【課題】筐体内で発生したパーティクルの筐体外への流出を防止することができ、筐体内で安定したダウンフローを生成することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】処理炉５１を有するウエハ処理領域と、ウエハを収納するポッド２を搬送するポッド搬送装置３５を有するポッド保管室１１ｂと、ウエハ処理領域とポッド保管室１１ｂとを内部に有するメイン筐体１１とを備えたバッチ式ＣＶＤ装置において、メイン筐体１１の正面壁１１ａに開設されたポッド搬入口１２とエアインテーク２６を開閉する第一シャッタ１３と第二シャッタ２８とを両側ロッドシリンダ装置２９によって連動させる。ポッド２の搬入搬出時にはポッド搬入口１２を第一シャッタ１３で開き、エアインテーク２６を第二シャッタ２８で閉じる。ポッド保管室１１ｂ内でのポッド搬送時にはポッド搬入口１２を第一シャッタ１３で閉じ、エアインテーク２６を第二シャッタ２８で開く。 （もっと読む）

【課題】既存のシリコンウェハの製造ラインを用いて、ＳＯＳウェハ等の透光性を有する半導体ウェハを用いた半導体装置を製造する手段を提供する。
【解決手段】処理工程へ供給する所定の枚数の半導体ウェハが装填されるウェハキャリアと、透過光型のウェハ検出センサを有し、ウェハキャリアに装填された半導体ウェハを検出するウェハカウンタと、ウェハキャリアに装填された半導体ウェハを、処理工程のウェハ処理台へ搬送する搬送機構とを備えたウェハ搬送装置において、処理工程へ供給する半導体ウェハが透光性を有する透光性ウェハである場合に、ウェハキャリアに透光性ウェハを装填するときに、所定の枚数の内数として、１枚の不透明な半導体ウェハからなるマークウェハを装填する。 （もっと読む）

【課題】基板保持具内における基板の収容位置を任意に設定することが可能とし、条件の良い位置にて基板を処理することが可能とする。
【解決手段】基板を処理する反応炉２０２と、反応炉内で基板を収容する基板保持具２１７と、基板保持具に基板を移載する基板移載手段１２５と、操作員による操作を受け付ける操作部に接続されるとともに基板移載手段を制御する制御部と、を備えた基板処理装置１００であって、操作部は、処理対象の基板を搬送する基板収容容器１１０の画像を含む画面を表示し、基板収容容器の画像が選択されたら、基板に対して基板保持具内における基板収容位置をそれぞれ割り当てる設定画面を表示し、基板収容位置が割り当てられたら、基板をそれぞれ基板保持具内における基板収容位置に移載するか否かを含む情報を制御部に送信し、制御部は、基板移載手段を制御して基板収容位置に基板を移載する。 （もっと読む）

【課題】基板と電極との間の間隔を可変として、基板を移載する移載具の挿入を可能にする基板処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマを生成するための複数の電極２１９ｄと、複数の電極支持部２１９ｃを多段に有し、基板外周部を載置させて基板２００を支持する複数の基板支持部２１８ｃを多段に有する複数の基板支持部材と、前記複数の電極支持部材と前記複数の基板支持部材とを、前記電極支持部２１９ｃ，２１９ｃ間のピッチ内で相対的に上下動させることにより、隣接する基板支持部２１８ｃと電極２１９ｄとの間で基板２００を移載させる昇降装置であって、その相対的な上下動により、各基板支持部２１８ｃを電極支持部２１９ｃの上方の基板載置位置に移動させて、各基板支持部２１８ｃ下に、基板支持部２１８ｃとの間で基板２００を移載する移載具の挿入スペースＡを形成させる昇降装置とを備える。 （もっと読む）

