半導体装置及びその製造方法
【課題】 機械的強度に優れると共に、低抵抗であって且つ絶縁膜に対する密着性の高いバリアメタル膜を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 基板(1)上に形成された絶縁膜(6)と、絶縁膜(6)中に形成された埋め込み金属配線(10)と、絶縁膜(6)と金属配線(10)との間に形成されたバリアメタル膜(A1)とを備えた半導体装置において、バリアメタル膜(A1)は、絶縁膜(6)が存在している側から金属配線(10)が存在している側へ向かって順に積層されている金属酸化物膜(7)、金属化合物膜(8)及び金属膜(9)よりなる。金属化合物膜(8)の弾性率は、金属酸化物膜(7)の弾性率よりも大きい。
【解決手段】 基板(1)上に形成された絶縁膜(6)と、絶縁膜(6)中に形成された埋め込み金属配線(10)と、絶縁膜(6)と金属配線(10)との間に形成されたバリアメタル膜(A1)とを備えた半導体装置において、バリアメタル膜(A1)は、絶縁膜(6)が存在している側から金属配線(10)が存在している側へ向かって順に積層されている金属酸化物膜(7)、金属化合物膜(8)及び金属膜(9)よりなる。金属化合物膜(8)の弾性率は、金属酸化物膜(7)の弾性率よりも大きい。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、銅配線を有する半導体装置及びその製造方法に関し、特にバリアメタル膜とその形成方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、半導体集積回路装置(以下、半導体装置という。)の加工寸法の微細化に伴って、半導体装置の多層配線には、銅配線と誘電率が小さい絶縁膜、いわゆるLow−k膜との組み合わせが採用されている。こうすることにより、RC遅延及び消費電力の低減を可能にする。さらに、半導体装置の高集積化、高機能化及び高速化を図るために、誘電率がより低いLow−k膜の採用が検討されている。
【0003】
ところで、銅配線は、通常ダマシン法によって形成される。ダマシン法には、配線及びビアプラグを交互に形成するシングルダマシン法と、配線及びビアプラグを同時に形成するデュアルダマシン法とがある。
【0004】
以下に、ダマシン法による多層配線の形成方法について、図5(a)及び(b)を参照しながら説明する。
【0005】
図5(a)に示すように、シリコン基板101上に第1の絶縁膜102を形成した後に、該第1の絶縁膜102中に第1のバリアメタル膜103を有する第1の銅配線104を形成する。なお、シリコン基板101上には、図示していないトランジスタなどが形成されている。続いて、第1の絶縁膜102及び第1の銅配線104の上に、銅の拡散を防止する拡散防止膜105及び第2の絶縁膜106を順に形成する。続いて、拡散防止膜105及び第2の絶縁膜106にビアホール106aを形成すると共に、第2の絶縁膜106に配線溝106bを形成することにより、ビアホール106a及び配線溝106bよりなる凹部106cを形成する。続いて、凹部106cの壁面に沿うように、第2のバリアメタル膜107を形成する。なお、図5(a)では、上層のバリアメタル構造として、第2のバリアメタル膜107の単層構造よりなる場合について示しているが、図8(b)に示すように、凹部106cの壁面に沿うように、第2のバリアメタル膜108及び第3のバリアメタル膜109の2層構造よりなる場合でもよい。
【0006】
次に、図示していないが、図5(a)の場合であれば第2のバリアメタル膜107(なお、図5(b)の場合であれば第3のバリアメタル膜109)の上に、銅シード層を形成した後に、該銅シード層を種に用いた銅めっきにより、凹部106cを埋め込むと共に第2の絶縁膜106の表面全体を覆うように銅膜を形成する。続いて、化学機械研磨(CMP:Chemical mechanical polishing)法により、銅膜における凹部106cの内側の部分以外であって第2の絶縁膜106の上に形成されている部分と、図5(a)の場合であれば第2のバリアバリアメタル膜107における凹部106cの内側の部分以外であって第2の絶縁膜106の上に形成されている部分(図5(b)の場合であれば第3のバリアメタル膜109及び第2のバリアメタル膜108における凹部106cの内側の部分以外の部分であって第2の絶縁膜106の上に形成されている部分)を研磨除去する。これにより、配線、ビアプラグ又はこれら両方を形成することができる。以上の一連の動作を繰り返し行なうことにより、多層配線を形成することができる(例えば、特許文献1参照)。
【0007】
一般に、銅は、熱又は電界によって容易にシリコン酸化膜などの絶縁膜中を拡散するので、これが原因となってトランジスタの特性劣化が生じやすい。また、銅は、絶縁膜との密着性が低い。したがって、銅配線を形成する際には、銅と絶縁膜との間に、タンタル膜又は窒化タンタル膜よりなるバリアメタル膜を形成することにより、銅が絶縁膜へ拡散することを防止すると共に絶縁膜及び銅との密着性を向上させる方法が提案されている(例えば、特許文献2参照)。例えば、バリアメタル膜の構造がタンタル膜又は窒化タンタル膜よりなる単層構造である場合が、図5(a)に示した構造となる一方、バリアメタル膜の構造がタンタル膜及び窒化タンタル膜よりなる2層構造である場合が、図5(b)に示した構造となる。
【0008】
しかしながら、例えば前述の例において、図5(a)に示す第2のバリアメタル膜107としてタンタルなどの高融点金属膜を用いた場合には、凹部106cを有する第2の絶縁膜106と高融点金属膜との密着性が悪いという問題がある。この密着性が悪いという問題に対しては、図5(b)に示すように、例えば第3のバリアメタル膜109としてタンタル膜を用いる場合には、タンタル膜よりなる第3のバリアメタル膜109と第2の絶縁膜106との間に、第2のバリアメタル膜108としてタンタル窒化膜を形成することによって密着性の悪さを改善してきたが、十分な密着性が得られているわけではない。
【0009】
また、第2のバリアメタル膜107(図5(a)の場合)又は第3のバリアメタル膜109(図5(b)の場合)として窒化タンタル膜を用いた場合には、窒化タンタル膜は酸化されることはないが、窒化タンタル膜は高抵抗であって、且つ銅との密着性が低いという問題を有している。
【0010】
さらに、第2のバリアメタル膜107(図5(a)の場合)又は第3のバリアメタル膜109(図5(b)の場合)としてとしてチタン膜又は窒化チタン膜を用いた場合にも、それぞれ、前述したタンタル膜を用いた場合又は窒化タンタル膜を用いた場合と同様の問題が存在する。
【0011】
ところで、前記の銅シード層の形成には、通常、物理気相成長法(PVD:Physical vvapor deposition)が用いられる。半導体装置の微細化に伴って、ビアホールのアスペクト比(ビアホールの深さと径との比)が高くなる傾向があるので、物理気相成長法を用いて銅シード層を形成する場合、銅シード層におけるビアホールの底部での膜厚の確保が難しくなってきている。ビアホールの底部での膜厚が薄くなると、電解めっきの電流が十分供給できないので、電解めっきの銅でビアホールを十分に埋め込むことができなくなる。例えば、前記図5(a)の場合では、ビアホール106a及び配線溝106bよりなる凹部106cを銅によって十分に埋め込むことができなくなる。これにより、製品歩留まりの劣化及び信頼性の低下を招くことになる。この点、銅シード層におけるビアホールの底部での膜厚を確保するために、化学気相成長法(CVD:Chemical vvapor deposition )を用いて銅シード層を形成することも検討されているが、フッ素(F)等の銅を腐食させる物質が原料ガスに含まれる場合が多いので、実用化には至っていない。
【0012】
一方で、銅シード層を用いることなく、電解めっきによってバリアメタル膜の上に直接銅配線を形成する試みも検討されている。
【0013】
ところが、例えば前述の例において、第2のバリアメタル膜107(図5(a)の場合)又は第3のバリアメタル膜109(図5(b)の場合)としてタンタルなどの高融点金属膜を用いた場合には、電解めっきによって銅を形成する際に、タンタル膜は酸化されるので、高抵抗の酸化タンタル膜が形成されてしまう。このため、配線抵抗の上昇を避けることができないという問題を有している。
【0014】
そこで、バリアメタル膜の低抵抗化を実現するために、酸化されても導電性を失わない金属及びその金属酸化物自体が低抵抗であるルテニウム又はイリジウムなどの金属をバリアメタル膜として用いることが注目されてきている(例えば、特許文献3及び4参照)。これらの金属は、タンタル又はタンタル窒化物よりも比抵抗が低抵抗であって、且つ酸化されても導電性を失わないので、銅シード層を用いることなく、バリアメタル膜の上に直接銅めっきを行なうことが可能となる。なお、一般にこれらの金属は原子層成長法又は化学気相成長法によって形成される。
【特許文献1】特開平11−223755号公報
【特許文献2】特開2002−43419号公報
【特許文献3】特許第3409831号
【特許文献4】特開2002−75994号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0015】
前記を考慮して、バリアメタル膜の低抵抗化を実現するために、ルテニウム又はイリジウムなどの金属をバリアメタル膜として絶縁膜上に直接形成する場合、これらの金属と絶縁膜との密着性が低いために、半導体製造工程において、バリアメタル膜が絶縁膜から剥離してしまうという問題がある。
【0016】
この場合に、バリアメタル膜と絶縁膜との密着性を増大させる方法として、絶縁膜が存在している側から順に形成された導電性を有する金属酸化物膜と酸化されても導電性を失わない金属膜よりなるバリアメタル膜を用いる方法が考えられる。このようにすると、絶縁膜としてシリコン酸化膜を用いる場合、絶縁膜を構成する酸素と金属酸化物膜を構成する酸素とが同種の元素であるので、絶縁膜と金属酸化物膜との密着性が増大すると考えられる。さらに、酸化されても導電性を失わない金属膜がバリアメタル膜の最表面に形成されている場合、酸化されても導電性を失わない金属膜が電解めっきの電極となるので、バリアメタル膜の抵抗を低下させることができる。これにより、絶縁膜との密着性が高く、低抵抗であるバリアメタル膜を実現することができると考えられる。
【0017】
しかしながら、一般的に、金属酸化物の機械的強度は低いことが知られている。このため、前述したような酸化されても導電性を失わない金属膜と金属酸化物膜との積層膜をバリアメタル膜として用いた場合、例えば、図5(b)に示した第2のバリアメタル膜108として金属酸化物膜を用い、第3のバリアメタル膜109としてルテニウム又はイリジウムなどの金属を用いた場合を仮定すると、半導体製造工程中の熱処理により、バリアメタル膜にクラックが発生し、ビア抵抗若しくは配線抵抗の高抵抗化、又はElectro-migration若しくはStress-migrationなどにより配線の信頼性が劣化するという問題が考えられる。さらに、組み立て工程におけるワイヤーボンディング時に半導体装置に加わる応力により、バリアメタル膜にクラックが発生し、配線の信頼性が劣化するという問題が考えられる。
【0018】
また、例えば、図5(b)に示した第2のバリアメタル膜108として酸化ルテニウム又は酸化イリジウム等の金属酸化物を用いる場合には、低抵抗であって且つ絶縁膜に対する密着性に優れたバリアメタル膜を実現することができるが、バリアメタル膜の機械的強度が小さくなるという問題が考えられる。バリアメタル膜の機械的強度が小さいと、半導体製造工程の熱処理により、バリアメタル膜にクラックが発生し、配線抵抗の高抵抗化、又はElectro-migration若しくはStress-migrationなどにより配線の信頼性が劣化するという問題が発生する。さらに、組み立て工程におけるワイヤーボンディング時にバリアメタル膜にクラックが発生するという問題が考えられる。
【0019】
前記に鑑み、本発明の目的は、機械的強度に優れると共に、低抵抗であって且つ絶縁膜に対する密着性の高いバリアメタル膜を有する半導体装置及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0020】
