【課題】銀（Ａｇ）配線の低抵抗性の利点を生かしながらも接着性及びエッチングプロファイルを補完する薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１０上に第１信号線を形成する段階と、第１信号線上にゲート絶縁膜１４０及び半導体層を順次に形成する段階と、ゲート絶縁膜１４０及び半導体層上に第２信号線１７１を形成する段階と、第２信号線１７１と連結される画素電極１９１を形成する段階と、を含み、第１信号線を形成する段階及び第２信号線１７１を形成する段階のうちの少なくとも一つの段階は、第１導電性酸化膜を形成する段階と、銀（Ａｇ）を含む導電層を形成する段階と、第１導電性酸化膜よりも低い温度で第２導電性酸化膜を形成する段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】銅または銅合金からなる導電性のダマシン構造を含んだ集積回路構造のバリア層の形成方法を提供する。
【解決手段】導電構造（１６、２２）の側壁には、金属層、中間層が交互に積層され、少なくとも３つの層を含んだ積層構造（３２）が設けられている。積層構造（３２）の中に非常に薄い層があるにもかかわらず、外部電流を用いて銅を電解析出するために必要な導電率の高さに起因した銅の拡散に対する、高い障壁作用が得られる。 （もっと読む）

【課題】非接触でデータの送受信が可能な半導体装置は、鉄道乗車カードや電子マネーカードなどの一部では普及しているが、さらなる普及のためには、安価な半導体装置を提供することが急務の課題であった。上記の実情を鑑み、単純な構造のメモリを含む半導体装置を提供して、安価な半導体装置及びその作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】有機化合物を含む層を有するメモリとし、メモリ素子部に設けるＴＦＴのソース電極またはドレイン電極をエッチングにより加工し、メモリのビット線を構成する導電層とする。 （もっと読む）

【課題】 塗布絶縁膜からの脱ガス反応を押さえ、塗布絶縁膜の変形やクラック等を回避して半導体装置としての信頼性向上をはかる。
【解決手段】 ヒューズ素子の側壁部もしくはそれを覆う絶縁談をテーパ形状に加工することにより、ヒューズ素子の近隣に存在する塗布絶縁膜との距離を大きくすることで塗布絶縁膜へ加わる熱ストレスを緩和し、塗布絶縁談からの脱ガス反応を押さえ塗布絶縁談の変形やクラック等を避ける。また、ヒューズ素子の側壁部もしくはそれを覆う絶縁膜にサイドスペーサを形成し、あるいはヒューズ素子の側壁部とさらにそれを覆う絶縁談にもサイドスペーサを形成することにより、一層、ヒューズ素子の近隣に存在する塗布絶縁膜との距離を大きくする。 （もっと読む）

【課題】キャパシタ下部電極の直下のコンタクトプラグの歩留まりが向上し、それ以外のコンタクトプラグの設計が容易になる半導体装置とその製造方法を提供すること。
【解決手段】第１の絶縁膜８の第１のホール内８ａに形成された第１の導電性プラグ１０ａと、第１の絶縁膜８上に形成された酸化防止絶縁膜１１ａ及び下地絶縁膜１１ｂと、第１の絶縁膜８、酸化防止絶縁膜１１ａ、及び前記下地絶縁膜１１ｂに形成された第２のホール８ｂと、第２のホール８ｂ内に形成された第２の導電性プラグ１２ａと、第２の導電性プラグ１２ａに接続されたキャパシタQ₁と、キャパシタQ₁上に形成された第２の絶縁膜１８と、第１の導電性プラグ１０ａ上に形成された第３のホール１９ａと、第３のホール１９ａ内に形成された第３の導電性プラグ２１ａとを有する半導体装置による。 （もっと読む）

【課題】配線材との密着性が良く、バリア性の高い金属膜をもつ半導体装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の基板温度で、表面に凹部が形成された絶縁膜中および絶縁膜表面の酸化種を放出させる工程と、第１の基板温度より低い第２の基板温度で、絶縁膜上に金属膜を形成する工程と、金属膜を形成後、絶縁膜中に残存する酸化種によって、金属膜の少なくとも一部を酸化させる工程により密度の高い金属膜および金属酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】多層配線を形成する際における配線の加工に要する工程を簡便にすることを課題とする。また、開口径の比較的大きいコンタクトホールに液滴吐出技術やナノインプリント技術を用いた場合、開口の形状に沿った配線となり、開口の部分は他の箇所より凹む形状となりやすかった。
【解決手段】高強度、且つ、繰り返し周波数の高いパルスのレーザ光を透光性を有する絶縁膜に照射して貫通した開口を形成する。大きな接触面積を有する１つの開口を形成するのではなく、微小な接触面積を有する開口を複数設け、部分的な凹みを低減して配線の太さを均一にし、且つ、接触抵抗も確保する。 （もっと読む）

