【課題】
互いにパターン（平面形状）の異なる２種類以上の薄膜を積層した積層構造を形成する工程にて、１回のフォトリソグラフィ工程で夫々の薄膜形状を画定すること。
【解決手段】
基板１上に２層の薄膜３，２を順次成膜し、次に薄膜２の上面に形成された第１マスクパターン４を用いて薄膜２のエッチングを行い、第１の薄膜パターン６を形成する。その後、第１マスクパターン４を残した状態で第１マスクパターン４及び薄膜２の上に、有機材料のオフセット印刷、インクジェット印刷、又はディスペンサノズルによる追加塗布で第２マスクパターン５を形成する。最後に、薄膜３を第１マスクパターン４及び第２マスクパターン５を用いて第２の薄膜パターン７に成形し、続いて２つのマスクパターン４，５を除去する。以上の工程により、フォトリソグラフィが第１マスクパターン４を形成する１回のみに制限されるも、基板１の主面に所望の積層構造が形成される。 （もっと読む）

【課題】電気特性に優れ、信頼性の高い薄膜トランジスタを有する表示装置を生産性よく作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に微結晶半導体膜を成膜し、微結晶半導体膜の表面からレーザビームを照射して微結晶半導体膜の結晶性を改善する。次に、結晶性が改善された微結晶半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成する。また当該薄膜トランジスタを有する表示装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】ウエハエッヂ部における膜はがれやパターン飛びを防止できる半導体ウエハおよび半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０１上には、トレンチ分離膜５００により分離された活性領域にゲート構造４００が形成されており、さらに、コンタクト層間膜１０３および、ｌｏｗ−ｋビア層間膜すなわちＶ層とｌｏｗ−ｋ配線層間膜すなわちＭ層とが交互に成膜された多層配線構造が形成されている。第一の層間膜１１３から第五の層間膜１５３までのFineレイヤにおいては、Ｍ層のウエハエッヂ部は除去されているが、Ｖ層のウエハエッヂ部は除去されていない。また、コンタクト層間膜１０３のウエハエッヂ部は除去されていない。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ合金中の合金元素を少なくしても、透明酸化物導電膜との接触抵抗を低くすることのできる低接触電気抵抗型電極、およびこうした電極を製造するための有用な方法、並びにこうした電極を備えた表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の低接触電気抵抗型電極は、酸化物透明導電膜と直接接触するＡｌ合金薄膜からなる低接触電気抵抗型電極において、前記Ａｌ合金は、Ａｌよりもイオン化傾向が小さい金属元素を０．１〜１．０原子％の割合で含有し、且つＡｌ合金薄膜の酸化物透明電極と直接接触するＡｌ合金薄膜表面は、最大高さ粗さＲｚで５ｎｍ以上の凹凸が形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】フォト工程の低減を図った表示装置の製造方法。
【解決手段】第１導電型ＴＦＴと第２導電型ＴＦＴの各形成領域に、半導体層、第１絶縁膜、ゲート電極が形成され、前記半導体層のチャネル領域の各外側に第１導電型不純物領域が形成されている基板上に第２絶縁膜を形成し、前記第１導電型ＴＦＴの形成領域において当該ゲート電極を露出させることなく、前記第２導電型ＴＦＴの形成領域において当該ゲート電極のうち半導体層と交差する各辺の一部を露出させるようにして、ドレインおよびソースの各電極の接続用のコンタクトホールを形成し、多層導電層によって、前記第１導電型ＴＦＴの形成領域における前記各コンタクトホール、前記第２導電型ＴＦＴの形成領域において前記各コンタクトホールのゲート電極の一部を被うようにして、ドレインおよびソースの各電極を形成し、第２導電型不純物をドープして、半導体層に第２導電型不純物領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕ配線から低誘電率材料（Ｌｏｗ−ｋ材料）絶縁膜へのＣｕの拡散を防止することができるとともに、Ｃｕ配線の抵抗の増大を防止することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体装置１では、ＳｉＯＣからなる層間絶縁膜５には、配線溝８が形成されている。