前記の課題を解決するために、本発明に係る第1の半導体装置は、基板上に形成された絶縁膜と、絶縁膜中に形成された埋め込み金属配線と、絶縁膜と配線との間に形成されたバリアメタル膜とを有する半導体装置において、バリアメタル膜は、絶縁膜が存在している側から金属配線が存在している側へ向かって順に積層されている金属酸化物膜、金属化合物膜及び金属膜よりなり、金属化合物膜の弾性率は、金属酸化物膜の弾性率よりも大きいことを特徴とする。
【0021】
本発明に係る第1の半導体装置によると、バリアメタル膜は、金属酸化物膜と金属膜との間に、金属酸化物膜の弾性率よりも大きい弾性率を有する機械的強度の高い金属化合物膜を備えているので、金属膜と金属酸化物膜とを単に積層してなるバリアメタル膜に比べて、バリアメタル膜の機械的強度が飛躍的に向上する。したがって、機械的強度に優れた多層配線を有する信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
【0022】
本発明に係る第1の半導体装置において、絶縁膜と金属酸化物膜とは接合して形成されていると共に、金属膜と金属配線とは接合して形成されていることが好ましい。
【0023】
このようにすると、金属酸化物膜と絶縁膜とが接合していることにより、金属膜と絶縁膜とが接合している場合と比べて、バリアメタル膜の絶縁膜に対する密着性が向上する。さらに、絶縁膜の最表面が酸化物である場合には、金属酸化物膜と絶縁膜とに共通の元素である酸素が存在するので、絶縁膜と金属酸化物膜との密着性が増大する。また、金属膜と金属配線とが接合していることにより、金属化合物膜又は金属酸化物膜よりも抵抗が小さい金属が金属めっきを行なう際の電極兼めっき下地となるので、金属化合物膜又は金属酸化物膜がバリアメタル膜の表面に形成されている場合よりも膜厚均一性に優れためっき膜を形成することができる。このため、高性能な金属めっきを実現することができる。
【0024】
本発明に係る第1の半導体装置において、金属酸化物膜は、導電性を有することが好ましい。
【0025】
このようにすると、金属酸化物膜と絶縁膜との密着性を増大させることができることに加えて、低抵抗のバリアメタル膜を実現することができる。このため、低抵抗であって且つ密着性が高い多層配線を有する信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
【0026】
本発明に係る第2の半導体装置は、基板上に形成された絶縁膜と、絶縁膜中に形成された埋め込み金属配線と、絶縁膜と金属配線との間に形成されたバリアメタル膜とを有する半導体装置において、バリアメタル膜は、絶縁膜が存在している側から金属配線が存在している側に向かって順に積層されている第1の金属酸化物膜、金属化合物膜、第2の金属酸化物膜及び金属膜よりなり、金属化合物膜の弾性率は、第1の金属酸化物膜の弾性率及び第2の金属酸化物膜の弾性率のそれぞれよりも大きいことを特徴とする。
【0027】
本発明に係る第2の半導体装置によると、バリアメタル膜は、第1の金属酸化物膜と金属膜との間に金属化合物膜を備えていると共に、金属膜と金属化合物膜との間に第2の金属酸化物膜を備えており、金属化合物膜は、第1の金属酸化物膜の弾性率及び第2の金属酸化物膜の弾性率のそれぞれよりも大きい弾性率を有するので、機械的強度に優れたバリアメタル膜を実現することができる。これにより、単に金属膜と金属酸化物膜を積層してなるバリアメタル膜に比べて、機械的強度が飛躍的に向上する。また、金属化合物膜と第1及び第2の金属酸化物膜のそれぞれの熱膨張率とが異なる場合であっても、バリアメタル膜の熱膨張が全体的に均一化されて熱的機械的強度に優れたバリアメタル膜の構造を実現することができる。さらに、バリアメタル膜は、第1の金属酸化物膜、金属化合物膜及び第2の金属酸化物膜が順に積層された構造を有するので、金属酸化物膜に加わる応力が2層に分散するので、バリアメタル膜全体の機械的強度が飛躍的に増大する。したがって、機械的強度に優れた多層配線を有する信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
【0028】
本発明に係る第2の半導体装置において、絶縁膜と第1の金属酸化物膜とは接合して形成されていると共に、金属膜と金属配線とは接合して形成されていることが好ましい。
【0029】
このようにすると、第1の金属酸化物膜と絶縁膜とが接合していることにより、金属膜と絶縁膜とが接合する場合と比べて、バリアメタル膜と絶縁膜との密着性が向上する。さらに、絶縁膜の最表面が酸化物である場合には、第1の金属酸化物と絶縁膜とに共通の元素である酸素が存在するので、絶縁膜と第1の金属酸化物膜との密着性が増大する。また、金属膜と金属配線とが接合していることにより、金属化合物膜又は金属酸化物膜よりも抵抗が小さい金属が金属めっきを行なう際の電極兼めっき下地となるので、金属化合物膜又は金属酸化物膜がバリアメタル膜の表面に形成されている場合よりも膜厚均一性に優れためっき膜を形成することができる。このため、高性能な金属めっきを実現することができる。
【0030】
本発明に係る第2の半導体装置において、第1の金属酸化物膜及び第2の金属酸化物膜のうちの少なくとも一方は、導電性を有することが好ましい。
【0031】
このようにすると、第1及び第2の金属酸化物膜のうちの少なくとも一方と絶縁膜との密着性が増大することに加えて、低抵抗のバリアメタル膜を実現することができる。このため、低抵抗であって且つ密着性が高い多層配線を有する信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
【0032】
本発明に係る第1又は第2の半導体装置において、金属化合物膜を構成する金属は、高融点金属であることが好ましい。
【0033】
このようにすると、金属配線を形成した後に、さらに上層配線を形成する半導体製造工程において、およそ400℃前後の熱が加えられても、金属化合物膜が変成することがないので、バリアメタル膜にクラックが発生することを抑制できる。また、高融点金属よりなる金属化合物膜の機械的強度は高いので、組み立て工程におけるワイヤーボンディング時にストレスが加わっても、バリアメタル膜にクラックが発生することを抑制できる。したがって、機械的強度に優れた信頼性の高い半導体装置を実現できる。
【0034】
本発明に係る第1又は第2の半導体装置において、金属膜を構成する金属は、酸化されても導電性を失わない金属であることが好ましい。
【0035】
このようにすると、金属膜が酸化されても導電性を失わない金属よりなるため、配線めっきの際に金属膜の表面が酸化されても導電性が低下することがないので、高性能の配線めっきが可能となる。このため、低抵抗であって且つ密着性が高い多層配線を有する信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
【0036】
本発明に係る第1又は第2の半導体装置において、金属化合物膜は、金属窒化物膜よりなることが好ましい。
【0037】
このようにすると、金属膜と金属酸化物膜との間に、金属酸化物膜よりも機械的強度に優れる金属窒化物膜が存在しているので、バリアメタル膜全体の機械的強度が増大する。したがって、機械的強度に優れると共に、低抵抗であって且つ密着性の高い多層配線を有する信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
【0038】
本発明に係る第1又は第2の半導体装置において、金属化合物膜は、金属炭化物膜よりなることが好ましい。
【0039】
このようにすると、金属膜と金属酸化物膜との間に、金属酸化物膜よりも機械的強度に優れる金属炭化物膜が存在しているので、バリアメタル膜全体の機械的強度が増大する。したがって、機械的強度に優れると共に、低抵抗であって且つ密着性の高い多層配線を有する信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
【0040】
本発明に係る第1又は第2の半導体装置において、金属化合物膜は、金属ケイ化物膜よりなることが好ましい。
【0041】
このようにすると、金属膜と金属酸化物膜との間に、金属酸化物膜よりも機械的強度に優れる金属ケイ化物膜が存在しているので、バリアメタル膜全体の機械的強度が増大する。したがって、機械的強度に優れると共に、低抵抗であって且つ密着性の高い多層配線を有する信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
【0042】
本発明に係る第1の半導体装置の製造方法は、基板上の絶縁膜に凹部を形成する工程と、凹部の壁面に沿うように、金属酸化物膜、金属化合物膜及び金属膜がこの順に形成されてなるバリアメタル膜を形成する工程と、凹部を埋め込むように、バリアメタル膜の上に埋め込み金属配線を形成する工程とを備え、バリアメタル膜を形成する工程は、金属酸化物膜の弾性率よりも大きい弾性率を有する金属化合物膜を形成する工程を含むことを特徴とする。
【0043】
本発明に係る第1の半導体装置の製造方法によると、金属酸化物膜と金属膜との間に、金属酸化物膜の弾性率よりも大きい弾性率を有する機械的強度に優れる金属化合物膜を備えたバリアメタル膜を形成するので、金属膜と金属酸化物膜とを単に積層してなるバリアメタル膜を形成する場合に比べて、機械的強度が飛躍的に向上する。したがって、機械的強度に優れた多層配線を有する信頼性の高い半導体装置を製造することができる。また、金属酸化物膜と絶縁膜とを接合するように形成することにより、金属膜と絶縁膜とが接合する場合と比べて、バリアメタル膜の絶縁膜に対する密着性を向上させることができる。また、絶縁膜の最表面が酸化物である場合には、金属酸化物膜と絶縁膜とに共通の元素である酸素が存在するので、絶縁膜と金属酸化物膜との密着性が増大する。さらに、金属膜と金属配線とを接合するように形成することにより、金属化合物膜又は金属酸化物膜よりも抵抗が小さい金属が金属めっきを行なう際の電極兼めっき下地となるので、金属化合物膜又は金属酸化物膜がバリアメタル膜の表面に形成されている場合よりも膜厚均一性に優れためっき膜を形成することができる。このため、高性能な金属めっきを実現することができる。
【0044】
本発明に係る第2の半導体装置の製造方法は、基板上の絶縁膜に凹部を形成する工程と、凹部の壁面に沿うように、第1の金属酸化物膜、金属化合物膜、第2の金属酸化物膜及び金属膜がこの順に形成されてなるバリアメタル膜を形成する工程と、凹部を埋め込むように、バリアメタル膜の上に埋め込み金属配線を形成する工程とを備え、バリアメタル膜を形成する工程は、第1の金属酸化物膜の弾性率及び第2の金属酸化物膜の弾性率のそれぞれよりも大きい弾性率を有する金属化合物膜を形成する工程を含むことを特徴とする。
【0045】
本発明に係る第2の半導体装置の製造方法によると、第1の金属酸化物膜と金属膜との間に金属化合物膜を備えると共に、金属膜と金属化合物膜との間に第2の金属酸化物膜を備えたバリアメタル膜を形成し、金属化合物膜を第1の金属酸化物膜の弾性率及び第2の金属酸化物膜の弾性率のそれぞれよりも大きい弾性率とすることにより、機械的強度に優れたバリアメタル膜を実現することができる。これにより、単に金属膜と金属酸化物膜とを積層してなるバリアメタル膜を形成する場合に比べて、機械的強度が飛躍的に向上する。また、金属化合物膜と第1及び第2の金属酸化物膜のそれぞれの熱膨張率とが異なる場合であっても、バリアメタル膜の熱膨張が全体的に均一化されて熱的機械的強度に優れたバリアメタル膜の構造を実現することができる。さらに、第1の金属酸化物膜、金属化合物膜及び第2の金属酸化物膜が順に積層された構造を有するバリアメタル膜を形成するので、金属酸化物膜に加わる応力が2層に分散するので、バリアメタル膜全体の機械的強度を飛躍的に増大させることができる。したがって、機械的強度に優れた多層配線を有する信頼性の高い半導体装置を製造することができる。また、第1の金属酸化物膜と絶縁膜とが接合するように形成することにより、金属膜と絶縁膜とが接合する場合と比べて、バリアメタル膜と絶縁膜との密着性が向上する。さらに、絶縁膜の最表面が酸化物である場合には、第1の金属酸化物と絶縁膜とに共通の元素である酸素が存在するので、絶縁膜と第1の金属酸化物膜との密着性が増大する。さらに、金属膜と金属配線とを接合するように形成することにより、金属化合物膜又は金属酸化物膜よりも抵抗が小さい金属が金属めっきを行なう際の電極兼めっき下地となるので、金属化合物膜又は金属酸化物膜がバリアメタル膜の表面に形成されている場合よりも膜厚均一性に優れためっき膜を形成することができる。このため、高性能な金属めっきを実現することができる。
