【課題】信号配線の電子ノイズをより低減させた電磁波検出素子を提供する。
【解決手段】走査配線１０１（２）、信号配線３、及び共通配線１０２（１８）をセンサ部１０３よりも下層に各々絶縁膜を介して設けられた異なる金属層により形成されており、信号配線３を走査配線１０１及び共通配線１０２よりも厚く形成した。 （もっと読む）

【課題】開口率の高い半導体装置又はその製造方法を提供する。また、消費電力の低い半導体装置又はその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極として機能する透光性を有する導電層と、該透光性を有する導電層上に形成されるゲート絶縁膜と、ゲート電極として機能する透光性を有する導電層上にゲート絶縁膜を介して半導体層と、半導体層に電気的に接続されたソース電極又はドレイン電極として機能する透光性を有する導電層とで構成されている。 （もっと読む）

【課題】特性が向上した半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置の製造方法では、まず、絶縁性基板１上にゲート電極２を形成し、ゲート電極２上にゲート絶縁膜３を成膜する。そして、ゲート絶縁膜３上に非晶質半導体膜１４を成膜し、非晶質半導体膜１４に対して、レーザーアニールを行い、非晶質半導体膜１４を微結晶半導体膜４に変換する。その後、微結晶半導体膜４に対してフッ酸処理を施し、フッ酸処理が施された微結晶半導体膜４上に、パターン端が微結晶半導体膜４のパターン端より外側に配置され、パターン端近傍においてゲート絶縁膜３と接するように非晶質半導体膜１４を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板上の受動素子を用いてインピーダンス制御を行うために、高精度の抵抗部を容易に形成する。
【解決手段】半導体装置１２１の能動面１２１ａの周縁部には、複数の電極パッド２４が配列形成され、半導体装置１２１の能動面全体に保護膜としてのパッシベーション膜２６が形成されており、上述した各電極パッド２４の表面に、パッシベーション膜２６の開口部２６ａが形成されている。パッシベーション膜２６上には、応力緩和性の高い有機樹脂膜が形成される。そのパッシベーション膜２６の表面であって、電極パッド列２４ａの内側には、樹脂突起１２が形成されている。樹脂突起１２は、半導体装置１２１の能動面１２１ａから突出して形成され、略同一高さで直線状に延在しており、電極パッド列２４ａと平行に配設されている。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜中の水分による配線メタルの腐食を防止することができ、配線の信頼性向上をはる。
【解決手段】埋め込み配線を有する半導体装置であって、一部に配線用溝１１３が形成された配線間絶縁膜１１１，１１２と、配線間絶縁膜１１１，１１２の配線用溝１１３内に埋め込み形成され、且つ配線用溝１１３の側壁面との間にギャップを有する金属配線層１１５と、配線層１１５の側壁面と上面を覆うように形成された耐水性バリア層１１８とを備えた。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の高い仮基板から耐熱性の低いフィルム基板に移載して形成薄膜トランジスタパネルにおいて、絶縁膜の貫通孔内に設けられた有底筒状の画素電極（薄膜）の底部周辺部が破損しにくいようにする製造方法の提供。
【解決手段】仮基板５１上に分離層５２、下地絶縁膜１およびゲート絶縁膜４を形成する。下地絶縁膜１およびゲート絶縁膜４に貫通孔１２を形成して、分離層５２の上面側に凹部１２ａが形成される。貫通孔１２および凹部１２ａの部分に有底筒状の画素電極１３を形成する。画素電極１３およびゲート絶縁膜４上に窒化シリコン等からなる補強膜４１を形成し、その上にフィルム基板４２を接着層４３を介して接着した後、仮基板５１および分離層５２を除去する。この状態では、画素電極１３の底部が下地絶縁膜１の下側に突出されるが、補強膜４１により、画素電極１３の底部周辺部が破損しにくいようにすることができる。 （もっと読む）

集積回路中の銅線を完全に取り囲んでいるケイ酸マンガン層及び窒化ケイ素マンガン層を組み込んだ集積回路用の配線構造、及びその製造方法を提供する。ケイ酸マンガンは、銅が配線から拡散しないためのバリアを形成し、それにより、絶縁体が磁気尚早に損しないよう保護し、トランジスタが銅により劣化しないように保護する。また、ケイ酸マンガン及び窒化ケイ素マンガンは、銅と絶縁体の間の強い接着を促進し、これゆえに製造及び使用の間のデバイスの機械的な完全性が保持される。また、銅−ケイ酸マンガン界面及び窒化ケイ素マンガン界面における強い接着は、デバイスの使用の間の銅のエレクトロマイグレーションによる損傷から保護する。また、マンガン含有シースは、銅がその周囲の酸素又は水により腐食しないよう保護する。 （もっと読む）

