【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上に選択的に光吸収層を形成し、絶縁表面上及び光吸収層上に絶縁層を形成し、絶縁表面、光吸収層及び絶縁層にレーザ光を照射し、絶縁層のレーザ光照射領域において光吸収層上の絶縁層のみを選択的に除去し絶縁層に光吸収層に達する開口を形成し、開口に光吸収層と接するように導電膜を形成する。露出した光吸収層と接するように開口に導電膜を形成することによって、光吸収層及び導電膜は絶縁層を介して電気的に接続することができる。 （もっと読む）

【課題】露光装置での微細化を単純に進めることが困難な状況において、コンタクトホールの微細化を簡単に実現する。
【解決手段】基板と、前記基板の上に形成された絶縁膜とを有する表示装置であって、前記絶縁膜は、貫通孔を有し、前記貫通孔は、平面で見たときに、４つの角部が丸みを帯びた矩形形状であり、前記４つの角部のうち、第１の角部及び前記第１の角部の対角に位置する第２の角部は、残りの第３の角部及び第４の角部よりも曲率が大きい。前記第１の角部と前記第２の角部は、曲率が互いにほぼ等しく、前記第３の角部と前記第４の角部は、曲率が互いにほぼ等しい。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程において、フォトレジストを用いたリソグラフィー工程の回数を削減・簡略化する製造技術を提供し、スループットを向上させる。
【解決手段】導電層、半導体層等の被加工層をパターン形成するためのエッチングマスクを、フォトレジストを用いたリソグラフィー技術を用いることなく作製する。エッチングマスクは、レーザビームを吸収する材料からなる光吸収層からなる。光吸収層に、フォトマスクを介して、レーザビームを照射し、光吸収層に吸収されたレーザビームのエネルギーによるレーザアブレーションを利用して、マスクを形成する。 （もっと読む）

【課題】製造工程が増加せず製品コストの高騰を抑制すると共に、製造工程中に蓄積された電荷による静電気破壊から配線膜を保護する。
【解決手段】ＴＦＴ基板１０上の画素領域の周辺に設けられている周辺領域に、信号線膜２００と、この信号線膜２００の上層であって信号線膜２００に対して交差する方向に配設されている配線膜２０１と、この信号線膜２００と配線膜２０１との間に絶縁膜４１'，４２'を介して介装されると共に平面視において少なくとも信号線膜２００と配線膜２０１との交差する領域に配設されているシールド膜２０３とを備え、このシールド膜２０３が、画素領域において形成される蓄積容量７０の下部電極７１と同一の層であって、この下部電極７１をパターンニングする際に同時に形成される。 （もっと読む）

【課題】４００℃以上の高温でのリフロー処理を行わなくても、リフロー処理による埋め込み特性が改善された状態で、凹部内にＣｕを主成分とする導電層を形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、基板１１上に設けられた層間絶縁膜１５に配線溝１６を形成する工程を行う。次に、配線溝１６の内壁を覆う状態で、ＣｕＭｎ合金からなる合金層２１を形成する工程を行う。次いで、リフロー処理により合金層２１を流動させて配線溝１６を合金層２１で埋め込むとともに、合金層２１中のＭｎを層間絶縁膜１２、１５の構成成分と反応させて、合金層２１と層間絶縁膜１２、１５との界面に、Ｃｕの拡散バリア性を有するＭｎ化合物からなる自己形成バリア膜２２を形成する工程を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、合金層（シード層）中のＭｎを高濃度化せずに、導電層の膜剥がれを防止する半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】まず、基板１１上に設けられた層間絶縁膜１５に配線溝１６を形成し、配線溝１６の内壁を覆う状態で、多孔質膜２０を形成する工程を行う。次に、配線溝１６の内壁を覆う状態で、多孔質膜２０上にＣｕＭｎ合金からなる合金層１７を形成する工程を行う。次いで、合金層１７が設けられた配線溝に、Ｃｕを主成分とする導電層１８を埋め込む工程を行う。その後、熱処理を行い、合金層１７中のＭｎを多孔質膜２０の構成成分と反応させて、合金層１７と多孔質膜２０との界面に、銅の拡散バリア性を有するＭｎ化合物からなる自己形成バリア膜１９を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法および半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、接着力が改善されて、良好な側面プロファイルを有する銅配線構造を提供する。本発明はまた、前記構造を有する配線形成方法を提供する。本発明はさらに、前記配線構造を含む薄膜トランジスタ基板を提供する。本発明はさらに、前記したような薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】配線構造と配線形成方法及び薄膜トランジスタ基板とその製造方法が提供される。配線構造は下部構造物上に形成された銅窒化物を含むバリヤ膜及びバリヤ膜上に形成された銅または銅合金を含む銅導電膜を含む。 （もっと読む）