【課題】少数枚の基板を取り扱うのに好適でコストを低減することができる基板処理方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】小バッチ式ＣＶＤ装置１は一度に処理するプロダクトウエハＷｂの枚数が一台のプロダクトウエハ用ポッド２６Ｂに収納される枚数以下に設定されており、一台のプロダクトウエハ用ポッド２６Ｂに収容されたプロダクトウエハＷｂをサイドダミーウエハ用ポッド２６Ａに収納されたサイドダミーウエハＷａと共にボート９に装填してプロセスチューブで一度に処理するように構成されている。一度にバッチ処理する枚数のプロダクトウエハが一台のポッドに収納されるため、ポッドを一時的に保管するための棚や、ポッドを保管棚とポッドステージとの間で搬送するためのポッド搬送装置等を省略でき、バッチ式ＣＶＤ装置のイニシャルコストやランニングコストを低減できる。 （もっと読む）

【課題】基板保持具に保持されている基板（ウェーハ）の移載状態とその詳細情報とを同じ画面上に同時に表示させる。
【解決手段】複数の基板を載置した基板保持具を炉内に搬入して所定の処理を行う基板処理装置において、基板保持具上の基板に関する移載情報をボートイメージ図としてボート全体を操作画面上に表示させると共にボート全体を複数領域に分割して、各領域の基板の詳細情報を操作画面に表示させる。 （もっと読む）

【課題】製品ウェーハと、炉心管の接触を回避し、製造コストの増加を招かずにウェーハの損傷を防止する。
【解決手段】横型熱処理装置１０の炉心管１１内で、垂直配置の半導体ウェーハＷを下方から支持する熱処理用ボート２０であって、載置されたウェーハＷの高さ寸法Ｔｗよりも所定寸ｆ法大きな寸法Ｔ３０を有する炉心管垂下検出手段３０が設けられてなる。 （もっと読む）

【課題】被処理体ボートの載置台のピッチが小さくなっても被処理体のクランプ手段の押し部を被処理体ボートに干渉させることなく移載操作を迅速に行う被処理体の移載機構を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗを載置する支持つめ部８８を有するリング状の載置台８６を複数段に亘って設けた被処理体ボート４０に対して被処理体を移載する移載機構７６において、前進及び後退が可能なフォーク本体７８と、フォーク本体の先端部に設けられて被処理体の周縁部と接触するストッパ部材９４と、フォーク本体の基端部側に前進及び後退可能に設けられて、被処理体の周縁部と接触して被処理体をストッパ部材側へ押圧してクランプし、載置台間の間隙には挿入されないように制御される押し部を有するクランプ手段９６と、フォーク本体を被処理体ボートに沿って上下動させるフォーク昇降手段８０とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置に於いて、ウェーハの装填、ボートの装入、又、ボートの引出し、ウェーハの払出しに要する時間を短縮し、スループットを向上する。又、個々のウェーハについてボート上での搬送待ち時間の相違を少なくし、ウェーハに水分、或は不純物が付着することを抑制する。
【解決手段】縦型処理炉１８と、基板１０を水平姿勢で複数枚保持し、前記縦型処理炉に収納可能なボート２３と、該ボートを前記縦型処理炉に装脱可能に昇降させるボートエレベータ２１と、前記ボートに対して基板の装填、払出しを行う基板移載機２２と、前記ボートエレベータと前記基板移載機の作動を制御する制御装置２６とを具備し、該制御装置は前記基板移載機について前記ボートに対する装填と払出しの制御と、基板の搬送の制御とを行い、又前記ボートについて昇降制御を行い、前記基板移載機の搬送作動と前記ボートの昇降作動を並行して行わせる。 （もっと読む）

本発明に係る半導体製造装置は、密閉された処理空間を提供する反応チャンバ２４と、一対の半導体基板１００を互いに対向させた状態で保持する一対のリング形状のサセプタ１０及び前記サセプタを各々支持する一対の回転テーブル１８を有し、前記一対の半導体基板を前記反応チャンバに出し入れするために用いられるボート２２と、前記反応チャンバ内でエピタキシャル処理工程を実施するために、前記一対の半導体基板の背面側に各々配置される一対のヒータ８０と、前記一対の半導体基板の上側周縁部を囲むように配置され、反応ガスを供給する反応ガスノズルと、前記一対の半導体基板の下側周縁部を囲むように配置され、反応ガスを排気する排気ガスノズルと、前記反応ガスノズルの近傍に配置され、前記反応ガスノズルの外壁への蒸着を防止するためのパージガスを供給するパージガスノズルとを備える。 （もっと読む）

