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Fターム[5F033JJ35]の内容

半導体集積回路装置の内部配線 (234,551) | 層間接続のコンタクト層の材料 (22,060) | 化合物 (4,106) | 酸化物 (221)

Fターム[5F033JJ35]に分類される特許

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本発明は、薄膜トランジスタ表示板とこれを含む液晶表示装置及びその製造方法に関し、薄膜トランジスタ表示板は液晶表示装置や有機EL(electro luminescence)表示装置などで、各画素を独立的に駆動するための回路基板において、画素電極またはゲート線及びデータ線の拡張部を外部回路と接続させるコンタクト補助部材を、IZO及びITOの2重層で形成することに対する発明であって、IZOで形成された下部層とITOで形成された上部層を有するように形成する。前記のように画素電極またはコンタクト補助部材を二重層で形成することによって、エッチング過程で下部配線が損傷されることを防止し、グロステストの際に探針とコンタクト補助部材とのコンタクト抵抗の均一性を良好に確保することができる。また、コンタクト補助部材のみをIZOとITO二重層で形成することによって、グロステストの際に探針とコンタクト補助部材とのコンタクト抵抗の均一性を確保することができ、ITOの使用を減らすことによって製造単価を下げることができる。
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