【0046】
本発明に係る第1又は第2の半導体装置の製造方法において、バリアメタル膜を形成する工程よりも後であって埋め込み金属配線を形成する工程よりも前に、バリアメタル膜の上にシード層を形成する工程をさらに備え、埋め込み金属配線を形成する工程は、凹部を埋め込むように、シード層の上に埋め込み金属配線を形成する工程を含むことが好ましい。
【0047】
このようにすると、配線用のめっきのプロセスウインドウが拡大するので、シード層を形成することなく埋め込み金属配線を形成する場合と比べて、埋め込み金属配線を形成する工程の最適化を容易にできる。このため、製造歩留まりが向上すると共に、低抵抗であって且つ密着性が高い多層配線を有する信頼性の高い半導体装置を安定的に製造することができる。
【発明の効果】
【0048】
本発明に係る半導体装置及びその製造方法によると、機械的強度に優れると共に、低抵抗であって且つ密着性が高い多層配線を有する信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0049】
(第1の実施形態)
以下、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置及び半導体装置の製造方法について、図1(a)及び(b)並びに図2(a)〜(c)を参照しながら説明する。
【0050】
図1(a)及び(b)は、第1の実施形態に係る半導体装置の構造を示す要部断面図である。
【0051】
まず、図1(a)に示すように、シリコン基板1上には第1の絶縁膜2が形成されており、該第1の絶縁膜2には第1のバリアメタル膜3を有する第1の銅配線4が形成されている。なお、シリコン基板1上には、図示していないトランジスタなどが形成されている。第1の絶縁膜2及び第1の銅配線4の上には、銅の拡散を防止する拡散防止膜5及び第2の絶縁膜6が順に形成されている。拡散防止膜5及び第2の絶縁膜6にはビアホール6aが形成されていると共に、第2の絶縁膜6には配線溝6bが形成されている。このように、ビアホール6a及び配線溝6bよりなる凹部6cが形成されている。
【0052】
また、図1(a)に示すように、凹部6cの壁面には、第2のバリアメタル膜A1が形成されている。ここで、第2のバリアメタル膜A1は、凹部6cに沿うように第2の絶縁膜6の上に形成された金属酸化物膜7、該金属酸化物膜7の上に形成された金属化合物膜8、及び該金属化合物膜8の上に形成された金属膜9よりなる。ここで、金属化合物膜8の弾性率は、金属酸化物膜7の弾性率よりも大きい。なお、金属膜9の少なくとも一部は酸化されていてもよい。
【0053】
さらに、図1(a)に示された凹部6cを埋め込むように、銅めっきによって金属膜9の上に銅膜を形成した後に、銅膜及び第2のバリアメタル膜A1における凹部6cの内部以外の部分であって第2の絶縁膜6の上に形成されている部分をCMPによって除去し、第2の銅配線10及びその一部であるビアプラグを形成することで、図1(b)に示す構造を有する半導体装置が形成されている。なお、第2の銅配線10は、配線、ビアプラグ、又はこれらの両方のいずれかであればよい。ここで、第2の銅配線10は、純銅又は銅以外の成分(例えば、微量のSi、Al、Mo又はScなど)を含む銅合金よりなる場合であってもよい。なお、拡散防止膜5の成膜からCMPまでの工程が繰り返されることで多層配線が形成される。
【0054】
ここで、拡散防止膜5には、シリコン窒化膜、シリコン窒化炭化膜、シリコン炭化酸化膜、シリコン炭化膜、又はこれらの膜を組み合わせてなる積層膜を用いるとよい。拡散防止膜5は、第1の銅配線4の銅が第2の絶縁膜6中に拡散することを防止する働きを有する。
【0055】
また、第2の絶縁膜6には、シリコン酸化膜、フッ素ドープシリコン酸化膜、シリコン酸化炭化膜、又は有機膜よりなる絶縁膜を用いるとよい。これらの膜は、化学気相成長法にて形成される膜であってもよいし、スピン塗布法にて形成されるSOD(spin on dielectric)膜であってもよい。
【0056】
また、金属酸化物膜7は、膜厚が薄い場合には必ずしも導電性を有さなくてもよいが、導電性を有する方が好ましい。以下に、導電性を有する金属酸化物膜7について具体的に説明する。
【0057】
金属酸化物膜7の金属には、ルテニウム(Ru)、イリジウム(Ir)、モリブデン(Mo)、オスミニウム(Os)、ロジウム(Rh)、プラチナ(Pt)、バナジウム(V)、又はパラジウム(Pd)などの酸化されても導電性を失わない金属の酸化膜を用いるとよい。なお、金属酸化物膜7の金属は、酸化されても導電性を失わない金属であれば、前記に示した金属以外の金属であってもよい。
【0058】
また、金属化合物膜8を構成する金属には、高融点金属を用いるとよい。これにより、第2の銅配線10を形成した後に、さらに上層配線を形成する工程において、およそ400℃前後の熱が加えられるが、本熱処理によって金属化合物膜8がクラック等の発生によって変成することはない。したがって、信頼性の高い半導体装置を実現できる。
【0059】
さらに、金属化合物膜8には、高融点金属の窒化膜を用いるとよい。
【0060】
具体的には、金属化合物膜8の金属には、チタニウム(Ti)、タンタル(Ta)ジルコニウム(Zr)、ニオビウム(Nb)、ハフニウム(Hf)、タングステン(W)、ルテニウム(Ru)、イリジウム(Ir)、モリブデン(Mo)、オスミニウム(Os)、ロジウム(Rh)、プラチナ(Pt)、又はバナジウム(V)などの機械的強度に優れると共に窒化されても導電性を失わない金属の窒化膜を用いるとよい。なお、金属化合物膜7の金属は、機械的強度に優れると共に窒化されても導電性を失わない金属であれば、前記に示した金属以外の金属であってもよい。但し、前記の金属酸化物膜7の弾性率よりも大きい弾性率を有するように、金属化合物膜8の金属を選択する必要がある。
【0061】
また、金属化合物膜8には、高融点金属の炭化膜を用いることもできる。
【0062】
具体的には、金属化合物膜8の金属には、ルテニウム(Ru)、イリジウム(Ir)、モリブデン(Mo)、オスミニウム(Os)、ロジウム(Rh)、プラチナ(Pt)、バナジウム(V)、チタニウム(Ti)、タンタル(Ta)、ジルコニウム(Zr)、ニオビウム(Nb)、ハフニウム(Hf)、又はタングステン(W)などの機械的強度に優れると共に炭化されても導電性を失わない金属の炭化膜を用いてもよい。なお、金属化合物膜8の金属は、機械的強度に優れると共に炭化されても導電性を失わない金属であれば、前記に示した金属以外の金属であってもよい。但し、前記の金属酸化物膜7の弾性率よりも大きい弾性率を有するように、金属化合物膜8の金属を選択する必要がある。
【0063】
また、金属化合物膜8には、高融点金属のケイ化膜を用いることもできる。
【0064】
具体的には、ルテニウム(Ru)、イリジウム(Ir)、モリブデン(Mo)、オスミニウム(Os)、ロジウム(Rh)、プラチナ(Pt)、バナジウム(V)チタニウム(Ti)、タンタル(Ta)ジルコニウム(Zr)、ニオビウム(Nb)、ハフニウム(Hf)、又はタングステン(W)など機械的強度に優れると共にケイ化されても導電性を失わない金属のケイ化膜を用いることもできる。なお、金属化合物膜8の金属は、機械的強度に優れると共にケイ化されても導電性を失わない金属であれば、前記に示した金属以外の金属であってもよい。但し、前記の金属酸化物膜7の弾性率よりも大きい弾性率を有するように、金属化合物膜8の金属を選択する必要がある。
【0065】
金属膜9には、ルテニウム(Ru)、イリジウム(Ir)、モリブデン(Mo)、オスミニウム(Os)、ロジウム(Rh)、プラチナ(Pt)、又はバナジウム(V)などの酸化されても導電性を失わない金属を用いるとよい。なお、金属膜9の金属は、酸化されても導電性を失わない金属であれば、前記に示した金属以外の金属であってもよい。
【0066】
なお、図示していないが、デュアルダマシン配線溝(ビアホール6a及び配線溝6bよりなる凹部6c)における第2の絶縁膜6の表面と金属酸化物膜7との間に、シリコン酸化膜(例えば、SiO2 、SiOC、SiCO、若しくはSiONなど)、シリコン窒化膜(例えばSi3N4、SiON、若しくはSiCNなど)、又はシリコン炭化膜(例えばSiC、SiCO、SiOC、若しくはSiCNなど)などの絶縁膜が形成されていてもよい。
【0067】
以下に、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図2(a)〜(c)を参照しながら説明する。
【0068】
図2(a)〜(c)は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す要部工程断面図である。
【0069】
まず、図2(a)に示すように、シリコン基板1上に第1の絶縁膜2を形成した後に、該第1の絶縁膜2中に第1のバリアメタル膜3を有する第1の銅配線4を形成する。なお、シリコン基板1上には、図示していないトランジスタなどが形成されている。続いて、第1の絶縁膜2及び第1の銅配線4の上に、銅の拡散を防止する拡散防止膜5及び第2の絶縁膜6を順に形成する。続いて、拡散防止膜5及び第2の絶縁膜6に、下端が第1の銅配線4に到達するビアホール6aを形成すると共に、第2の絶縁膜6に、ビアホール6aに連通する配線溝6bを形成する。このようにして、デュアルダマシン用のビアホール6a及び配線溝6bよりなる凹部6cを形成する。ここで、ビアホール6a及び配線溝6bよりなる凹部6cは、周知のリソグラフィ技術、エッチング技術、アッシング技術、及び洗浄技術を用いて、例えば特開2002−75994号公報などに開示されているデュアルダマシン形成方法によって形成すればよい。
【0070】
次に、図2(b)に示すように、凹部6cの壁面に沿うように、第2の絶縁膜6の上に金属酸化物膜7を形成する。続いて、金属酸化物膜7の上に、金属化合物膜8を形成する。続いて、金属化合物膜8の上に金属膜9を形成する。ここで、金属酸化物膜7、金属化合物膜8及び金属膜9は、原子層成長法(ALD:Atomic layer deposition)、化学気相成長法(CVD:Chemical vapor deposition)、又は物理気相成長法(PVD:PPhysical vapor deposition)などの成膜方法によって形成すればよい。このようにして、金属酸化物膜7、金属化合物膜8及び金属膜9よりなる第2のバリアメタル膜A1が形成される。
【0071】
次に、図2(c)に示すように、凹部6cが埋め込まれるように、銅めっきにより、凹部6cの内部を含む金属膜9の上に銅膜を形成した後に、銅膜、金属膜9、金属化合物膜8、及び金属酸化物膜7における凹部6aの内部以外の部分であって第2の絶縁膜6の上に形成されている部分をCMPによって除去し、第2の銅配線10及びその一部であるビアプラグを形成する。このようにして、図2(c)に示す構造を有する半導体装置を形成することができる。なお、金属膜9の上に、銅シード層を形成した後に、凹部6cが埋め込まれるように、銅シード層の上に、銅めっきによって銅膜を形成した後に、前述の図1(b)を用いた説明と同様にしてCMPを行なって、第2の銅配線10を形成してもよい。この場合は、銅シード層を形成する工程を備えたことにより、より安定的に銅めっきを行なうことができる。すなわち、例えば、仮に金属膜9の表面が部分的又は全体的に酸化された場合であっても、銅シード層を形成することにより、より安定的に銅めっきを可能にする。また、埋め込み金属配線としての第2の銅配線10の代わりに、銅以外の材料よりなる埋め込み配線を形成する場合には、その材料に応じたシード層の材料を適宜選択するとよい。
【0072】
ここで、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法による効果について、以下に説明する。
【0073】
バリアメタル膜として、金属膜及び金属酸化物膜よりなるバリアメタル膜を用いる場合には、金属酸化物膜の機械的強度が弱いために、半導体製造工程における熱処理により、金属酸化物膜にクラックが発生する。このようにバリアメタル膜にクラックが発生すると、エレクトロマイグレーション又はストレスマイグレーション等による配線の信頼性を劣化させる。さらに、組み立て工程におけるワイヤーボンディングの際に加わるストレスによってバリアメタル膜にクラックが発生し、配線の信頼性が劣化する。
【0074】
