹部２１ｂが形成され、サセプタ支持部２１と架台２２との他方の表面には凹部２１ｂに挿入固定される凸部２２ｂが形成される。凹部２１ｂおよび凸部２２ｂは、サセプタ３の中心から外周側へ向かう径方向に対して交差する方向に延びるように形成されている半導体製造装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】
プラズマ処理システムの加工室において基板を保持する基板ホルダーと共に使用する磁気クリップを提供する。
【解決手段】磁気クリップは、締め付け面及び磁石をそれぞれが有する第１の本体部材及び第２の本体部材を含む。第１の本体部材は、基板ホルダーと機械的に接続されるように構成される。第２の本体部材は、閉位置と開位置との間で第１の本体部材に対して移動するようにヒンジによって第１の本体部材と枢着される。閉位置では、第１の締め付け面と第２の締め付け面との間に基板の縁領域が位置決めされる。開位置では、縁領域は解放される。第２の本体部材の磁石は、第２の本体部材が閉位置にあるときに第１の本体部材の磁石を磁気的に引き付け、第１の締め付け面及び第２の締め付け面に対する基板の縁領域の移動を拘束する力を加える。 （もっと読む）

【課題】、生産コストの高騰や、装置の大型化を招来することなく、サセプターの品質や生産性を飛躍的に向上させることができるＣＶＤ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 炭素質基材５を支持部材により支持した状態で、内部にガスを導入することにより、炭素質基材５の表面にＳｉＣ被膜を形成するＣＶＤ装置において、上記支持部材は、上記炭素質基材５が載置されて炭素質基材の下部を支持する下部支持部材６と、上記炭素質基材５の上部を支持する上部支持部材１３とを有し、この上部支持部材１３は上記炭素質基材５の外周縁に設けられると共に、この上部支持部材１３にはＶ字状の溝１３ｄが形成され、このＶ字状の溝１３ｄにより構成される炭素質基材配置空間１７内には、十分な遊びを有する状態で上記炭素質基材５が配置されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】支持具に支持される基板間のピッチを縮小し、処理枚数を増大させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１０は、基板７２を処理する反応炉４０と、反応炉４０内で基板７２を支持する支持具３０とを有し、支持具３９は、基板７２と接触する支持板５８と、支持板５８を支持する支持片６６とを有し、支持片６６はスケルトン構造であり、支持板５８には少なくとも一つの貫通孔８４が設けられ、支持片６６は貫通孔８４とは重ならないように構成されている。 （もっと読む）

【課題】 押印装置における処理能力の改善。
【解決手段】 基板チャックと、基板チャックが固定され且つＸＹ面に平行に移動可能なステージとを有し、基板チャックに保持された基板上のレジストにモールドを押し付けてレジストのパターンを基板に形成する押印装置であって、ＸＹ面に平行な方向には剛性を、ＸＹ面に垂直な方向には弾性をそれぞれ有し、且つ基板チャックをステージに固定するフレクシャを有するものとする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理に先立ち、被処理材の表面に形成されたマスクに損傷を与えることなく、被処理材をトレイに接着させることができる接着装置を提供する。
【解決手段】基板１４の上方に配置される閉環状のシール部材３７と、基板１４とシール部材３７の間に配置され基板１４と面接触する分圧シート３８と、シール部材３７の上に配置され、分圧シート３８とシール部材３７との間に与圧室を形成する蓋３０Ｂと、与圧室に気体を注入するための気体注入口３６と、蓋３０Ｂをシール部材３７に押圧するクランプ３０Ｃとを設ける。これにより、分圧シート３８が基板１４に面接触するため、マスクに損傷を与えることなく、被処理材をトレイに接着させることができる。 （もっと読む）

【課題】ろう付け部分に剥離等の断線が生ずることを抑制することが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】処理装置２０の処理容器２２内に設けられて被処理体Ｗを載置するための載置台構造において、平面方向に延びる１又は複数の導電部材６２が内部に設けられた誘電体よりなる載置台６０と、処理容器の底部より起立されて上端部に載置台を支持する円筒体状の支柱５６と、載置台の下面側に設けられた端子収容凹部と、導電部材に導通されると共に端子収容凹部内に露出されている上部端子と、支柱内に挿通される給電棒８６Ａ〜８６Ｄと、給電棒の上端に設けられ、前記端子収容凹部内に嵌合されると共に前記上部端子にろう付けされて給電棒の引っ張り方向に対して前記端子収容凹部に係合される下部端子８８Ａ〜８８Ｄを備えた。 （もっと読む）