【課題】処理容器と基板保持具間の隙間量を容易に測定し、処理容器と接触しないように基板保持具を設置し、破損やパーティクルの発生を抑制すると共に作業工数の低減を図る。
【解決手段】円筒状の処理容器と、蓋体と、多数枚の被処理基板を上下方向に所定間隔で保持する基板保持具６と、基板保持具６を処理容器内に搬入搬出する昇降機構と、基板保持具６上の被処理基板を加熱する加熱装置とを備えた熱処理装置の処理容器と基板保持具６間の隙間を測定する方法であって、基板保持具６の上部に上部と同径の円板状の上下２枚の治具３７ａ，３７ｂを重ねた状態で載置し、上の治具３７ａを下の治具３７ｂよりも側方に突出させてずらしておき、基板保持具６を昇降させて上の治具３７ａを処理容器の内壁に沿って摺接させることにより得られる上下の治具３７ａ，３７ｂ間のずれ量により隙間を測定する。 （もっと読む）

【課題】スループットを向上させる。
【解決手段】筐体１１内をサブ筐体２４で保管領域３０と処理領域３１とに仕切る。保管領域３０には、ポッド搬入搬出口１２で出入りする搬入搬出口載置台１６、搬入搬出口載置台１６の上方に位置するサブ保管棚１７、サブ保管棚１７の後方に位置する回転式保管棚２０、サブ保管棚１７と回転式保管棚２０の間に位置するポッド搬送装置２３、回転式保管棚２０の下方に位置する着脱機構載置台２７、着脱機構載置台２７の真上に位置する固定式保管棚２９を設ける。処理領域３１にはポッド２からウエハ１を取り出すウエハ移載機構３３と処理炉３６を設ける。ダミーウエハやモニタウエハを収納したポッド２の搬入搬出口載置台１６への搬入時には固定式保管棚２９に搬送する。処理時にダミーウエハやモニタウエハを収納したポッド２の搬送時間を短縮できるので、スループットを向上できる。
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【課題】複数の基板が棚状に保持される保持具から保持アームにより基板を取り出すときに、この保持アームと基板との接触を防止すること。
【解決手段】検査ユニット６に、水平な光軸Ｌを形成する光センサ６２を、ウエハ搬送機構４の搬送基体５に対して相対的に昇降させたときに、フォーク４１の周端面が前記光軸Ｌを横切る位置に設ける。キャリアＣからウエハＷを取り出す前に、前記フォーク４１を検査ユニット６１に挿入し、搬送基体５を光センサ６２に対して相対的に昇降させて、前記光センサ６２からの受光ー非受光の検出結果を取得する。この検出結果と、前記搬送基体５の高さ位置とに基づいて、前記フォーク４１の水平面に対する姿勢が正常であるか否かを判断し、フォーク４１の姿勢が異常であると判断されたときに、前記キャリアＣから次のウエハＷの取り出しを行う前に前記ウエハ搬送機構４を停止する。 （もっと読む）

【課題】 高温熱処理時における自重によるウェハの撓みを防止して、スリップの解消を図れるようにする。
【解決手段】 複数の基板を搭載して反応炉内に出し入れされるボートを備えた熱処理装置において、前記ボートは上下方向に複数段の棚と基板支持部とを有し、前記複数段の棚のそれぞれに基板を垂直に立てた姿勢で水平方向に並べて保持するとともに前記基板支持部で基板を水平姿勢で保持するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】リードタイムを短縮しスループットを高める。
【解決手段】半導体製造装置１において、一対のウエハローディングポート１３、１３を上下に二段設置し、両ウエハローディングポート１３、１３にはポッド１０のキャップ１０ａを開閉するポッドオープナ２０をそれぞれ設ける。一方のウエハローディングポート１３におけるポッド１０に対するウエハ９の移載動作中に、他方のウエハローディングポート１３におけるポッド１０のキャップ１０ａをウエハ出し入れ口から退避位置へ移動させる。 （もっと読む）