一方、本実施形態における第2のバリアメタル膜A1は、金属酸化物膜7と金属膜9との間に、金属酸化物膜7の弾性率よりも大きい弾性率を有する機械的強度に優れると共に金属化合物膜8を備えていることにより、金属膜9及び金属酸化物膜7を単に積層してなるバリアメタル膜に比べて、第2のバリアメタル膜A1の機械的強度は飛躍的に向上する。したがって、機械的強度に優れた多層配線を有する信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
【0075】
さらに、第2の絶縁膜6と金属酸化物膜7とが接合して形成されていると共に、金属膜9と第2の銅配線12とが接合して形成されている。このため、第2の絶縁膜6と金属酸化物膜7とが接合しているので、第2の絶縁膜6と金属膜9とが接合する場合と比べて、第2のバリアメタル膜A1と第2の絶縁膜6との密着性が向上する。さらに、第2の絶縁膜6の最表面が酸化物である場合には、第2の絶縁膜6と金属酸化物膜7とに共通の元素である酸素が存在するので、第2の絶縁膜6と金属酸化物膜7との密着性が増大する。また、金属膜9と第2の銅配線10とが接合しているため、金属めっきを行なう際に、金属化合物膜8又は金属酸化物膜7よりも抵抗が小さい金属が電極兼めっき下地となるので、金属化合物膜8又は金属酸化物膜7が第2のバリアメタル膜A1の表面にある場合と比べて、膜厚均一性に優れためっき膜を形成することができる。このため、高性能な金属めっきを実現することができる。
【0076】
また、金属膜9を構成する金属として酸化されても導電性を失わない金属を用いる場合には、銅めっき層を第2のバリアメタル膜A1の上に直接堆積する際に、めっき膜厚を均一にできると共に、銅めっきによってビアホールをボイドなしに埋め込むことが可能となる。したがって、機械的強度に優れると共に、低抵抗であって且つ基板材料との密着性が高い多層配線を有する信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
【0077】
このように、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法によると、金属酸化物膜、該金属酸化物膜の弾性率よりも大きい弾性率を有する金属化合物膜及び金属膜を積層してなるバリアメタル膜を用いることにより、バリアメタル膜の機械的強度が向上するので、半導体製造工程における熱処理又は組み立て工程におけるストレスなどによってもクラックが発生しないバリアメタル膜を実現することができる。さらに、バリアメタル膜の絶縁膜に対する密着性を高めることができる。また、バリアメタル膜上に直接銅めっきを行なう場合であっても、均一な膜厚を有するバリアメタル膜を得ることができる。また、ボイドを形成することなくビアホールに銅を埋め込むことが可能となる。したがって、信頼性の高い銅配線を提供することができる。
【0078】
以下に、本実施形態に示した金属及び金属化合物の比抵抗の一例を示す。
【0079】
ルテニウムの比抵抗は7.5(μΩ・cm)であり、イリジウムの比抵抗は6.5(μΩ・cm)である。また、ルテニウム酸化膜の比抵抗は35(μΩ・cm)であり、イリジウム酸化膜の比抵抗は30(μΩ・cm)である。一方、現在標準的に使用されているタンタル膜の比抵抗は60〜180(μΩ・cm)であり、タンタル窒化膜の比抵抗は250(μΩ・cm)である。
【0080】
また、本実施形態に示した第2のバリアメタル膜A1を実際の半導体装置に組み込む場合には、金属酸化物膜7の膜厚が数nm〜25nm程度となるように形成し、金属化合物膜8の膜厚が数nm〜25nm程度となるように形成し、さらに、金属膜9の膜厚が数nm〜25nm程度となるように形成するとよい。この場合に、第2のバリアメタル膜A1の全体の膜厚は、65nm世代の半導体装置の場合であれば、20nm〜30nmとなるように形成されるとよい。また、45nm世代の半導体装置の場合であれば、全体の膜厚として、厚くてもおよそ15nm以下にする必要があると予測される。また、金属酸化物膜7、金属化合物膜8及び金属膜9の膜厚比は成膜方法及び用途に応じて任意に最適化するとよい。
【0081】
以上説明したように、本発明の第1の実施形態によると、機械的強度に優れると共に、低抵抗であって且つ密着性が高い多層配線を有する信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
【0082】
なお、第2の絶縁膜6と第2の銅配線10との間に、第2のバリアメタル膜A1を複数層積層される構成にしてよい。
【0083】
また、金属酸化物膜7と金属化合物膜8との密着性を損なわない限りにおいて、金属酸化物膜7と金属化合物膜8との間に、他の1層以上の膜を設けてもよいし、金属化合物膜8と金属膜9との密着性を損なわない限りにおいて、金属化合物膜8と金属膜9との間に、他の1層以上の膜を設けてもよい。
【0084】
なお、本実施形態においては、デュアルダマシン構造が採用されている場合について説明したが、シングルダマシン構造を採用する場合であっても、デュアルダマシン構造を採用する場合と同様の効果が得られることはいうまでもない。シングルダマシン構造を採用する場合には、配線とビアプラグとがそれぞれ別工程において形成されることになるが、この場合の配線及びビアプラグは、本実施形態における第2の銅配線10である埋め込み配線に含まれる。
【0085】
また、本実施形態においては、第2の銅配線10である埋め込み配線の材料として、銅又は銅合金を用いた場合について説明したが、より好ましい本実施形態としては、銅よりも低い抵抗率を有するAg、Au、若しくはPtなどの金属又はこれらの金属の合金を埋め込み配線の材料として用いるとよい。
【0086】
(第2の実施形態)
以下、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置及び半導体装置の製造方法について、図3(a)及び(b)並びに図4(a)〜(c)を参照しながら説明する。なお、第2の実施形態では、第1の実施形態と共通する部分は同様であるので、その説明は繰り返さないことにして、以下では、第1の実施形態と異なる点を中心に説明する。
【0087】
まず、図3(a)及び(b)は、第2の実施形態に係る半導体装置の構造を示す要部断面図である。
【0088】
図3(a)及び(b)において、第1の実施形態に係る半導体装置と異なる点は、凹部6cの壁面には、第2のバリアメタル膜A2が形成されており、ここで、第2のバリアメタル膜A2は、凹部6cに沿うように第2の絶縁膜6の上に形成された第1の金属酸化物膜7a、該金属酸化物膜7aの上に形成された金属化合物膜8、該金属化合物膜8の上に形成された第2の金属酸化物膜7b、及び該第2の金属酸化物膜7bの上に形成された金属膜9よりなる点である。ここで、金属化合物膜8の弾性率は、第1の金属酸化物膜7aの弾性率及び第2の金属酸化物膜7bの弾性率よりも大きい。
【0089】
第1の金属酸化物膜7aの金属及び第2の金属酸化物膜7bの金属には、第1の実施形態で説明した金属酸化物7を構成する金属の種類のうちから選択される金属を用いるとよい。第1の金属酸化物膜7aと第2の金属酸化物膜7bとは、それぞれ同一種類の金属から構成されてもよいし、異なる種類の金属から構成されてもよい。
【0090】
また、金属化合物膜8は、第1の金属酸化物膜7aの弾性率及び第2の金属酸化物膜7bの弾性率よりも大きい弾性率を有するように、第1の実施形態で説明した金属化合物膜8を構成する金属の種類から選択する必要がある。
【0091】
以下、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図4(a)〜(c)を参照しながら説明する。
【0092】
図4(a)〜(c)において、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法と異なる点は、図4(b)において、第2のバリアメタル膜A2を形成する点である。具体的には、図4(b)に示すように、凹部6cの壁面に沿うように、第2の絶縁膜6の上に第1の金属酸化物膜7aを形成する。続いて、第1の金属酸化物膜7aの上に、金属化合物膜8を形成する。続いて、金属化合物膜8の上に、第2の金属酸化物膜7bを形成する。続いて、第2の金属酸化物膜7bの上に、金属膜9を形成する。ここで、第1の金属酸化物膜7a、金属化合物膜8、第2の金属酸化物膜7b、及び金属膜9は、原子層成長法(ALD:Atomic layer deposition)、化学気相成長法(CVD:cemical vapor deposition)、又は物理気相成長法(PVD:PPhysical vapor deposition)などの成膜方法によって形成すればよい。このようにして、第1の金属酸化物膜7a、金属化合物膜8、第2の金属酸化物膜7b、及び金属膜11よりなる第2のバリアメタル膜A2が形成される。
【0093】
ここで、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置及び半導体装置の製造方法による効果について、以下に説明する。
【0094】
本発明の第2の実施形態に係る半導体装置及び半導体装置の製造方法によると、前述した第1の実施形態に係る半導体装置及び半導体装置の製造方法による効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
【0095】
第2のバリアメタル膜A2は、第1の金属酸化物膜7aと金属膜9との間に、金属化合物膜8を備え、金属膜9と金属化合物膜8との間に、第2の金属酸化物膜7bを備えると共に、金属化合物膜8の弾性率が第1の金属酸化物膜7aの弾性率及び第2の金属酸化物膜7bの弾性率よりも大きいので、機械的強度に優れた第2のバリアメタル膜A2を実現することができる。これにより、金属膜と金属酸化物膜とが単に積層されてなるバリアメタル膜に比べて、第2のバリアメタル膜A2の機械的強度は飛躍的に向上している。さらに、金属化合物膜8の熱膨張率と第1の金属酸化物膜7a及び第2の金属酸化物膜7bのそれぞれの熱膨張率とが異なる場合であっても、第2のバリアメタル膜A2の熱膨張は全体的に均一化されるので、熱的機械的強度に優れた第2のバリアメタル膜A2の構造を実現できる。さらに、第1の金属酸化物膜7a、金属化合物膜8、及び第2の金属酸化物膜7bの順に積層して第2のバリアメタル膜A2を形成するので、第1の金属酸化物膜7aに加わる応力が2層に分散するので、第2のバリアメタル膜A2全体の機械的強度が飛躍的に増大する。特に、第1の金属酸化物膜7aと第2の金属酸化物膜7bとが、それぞれ同一の金属材料から構成されている場合には、その機械的強度はさらに増大する。したがって、機械的強度に優れた多層配線を有する信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
【0096】
さらに、第2の絶縁膜6と第1の金属酸化物膜7aとが接合して形成されていると共に、金属膜9と第2の銅配線10とが接合して形成されている。このため、第1の金属酸化物膜7aと第2の絶縁膜6とが接合していることにより、金属膜9と第2の絶縁膜6とが接合する場合と比べて、第2のバリアメタル膜A2と第2の絶縁膜6との密着性が向上する。さらに、第2の絶縁膜6の最表面が酸化物である場合には、第1の金属酸化物膜7aと第2の絶縁膜6とに共通の元素である酸素が存在するので、第2の絶縁膜6と第1の金属酸化物膜7aとの密着性が増大する。また、金属膜9と第2の銅配線10とが接合していることにより、金属化合物膜8、第1の金属酸化物膜7a、又は第2の金属酸化物膜7bよりも抵抗が小さい金属が、金属めっきを行なう際の電極兼めっき下地となるので、金属化合物膜8、第1の金属酸化物膜7a又は第2の金属酸化物膜7bが、第2のバリアメタル膜A2の表面に形成されている場合に比べて、膜厚均一性により優れためっき膜を形成することができる。このため、高性能な金属めっきを実現することができる。
【0097】
なお、第2の絶縁膜6と第2の銅配線10との間に、第2のバリアメタル膜A2を複数層積層される構成にしてもよい。
【0098】
また、第1の金属酸化物膜7aと金属化合物膜8との密着性を損なわない限りにおいて、第1の金属酸化物膜7aと金属化合物膜8との間に、他の1層以上の膜を設けてもよいし、第2の金属酸化物膜7bと金属膜9との密着性を損なわない限りにおいて、第2の金属酸化物膜7bと金属膜9との間に、他の1層以上の膜を設けてもよい。また、金属化合物膜8と第2の金属酸化物膜7bとの密着性を損なわない限りにおいて、金属化合物膜8と第2の金属酸化物膜7bとの間に、他の1層以上の膜を設けてもよい。