【課題】 主配線材料であるＡｌと主電極材料であるＰｔとの反応を効果的に抑制することができる強誘電体キャパシタの配線構造を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板と、半導体基板の上方に形成される第１電極と、第１電極上に形成される金属酸化物誘電体からなる容量絶縁膜と、容量絶縁膜上に形成される第２電極と、第２電極の上面の一部を露出する第１開口部を有し第１電極、容量絶縁膜及び第２電極を覆うように形成される絶縁膜と、第１開口部内及び絶縁膜上に形成されるアモルファス構造を有する第１バリア膜と、第１バリア膜の上方に形成される配線膜と、を備えることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置において、シリコンから成る半導体層と画素電極とのコンタクトを良好にする。
【解決手段】ドレイン領域２１１のコンタクトホール２１７にスパッタ法により、５ｎｍの厚さのチタン膜２１９、１２０ｎｍ厚さのＩＴＯ膜２１９ｂを成膜し、パターニングして、画素電極２１９を形成する。水素雰囲気中で、３００℃の温度で加熱処理することにより、活性層２０３の欠陥が修復されると同時に、チタン膜２１９ａが酸化されて、透光性を有する酸化チタン膜２１９ｃになる。チタン膜２１９ａはシリコンよりも酸化ポテンシャルが低く、かつＩＴＯ膜２１９ｂの主成分である酸化インジウムよりも酸化ポテンシャルが高いため、シリコンが酸化されることなく、チタン膜２１９ａのみが酸化されて、酸化チタン膜２１９ｃになるので、画素電極２１９とシリコンのコンタクト抵抗の増加を防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 多孔質絶縁膜中の成膜ガス等の侵入による配線容量の増加を抑制し、多孔質絶縁膜とバリアメタルとの密着性を向上させた半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する
【解決手段】 配線溝４ａ，４ｂを有し、比誘電率が３以下の多孔質絶縁膜２と、配線溝４ａ，４ｂ表面の膜密度の異なる複数の膜を有するバリアメタル層５ａ，５ｂと、バリアメタル層５ａ，５ｂと多孔質絶縁膜２との間に形成された金属浸透領域６ａ，６ｂと、バリアメタル層５ａ，５ｂを介して配線溝４ａ，４ｂの中に埋め込まれた金属配線７ａ，７ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】複数の空孔を有する絶縁膜の形成方法を提案する。また、高集積化された半導体装置の歩留まり高い作製方法を提案する。
【解決手段】層間絶縁膜の低誘電率化の方法として、レーザ光を用いて層間絶縁膜中に複数の空孔を作成形成してすることにより、多孔質の絶縁膜を形成することを特徴とする。また、インクジェット法に代表される液滴吐出法を用いて、前記多孔質の絶縁膜に導電性粒子を含む組成物を吐出し、焼成して配線を形成する。レーザ光としては、超短パルスレーザーレーザ光を用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 水素による素子の特性劣化と、配線や配線プラグの酸化をともに抑制できる配線及び配線プラグの形成方法と、優れたデバイス特性を有する強誘電体メモリ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 強誘電体キャパシタＣの上部電極１０と配線１６とを接続するための局所配線１２を、下層側から順にＩｒＯ_X 膜１２ＡとＩｒ膜１２Ｂとを形成する。また、局所配線１２と上部配線１６とを接続する配線プラグＰ２の下地膜１４を、下層側から順にＩｒＯ_X 膜１４ＡとＩｒ膜１４Ｂとを形成する。 （もっと読む）

【課題】 電極の段切れを防止して表示品位の優れたアクティブマトリクス型表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 アクティブマトリクス型表示装置は、接続配線４と、貫通孔３３を含む無機絶縁膜２１と、コンタクトホール３２を含む有機絶縁膜２２と、画素メタル電極６とを備える。貫通孔３３は、接続配線４の表面においてコンタクトホール３２よりも大きくなるように形成され、有機絶縁膜２２は、貫通孔３３とコンタクトホール３２とに挟まれるように形成された介在部３１を含む。接続配線４は、表面のうち少なくとも介在部３１が接する領域に形成された酸化膜を含む。 （もっと読む）

