【課題】複数の画素を有する表示領域に形成された複数の信号配線、前記表示領域の外側に形成された複数のファンアウト配線を含む少なくとも１つのファンアウト配線部、前記信号配線とファンアウト配線の間に前記信号配線とほぼ平行に形成され前記２つの配線を連結し、少なくとも一部は屈曲パターンを有する複数の信号補償配線を含む信号補償配線部を含む薄膜トランジスタ基板及び表示装置を提供する。
【解決手段】信号補償配線間の間隔は、駆動回路付近での配線間隔より充分に広いので、多数の配線にこのような屈曲パターンを容易に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ素子の発光輝度の面内分布をより均一にすることができる有機ＥＬ装置を提供すること。
【解決手段】本発明の有機ＥＬ装置は、少なくとも一方面に導電性を有する基板(10)と、上記基板の一方面上に形成される絶縁膜(50)と、各々、ソースが上記基板と接続されたｐチャネル型のトランジスタ(58,62,64,66)を含み、上記絶縁膜上に形成される複数の駆動回路と、上記駆動回路の各々に対応して上記基板上に形成され、一方端子が上記トランジスタのドレインと接続され、他方端子が共通グランドと接続される複数の有機エレクトロルミネッセンス素子(82,88,90)と、を含む。また、導電性を有する基板の画素が形成される領域の外周部に電源供給用のパッドを設ける。 （もっと読む）

【課題】接続配線の断線を防止でき、接続信頼性を向上させた薄膜回路装置およびその製造方法、並びに当該薄膜回路装置を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る薄膜回路装置は、配線部２を備える回路基板１と、回路基板１上に搭載され、素子表面よりも低い位置に接続端子部１３が設けられた薄膜素子１０と、回路基板１上において薄膜素子１０の周囲に形成され、素子表面から回路基板１の表面に至る傾斜面を有する絶縁性傾斜部３と、接続端子部１３から絶縁性傾斜部３を通って配線部２に至るように形成された接続配線４と、を有し、接続端子部１３上に、接続端子部１３と素子表面との間の段差を解消する突起電極１４が設けられており、突起電極１４を介して接続端子部１３と接続配線４が接続されている。 （もっと読む）

【課題】製造コストの低減に寄与する製造方法を提供する。
【解決手段】基板１８上に設けられたバンク３４によって区画されたパターン形成領域に
、機能液を配置して膜パターンを形成する。基板１８上に第１のバンク形成材料を配置し
て第１バンク層３５を形成する工程と、第１バンク層３５上に第２バンク層３６を形成す
る工程とを有する。第１のバンク形成材料は有機材料であり、第２バンク層３６は第１バ
ンク層３５を被覆するフッ素系の樹脂材料からなる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ表示板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板上にゲート線を形成し、ゲート線上に絶縁膜を介在して、ゲート線と交差するデータ線を形成することを含み、ゲート線および／またはデータ線の形成はベースパターン上に無電解メッキ法を用いて低抵抗導電パターンを形成することを含む。本発明の実施形態に係る薄膜トランジスタ表示板の製造方法は、無電解メッキ法を用いて低抵抗金属配線を形成することによって、製造コストと時間を節減しながらも良好な信号伝達能力を有する薄膜トランジスタ表示板を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】導電性が良好でありながらも銅の拡散を十分に防止することが可能な銅配線の埋め込み構造を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１絶縁膜１３に形成された配線溝１３ａ内、第２絶縁膜２２および第３絶縁膜に形成された配線溝２４ａと接続孔２２ａ内に、拡散防止層１５，２５を介して銅配線１７ａ，２６ａが埋め込まれた半導体装置２７において、拡散防止層１５，２５は、ルテニウムカーバイト（ＲｕＣｘ）、ルテニウムシリサイド（ＲｕＳｉｘ）、またはルテニウム合金（ＲｕＴａ）を用いて構成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】長期間にわたり安定に作動させ、かつ、クロストークを防止することができるとともに、製造工程の工程数を削減することによって、製造コストを大幅に低減できることが可能なＴＦＴ基板及び反射型ＴＦＴ基板並びにそれらの製造方法の提案を目的とする。
【解決手段】反射型ＴＦＴ基板１ａは、ガラス基板１０と、上面がゲート絶縁膜３０に覆われ、かつ、側面が層間絶縁膜５０に覆われることにより絶縁されたゲート電極２３及びゲート配線２４と、ゲート電極２３上のゲート絶縁膜３０上に形成されたｎ型酸化物半導体層４０と、ｎ型酸化物半導体層４０上に、チャンネル部４４によって隔てられて形成された反射金属層６０ａと、チャンネル部４４を保護するチャンネルガード５００とを備えた構成としてある。 （もっと読む）