一又は複数のナノ構造の作成方法が開示されており、当該方法は：基板の上部表面上に導電層を形成すること；導電層上に触媒のパターン層を形成すること；触媒層上に一又は複数のナノ構造を成長させること；及び一又は複数のナノ構造の間及び周囲の導電層を選択的に除去することを含んでなる。デバイスもまた開示されており、該デバイスは、基板、ここで基板は一又は複数の絶縁領域によって隔てられた一又は複数の露出金属島を含んでなる；一又は複数の露出金属島又は絶縁領域の少なくともいくつかを覆う基板上に配された導電性補助層；導電性補助層上に配された触媒層；及び触媒層上に配された一又は複数のナノ構造を含んでなる。 （もっと読む）

【課題】バリア膜を薄くする場合であっても良好なバリア性を確保し得る半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に形成された第１の導電体３２と、半導体基板上及び第１の導電体上に形成され、第１の導電体に達するコンタクトホール５２と、コンタクトホールの上部に接続された溝５４とが形成された、酸素を含む絶縁膜４８と、コンタクトホールの側面並びに溝の側面及び底面に形成された酸化ジルコニウム膜６２と、コンタクトホール内及び溝内における酸化ジルコニウム膜上に形成されたジルコニウム膜６４と、コンタクトホール内及び溝内に埋め込まれたＣｕより第２の導電体７０とを有している。 （もっと読む）

【課題】データ線から発生する電気力線が画素電極に進入することを防止し、開口率を大きくすることができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１基板１００Ａは、データ線１２を覆う無機絶縁膜１５と、データ線１２の上方において無機絶縁膜１５上に設けられた突起状の有機絶縁膜２１と、有機絶縁膜２１を覆い、かつ、上方から見たときにデータ線１２を覆うシールド共通電極２６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】低抵抗物質からなると同時に低抵抗の接触特性を有する配線の接触構造及びその製造方法の提供にある。本発明の他の課題は、接触特性の良い配線の接触構造を含む薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【手段】基板上に開口部を有する配線を形成する工程、前記配線を覆う絶縁膜を積層する工程、前記絶縁膜をパターニングし前記開口部を露出する接触孔を形成する工程、及び前記絶縁膜上に前記接触孔を通じて前記配線と接触する第１導電層を形成する工程を含む配線の接触構造形成方法。 （もっと読む）

集積回路のための相互接続構造体に、銅線の核形成、成長及び接着を促進する窒化コバルトの層が組み込まれる。銅の拡散バリヤーとして機能し、かつ窒化コバルトと下地の絶縁体の間の接着性も増加させる、窒化タングステン又は窒化タンタルなどの耐熱性の金属窒化物又は金属炭化物層上に窒化コバルトを堆積してよい。窒化コバルトは、新規なコバルトアミジナート前駆体からの化学気相成長により形成され得る。窒化コバルト上に堆積された銅層は、高い電気伝導度を示し、マイクロエレクトロニクスにおける銅伝導体の電気化学的な堆積のための種層として機能できる。 （もっと読む）

【課題】積層された各半導体チップが備える導体ポスト同士の接合が、低温下の処理でも、導電性に優れ、かつ、高い寸法精度で強固に行われている信頼性の高い半導体装置、かかる半導体装置を備える電子機器を提供すること。
【解決手段】半導体装置１は、インターポーザー２と、第１の電気配線３４および厚さ方向に貫通して設けられた第１の導体ポスト３３とを有する第１の半導体チップ３と、第２の電気配線４４および厚さ方向に貫通して設けられた第２の導体ポスト４３とを有する第２の半導体チップ４とを備える。第１の導体ポスト３３と第２の導体ポスト４３とは、接合膜４３３を介して接合されている。この接合膜４３３は、導電性を有し、かつ、所定の処理を施すことにより接着性を発現する特定の材料で構成されており、その表面に発現した接着性によって、これら導体ポスト３３、４３同士を接合している。 （もっと読む）