【産業上の利用可能性】
【0099】
以上説明したように、本発明は、機械的強度に優れると共に、低抵抗であって且つ高密着性を実現するバリアメタル膜を備えた半導体装置及びその製造方法に有用である。
【図面の簡単な説明】
【0100】
【図1】(a)及び(b)は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の構造を示す要部断面図である。
【図2】(a)〜(c)は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す要部工程断面図である。
【図3】(a)及び(b)は、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の構造を示す要部断面図である。
【図4】(a)〜(c)は、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す要部工程断面図である。
【図5】(a)及び(b)は、従来例に係る半導体装置の構造を示す要部断面図である。
【符号の説明】
【0101】
1 シリコン基板
2 第1の絶縁膜
3 第1のバリアメタル膜
4 第1の銅配線
5 拡散防止膜
6 第2の絶縁膜
6a ビアホール
6b 配線溝
6c 凹部
7 金属酸化物膜
7a 第1の金属酸化物膜
7b 第2の金属酸化物膜
8 金属化合物膜
9 金属膜
10 第2の銅配線
A1、A2 第2のバリアメタル膜
101 シリコン基板
102 第1の絶縁膜
103 第1のバリアメタル膜
104 第1の銅配線
105 拡散防止膜
106 第2の絶縁膜
106a ビアホール
106b 配線溝
106c 凹部
107、108 第2のバリアメタル膜
109 第3のバリアメタル膜
【技術分野】
【0001】
本発明は、銅配線を有する半導体装置及びその製造方法に関し、特にバリアメタル膜とその形成方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、半導体集積回路装置(以下、半導体装置という。)の加工寸法の微細化に伴って、半導体装置の多層配線には、銅配線と誘電率が小さい絶縁膜、いわゆるLow−k膜との組み合わせが採用されている。こうすることにより、RC遅延及び消費電力の低減を可能にする。さらに、半導体装置の高集積化、高機能化及び高速化を図るために、誘電率がより低いLow−k膜の採用が検討されている。
【0003】
ところで、銅配線は、通常ダマシン法によって形成される。ダマシン法には、配線及びビアプラグを交互に形成するシングルダマシン法と、配線及びビアプラグを同時に形成するデュアルダマシン法とがある。
【0004】
以下に、ダマシン法による多層配線の形成方法について、図5(a)及び(b)を参照しながら説明する。
【0005】
図5(a)に示すように、シリコン基板101上に第1の絶縁膜102を形成した後に、該第1の絶縁膜102中に第1のバリアメタル膜103を有する第1の銅配線104を形成する。なお、シリコン基板101上には、図示していないトランジスタなどが形成されている。続いて、第1の絶縁膜102及び第1の銅配線104の上に、銅の拡散を防止する拡散防止膜105及び第2の絶縁膜106を順に形成する。続いて、拡散防止膜105及び第2の絶縁膜106にビアホール106aを形成すると共に、第2の絶縁膜106に配線溝106bを形成することにより、ビアホール106a及び配線溝106bよりなる凹部106cを形成する。続いて、凹部106cの壁面に沿うように、第2のバリアメタル膜107を形成する。なお、図5(a)では、上層のバリアメタル構造として、第2のバリアメタル膜107の単層構造よりなる場合について示しているが、図8(b)に示すように、凹部106cの壁面に沿うように、第2のバリアメタル膜108及び第3のバリアメタル膜109の2層構造よりなる場合でもよい。
【0006】
次に、図示していないが、図5(a)の場合であれば第2のバリアメタル膜107(なお、図5(b)の場合であれば第3のバリアメタル膜109)の上に、銅シード層を形成した後に、該銅シード層を種に用いた銅めっきにより、凹部106cを埋め込むと共に第2の絶縁膜106の表面全体を覆うように銅膜を形成する。続いて、化学機械研磨(CMP:Chemical mechanical polishing)法により、銅膜における凹部106cの内側の部分以外であって第2の絶縁膜106の上に形成されている部分と、図5(a)の場合であれば第2のバリアバリアメタル膜107における凹部106cの内側の部分以外であって第2の絶縁膜106の上に形成されている部分(図5(b)の場合であれば第3のバリアメタル膜109及び第2のバリアメタル膜108における凹部106cの内側の部分以外の部分であって第2の絶縁膜106の上に形成されている部分)を研磨除去する。これにより、配線、ビアプラグ又はこれら両方を形成することができる。以上の一連の動作を繰り返し行なうことにより、多層配線を形成することができる(例えば、特許文献1参照)。
【0007】
一般に、銅は、熱又は電界によって容易にシリコン酸化膜などの絶縁膜中を拡散するので、これが原因となってトランジスタの特性劣化が生じやすい。また、銅は、絶縁膜との密着性が低い。したがって、銅配線を形成する際には、銅と絶縁膜との間に、タンタル膜又は窒化タンタル膜よりなるバリアメタル膜を形成することにより、銅が絶縁膜へ拡散することを防止すると共に絶縁膜及び銅との密着性を向上させる方法が提案されている(例えば、特許文献2参照)。例えば、バリアメタル膜の構造がタンタル膜又は窒化タンタル膜よりなる単層構造である場合が、図5(a)に示した構造となる一方、バリアメタル膜の構造がタンタル膜及び窒化タンタル膜よりなる2層構造である場合が、図5(b)に示した構造となる。
【0008】
しかしながら、例えば前述の例において、図5(a)に示す第2のバリアメタル膜107としてタンタルなどの高融点金属膜を用いた場合には、凹部106cを有する第2の絶縁膜106と高融点金属膜との密着性が悪いという問題がある。この密着性が悪いという問題に対しては、図5(b)に示すように、例えば第3のバリアメタル膜109としてタンタル膜を用いる場合には、タンタル膜よりなる第3のバリアメタル膜109と第2の絶縁膜106との間に、第2のバリアメタル膜108としてタンタル窒化膜を形成することによって密着性の悪さを改善してきたが、十分な密着性が得られているわけではない。
【0009】
また、第2のバリアメタル膜107(図5(a)の場合)又は第3のバリアメタル膜109(図5(b)の場合)として窒化タンタル膜を用いた場合には、窒化タンタル膜は酸化されることはないが、窒化タンタル膜は高抵抗であって、且つ銅との密着性が低いという問題を有している。
【0010】
さらに、第2のバリアメタル膜107(図5(a)の場合)又は第3のバリアメタル膜109(図5(b)の場合)としてとしてチタン膜又は窒化チタン膜を用いた場合にも、それぞれ、前述したタンタル膜を用いた場合又は窒化タンタル膜を用いた場合と同様の問題が存在する。
【0011】
ところで、前記の銅シード層の形成には、通常、物理気相成長法(PVD:Physical vvapor deposition)が用いられる。半導体装置の微細化に伴って、ビアホールのアスペクト比(ビアホールの深さと径との比)が高くなる傾向があるので、物理気相成長法を用いて銅シード層を形成する場合、銅シード層におけるビアホールの底部での膜厚の確保が難しくなってきている。ビアホールの底部での膜厚が薄くなると、電解めっきの電流が十分供給できないので、電解めっきの銅でビアホールを十分に埋め込むことができなくなる。例えば、前記図5(a)の場合では、ビアホール106a及び配線溝106bよりなる凹部106cを銅によって十分に埋め込むことができなくなる。これにより、製品歩留まりの劣化及び信頼性の低下を招くことになる。この点、銅シード層におけるビアホールの底部での膜厚を確保するために、化学気相成長法(CVD:Chemical vvapor deposition )を用いて銅シード層を形成することも検討されているが、フッ素(F)等の銅を腐食させる物質が原料ガスに含まれる場合が多いので、実用化には至っていない。
【0012】
一方で、銅シード層を用いることなく、電解めっきによってバリアメタル膜の上に直接銅配線を形成する試みも検討されている。
【0013】
ところが、例えば前述の例において、第2のバリアメタル膜107(図5(a)の場合)又は第3のバリアメタル膜109(図5(b)の場合)としてタンタルなどの高融点金属膜を用いた場合には、電解めっきによって銅を形成する際に、タンタル膜は酸化されるので、高抵抗の酸化タンタル膜が形成されてしまう。このため、配線抵抗の上昇を避けることができないという問題を有している。
【0014】
そこで、バリアメタル膜の低抵抗化を実現するために、酸化されても導電性を失わない金属及びその金属酸化物自体が低抵抗であるルテニウム又はイリジウムなどの金属をバリアメタル膜として用いることが注目されてきている(例えば、特許文献3及び4参照)。これらの金属は、タンタル又はタンタル窒化物よりも比抵抗が低抵抗であって、且つ酸化されても導電性を失わないので、銅シード層を用いることなく、バリアメタル膜の上に直接銅めっきを行なうことが可能となる。なお、一般にこれらの金属は原子層成長法又は化学気相成長法によって形成される。
【特許文献1】特開平11−223755号公報
【特許文献2】特開2002−43419号公報
【特許文献3】特許第3409831号
【特許文献4】特開2002−75994号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0015】
前記を考慮して、バリアメタル膜の低抵抗化を実現するために、ルテニウム又はイリジウムなどの金属をバリアメタル膜として絶縁膜上に直接形成する場合、これらの金属と絶縁膜との密着性が低いために、半導体製造工程において、バリアメタル膜が絶縁膜から剥離してしまうという問題がある。
【0016】
この場合に、バリアメタル膜と絶縁膜との密着性を増大させる方法として、絶縁膜が存在している側から順に形成された導電性を有する金属酸化物膜と酸化されても導電性を失わない金属膜よりなるバリアメタル膜を用いる方法が考えられる。このようにすると、絶縁膜としてシリコン酸化膜を用いる場合、絶縁膜を構成する酸素と金属酸化物膜を構成する酸素とが同種の元素であるので、絶縁膜と金属酸化物膜との密着性が増大すると考えられる。さらに、酸化されても導電性を失わない金属膜がバリアメタル膜の最表面に形成されている場合、酸化されても導電性を失わない金属膜が電解めっきの電極となるので、バリアメタル膜の抵抗を低下させることができる。これにより、絶縁膜との密着性が高く、低抵抗であるバリアメタル膜を実現することができると考えられる。
【0017】
しかしながら、一般的に、金属酸化物の機械的強度は低いことが知られている。このため、前述したような酸化されても導電性を失わない金属膜と金属酸化物膜との積層膜をバリアメタル膜として用いた場合、例えば、図5(b)に示した第2のバリアメタル膜108として金属酸化物膜を用い、第3のバリアメタル膜109としてルテニウム又はイリジウムなどの金属を用いた場合を仮定すると、半導体製造工程中の熱処理により、バリアメタル膜にクラックが発生し、ビア抵抗若しくは配線抵抗の高抵抗化、又はElectro-migration若しくはStress-migrationなどにより配線の信頼性が劣化するという問題が考えられる。さらに、組み立て工程におけるワイヤーボンディング時に半導体装置に加わる応力により、バリアメタル膜にクラックが発生し、配線の信頼性が劣化するという問題が考えられる。
【0018】
また、例えば、図5(b)に示した第2のバリアメタル膜108として酸化ルテニウム又は酸化イリジウム等の金属酸化物を用いる場合には、低抵抗であって且つ絶縁膜に対する密着性に優れたバリアメタル膜を実現することができるが、バリアメタル膜の機械的強度が小さくなるという問題が考えられる。バリアメタル膜の機械的強度が小さいと、半導体製造工程の熱処理により、バリアメタル膜にクラックが発生し、配線抵抗の高抵抗化、又はElectro-migration若しくはStress-migrationなどにより配線の信頼性が劣化するという問題が発生する。さらに、組み立て工程におけるワイヤーボンディング時にバリアメタル膜にクラックが発生するという問題が考えられる。