【課題】隔壁により区画領域を設けて液滴吐出法により液滴を配置する際に、液滴吐出しない細線部にコンタクトホールなどの孔や段差があるとその部分に機能液がぬれ広がらない。
【解決手段】液滴吐出のために設けられる幅広部とコンタクトホールなどの孔や段差がある部分を一致させて、コンタクトホールの場合には上下導通の信頼性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】入出力配線やゲート配線などのように、長い距離にわたって形成されるような配線を低抵抗化し、動作性能の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】画素部に形成されたゲート配線、若しくは駆動回路と外部入力端子とを電気的に接続する入出力信号配線、を有し、前記ゲート配線若しくは前記入出力配線は、前記第１及び第２の薄膜トランジスタのゲート電極と同一層で且つ同一材料からなる第１配線と、前記第１配線の上に形成された第２配線と、を有し、前記第２配線は、前記第１配線よりも抵抗率が低い材料を用いる。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線をダマシン法で形成する半導体装置及びその製造方法において、いわゆる電池効果による影響を無くし、低抵抗で信頼性の高いＣｕ配線を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜は、第１の層間絶縁膜２０１と、第１の層間絶縁膜２０１上に形成され銅の拡散を防止する性質を有する第２の層間絶縁膜２０２とから構成される。配線溝Ｔ１の内壁の上端部を除く部分に、Ｃｕ配線を形成する銅が層間絶縁膜へ拡散することを防止するバリアメタル膜が形成される。Ｃｕ配線は、第２の層間絶縁膜２０２とその上端部において接し、これよりも下部においてはバリアメタル膜２０３により覆われている。 （もっと読む）

【課題】アクティブ層と共通電極間の干渉効果を減らして信号歪みが発生しないようにした液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】液晶表示装置の製造方法は、第１基板上で交差して画素領域を定義するゲートライン及びデータラインを形成する段階と、前記第１基板上に薄膜トランジスタのゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極を形成する段階と、前記データラインの下部及び前記ゲート電極と前記ソース／ドレイン電極との間にアクティブ層を形成し、前記データライン下部のアクティブ層は前記データラインにより露出する部分を有するように形成する段階と、前記データライン下部のアクティブ層の露出した部分を除去する段階と、前記ドレイン電極に電気的に接続する画素電極を形成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】支持体を用いた半導体装置の製造方法において、製造工程を複雑化させることなく、信頼性及び歩留まりの向上を図る。
【解決手段】レジスト層や保護層２０をマスクとして第２の絶縁膜９，半導体基板１，第１の絶縁膜２，及びパッシベーション膜４を順にエッチングして除去する。このエッチングにより、接着層５が当該開口部２１内において一部露出される。この時点で多数の半導体装置は個々の半導体チップに分割される。次に、図１０に示すように、開口部２１を介して溶解剤２５（例えばアルコールやアセトン）を当該露出された接着層５に対して供給し、接着力を徐々に低下させることで半導体基板１から支持体６を剥離除去する。 （もっと読む）