配線溝８の内面（ビアホール６の側面６Ｂおよびトレンチ７の側面７Ｂ）には、ＳｉＯ₂からなる第１バリア膜９が形成されている。配線溝８の内面（第１バリア膜９の表面、トレンチ７の底面７Ａおよび第１Ｃｕ配線２の露出面）には、第２バリア膜１０が形成されている。配線溝８には、Ｃｕ配線部１９が埋設されている。Ｃｕ配線部１９の配線溝８との対向面（Ｃｕ配線１１の底面１１Ａおよび側面１１Ｂ、ならびに接続ビア１８の底面１８Ａおよび側面１８Ｂ）は、第２バリア膜１０で被覆されている。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕを含有する配線層及びＡｌを含有するビアプラグ層を備える半導体装置に関し、配線層及びビアプラグ層の信頼性を向上させること。
【解決手段】Ｃｕを含有する配線層と、前記配線層上に形成された層間絶縁膜と、前記配線層上の前記層間絶縁膜内に形成されたビアホールと、前記ビアホール内における前記配線層上に形成された第１のバリア層と、前記第１のバリア層上及び前記ビアホールの側壁に形成された第２のバリア層と、前記第２のバリア層上に形成され、Ａｌを含有する導電層と、を備えることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】下地絶縁層の下層側に支持基板と別の材料からなる層を形成する場合でも、支持基板と半導体基板との貼り合わせ技術を好適に適用することのできる半導体装置、電気光学装置、および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】液晶装置などといった電気光学装置の素子基板などとして用いられる半導体層１０ｘでは、支持基板１０ｄの上に下地絶縁層１２が形成されているとともに、下地絶縁層１２の表面に電界効果型トランジスタ１０ｙが形成されている。支持基板１０ｅにおいて、電界効果型トランジスタ１０ｙのチャネル領域１ｘに対向する位置には凹部１０ｅが形成され、この凹部１０ｅには埋め込みゲート電極４ｘが形成されている。 （もっと読む）

【課題】蓄積容量素子の占有面積を小さくすることが可能な薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、及び表示装置を提供すること
【解決手段】本発明にかかる薄膜トランジスタアレイ基板は、基板１上に形成され、ソース／ドレイン領域を有する半導体層３と、ゲート絶縁膜４と、ゲート電極５と、層間絶縁膜６ａと、ソース／ドレイン領域に接続する配線電極７１、７２と、保護膜８と、配線電極７２に接続する画素電極９と、半導体層３より延在して形成された下部容量電極３ａと、ゲート電極５と同じ層によって形成され、ゲート絶縁膜４を介して下部容量電極３ａの対面に配置された共通配線電極５ａと、層間絶縁膜６ａより膜厚の薄い誘電体膜（保護膜８）を介して共通配線電極５ａの対面に配置された上部容量電極９ａと、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】製造過程においてパーティクルの発生を防止し、表示性能を向上させることを可能とした電気光学装置、及びその製造方法、電子機器を提供する。
【解決手段】素子基板２３上に設けられたＴＦＴ素子４と、ＴＦＴ素子４を覆う有機絶縁層２５上に設けられた画素電極２６とが、有機絶縁層２５に形成されたコンタクトホールを介して電気的に接続する構造を備えた有機ＥＬ装置１０であって、少なくともＴＦＴ素子４のドレイン電極４ｂ上のコンタクトホールが開口する領域に、導電性を有する金属酸化物膜２４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】製造工程数を削減すると共に生産性を向上させる。