【課題】合金層（シード層）中の自己形成バリア膜の生成に寄与しない余剰なＭｎを除去することで、配線抵抗を低減する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、基板１１上に設けられた層間絶縁膜１５に配線溝１６を形成する。次に、配線溝１６の内壁を覆う状態で、ＣｕＭｎからなる合金層１７を形成する。次いで、合金層１７が設けられた状態の基板１１の表面に、Ｃｕに対してＭｎを選択的に溶解する洗浄液を供給し、自己形成バリア膜の形成に寄与しない合金層１７中のＭｎを、洗浄液に溶解させて選択的に除去する。続いて、熱処理を行い、合金層１７中のＭｎを層間絶縁膜１２、１５の構成成分と反応させて、合金層１７と層間絶縁膜１２、１５の界面に、Ｃｕの拡散防止性を有するＭｎ化合物からなる自己形成バリア膜を形成する。続いて、自己形成バリア膜が設けられた配線溝１６にＣｕを主成分とする導電層を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】光吸収層を形成し、光吸収層上に絶縁層を形成し、光吸収層及び絶縁層に選択的にレーザ光を照射し、絶縁層の照射領域を除去し絶縁層に第１の開口を形成し、第１の開口を有する絶縁層をマスクとして光吸収層を選択的に除去し、絶縁層及び光吸収層に第２の開口を形成し、第２の開口に光吸収層と接するように導電膜を形成する。露出した光吸収層と接するように第２の開口に導電膜を形成することによって、光吸収層及び導電膜は絶縁層を介して電気的に接続することができる。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクやレジストを使用することなく、薄膜加工を簡単な工程で精度良く行う方法、また、低コストで半導体装置を作製する方法を提案する。
【解決手段】基板１００上に第１の層１０１を形成し、第１の層１０１上に光吸収層１０３を形成し、光吸収層１０３に選択的にレーザビーム１０５を照射する。光吸収層１０３がレーザビーム１０５のエネルギーを吸収することで、光吸収層１０３内における気体の放出、光吸収層１０３の昇華または蒸発等により、一部が物理的に解離する。即ち、光吸収層の一部にレーザビーム１０５を照射し、当該照射領域の一部を除去する。残存する光吸収層１１３をマスクとして用いて、第１の層１０１をエッチングすることにより、従来のフォトリソグラフィー技術を用いずとも、第１の層１０１を所望の場所及び形状に加工することができる。 （もっと読む）

【課題】 簡素な工程にも拘わらず、Ｃｒ膜又はＡｌ膜から成る電極とコンタクトホールに形成される透明導電膜との間のコンタクト抵抗を低減できるアクティプマトリクス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁層１３，１５中の異なる深さ位置に在るフッ素を含むガスを用いたドライエッチングにより揮発しない金属膜１２，１４にそれぞれ達するように１マスクプロセスによって複数のコンタクトホールを形成するアクティブマトリクス基板の製造方法であっつて、ＣＨＦ３とＣＦ４とＯ２との混合ガスを用いてドライエッチングを行って複数のコンタクトホールを形成する工程と、複数のコンタクトホールに対して酸素アッシングを行う工程と、複数のコンタクトホール内に透明導電膜を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】光吸収層を形成し、光吸収層上に絶縁層を形成し、光吸収層及び絶縁層に選択的にレーザ光を照射し、光吸収層の照射領域及び絶縁層の照射領域を除去し光吸収層及び絶縁層に開口を形成し、開口に光吸収層と接するように導電膜を形成する。露出した光吸収層と接するように開口に導電膜を形成することによって、光吸収層及び導電膜は絶縁層を介して電気的に接続することができる。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】光吸収層を形成し、光吸収層上に絶縁層を形成し、光吸収層及び絶縁層に選択的にレーザ光を照射し、絶縁層の照射領域を除去し絶縁層に開口を形成し、開口に光吸収層と接するように導電膜を形成する。露出した光吸収層と接するように開口に導電膜を形成することによって、光吸収層及び導電膜は絶縁層を介して電気的に接続することができる。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクを使用することなく、微細な加工パターンを高い位置精度で形成する方法、代表的には半導体装置を製造する工程の中でのコンタクト開口に関する方法を提示する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成し、薄膜上に層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜及び薄膜に開口部を形成する位置と重なる領域に液滴吐出法によりレンズ材料となる液状物質を着弾させマイクロレンズを形成し、レーザ光をマイクロレンズに照射し薄膜に集光することにより、薄膜及び層間絶縁膜の一部を除去して開口部を形成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、同一基板上に同時に異なるＬＤＤ構造を有する生産性の高いＴＦＴの作製方法およびその構造を提供することを目的としている。即ち、本発明はＴＦＴの新規な構造と生産性の高い製造工程を提供するものである。
【解決手段】 耐熱性の高いＴａ膜またはＴａを主成分とする膜を配線材料に用い、さらに保護層で覆うことで、高温（４００〜７００℃）での加熱処理を施すことが可能となり、且つ保護層をエッチングストッパーとして用いることで周辺駆動回路部においては、サイドウォール１２６を用いた自己整合プロセス（セルフアライン）によるＬＤＤ構造を備えたＴＦＴを配置する一方、画素マトリクス部においては、絶縁物１２５を用いた非自己整合プロセス（ノンセルフアライン）によるＬＤＤ構造を備えたＴＦＴを配置する （もっと読む）