【課題】工程数の増加や前後のプロセスへの影響を抑えて、ｎ型ＭＯＳ−ＦＥＴ、ｐ型ＭＯＳ−ＦＥＴのそれぞれに適する応力を付与することが可能な半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板ｗと、半導体基板ｗに形成されたソース領域１２ａおよびドレイン領域１３ａと、半導体基板ｗ上のソース領域１２ａ、ドレイン領域１３ａ間に形成されたゲート電極１６と、半導体基板ｗおよびゲート電極１６上に形成された層間膜１８と、層間膜１８に埋め込み形成され、引張または圧縮応力を有する金属または金属化合物を含む膜２２ａ、２２ｂを有し、半導体基板ｗおよびゲート電極１６と離間するように形成されたダミーフローティングパターン２２を備える。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線パターンの表面に自己形成されるＭｎ酸化物膜よりなるバリア膜を有する多層配線構造において、配線の寿命を向上させる。
【解決手段】Ｃｕ−Ｍｎ合金層を側壁に形成したＣｕ配線パターンの表面に、炭素および酸素源となる炭素含有膜を接触させ、熱処理により、前記Ｃｕ−Ｍｎ合金層中のＭｎ原子と前記炭素源からの炭素原子と酸素原子を反応させ、炭素を含むＭｎ酸化物膜をバリア膜として形成する。 （もっと読む）

【課題】電気抵抗率が従来のＣｕ合金膜よりも低く、且つ、バリアメタルを形成せずとも透明導電膜との間で低コンタクト抵抗の直接接続を実現でき、液晶ディスプレイなどに適用した場合に高い表示品質を与えることのできる表示装置用Ｃｕ合金膜を提供する。
【解決手段】基板上にて、透明導電膜５，４１に直接接続する表示装置用Ｃｕ合金膜２５，２６，３４であって、該Ｃｕ合金膜は、Ｇｅを０．１〜０．５原子％含有し、かつＮｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、及びＣｏよりなる群から選択される１種以上を合計で０．１〜０．５原子％含有することを特徴とする表示装置用Ｃｕ合金膜。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ等の酸化物透明導電膜の上に直接、光反射率が高いＡｌ系合金膜を成膜した欠陥のない積層導電膜を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様に係る積層導電膜は、光透過性を有する透明導電膜と、前記透明導電膜上に直接積層して形成され、前記透明導電膜との界面近傍に窒素原子、酸素原子の少なくとも１種類以上を含むことにより、前記透明導電膜に電気的に接続されるＡｌ又はＡｌを主成分とするメタル導電膜とを有する。また、メタル導電膜は、透明導電膜との界面近傍にさらに周期律の８族元素のＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、４ｂ族元素のＣ、Ｓｉ、Ｇｅから選ばれる少なくとも１種類以上の原子を含む。 （もっと読む）

【課題】抵抗素子として機能する配線を有し、かつ面積の小さな半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板ＳＢと、半導体基板ＳＢ上に設けられた第２の配線層Ｌ２とを備えている。第２の配線層Ｌ２は、通常の配線ＷＲと、高抵抗配線ＲＥと、通常の配線ＷＲおよび高抵抗配線ＲＥを埋め込む絶縁膜８とを含んでいる。通常の配線ＷＲは、第１の銅部１０Ｗと、第１の銅部１０Ｗの底面側および側面側を覆う第１のバリアメタル膜９Ｗとを有している。高抵抗配線ＲＥは、空洞部ＣＶと、空洞部ＣＶの底面側および側面側を覆う第２のバリアメタル膜１９Ｒとを有している。 （もっと読む）

【課題】耐熱性や絶縁性の劣化などの不良の発生が抑えられた絶縁膜と、金属配線とを備えた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に吸湿性を有する絶縁膜１０２を形成し、絶縁膜にダミーコンタクトホールとコンタクトホールとを形成する。基板を熱処理して絶縁膜に含まれる水分を脱離させた後、金属膜で構成されるコンタクト１０３およびダミーコンタクト１１０をそれぞれ形成する。熱処理により、コンタクトホールおよびダミーコンタクトホールを通して絶縁膜中の水分を脱離させることができる。 （もっと読む）

半導体構造（３００）は、半導体基板（３０１）を有する。前記半導体基板（３０１）の上に電気絶縁材料の層（３０４）が形成されている。前記電気絶縁材料の層（３０４）に導電性の特徴（３１２）が形成されている。前記導電性の特徴（３１２）と前記電気絶縁材料の層（３０４）の間に第１の半導体材料の層（３２０）が形成されている。
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