【0019】
前記に鑑み、本発明の目的は、機械的強度に優れると共に、低抵抗であって且つ絶縁膜に対する密着性の高いバリアメタル膜を有する半導体装置及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0020】
前記の課題を解決するために、本発明に係る第1の半導体装置は、基板上に形成された絶縁膜と、絶縁膜中に形成された埋め込み金属配線と、絶縁膜と配線との間に形成されたバリアメタル膜とを有する半導体装置において、バリアメタル膜は、絶縁膜が存在している側から金属配線が存在している側へ向かって順に積層されている金属酸化物膜、金属化合物膜及び金属膜よりなり、金属化合物膜の弾性率は、金属酸化物膜の弾性率よりも大きいことを特徴とする。
【0021】
本発明に係る第1の半導体装置によると、バリアメタル膜は、金属酸化物膜と金属膜との間に、金属酸化物膜の弾性率よりも大きい弾性率を有する機械的強度の高い金属化合物膜を備えているので、金属膜と金属酸化物膜とを単に積層してなるバリアメタル膜に比べて、バリアメタル膜の機械的強度が飛躍的に向上する。したがって、機械的強度に優れた多層配線を有する信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
【0022】
本発明に係る第1の半導体装置において、絶縁膜と金属酸化物膜とは接合して形成されていると共に、金属膜と金属配線とは接合して形成されていることが好ましい。
【0023】
このようにすると、金属酸化物膜と絶縁膜とが接合していることにより、金属膜と絶縁膜とが接合している場合と比べて、バリアメタル膜の絶縁膜に対する密着性が向上する。さらに、絶縁膜の最表面が酸化物である場合には、金属酸化物膜と絶縁膜とに共通の元素である酸素が存在するので、絶縁膜と金属酸化物膜との密着性が増大する。また、金属膜と金属配線とが接合していることにより、金属化合物膜又は金属酸化物膜よりも抵抗が小さい金属が金属めっきを行なう際の電極兼めっき下地となるので、金属化合物膜又は金属酸化物膜がバリアメタル膜の表面に形成されている場合よりも膜厚均一性に優れためっき膜を形成することができる。このため、高性能な金属めっきを実現することができる。
【0024】
本発明に係る第1の半導体装置において、金属酸化物膜は、導電性を有することが好ましい。
【0025】
このようにすると、金属酸化物膜と絶縁膜との密着性を増大させることができることに加えて、低抵抗のバリアメタル膜を実現することができる。このため、低抵抗であって且つ密着性が高い多層配線を有する信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
【0026】
本発明に係る第2の半導体装置は、基板上に形成された絶縁膜と、絶縁膜中に形成された埋め込み金属配線と、絶縁膜と金属配線との間に形成されたバリアメタル膜とを有する半導体装置において、バリアメタル膜は、絶縁膜が存在している側から金属配線が存在している側に向かって順に積層されている第1の金属酸化物膜、金属化合物膜、第2の金属酸化物膜及び金属膜よりなり、金属化合物膜の弾性率は、第1の金属酸化物膜の弾性率及び第2の金属酸化物膜の弾性率のそれぞれよりも大きいことを特徴とする。
【0027】
本発明に係る第2の半導体装置によると、バリアメタル膜は、第1の金属酸化物膜と金属膜との間に金属化合物膜を備えていると共に、金属膜と金属化合物膜との間に第2の金属酸化物膜を備えており、金属化合物膜は、第1の金属酸化物膜の弾性率及び第2の金属酸化物膜の弾性率のそれぞれよりも大きい弾性率を有するので、機械的強度に優れたバリアメタル膜を実現することができる。これにより、単に金属膜と金属酸化物膜を積層してなるバリアメタル膜に比べて、機械的強度が飛躍的に向上する。また、金属化合物膜と第1及び第2の金属酸化物膜のそれぞれの熱膨張率とが異なる場合であっても、バリアメタル膜の熱膨張が全体的に均一化されて熱的機械的強度に優れたバリアメタル膜の構造を実現することができる。さらに、バリアメタル膜は、第1の金属酸化物膜、金属化合物膜及び第2の金属酸化物膜が順に積層された構造を有するので、金属酸化物膜に加わる応力が2層に分散するので、バリアメタル膜全体の機械的強度が飛躍的に増大する。したがって、機械的強度に優れた多層配線を有する信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
【0028】
本発明に係る第2の半導体装置において、絶縁膜と第1の金属酸化物膜とは接合して形成されていると共に、金属膜と金属配線とは接合して形成されていることが好ましい。
【0029】
このようにすると、第1の金属酸化物膜と絶縁膜とが接合していることにより、金属膜と絶縁膜とが接合する場合と比べて、バリアメタル膜と絶縁膜との密着性が向上する。さらに、絶縁膜の最表面が酸化物である場合には、第1の金属酸化物と絶縁膜とに共通の元素である酸素が存在するので、絶縁膜と第1の金属酸化物膜との密着性が増大する。また、金属膜と金属配線とが接合していることにより、金属化合物膜又は金属酸化物膜よりも抵抗が小さい金属が金属めっきを行なう際の電極兼めっき下地となるので、金属化合物膜又は金属酸化物膜がバリアメタル膜の表面に形成されている場合よりも膜厚均一性に優れためっき膜を形成することができる。このため、高性能な金属めっきを実現することができる。
【0030】
本発明に係る第2の半導体装置において、第1の金属酸化物膜及び第2の金属酸化物膜のうちの少なくとも一方は、導電性を有することが好ましい。
【0031】
このようにすると、第1及び第2の金属酸化物膜のうちの少なくとも一方と絶縁膜との密着性が増大することに加えて、低抵抗のバリアメタル膜を実現することができる。このため、低抵抗であって且つ密着性が高い多層配線を有する信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
【0032】
本発明に係る第1又は第2の半導体装置において、金属化合物膜を構成する金属は、高融点金属であることが好ましい。
【0033】
このようにすると、金属配線を形成した後に、さらに上層配線を形成する半導体製造工程において、およそ400℃前後の熱が加えられても、金属化合物膜が変成することがないので、バリアメタル膜にクラックが発生することを抑制できる。また、高融点金属よりなる金属化合物膜の機械的強度は高いので、組み立て工程におけるワイヤーボンディング時にストレスが加わっても、バリアメタル膜にクラックが発生することを抑制できる。したがって、機械的強度に優れた信頼性の高い半導体装置を実現できる。
【0034】
本発明に係る第1又は第2の半導体装置において、金属膜を構成する金属は、酸化されても導電性を失わない金属であることが好ましい。
【0035】
このようにすると、金属膜が酸化されても導電性を失わない金属よりなるため、配線めっきの際に金属膜の表面が酸化されても導電性が低下することがないので、高性能の配線めっきが可能となる。このため、低抵抗であって且つ密着性が高い多層配線を有する信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
【0036】
本発明に係る第1又は第2の半導体装置において、金属化合物膜は、金属窒化物膜よりなることが好ましい。
【0037】
このようにすると、金属膜と金属酸化物膜との間に、金属酸化物膜よりも機械的強度に優れる金属窒化物膜が存在しているので、バリアメタル膜全体の機械的強度が増大する。したがって、機械的強度に優れると共に、低抵抗であって且つ密着性の高い多層配線を有する信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
【0038】
本発明に係る第1又は第2の半導体装置において、金属化合物膜は、金属炭化物膜よりなることが好ましい。
【0039】
このようにすると、金属膜と金属酸化物膜との間に、金属酸化物膜よりも機械的強度に優れる金属炭化物膜が存在しているので、バリアメタル膜全体の機械的強度が増大する。したがって、機械的強度に優れると共に、低抵抗であって且つ密着性の高い多層配線を有する信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
【0040】
本発明に係る第1又は第2の半導体装置において、金属化合物膜は、金属ケイ化物膜よりなることが好ましい。
【0041】
このようにすると、金属膜と金属酸化物膜との間に、金属酸化物膜よりも機械的強度に優れる金属ケイ化物膜が存在しているので、バリアメタル膜全体の機械的強度が増大する。したがって、機械的強度に優れると共に、低抵抗であって且つ密着性の高い多層配線を有する信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
【0042】
本発明に係る第1の半導体装置の製造方法は、基板上の絶縁膜に凹部を形成する工程と、凹部の壁面に沿うように、金属酸化物膜、金属化合物膜及び金属膜がこの順に形成されてなるバリアメタル膜を形成する工程と、凹部を埋め込むように、バリアメタル膜の上に埋め込み金属配線を形成する工程とを備え、バリアメタル膜を形成する工程は、金属酸化物膜の弾性率よりも大きい弾性率を有する金属化合物膜を形成する工程を含むことを特徴とする。
【0043】
本発明に係る第1の半導体装置の製造方法によると、金属酸化物膜と金属膜との間に、金属酸化物膜の弾性率よりも大きい弾性率を有する機械的強度に優れる金属化合物膜を備えたバリアメタル膜を形成するので、金属膜と金属酸化物膜とを単に積層してなるバリアメタル膜を形成する場合に比べて、機械的強度が飛躍的に向上する。したがって、機械的強度に優れた多層配線を有する信頼性の高い半導体装置を製造することができる。また、金属酸化物膜と絶縁膜とを接合するように形成することにより、金属膜と絶縁膜とが接合する場合と比べて、バリアメタル膜の絶縁膜に対する密着性を向上させることができる。また、絶縁膜の最表面が酸化物である場合には、金属酸化物膜と絶縁膜とに共通の元素である酸素が存在するので、絶縁膜と金属酸化物膜との密着性が増大する。さらに、金属膜と金属配線とを接合するように形成することにより、金属化合物膜又は金属酸化物膜よりも抵抗が小さい金属が金属めっきを行なう際の電極兼めっき下地となるので、金属化合物膜又は金属酸化物膜がバリアメタル膜の表面に形成されている場合よりも膜厚均一性に優れためっき膜を形成することができる。このため、高性能な金属めっきを実現することができる。
【0044】
本発明に係る第2の半導体装置の製造方法は、基板上の絶縁膜に凹部を形成する工程と、凹部の壁面に沿うように、第1の金属酸化物膜、金属化合物膜、第2の金属酸化物膜及び金属膜がこの順に形成されてなるバリアメタル膜を形成する工程と、凹部を埋め込むように、バリアメタル膜の上に埋め込み金属配線を形成する工程とを備え、バリアメタル膜を形成する工程は、第1の金属酸化物膜の弾性率及び第2の金属酸化物膜の弾性率のそれぞれよりも大きい弾性率を有する金属化合物膜を形成する工程を含むことを特徴とする。
【0045】
本発明に係る第2の半導体装置の製造方法によると、第1の金属酸化物膜と金属膜との間に金属化合物膜を備えると共に、金属膜と金属化合物膜との間に第2の金属酸化物膜を備えたバリアメタル膜を形成し、金属化合物膜を第1の金属酸化物膜の弾性率及び第2の金属酸化物膜の弾性率のそれぞれよりも大きい弾性率とすることにより、機械的強度に優れたバリアメタル膜を実現することができる。これにより、単に金属膜と金属酸化物膜とを積層してなるバリアメタル膜を形成する場合に比べて、機械的強度が飛躍的に向上する。また、金属化合物膜と第1及び第2の金属酸化物膜のそれぞれの熱膨張率とが異なる場合であっても、バリアメタル膜の熱膨張が全体的に均一化されて熱的機械的強度に優れたバリアメタル膜の構造を実現することができる。さらに、第1の金属酸化物膜、金属化合物膜及び第2の金属酸化物膜が順に積層された構造を有するバリアメタル膜を形成するので、金属酸化物膜に加わる応力が2層に分散するので、バリアメタル膜全体の機械的強度を飛躍的に増大させることができる。したがって、機械的強度に優れた多層配線を有する信頼性の高い半導体装置を製造することができる。また、第1の金属酸化物膜と絶縁膜とが接合するように形成することにより、金属膜と絶縁膜とが接合する場合と比べて、バリアメタル膜と絶縁膜との密着性が向上する。さらに、絶縁膜の最表面が酸化物である場合には、第1の金属酸化物と絶縁膜とに共通の元素である酸素が存在するので、絶縁膜と第1の金属酸化物膜との密着性が増大する。さらに、金属膜と金属配線とを接合するように形成することにより、金属化合物膜又は金属酸化物膜よりも抵抗が小さい金属が金属めっきを行なう際の電極兼めっき下地となるので、金属化合物膜又は金属酸化物膜がバリアメタル膜の表面に形成されている場合よりも膜厚均一性に優れためっき膜を形成することができる。このため、高性能な金属めっきを実現することができる。