【解決手段】ＴＦＴアレイ基板１１は、絶縁基板２１を備えている。絶縁基板２１上には、一部にポリシリコン層２２が形成されている。このポリシリコン層２２は、ＴＦＴ素子１４を構成する、チャネル領域２２ａ、ソース領域２２ｂ及びドレイン領域２２ｃを有している。ポリシリコン層２２上には、ソース領域２２ｂ及びドレイン領域２２ｃのそれぞれ一部を覆うように配線層２３が形成されている。配線層２３並びに配線層２３が積層されていないポリシリコン層２２には、両者の表面を覆うようにゲート絶縁膜２４が形成されている。ゲート絶縁膜２４上には、ゲート絶縁膜２４を介してチャネル領域２２ａに対向する位置にゲート電極層２５が形成されている。ゲート絶縁膜２４表面の一部には、キャパシタ上部電極層２６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴアレイ基板において、各配線間のクロストークを低減する。
【解決手段】ＴＦＴアレイ基板は、透明基板上に配置され、ゲート電極４ａが分岐して延在するゲート配線１と、下部絶縁膜を介してゲート電極４ａの上方を覆う半導体層３と、半導体層３を介してゲート電極４ａの上側にそれぞれ一部が重なりかつゲート配線１とは交差しないようにそれぞれ別個に配置されたソース／ドレイン電極４ｂ，４ｃと、ソース／ドレイン電極４ｂ，４ｃを覆う上部絶縁膜と、この上部絶縁膜の上側においてゲート配線１と交差する方向に配置され、ソース電極４ｂに接続された上部ソース配線８と、ドレイン電極４ｃに電気的に接続された透明な画素電極１１とを備え、少なくともゲート配線１と上部ソース配線８とが交差する交差部２１では、ゲート配線１と上部ソース配線８との間に上記上部絶縁膜が配置されている。 （もっと読む）

【課題】金属抵抗素子の形成位置を画定するための写真製版技術における露光時にレジスト膜中に定在波が発生するのを防止して金属抵抗素子の寸法バラツキを低減する。
【解決手段】金属抵抗素子２７の下地絶縁膜２３は、金属抵抗素子２７の長手方向において、金属抵抗素子２７の接続孔２５，２５間における上面の４０％以上の部分を占める上側に凸の１つの曲面を備えている。金属抵抗素子２７はその長手方向において下地絶縁膜２３の曲面に起因して、コンタクト、コンタクト間における上面及び下面の４０％以上の部分を占める上側に凸の１つの曲面を備えている。金属抵抗素子２７の形成位置を画定するための写真製版技術における露光時に、金属抵抗素子２７を形成するための金属膜の上面及び下面で露光光の反射光は上記曲面により散乱されるので、反射光と入射光によるレジスト膜中での定在波の発生が防止される。 （もっと読む）

【課題】 埋込配線が形成される絶縁性基板の材料が耐熱性の高いものに限定されず、当該埋込配線の端子部の耐食性を向上でき、パターニングが少ない工程で且つ良好な膜厚精度で確実に行われる埋込配線の形成方法を提供する。
【解決手段】 絶縁性基板１の表面に形成したマスク１７を用いて絶縁性基板１の表面を選択的に除去し、配線パターンに対応する平面形状を持つ溝１８を形成する。マスク１７を除去せずに絶縁性基板１の表面全体に金属ナノ粒子インクを塗布し、加熱により仮硬化させて金属ナノ粒子インク膜２０を形成する。マスク１７の剥離により膜２０の当該マスク上にある部分を選択的に除去して溝１８の内部に膜２０を残す。加熱により溝１８内の膜２０を本硬化させ所望のゲート配線２を得る （もっと読む）

【課題】電気光学装置の端子部において界面抵抗の増加を抑制することである。
【解決手段】電気光学装置である液晶表示装置の下基板の画素部１４において、画素用接続配線２４、画素用透明導電膜２８の導電積層膜が形成され、端子部２０において、端子用接続配線１２４、端子用透明導電膜１２８の導電積層膜が形成される。ここで、画素用接続配線２４と端子用接続配線１２４とは同一工程で形成され、下層側から上層側に向かって、チタン／アルミニウム／チタンがこの順に積層されて構成される。その後に平坦化膜６４と保護絶縁膜６２の開口部処理が行われ、表面エッチング液によって最上層のチタンの表面生成物が除去される。そして、画素用透明導電膜２８と端子用透明導電膜１２８とが同一工程で形成される。 （もっと読む）

