【課題】液晶表示装置の配線膜のエッチング加工において、溶け残り不良を抑制する。
【解決手段】酢酸濃度を５％以上含有する燐酸を主成分とするエッチング液、または、ヘキサン酸等の脂肪酸を含有するエッチング液により、レジスト上でのエッチング液の接触角を低減することができ、濡れ性を改善できる。このエッチング液を用いることによって、エッチング残りが生じ易いパターンにおいても、エッチング残りがないパターンを形成することができ、歩留まりよく液晶表示装置を製造できる。 （もっと読む）

【課題】抵抗が小さく信頼性の高いＣｕ配線またはＣｕプラグを備えた半導体装置を提供することにある。
【解決手段】基板上に形成された層間絶縁膜４に溝部１０を形成した後、溝部１０の内壁を含む層間絶縁膜３上にバリアシード膜６を形成し、バリアシード膜６を電極として、電解メッキ法により溝部１０内に銅７を埋め込む。バリアシード膜６は、絶縁体または半導体の特性を有する高融点金属の酸化物または窒化物からなる単層の膜であって、該膜に銅以外の低抵抗金属が含有されている。 （もっと読む）

【課題】製造時に電荷蓄積層に電荷が蓄積されてしまうことを抑制することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、半導体基板１０上に設けられた電荷蓄積層２０と、電荷蓄積層２０に電荷をプログラムする際に用いられるゲート電極２２と、ゲート電極２２と接続するヒューズ５６と、を有し、ヒューズ５６は、ゲート電極２２に電圧が印加される際は電気的に切断されている半導体装置およびその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置における上層と下層配線の密着性が改善する。
【解決手段】半導体装置は、基板上に形成され、下層配線１００を含む第２の誘電体多層膜８０と、第２の誘電体多層膜上に形成され、凹部３０を有する第１の誘電体多層膜２０と、凹部３０の側面に形成された金属Ｍと酸素を主成分とするＭＯｘ膜４０と、ＭＯｘ膜４０上に形成されたＭを主成分とするＭ膜５０と、Ｍ膜５０上に凹部３０を埋設するＣｕを主成分とする導電体６０と、を有し、凹部３０の底部の直下に存在する下層配線１００の表面の酸素濃度は１％以下である。 （もっと読む）

【課題】自己形成バリア膜を有するＣｕ配線中に残留する不純物金属の濃度を下げることにより、配線抵抗の低い半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上のＳｉ含有絶縁膜に凹部を形成し、この絶縁膜の表面にＣｕＭｎからなる前駆体膜を形成する。前駆体膜上にＣｕ膜を堆積し、酸化雰囲気下で熱処理することにより、前駆体膜と絶縁膜を反応させ、その境界面にＭｎＳｉＯからなる自己形成バリア膜を形成する。未反応のＭｎを配線形成膜内に拡散移動させ、さらに配線形成膜表面で雰囲気中の酸素と反応させ、ＭｎＯ膜として析出させる。ＭｎＯ膜を除去し、Ｃｕ膜上にさらにＣｕを堆積し、配線形成膜を積み増す。凹部外の絶縁膜が露出するまでＣｕ膜をＣＭＰ法により平坦化してＭｎ濃度の低いＣｕ配線構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤ−ＴａＮ膜上にＰＶＤ−Ｔａ膜を形成することなく信頼性に優れた低抵抗なＣｕ配線を形成した半導体装置を得ること。
【解決手段】半導体基板上にトランジスタを含む電子部品が形成された半導体基材上に、少なくとも１層の銅配線を含む多層配線構造が層間絶縁膜を介して形成される半導体装置において、銅配線が形成される下部層間絶縁膜１１と、下部層間絶縁膜１１に形成された配線用溝１２の側面と底面に、原子層レベルで膜厚が制御されて形成されるバリアメタル膜１３と、バリアメタル膜１３上に形成されるＣｕＡｌ合金からなるＣｕＡｌ合金シード膜１４と、バリアメタル膜１３が形成された配線用溝１２に埋め込まれたＣｕを含む材料からなる下層Ｃｕ配線１５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】レジストを使用することなく、薄膜加工を簡単な工程で精度良く行う方法を提案する。また、低コストで半導体装置を作製する方法を提案する。
【解決手段】基板上に第１の層を形成し、第１の層上に剥離層を形成し、剥離層側から剥離層に選択的にレーザビームを照射して一部の剥離層の付着力を低減させる。次に、付着力が低減された剥離層を除去し、残存した剥離層をマスクとして第１の層を選択的にエッチングする。また、基板上に剥離層を形成し、少なくとも剥離層に選択的に第１のレーザビームを照射して一部の剥離層の付着力を低減させる。次に、付着力が低減された剥離層を除去する。次に、残存した剥離層上に第１の層を形成し、残存した剥離層に第２のレーザビームを照射して残存した剥離層の付着力を低減させ、残存した剥離層及び当該剥離層に接する第１の層を除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程において、フォトレジストを用いたリソグラフィー工程を簡略化する半導体装置の製造技術を提供して、製造コストを低減し、スループットを向上させる。