【目的】 層間絶縁膜が剥離または破壊される事態が起こりにくい半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】 基体上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程（Ｓ１０２〜Ｓ１０８）と、前記絶縁膜上に導電性材料を堆積させる堆積工程（Ｓ１１４〜Ｓ１１８）と、堆積した前記導電性材料を所定の深さまでウェットエッチングするウェットエッチング工程（Ｓ１２０）と、ウェットエッチングされた前記導電性材料を研磨する研磨工程（Ｓ１２２）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】 ヴィア（ヴィアコンタクト）の加工形状を均一にすることを目的とする。
【構成】 第１の配線層と、前記第１の配線層の上方に形成された第２の配線層と、前記第１の配線層と前記第２の配線層との間のヴィア層に配置され、前記第２の配線層下面から前記第１の配線層上面まで導電性材料が堆積したヴィア２０と、前記第１の配線層と前記第２の配線層との間のヴィア層に配置され、前記第２の配線層下面から前記ヴィア層の途中まで導電性材料が堆積した、前記ヴィア２０より径の小さなヴィア２２と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

拡散バリア膜と金属膜との間の接着性を改善するための方法が提唱される。拡散バリア膜及び金属膜の両方は、いずれかのシークエンスで、半導体基板上へ堆積される。拡散バリア膜又は金属膜のいずれか一方である第一膜（第一膜は、基板の表面領域の少なくとも一部で暴露される）を有する基板は、酸素含有リアクタントに暴露され、第一膜の露出部分に酸素含有基又は酸素原子の約１の単層の表面終端を生成する。次いで、第二膜（これは、拡散バリア膜及び金属膜のうち他方である）が基板上に堆積される。さらに、酸素架橋構造が提唱され、該構造は、拡散バリア膜及び該拡散バリア膜との界面を有する金属膜を含む（ここで、界面は、酸素原子の単層を含有する）。
【課題】
【解決手段】
（もっと読む）

【課題】 信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、層間絶縁膜１と、層間絶縁膜１内に形成された下部配線５と、層間絶縁膜１上に形成されたライナー膜１１と、ライナー膜１１上に形成された層間絶縁膜１２とを備えている。下部配線５に下部孔８が開口しており、ライナー膜１１および層間絶縁膜１２には下部孔８に繋がる上部孔１０が開口しており、下部孔８の口径ｄ₂は上部孔の口径ｄ₁よりも大きくなっている。さらに、下部孔８の内壁面に形成された導電膜１５と、上部孔１０の内壁面に沿って形成されたバリアメタル１３と、上部孔１０内および下部孔８内を埋めるように形成されたＣｕ膜１９とを備えている。導電膜１５はバリアメタル１３と同じ物質を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 機械的強度に優れると共に、低抵抗であって且つ絶縁膜に対する密着性の高いバリアメタル膜を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 基板（１）上に形成された絶縁膜（６）と、絶縁膜（６）中に形成された埋め込み金属配線（１０）と、絶縁膜（６）と金属配線（１０）との間に形成されたバリアメタル膜（Ａ１）とを備えた半導体装置において、バリアメタル膜（Ａ１）は、絶縁膜（６）が存在している側から金属配線（１０）が存在している側へ向かって順に積層されている金属酸化物膜（７）、金属化合物膜（８）及び金属膜（９）よりなる。金属化合物膜（８）の弾性率は、金属酸化物膜（７）の弾性率よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、低抵抗であって且つ絶縁膜及び配線との間で高い密着性を有するバリアメタル膜を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、基板（１）上に形成された絶縁膜（６，８）と、絶縁膜（６，８）中に形成された埋め込み配線（１４）と、絶縁膜（６，８）と埋め込み配線（１４）との間に形成されたバリアメタル膜（Ａ１）とを有する。バリアメタル膜（Ａ１）は、絶縁膜（６，８）が存在している側から埋め込み配線（１４）が存在している側へ向かって順に積層されている金属酸化物膜（１１）、遷移層（１２ａ）及び金属膜（１３）よりなり、遷移層（１２ａ）は、金属酸化物膜（１１）の組成と金属膜（１３）の組成とのほぼ中間的な組成を有する単一の原子層よりなる。 （もっと読む）

【課題】低抵抗の導電物質からなる信号線を用いることにより、良好な接触特性を備える接触構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】接触部形成方法は、基板上に第１配線を形成する段階と、第１配線を覆い、第１配線の一部分を露出させるコンタクトホールを有する絶縁膜を形成する段階と、コンタクトホールによって露出する第１配線の表面に接触層を形成する段階と、接触層を介して第１配線と接続される第２配線を形成する段階とを含み、第１配線は、アルミニウムまたはアルミニウム合金で形成し、第２配線は、ＩＴＯまたはＩＺＯで形成する。 （もっと読む）