【課題】積層構造の金属膜を湿式エッチングする際に、テーパ角度が極端な低角度とならないようにして、断線が生じ難いパターンが得られるエッチング液組成物及びこのエッチング液組成物を使用した基板上に所定のパターンを形成する方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたアルミニウム又はアルミニウム合金膜の表面にモリブデン膜が積層された積層構造の金属膜をエッチングして所定のパターンを形成するためのエッチング液組成物であって、リン酸濃度４０〜７０質量％、硝酸濃度０．５〜１０質量％、酢酸濃度５０〜１５質量％、残部が水からなる。
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【課題】基板の画素領域の外側のパッド領域に具備されたパッド電極が製造工程中に損傷するのを防止できる、表示装置及び表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板１２上の画素領域Ａ１００に薄膜トランジスタを形成するとともに第１基板１２上のパッド領域Ａ１１０にパッド電極２４を形成する段階と、薄膜トランジスタと連結する第１画素電極６０及びパッド電極２４を覆うパッド保護層６２を同時に形成する段階と、パッド保護層６２を除去し、パッド電極２４を露出させる段階と、を含むことを特徴としており、パッド電極２４上にパッド保護層６２を形成することによって、第１画素電極６０をパターニングする際のエッチング液によるパッド電極２４の損傷を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】バリアメタルの低抵抗化により配線抵抗の低抵抗化を図ると共に、バリアメタルのＣｕに対する拡散バリア性を高める。
【解決手段】層間絶縁膜１０内に下層配線１４が形成される。層間絶縁膜１０及び下層配線１４上にライナー膜２０と層間絶縁膜２２とが順次形成される。ライナー膜２０と層間絶縁膜２２内にビア２８と上層配線３０とが形成される。下層及び上層配線１４，３０とビア２８とは、バリアメタル１６，３２とＣｕ１８，３６とを有している。バリアメタル１６，３２は、Ｒｕ_ｘＳｉ_ｎＯ_ｙ膜とＲｕ_ｘＯ_ｙ膜とＲｕ_ｘＳｉ_ｎ膜の少なくとも１つの膜１７Ａ，３４Ａと、Ｒｕ_ｘＮ_ｙ膜１７Ｂ，３４Ｂと、Ｒｕ膜１７Ｃ，３４Ｃとが積層されてなる。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の配線膜のエッチング加工において、溶け残り不良を抑制する。
【解決手段】酢酸濃度を５％以上含有する燐酸を主成分とするエッチング液、または、ヘキサン酸等の脂肪酸を含有するエッチング液により、レジスト上でのエッチング液の接触角を低減することができ、濡れ性を改善できる。このエッチング液を用いることによって、エッチング残りが生じ易いパターンにおいても、エッチング残りがないパターンを形成することができ、歩留まりよく液晶表示装置を製造できる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、以下の工程を有している。層間絶縁膜１内に下部配線５を備えた第一層を準備する。第一層上にライナー膜１１を設ける。層間絶縁膜１２をライナー膜１１上に設ける。層間絶縁膜１２およびライナー膜１１を貫通して下部配線５に達するトレンチ１４を形成する。トレンチ１４の側壁に沿った層間絶縁膜１２上及びライナー膜１１上と、下部配線５上に位置するトレンチ１４の底部とにバリアメタル１３を形成する。トレンチ１４底部を物理エッチングすることにより、トレンチ１４底部のバリアメタル１３と下部配線５とを削り、円錐形状又は半球形状の孔６をトレンチ１４の下側に設ける。トレンチ１４の側壁上のバリアメタル１３上及び孔６内に導電膜１５を形成する。トレンチ１４及び孔６内にＣｕ膜１９を埋め込む。 （もっと読む）