【解決手段】基板上に第１材料層、第２材料層を順次積層して被照射体を形成する。当該被照射体に、第１材料層に吸収される第１のレーザビームと、第２材料層に吸収される第２のレーザビームを重畳するように照射し、該重畳するようにレーザビームが照射された領域の一部或いは全部をアブレーションさせ、開口を形成する。 （もっと読む）

【課題】不良が生じにくい素子構造及び当該素子を有する半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】第１の電極層と第２の電極層からなる一対の電極層間に有機化合物を含む層を有する素子構造とし、一対の電極層のうち、少なくとも一方の電極層のヤング率を７．５×１０^１０Ｎ／ｍ^２以下とする。作製される素子の用途に応じた有機化合物を用いて有機化合物を含む層を形成し、記憶素子、発光素子、圧電素子、有機トランジスタ素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】画素電極と直接接続でき、しかも、約２５０℃といった比較的低い熱処理温度を適用した場合でも充分に低い電気抵抗率と優れた耐熱性とを兼ね備えた配線材料を有する薄膜トランジスタ基板を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタと透明画素電極を有し、Ａｌ合金膜と酸化物導電膜が、高融点金属を介さずに直接接続しており、その接触界面にＡｌ合金成分の一部または全部が析出もしくは濃化して存在する薄膜トランジスタ基板であって、Ａｌ合金膜は、合金成分として、グループαに属する元素を０．１〜６原子％、およびグループＸに属する元素を０．１〜２．０原子％の範囲で含有するＡｌ−α−Ｘ合金からなり、グループαは、Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｇｅの少なくとも一種、グループＸは、Ｍｇ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｔｂ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｄｙの少なくとも一種である。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】チューブを絶縁層の開口形成領域上に絶縁層に接して配置し、そのチューブを通して処理剤（エッチングガス又はエッチング液）を絶縁層に吐出する。吐出（された処理剤（エッチングガス又はエッチング液）によって、絶縁層を選択的に除去し、絶縁層に開口を形成する。従って、導電層上に開口を有する絶縁層が形成され、絶縁層下の導電層が開口の底面に露出する。露出された導電層と接するように開口に導電膜を形成し、導電層と導電膜を絶縁層に設けられた開口において電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】処理時間が短く、かつ処理温度を高温にしなくてもトランジスタのゲート絶縁膜と半導体基板の界面に水素を十分に供給することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板１の表面にトランジスタを形成する工程と、半導体基板１の表面上及びトランジスタ上に層間絶縁膜９，１２及び配線層１０，１３を形成する工程と、最上層の配線層１３上及び層間絶縁膜１２上にパッシベーション膜１４を形成する工程と、半導体基板１の裏面を研削又は研磨する工程と、半導体基板１の裏面から、トランジスタのゲート絶縁膜と半導体基板１の界面に水素を供給する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】処理温度を高温にしなくてもトランジスタのゲート絶縁膜と半導体基板の界面に水素を十分に供給することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板１の表面にトランジスタを形成する工程と、半導体基板１の表面上及びトランジスタ上に層間絶縁膜９，１２及び配線層１０，１３を形成する工程と、最上層の配線層１３上及び層間絶縁膜１２上にパッシベーション膜１４を形成する工程とを具備し、パッシベーション膜１４を形成する工程の前に、半導体基板１の裏面には膜（例えば拡散防止膜８）が形成されており、パッシベーション膜１４を形成する工程の後に、半導体基板１の裏面から前記膜を除去する工程と、半導体基板１の裏面から、トランジスタのゲート絶縁膜と半導体基板１の界面に水素を供給する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】基板上に供給後の機能液を基板上で良好に濡れ拡がらせることができる膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】形成方法は、基板に第１の幅を有する第１領域、及び第１の幅よりも大きい第２の幅を有する第２領域を区画するバンクを形成するバンク形成工程と、吐出ヘッドから機能液を第１領域に吐出し、第１領域から第２領域へ濡れ広がらせる機能液供給工程と、を有し、吐出ヘッドから吐出する機能液の基板に到達する前の直径は、第１の幅より小さい。