【課題】ＲＣ遅延が抑制された半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、基板上に設けられた層間絶縁膜７に、配線溝８ａと接続孔８ｂとからなるデュアルダマシン開口部８を形成する工程を行う。次に、デュアルダマシン開口部８の内壁を覆う状態で、層間絶縁膜７上にＭｎからなる金属膜２１を形成する工程を行う。次いで、熱処理を行い、金属膜２１中の金属を層間絶縁膜７の構成成分と反応させて、金属膜２１と層間絶縁膜７との界面に、Ｍｎ化合物からなる自己形成バリア膜１１を形成する工程を行う。続いて、金属膜２１の未反応部分を選択的に除去する工程を行う。その後、デュアルダマシン開口部８に、Ｃｕを含む導電層を埋め込んで、配線溝８ａと接続孔８ｂとに上層配線１２とヴィア１３とをそれぞれ形成する工程を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】表示装置において、低抵抗材料を配線に用いることが望まれてきたが、これまでは、有効な配線形成の手段が存在しなかった。
【解決手段】第１の導電膜を形成し、第１の導電膜上に選択的にレジストを形成し、第１の導電膜及びレジスト上に第２の導電膜を形成し、レジストを除去すると共にレジスト上に形成された第２の導電膜を除去し、第１の導電膜上に形成された第２の導電膜を覆うように第３の導電膜を形成し、第１の導電膜及び第３の導電膜を選択的にエッチングし、複数の配線及び電極を形成する。これにより、大型パネルに低抵抗材料を用いた配線を形成することができるため、信号遅延等の問題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置に関し、特に、開口率を確保することのできる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲートラインと、ゲートラインと交差するデータラインと、ゲートラインとデータラインの交差部に形成される薄膜トランジスタと、データラインの下でデータラインと重畳し、薄膜トランジスタの活性層を含む半導体パターンとを備え、データラインの下部に積層された半導体パターンのエッチングエッジ面とデータラインのエッチングエッジ面の間に実質的に段差がないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画質を向上させると共に、ストレージキャパシタの格納容量を増加できる薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板４２上に形成された画素電極１８に接続された薄膜トランジスタ６において、ゲート電極８と活性層１４間のゲート絶縁膜を、平坦化が得られるコーティング工程による有機物質のメインゲート絶縁膜４５と強誘電性物質を含むサブゲート絶縁パターン５２とで構成しゲートドレイン間容量Ｃｇｄとストレージキャパシタ２０を増加させる。 （もっと読む）

【課題】相変化メモリ装置における良好な電気特性と良好な熱特性を両立させ、電極や配線の材料選択の自由度も高めて、大規模な相変化メモリ装置の量産を可能とすること。
【解決手段】ヒータ電極１１０と相変化層１１４の接触界面１１２の近傍で発生するジュール熱が、ヒータ電極１１０を介して下方に伝達され、下地の良導電性の金属コンタクトプラグから放熱されることを抑制するために、異種材料コンタクトプラグ１０４（１０６，１０８）を採用する。ヒータ電極１１０に接触する第１の導電材料プラグ１０６は、ヒータ電極１１０の構成材料と同種または同じ金属材料からなり、第２の導電材料プラグ１０８は、接地電位用プラグ１００や接地配線１０２と同種あるいは同じ金属材料からなる。両プラグ１０６，１０８は、共通のコンタクトホール内に積層形成される。 （もっと読む）

デバイスは、細孔シーリングライナーを有するダマシン層を使用し、半導体ボディを含んでいる。金属相互接続（３０２）からなる金属相互接続層が、半導体ボディ上に形成される。誘電層（３０８）が、金属相互接続層上に形成される。導電性トレンチフィーチャ（３１６）及び導電性バイアフィーチャ（３１４）が、誘電層内に形成される。細孔シーリングライナー（３１８）が、導電性バイアフィーチャの側壁に沿ってのみ、及び導電性トレンチフィーチャの側壁及び底面に沿って形成される。細孔シーリングライナーは、導電性バイアフィーチャの底面に沿っては実質的に存在しない。
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【課題】信頼性を向上させるためのアレイ基板及びこれの製造方法を開示する。
【解決手段】アレイ基板は、表示領域及び表示領域の周辺に形成された周辺領域で構成された基板と、周辺領域に形成され、第１金属膜及び前記第１金属膜に積層されて第１金属膜の一部が露出されて形成された開口を有する第２金属膜を具備する電極パッドと、電極パッドの上部に形成され、開口内の第２金属膜の側面、及び露出された第１金属膜の一部をカバーするように形成された絶縁膜と、絶縁膜の上部に形成され、絶縁膜のビアホールを通じて第１金属膜と電気的に接続された透明電極とを含む。 （もっと読む）

【課題】 液晶表示装置の作製工程におけるプラズマ工程による問題、ゲイト電極等におけるヒロック等の問題、液晶パネルの取り出し部におけるコンタクト不良の問題のうち、少なくとも一つを解決する。
【解決手段】 本発明に係る、液晶パネル内に薄膜トランジスタを有する液晶表示装置の作製方法は、Ｓｃ、Ｙ、ランタノイド及びアクチノイドから選ばれた一種又は複数種類の元素が含まれたアルミニウム膜を有するゲイト電極を形成し、前記ゲイト電極に電気的に接続される、パルス電流が放電しやすい形状を有する第１の配線を形成し、前記薄膜トランジスタの不純物領域に接続される第２の配線を形成し、前記第２の配線から延在した前記液晶パネルの取り出し部に、透明導電膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）