【課題】基板の大口径化や超大口径化に伴う基板搬送時の基板中央部の自重による撓みを抑制ないし防止する。
【解決手段】大口径の基板ｗの上方又は下方に移動される支持部１７と、該支持部１７に設けられ基板ｗの周縁部を掴んで支持する掴み機構２８とを有する基板搬送装置において、上記支持部１７に、基板の上面中央部又は下面中央部を撓まないように空気層を介して非接触で吸引保持する非接触吸引保持部３０を１つ又は複数設け、該非接触吸引保持部３０は、上記基板の上面又は下面に対向する平面円形の本体３１と、該本体に形成され中央に向って深くなるように傾斜した傾斜面３２ａを有する凹部３２と、該凹部３２の中央に設けられ上記傾斜面に沿って流れるように気体を放射状に噴出することにより負圧を発生させるための複数の気体噴出ノズル３３と、上記凹部３２の周縁部に適宜間隔で形成された気体逃げ溝３４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】基板の大口径化や超大口径化に伴う基板搬送時の基板中央部の自重による撓みを抑制ないし防止する。
【解決手段】大口径の基板ｗの上方又は下方に移動される支持部１７と、該支持部１７に設けられ基板ｗの周縁部を掴んで支持する掴み機構２８とを有する基板搬送装置において、上記支持部１７に、基板の上面中央部又は下面中央部を撓まないように空気層を介して非接触で吸引保持する非接触吸引保持部３０を１つ又は複数設け、該非接触吸引保持部３０は、上記基板の上面又は下面に向って突設された柱体又は錐体からなる負圧形成突部３１と、該負圧形成突部３１に対して側方から気体を噴出することにより負圧形成突部３１の近傍に負圧を形成するための気体噴出ノズル３２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣボート表面の酸化膜中の金属汚染を簡便に除去することによって半導体ウェーハへの金属汚染を防止し、半導体ウェーハの製造時間および製造コストの抑制を可能にする半導体ウェーハ熱処理用ボートの表面清浄化方法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面がＳｉＣ１０２で形成される半導体熱処理用ボートの表面清浄化方法であって、熱酸化により熱処理用ボートの表面を酸化する工程と、酸化する工程で形成された酸化膜１０４の一部を除去する工程を有することを特徴とする半導体ウェーハ熱処理用ボートの表面清浄化方法。 （もっと読む）

【課題】基板面内の膜厚の均一性を向上させ、もって基板の処理枚数を増大させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、基板５４を処理する処理室４１と、処理室４１内の基板５４を加熱するヒータ４６と、処理室４１内で複数枚の基板５４を多段に支持する基板支持具３０と、基板支持具３０の下方に設けられ複数枚の断熱板８６を多段に支持するように構成された断熱板ホルダ８１とを有する。断熱板８６は基板５４と中心が異なるように配置される。 （もっと読む）

【課題】従来よりも生産性を向上させることができる半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】バッチ式縦型ホットウォールＬＰＣＶＤ装置を用いて、複数の製品用ウェハに対して、同時に成膜処理を施す場合において、複数枚のウェハをウェハ表面に垂直な方向に積層して保持するボート２内部のうち、温度が均一となる製品処理領域に複数の製品用ウェハを装填し、製品処理領域の隣の領域に製品処理領域の温度を均一に保持するためのサイドダミーウェハ１ｂを装填した状態で、複数の製品用ウェハに対して、同時に成膜処理を施した後、製品用ウェハを別の製品用ウェハに交換するが、サイドダミーウェハ１ｂについては、ボート２から取り出さず、ボート２とサイドダミーウェハ１ｂとを引き離すように、サイドダミーウェハ１ｂをボート２内で動かした後、サイドダミーウェハ１ｂを再びボート２に載せる。 （もっと読む）