【0046】
本発明に係る第1又は第2の半導体装置の製造方法において、バリアメタル膜を形成する工程よりも後であって埋め込み金属配線を形成する工程よりも前に、バリアメタル膜の上にシード層を形成する工程をさらに備え、埋め込み金属配線を形成する工程は、凹部を埋め込むように、シード層の上に埋め込み金属配線を形成する工程を含むことが好ましい。
【0047】
このようにすると、配線用のめっきのプロセスウインドウが拡大するので、シード層を形成することなく埋め込み金属配線を形成する場合と比べて、埋め込み金属配線を形成する工程の最適化を容易にできる。このため、製造歩留まりが向上すると共に、低抵抗であって且つ密着性が高い多層配線を有する信頼性の高い半導体装置を安定的に製造することができる。
【発明の効果】
【0048】
本発明に係る半導体装置及びその製造方法によると、機械的強度に優れると共に、低抵抗であって且つ密着性が高い多層配線を有する信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0049】
(第1の実施形態)
以下、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置及び半導体装置の製造方法について、図1(a)及び(b)並びに図2(a)〜(c)を参照しながら説明する。
【0050】
図1(a)及び(b)は、第1の実施形態に係る半導体装置の構造を示す要部断面図である。
【0051】
まず、図1(a)に示すように、シリコン基板1上には第1の絶縁膜2が形成されており、該第1の絶縁膜2には第1のバリアメタル膜3を有する第1の銅配線4が形成されている。なお、シリコン基板1上には、図示していないトランジスタなどが形成されている。第1の絶縁膜2及び第1の銅配線4の上には、銅の拡散を防止する拡散防止膜5及び第2の絶縁膜6が順に形成されている。拡散防止膜5及び第2の絶縁膜6にはビアホール6aが形成されていると共に、第2の絶縁膜6には配線溝6bが形成されている。このように、ビアホール6a及び配線溝6bよりなる凹部6cが形成されている。
【0052】
また、図1(a)に示すように、凹部6cの壁面には、第2のバリアメタル膜A1が形成されている。ここで、第2のバリアメタル膜A1は、凹部6cに沿うように第2の絶縁膜6の上に形成された金属酸化物膜7、該金属酸化物膜7の上に形成された金属化合物膜8、及び該金属化合物膜8の上に形成された金属膜9よりなる。ここで、金属化合物膜8の弾性率は、金属酸化物膜7の弾性率よりも大きい。なお、金属膜9の少なくとも一部は酸化されていてもよい。
【0053】
さらに、図1(a)に示された凹部6cを埋め込むように、銅めっきによって金属膜9の上に銅膜を形成した後に、銅膜及び第2のバリアメタル膜A1における凹部6cの内部以外の部分であって第2の絶縁膜6の上に形成されている部分をCMPによって除去し、第2の銅配線10及びその一部であるビアプラグを形成することで、図1(b)に示す構造を有する半導体装置が形成されている。なお、第2の銅配線10は、配線、ビアプラグ、又はこれらの両方のいずれかであればよい。ここで、第2の銅配線10は、純銅又は銅以外の成分(例えば、微量のSi、Al、Mo又はScなど)を含む銅合金よりなる場合であってもよい。なお、拡散防止膜5の成膜からCMPまでの工程が繰り返されることで多層配線が形成される。
【0054】
ここで、拡散防止膜5には、シリコン窒化膜、シリコン窒化炭化膜、シリコン炭化酸化膜、シリコン炭化膜、又はこれらの膜を組み合わせてなる積層膜を用いるとよい。拡散防止膜5は、第1の銅配線4の銅が第2の絶縁膜6中に拡散することを防止する働きを有する。
【0055】
また、第2の絶縁膜6には、シリコン酸化膜、フッ素ドープシリコン酸化膜、シリコン酸化炭化膜、又は有機膜よりなる絶縁膜を用いるとよい。これらの膜は、化学気相成長法にて形成される膜であってもよいし、スピン塗布法にて形成されるSOD(spin on dielectric)膜であってもよい。
【0056】
また、金属酸化物膜7は、膜厚が薄い場合には必ずしも導電性を有さなくてもよいが、導電性を有する方が好ましい。以下に、導電性を有する金属酸化物膜7について具体的に説明する。
【0057】
金属酸化物膜7の金属には、ルテニウム(Ru)、イリジウム(Ir)、モリブデン(Mo)、オスミニウム(Os)、ロジウム(Rh)、プラチナ(Pt)、バナジウム(V)、又はパラジウム(Pd)などの酸化されても導電性を失わない金属の酸化膜を用いるとよい。なお、金属酸化物膜7の金属は、酸化されても導電性を失わない金属であれば、前記に示した金属以外の金属であってもよい。
【0058】
また、金属化合物膜8を構成する金属には、高融点金属を用いるとよい。これにより、第2の銅配線10を形成した後に、さらに上層配線を形成する工程において、およそ400℃前後の熱が加えられるが、本熱処理によって金属化合物膜8がクラック等の発生によって変成することはない。したがって、信頼性の高い半導体装置を実現できる。
【0059】
さらに、金属化合物膜8には、高融点金属の窒化膜を用いるとよい。
【0060】
具体的には、金属化合物膜8の金属には、チタニウム(Ti)、タンタル(Ta)ジルコニウム(Zr)、ニオビウム(Nb)、ハフニウム(Hf)、タングステン(W)、ルテニウム(Ru)、イリジウム(Ir)、モリブデン(Mo)、オスミニウム(Os)、ロジウム(Rh)、プラチナ(Pt)、又はバナジウム(V)などの機械的強度に優れると共に窒化されても導電性を失わない金属の窒化膜を用いるとよい。なお、金属化合物膜7の金属は、機械的強度に優れると共に窒化されても導電性を失わない金属であれば、前記に示した金属以外の金属であってもよい。但し、前記の金属酸化物膜7の弾性率よりも大きい弾性率を有するように、金属化合物膜8の金属を選択する必要がある。
【0061】
また、金属化合物膜8には、高融点金属の炭化膜を用いることもできる。
【0062】
具体的には、金属化合物膜8の金属には、ルテニウム(Ru)、イリジウム(Ir)、モリブデン(Mo)、オスミニウム(Os)、ロジウム(Rh)、プラチナ(Pt)、バナジウム(V)、チタニウム(Ti)、タンタル(Ta)、ジルコニウム(Zr)、ニオビウム(Nb)、ハフニウム(Hf)、又はタングステン(W)などの機械的強度に優れると共に炭化されても導電性を失わない金属の炭化膜を用いてもよい。なお、金属化合物膜8の金属は、機械的強度に優れると共に炭化されても導電性を失わない金属であれば、前記に示した金属以外の金属であってもよい。但し、前記の金属酸化物膜7の弾性率よりも大きい弾性率を有するように、金属化合物膜8の金属を選択する必要がある。
【0063】
また、金属化合物膜8には、高融点金属のケイ化膜を用いることもできる。
【0064】
具体的には、ルテニウム(Ru)、イリジウム(Ir)、モリブデン(Mo)、オスミニウム(Os)、ロジウム(Rh)、プラチナ(Pt)、バナジウム(V)チタニウム(Ti)、タンタル(Ta)ジルコニウム(Zr)、ニオビウム(Nb)、ハフニウム(Hf)、又はタングステン(W)など機械的強度に優れると共にケイ化されても導電性を失わない金属のケイ化膜を用いることもできる。なお、金属化合物膜8の金属は、機械的強度に優れると共にケイ化されても導電性を失わない金属であれば、前記に示した金属以外の金属であってもよい。但し、前記の金属酸化物膜7の弾性率よりも大きい弾性率を有するように、金属化合物膜8の金属を選択する必要がある。
【0065】
金属膜9には、ルテニウム(Ru)、イリジウム(Ir)、モリブデン(Mo)、オスミニウム(Os)、ロジウム(Rh)、プラチナ(Pt)、又はバナジウム(V)などの酸化されても導電性を失わない金属を用いるとよい。なお、金属膜9の金属は、酸化されても導電性を失わない金属であれば、前記に示した金属以外の金属であってもよい。
【0066】
なお、図示していないが、デュアルダマシン配線溝(ビアホール6a及び配線溝6bよりなる凹部6c)における第2の絶縁膜6の表面と金属酸化物膜7との間に、シリコン酸化膜(例えば、SiO2 、SiOC、SiCO、若しくはSiONなど)、シリコン窒化膜(例えばSi3N4、SiON、若しくはSiCNなど)、又はシリコン炭化膜(例えばSiC、SiCO、SiOC、若しくはSiCNなど)などの絶縁膜が形成されていてもよい。
【0067】
以下に、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図2(a)〜(c)を参照しながら説明する。
【0068】
図2(a)〜(c)は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す要部工程断面図である。
【0069】
まず、図2(a)に示すように、シリコン基板1上に第1の絶縁膜2を形成した後に、該第1の絶縁膜2中に第1のバリアメタル膜3を有する第1の銅配線4を形成する。なお、シリコン基板1上には、図示していないトランジスタなどが形成されている。続いて、第1の絶縁膜2及び第1の銅配線4の上に、銅の拡散を防止する拡散防止膜5及び第2の絶縁膜6を順に形成する。続いて、拡散防止膜5及び第2の絶縁膜6に、下端が第1の銅配線4に到達するビアホール6aを形成すると共に、第2の絶縁膜6に、ビアホール6aに連通する配線溝6bを形成する。このようにして、デュアルダマシン用のビアホール6a及び配線溝6bよりなる凹部6cを形成する。ここで、ビアホール6a及び配線溝6bよりなる凹部6cは、周知のリソグラフィ技術、エッチング技術、アッシング技術、及び洗浄技術を用いて、例えば特開2002−75994号公報などに開示されているデュアルダマシン形成方法によって形成すればよい。
【0070】
次に、図2(b)に示すように、凹部6cの壁面に沿うように、第2の絶縁膜6の上に金属酸化物膜7を形成する。続いて、金属酸化物膜7の上に、金属化合物膜8を形成する。続いて、金属化合物膜8の上に金属膜9を形成する。ここで、金属酸化物膜7、金属化合物膜8及び金属膜9は、原子層成長法(ALD:Atomic layer deposition)、化学気相成長法(CVD:Chemical vapor deposition)、又は物理気相成長法(PVD:PPhysical vapor deposition)などの成膜方法によって形成すればよい。このようにして、金属酸化物膜7、金属化合物膜8及び金属膜9よりなる第2のバリアメタル膜A1が形成される。
【0071】
次に、図2(c)に示すように、凹部6cが埋め込まれるように、銅めっきにより、凹部6cの内部を含む金属膜9の上に銅膜を形成した後に、銅膜、金属膜9、金属化合物膜8、及び金属酸化物膜7における凹部6aの内部以外の部分であって第2の絶縁膜6の上に形成されている部分をCMPによって除去し、第2の銅配線10及びその一部であるビアプラグを形成する。このようにして、図2(c)に示す構造を有する半導体装置を形成することができる。なお、金属膜9の上に、銅シード層を形成した後に、凹部6cが埋め込まれるように、銅シード層の上に、銅めっきによって銅膜を形成した後に、前述の図1(b)を用いた説明と同様にしてCMPを行なって、第2の銅配線10を形成してもよい。この場合は、銅シード層を形成する工程を備えたことにより、より安定的に銅めっきを行なうことができる。すなわち、例えば、仮に金属膜9の表面が部分的又は全体的に酸化された場合であっても、銅シード層を形成することにより、より安定的に銅めっきを可能にする。また、埋め込み金属配線としての第2の銅配線10の代わりに、銅以外の材料よりなる埋め込み配線を形成する場合には、その材料に応じたシード層の材料を適宜選択するとよい。
【0072】
ここで、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法による効果について、以下に説明する。
【0073】