【課題】成膜工程における金属汚染を抑え、ウェーハ上に均一に成膜することができ、歩留の低下を抑え、半導体装置の信頼性の向上を図ることが可能なサセプタ、半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】サセプタ１１は、ウェーハｗの径より小さく、表面にウェーハｗを載置するための凸部を有するインナーサセプタ１２と、中心部に開口部を有し、インナーサセプタ１２を開口部が遮蔽されるように載置するための第１の段部と、この第１の段部の上段に設けられ、ウェーハを載置するための第２の段部を有するアウターサセプタ１３を備える。 （もっと読む）

動作ユニット（１１）に対して電子回路板（１２ａ）を位置決めする位置決め装置（１０）が提供される。この装置（１０）は、第１の動作位置と第２の動作位置との間で選択的に回転する回転部材（１６）と、上記回転部材（１６）に取り付けられる位置決め部材（１７）とを備える。上記位置決め部材（１７）は、上記回転部材（１６）に取り外し可能に取り付けられるフレーム（２４）と、各電子回路板（１２ａ）が載せられるトランスピラン材料で形成されたストリップ（３２）とを備え、上記ストリップ（３２）は、上記フレーム（２４）に枢着された１対の巻取り／巻戻しローラ（３０、３１）の間に巻き取られる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、装置の大型化を招くことなく被処理物の主面に対して斜めの方向からイオンを入射させることができる載置台およびプラズマアッシング処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマアッシング処理される被処理物を載置する載置台であって、高周波を印加することによりプラズマを発生可能とした電極と、前記電極の上に設けられ、前記電極の上面に対して前記被処理物を傾斜した状態で載置可能とした傾斜手段と、を備えたことを特徴とする載置台が提供される。 （もっと読む）

【課題】サセプタの支持面の横の温度勾配を小さくして支持面の端の領域を望ましい蒸着温度にする。また、サセプタを反応装置ハウジングの外で容易に清掃可能にする。
【解決手段】カップ状のサセプタは、カップの底によって形成されるサセプタ上部（２）と、カップの側壁によって形成されるサセプタ下部（３）を備える。サセプタ上部（２）は、少なくとも１つの基板のための支持面（４）を形成する平らなベースプレート（２’）を有する。サセプタ上部（２）は、その端がサセプタ下部（３）の末端部（３”）の上に置かれる。サセプタ上部（２）を加熱するための加熱ゾーン（Ａ，Ｂ，Ｃ）が、ベースプレート（２’）の真下に配置される。サセプタ上部（２）をサセプタ下部（３）から分離してプロセスチャンバー（１）から取り外すことが可能であり、サセプタ上部（２）の端とサセプタ下部（３）の末端部（３”）の間の結合部が熱の伝導に対する障壁を形成する。 （もっと読む）

制御された雰囲気を保持するために少なくとも１つの隔離可能なチャンバを形成するフレームと、少なくとも１つの隔離可能なチャンバのそれぞれに位置する少なくとも２つの基板支持体であって、それぞれ上下に積層され、それぞれの基板を支えるために構成されている、少なくとも２つの基板支持体と、少なくとも２つの基板支持体と連通可能に結合している冷却ユニットであって、少なくとも２つの基板支持体および冷却ユニットが、少なくとも２つの基板支持体上に位置する各基板のそれぞれに同時伝導冷却を与えるように構成されている、冷却ユニットと、を有する基板処理ツール。
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【課題】基板の平面度の劣化を抑制し、基板を良好に保持できる保持装置を提供する。
【解決手段】基板を保持する保持装置は、基板の一方の面を静電力で保持可能な第１面を有し、第１面の少なくとも一部が該第１面の法線方向に変形可能な保持部材と、第１面と略平行な平面内で互いに離れた少なくとも３つの位置に配置され、第１面に保持された基板の法線方向への移動を抑える支持部を有する支持部材とを備える。 （もっと読む）

【課題】ボルト止めによる破損を抑制し、信頼性の高い基板保持体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】被処理基板載置領域１４の外縁領域２０に設けられた複数の貫通孔２８を有するセラミックス基体１２と、貫通孔２８のそれぞれに挿入され、ボルト穴２４を有する複数の円筒状金属ソケット２２と、円筒状金属ソケット２２及び貫通孔２８の間に設けられ、円筒状金属ソケット２２及びセラミックス基体１２を接合する第１ロウ材と、セラミックス基体１２の外周側壁に嵌めこまれた、セラミックス基体１２より大きな熱膨張係数を有する金属リング２６と、金属リング２６及びセラミックス基体１２の外周側壁の間に設けられ、金属リング２６及びセラミックス基体１２を接合する第２ロウ材とを備える。外縁領域２０の表面側において円筒状金属ソケット２２の端部が、外縁領域２０の表面よりも高い。 （もっと読む）