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路デバイス基板上にフィチャーの底面そして実質的にその上に金属をもたない側壁の部分上に金属からなる輪郭をもつフュチャー内に最初の金属堆積を形成することにより銅めっきをし、銅でフィチャーを埋め込むため最初の金属堆積上に銅を無電解的に堆積するための方法。半導体集積回路デバイス基板上にフィチャー内に銅に濡れる金属からなる堆積を形成し、頂部部分表面上に銅ベースの堆積を形成し、そして銅でフィチャーを埋め込むため銅に濡れる金属からなる堆積上に銅を堆積することによって銅をめっきするための方法。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、走査線内を伝播する迷光を遮光する構造により遮光性を高め、明るく高品位な画像表示を実現する。
【解決手段】基板上に、画素電極（９ａ）と、該画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタ（３０）と、該薄膜トランジスタのゲート電極（３ｇ）に走査信号を供給する走査線（３ａ）と、薄膜トランジスタのソース領域に画像信号を供給するデータ線（６ａ）とを備える。ゲート電極を構成する第１導電層と走査線を構成する第２導電層とは、別層である。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ層とＡｌ含有層とを接続する際に生じるＣｕ−Ａｌ相互拡散による配線抵抗上昇を防止できるようにする。
【解決手段】Ｃｕ材により構成される金属層１０と、Ａｌ材により構成される金属層１４との間に、金属層１０側から金属層１４側にかけて、Ｔｉ層２０ａ、ＴｉＯｘ層２０ｂ、ＴｉＮ層２０ｃ、Ｔｉ層２０ｄの順に構成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の凹部に沿って成膜した銅及び添加金属例えばＭｎの合金層を利用してバリア膜と銅膜とを形成し、その後銅配線を埋め込むにあたって、銅膜中のＭｎの量を低減し、配線抵抗の上昇を抑えること。
【解決手段】ウエハキャリアに対してウエハの受け渡しをするローダモジュールに真空搬送モジュールをロードロック室を介して接続し、この真空搬送モジュールに、有機酸である蟻酸の蒸気をウエハに供給する蟻酸処理モジュールとＣｕを例えばＣＶＤにより成膜するモジュールとを接続して半導体製造装置を構成し、前記合金層を形成し例えば続いてアニール処理が行われたウエハＷをこの装置内に搬入して、蟻酸処理を行ってからＣｕの成膜を行うようにする。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ基板と、この製造方法及びこれを備えた液晶表示パネルを提供すること。
【解決手段】基板と、基板の上に一方向に延設されたゲートラインと、基板の上にゲートラインと所定の間隔を隔てて形成された共通電圧ラインと、ゲートラインと共通電圧ラインの上に形成され、共通電圧ラインの一部を露出させる第１のコンタクトホールが形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の上に形成され、第１のコンタクトホールを介して共通電圧ラインと接続された共通電極と、ゲート絶縁膜の上にゲートラインと交差する方向に延設されたデータラインと、ゲートラインとデータラインとの交差領域に形成され、ゲートライン及びデータラインと接続されると共に、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を含む薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタと接続された画素電極とを備える薄膜トランジスタ基板。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】導電層上にマスクを設け、マスクを設けた導電層上に絶縁膜を成膜し、マスクを除去することで開口を有する絶縁層を形成する。露出した導電層と接するように開口に導電膜を形成することによって、導電層及び導電膜は絶縁層を介して電気的に接続することができる。開口の形状はマスク形状を反映し、柱状（角柱、円柱、三角柱など）、針状などを用いることができる。 （もっと読む）