【課題】ウェハ支持部材においてウェハ面内の温度差が大きく、必要な均熱性や温度応答性が得られないという課題があった。
【解決手段】板状体の一方の主面に抵抗発熱体を備え、他方の主面にウェハ加熱面を備えたウェハ支持部材であって、前記抵抗発熱体に電力を供給する給電端子と、該給電端子を囲むようにケースを備えるとともに、断熱部材は、前記板状体の周辺の端面を離間して筒状に覆い、且つ上記板状体の一方の主面の周辺と上記ケースの開口部を接続する。 （もっと読む）

【発明の課題】 より高いスループットで、ウェハー表面の汚染を生ずることなく当該ウェハー上に膜を堆積できるＣＶＤ装置を提供すること。
【解決手段】 ＣＶＤ装置は、ウェハー搬入／搬出チャンバ１ａ，１ｂ、処理チャンバ３、ウェハー搬送チャンバ２を備える。処理チャンバは、２つまたはそれより多いウェハーステージ６ａ〜６ｄであって、当該ウェハーステージの各々は回転可能な中央ポールに水平アーム８ａ〜８ｄを介して連結されているものと、ウェハー・ロード／アンロード室５と、２つまたはそれより多い分離された処理反応容器４ａ，４ｂとで構成され、当該処理反応容器では各々に膜の化学的気相成長のために必要な１タイプの処理ガスのみが供給される。ウェハー・ロード／アンロード室と処理反応容器は、中央ポールから同じ半径距離に配置され、中央ポールが回転する時、ウェハーステージの各々は処理反応容器等を通って移動する。 （もっと読む）

【課題】
プロセステーブル等、気密容器に収納される基板載置台に傾斜が発生しない様にした昇降機構を具備する半導体製造装置を提供する。
【解決手段】
基板処理室３０と、該基板処理室内に設けられ基板２５を保持する基板載置台３１と、該基板載置台に連結され昇降可能な昇降ベース６４と、該昇降ベースを昇降させる昇降駆動部６６，６７，６８と、該昇降駆動部と前記昇降ベースを連結する連結部材６９とを具備し、該連結部材は前記昇降ベースに少なくとも傾斜方向の自由度を有する様に連結された。
（もっと読む）

【課題】 ドラム型基板ホルダーの外周面に対して基板の取り付け、取り外しを、簡易な構成で容易に行うことができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】 ドラム型基板ホルダー５を水平方向の回転軸を回転中心にして成膜室内に水平状態で回転自在に支持し、基板１２を固定保持した基板固定治具１３をアームでドラム型基板ホルダー５の外周面上に水平に搬送することで、ドラム型基板ホルダー５の外周面の角部５ａに設けた固定装置１４で基板固定治具１３の端部１３ｂを固定することができる。 （もっと読む）

温度制御されたホットエッジリングアセンブリは、プラズマ反応室内の基板支持体を取り囲むように構成されている。このアセンブリは、導電性の下部リング、セラミックの中間リング及び上部リングを含む。中間リングは、下部リングの上に横たわり、下部リングを介してＲＦ電極に取り付けられるように構成されている。上部リングは、中間リングの上に横たわり、プラズマ反応室の内部に露出した上面を有する。
（もっと読む）

【課題】 処理容器内に晒される軸受をなくして、パーティクルの発生を完全に防止することができる枚葉式の処理装置を提供する。
【解決手段】 処理容器３２内にて載置台３８上に載置された被処理体Ｗに対して所定の処理を施す枚葉式の処理装置において、前記載置台を浮上させる浮上用磁石機構６０と、前記載置台の周縁部に設けた羽根部材４４と、前記羽根部材に対して不活性ガスを噴射させて前記載置台に回転力を付与する回転用ガス噴射手段６４とを備えるように構成する。これにより、処理容器内に晒される軸受をなくして、パーティクルの発生を完全に防止する。 （もっと読む）