【課題】本発明は、ＣＯＰ構造を採用することなしにセル面積の縮小と強誘電体キャパシタ面積の増加を実現することを最も主要な特徴とする。
【解決手段】基板５１と、拡散領域５４Ａと、その上に形成された層間絶縁膜５５と、層間絶縁膜５５に形成され、拡散領域５４Ａに通じるホール５７Ａ及び５７Ｂと、ホール５７Ａ及び５７Ｂ内に形成され、拡散領域５４Ａと電気的に接続された下部電極５９と、下部電極５９上に形成された強誘電体膜６０と、強誘電体膜６０上に形成された上部電極６１とを有し、下部電極５９、強誘電体膜６０及び上部電極６０でそれぞれ強誘電体キャパシタが構成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体層及び高融点金属膜とＡｌまたはＡｌ合金からなる低抵抗金属膜との積層
金属膜をパターン形成するに当たり、工程を複雑化することなく、ＡｌまたはＡｌ合金の
耐腐食性を改善する。
【解決手段】Ａｌ（合金）と高融点金属の積層膜パターン２４、２５をエッチングマスク
であるフォトレジスト５１から後退して形成し、この状態でＡｌ（合金）膜の側面に保護
膜３８を形成する。このため、半導体層２３のエッチングやチャネルエッチング時にＡｌ
（合金）膜の側面が塩素系ガスやフッ素系ガスのプラズマに曝されにくくなり、Ａｌ（合
金）膜の腐食を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】表示品質の優れた表示装置を生産性よく製造することができる表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る表示装置の製造方法は、ＴＦＴ１０８を備える基板１００を有する表示装置に関する方法である。まず、ＴＦＴ１０８を備える基板１００上にスルーホール１１を有する平坦化膜１０を成膜する。次に、スルーホール１１を介してＴＦＴ１０８のドレイン部と接続され、画素電極の少なくとも一部となる透明導電膜１２を成膜する。そして、透明導電膜１２を成膜後、ＴＦＴ１０８を備える基板１００に対してプラズマによる第１の表面処理を行う。さらに、プラズマによる第１の表面処理後、反射膜１３を成膜する。 （もっと読む）

【課題】フォトリソ工程を簡便に削減できるパター形成方法を考案し、液晶表示装置の製造工程を大幅に削減できるＴＦＴの新しい製造方法を提供する。
【解決手段】ＴＦＴを構成する材料膜を絶縁膜基板上に積層して成膜してから、膜厚が互いに異なる複数の領域を有するレジストマスクを上記材料膜の最上層にパターニングして形成する。そして、このレジストマスクを用いたリフトオフの方法で導電体膜のパターン形成を行う。あるいは、別に形成した膜厚が互いに異なる複数の領域を有するレジストマスクをエッチングマスクにして積層した材料膜のうち複数の材料膜を順次に加工する。このような新規なパターン形成方法および加工方法により、従来の技術で５回のフォトリソ工程で製造していた液晶表示装置を２回あるいは３回のフォトリソ工程で製造する。 （もっと読む）

【課題】 電気的特性や信頼性等に優れたスタック型ＤＲＡＭのキャパシタを得る。
【解決手段】 ＭＩＳトランジスタのソース又はドレインの一方に接続された下部電極と、前記下部電極の上面及び側面上に形成されたキャパシタ絶縁膜と、前記キャパシタ絶縁膜上に形成された上部電極とからなる電荷保持用のキャパシタを有する半導体装置であって、前記下部電極の底部近傍の側面は凹んでおり、この凹んだ部分は前記キャパシタ絶縁膜とは異なる絶縁膜に接している。 （もっと読む）