バリアメタル膜として、金属膜及び金属酸化物膜よりなるバリアメタル膜を用いる場合には、金属酸化物膜の機械的強度が弱いために、半導体製造工程における熱処理により、金属酸化物膜にクラックが発生する。このようにバリアメタル膜にクラックが発生すると、エレクトロマイグレーション又はストレスマイグレーション等による配線の信頼性を劣化させる。さらに、組み立て工程におけるワイヤーボンディングの際に加わるストレスによってバリアメタル膜にクラックが発生し、配線の信頼性が劣化する。
【0074】
一方、本実施形態における第2のバリアメタル膜A1は、金属酸化物膜7と金属膜9との間に、金属酸化物膜7の弾性率よりも大きい弾性率を有する機械的強度に優れると共に金属化合物膜8を備えていることにより、金属膜9及び金属酸化物膜7を単に積層してなるバリアメタル膜に比べて、第2のバリアメタル膜A1の機械的強度は飛躍的に向上する。したがって、機械的強度に優れた多層配線を有する信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
【0075】
さらに、第2の絶縁膜6と金属酸化物膜7とが接合して形成されていると共に、金属膜9と第2の銅配線12とが接合して形成されている。このため、第2の絶縁膜6と金属酸化物膜7とが接合しているので、第2の絶縁膜6と金属膜9とが接合する場合と比べて、第2のバリアメタル膜A1と第2の絶縁膜6との密着性が向上する。さらに、第2の絶縁膜6の最表面が酸化物である場合には、第2の絶縁膜6と金属酸化物膜7とに共通の元素である酸素が存在するので、第2の絶縁膜6と金属酸化物膜7との密着性が増大する。また、金属膜9と第2の銅配線10とが接合しているため、金属めっきを行なう際に、金属化合物膜8又は金属酸化物膜7よりも抵抗が小さい金属が電極兼めっき下地となるので、金属化合物膜8又は金属酸化物膜7が第2のバリアメタル膜A1の表面にある場合と比べて、膜厚均一性に優れためっき膜を形成することができる。このため、高性能な金属めっきを実現することができる。
【0076】
また、金属膜9を構成する金属として酸化されても導電性を失わない金属を用いる場合には、銅めっき層を第2のバリアメタル膜A1の上に直接堆積する際に、めっき膜厚を均一にできると共に、銅めっきによってビアホールをボイドなしに埋め込むことが可能となる。したがって、機械的強度に優れると共に、低抵抗であって且つ基板材料との密着性が高い多層配線を有する信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
【0077】
このように、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法によると、金属酸化物膜、該金属酸化物膜の弾性率よりも大きい弾性率を有する金属化合物膜及び金属膜を積層してなるバリアメタル膜を用いることにより、バリアメタル膜の機械的強度が向上するので、半導体製造工程における熱処理又は組み立て工程におけるストレスなどによってもクラックが発生しないバリアメタル膜を実現することができる。さらに、バリアメタル膜の絶縁膜に対する密着性を高めることができる。また、バリアメタル膜上に直接銅めっきを行なう場合であっても、均一な膜厚を有するバリアメタル膜を得ることができる。また、ボイドを形成することなくビアホールに銅を埋め込むことが可能となる。したがって、信頼性の高い銅配線を提供することができる。
【0078】
以下に、本実施形態に示した金属及び金属化合物の比抵抗の一例を示す。
【0079】
ルテニウムの比抵抗は7.5(μΩ・cm)であり、イリジウムの比抵抗は6.5(μΩ・cm)である。また、ルテニウム酸化膜の比抵抗は35(μΩ・cm)であり、イリジウム酸化膜の比抵抗は30(μΩ・cm)である。一方、現在標準的に使用されているタンタル膜の比抵抗は60〜180(μΩ・cm)であり、タンタル窒化膜の比抵抗は250(μΩ・cm)である。
【0080】
また、本実施形態に示した第2のバリアメタル膜A1を実際の半導体装置に組み込む場合には、金属酸化物膜7の膜厚が数nm〜25nm程度となるように形成し、金属化合物膜8の膜厚が数nm〜25nm程度となるように形成し、さらに、金属膜9の膜厚が数nm〜25nm程度となるように形成するとよい。この場合に、第2のバリアメタル膜A1の全体の膜厚は、65nm世代の半導体装置の場合であれば、20nm〜30nmとなるように形成されるとよい。また、45nm世代の半導体装置の場合であれば、全体の膜厚として、厚くてもおよそ15nm以下にする必要があると予測される。また、金属酸化物膜7、金属化合物膜8及び金属膜9の膜厚比は成膜方法及び用途に応じて任意に最適化するとよい。
【0081】
以上説明したように、本発明の第1の実施形態によると、機械的強度に優れると共に、低抵抗であって且つ密着性が高い多層配線を有する信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
【0082】
なお、第2の絶縁膜6と第2の銅配線10との間に、第2のバリアメタル膜A1を複数層積層される構成にしてよい。
【0083】
また、金属酸化物膜7と金属化合物膜8との密着性を損なわない限りにおいて、金属酸化物膜7と金属化合物膜8との間に、他の1層以上の膜を設けてもよいし、金属化合物膜8と金属膜9との密着性を損なわない限りにおいて、金属化合物膜8と金属膜9との間に、他の1層以上の膜を設けてもよい。
【0084】
なお、本実施形態においては、デュアルダマシン構造が採用されている場合について説明したが、シングルダマシン構造を採用する場合であっても、デュアルダマシン構造を採用する場合と同様の効果が得られることはいうまでもない。シングルダマシン構造を採用する場合には、配線とビアプラグとがそれぞれ別工程において形成されることになるが、この場合の配線及びビアプラグは、本実施形態における第2の銅配線10である埋め込み配線に含まれる。
【0085】
また、本実施形態においては、第2の銅配線10である埋め込み配線の材料として、銅又は銅合金を用いた場合について説明したが、より好ましい本実施形態としては、銅よりも低い抵抗率を有するAg、Au、若しくはPtなどの金属又はこれらの金属の合金を埋め込み配線の材料として用いるとよい。
【0086】
(第2の実施形態)
以下、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置及び半導体装置の製造方法について、図3(a)及び(b)並びに図4(a)〜(c)を参照しながら説明する。なお、第2の実施形態では、第1の実施形態と共通する部分は同様であるので、その説明は繰り返さないことにして、以下では、第1の実施形態と異なる点を中心に説明する。
【0087】
まず、図3(a)及び(b)は、第2の実施形態に係る半導体装置の構造を示す要部断面図である。
【0088】
図3(a)及び(b)において、第1の実施形態に係る半導体装置と異なる点は、凹部6cの壁面には、第2のバリアメタル膜A2が形成されており、ここで、第2のバリアメタル膜A2は、凹部6cに沿うように第2の絶縁膜6の上に形成された第1の金属酸化物膜7a、該金属酸化物膜7aの上に形成された金属化合物膜8、該金属化合物膜8の上に形成された第2の金属酸化物膜7b、及び該第2の金属酸化物膜7bの上に形成された金属膜9よりなる点である。ここで、金属化合物膜8の弾性率は、第1の金属酸化物膜7aの弾性率及び第2の金属酸化物膜7bの弾性率よりも大きい。
【0089】
第1の金属酸化物膜7aの金属及び第2の金属酸化物膜7bの金属には、第1の実施形態で説明した金属酸化物7を構成する金属の種類のうちから選択される金属を用いるとよい。第1の金属酸化物膜7aと第2の金属酸化物膜7bとは、それぞれ同一種類の金属から構成されてもよいし、異なる種類の金属から構成されてもよい。
【0090】
また、金属化合物膜8は、第1の金属酸化物膜7aの弾性率及び第2の金属酸化物膜7bの弾性率よりも大きい弾性率を有するように、第1の実施形態で説明した金属化合物膜8を構成する金属の種類から選択する必要がある。
【0091】
以下、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図4(a)〜(c)を参照しながら説明する。
【0092】
図4(a)〜(c)において、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法と異なる点は、図4(b)において、第2のバリアメタル膜A2を形成する点である。具体的には、図4(b)に示すように、凹部6cの壁面に沿うように、第2の絶縁膜6の上に第1の金属酸化物膜7aを形成する。続いて、第1の金属酸化物膜7aの上に、金属化合物膜8を形成する。続いて、金属化合物膜8の上に、第2の金属酸化物膜7bを形成する。続いて、第2の金属酸化物膜7bの上に、金属膜9を形成する。ここで、第1の金属酸化物膜7a、金属化合物膜8、第2の金属酸化物膜7b、及び金属膜9は、原子層成長法(ALD:Atomic layer deposition)、化学気相成長法(CVD:cemical vapor deposition)、又は物理気相成長法(PVD:PPhysical vapor deposition)などの成膜方法によって形成すればよい。このようにして、第1の金属酸化物膜7a、金属化合物膜8、第2の金属酸化物膜7b、及び金属膜11よりなる第2のバリアメタル膜A2が形成される。
【0093】
ここで、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置及び半導体装置の製造方法による効果について、以下に説明する。
【0094】
本発明の第2の実施形態に係る半導体装置及び半導体装置の製造方法によると、前述した第1の実施形態に係る半導体装置及び半導体装置の製造方法による効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
【0095】
第2のバリアメタル膜A2は、第1の金属酸化物膜7aと金属膜9との間に、金属化合物膜8を備え、金属膜9と金属化合物膜8との間に、第2の金属酸化物膜7bを備えると共に、金属化合物膜8の弾性率が第1の金属酸化物膜7aの弾性率及び第2の金属酸化物膜7bの弾性率よりも大きいので、機械的強度に優れた第2のバリアメタル膜A2を実現することができる。これにより、金属膜と金属酸化物膜とが単に積層されてなるバリアメタル膜に比べて、第2のバリアメタル膜A2の機械的強度は飛躍的に向上している。さらに、金属化合物膜8の熱膨張率と第1の金属酸化物膜7a及び第2の金属酸化物膜7bのそれぞれの熱膨張率とが異なる場合であっても、第2のバリアメタル膜A2の熱膨張は全体的に均一化されるので、熱的機械的強度に優れた第2のバリアメタル膜A2の構造を実現できる。さらに、第1の金属酸化物膜7a、金属化合物膜8、及び第2の金属酸化物膜7bの順に積層して第2のバリアメタル膜A2を形成するので、第1の金属酸化物膜7aに加わる応力が2層に分散するので、第2のバリアメタル膜A2全体の機械的強度が飛躍的に増大する。特に、第1の金属酸化物膜7aと第2の金属酸化物膜7bとが、それぞれ同一の金属材料から構成されている場合には、その機械的強度はさらに増大する。したがって、機械的強度に優れた多層配線を有する信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
【0096】
さらに、第2の絶縁膜6と第1の金属酸化物膜7aとが接合して形成されていると共に、金属膜9と第2の銅配線10とが接合して形成されている。このため、第1の金属酸化物膜7aと第2の絶縁膜6とが接合していることにより、金属膜9と第2の絶縁膜6とが接合する場合と比べて、第2のバリアメタル膜A2と第2の絶縁膜6との密着性が向上する。さらに、第2の絶縁膜6の最表面が酸化物である場合には、第1の金属酸化物膜7aと第2の絶縁膜6とに共通の元素である酸素が存在するので、第2の絶縁膜6と第1の金属酸化物膜7aとの密着性が増大する。また、金属膜9と第2の銅配線10とが接合していることにより、金属化合物膜8、第1の金属酸化物膜7a、又は第2の金属酸化物膜7bよりも抵抗が小さい金属が、金属めっきを行なう際の電極兼めっき下地となるので、金属化合物膜8、第1の金属酸化物膜7a又は第2の金属酸化物膜7bが、第2のバリアメタル膜A2の表面に形成されている場合に比べて、膜厚均一性により優れためっき膜を形成することができる。このため、高性能な金属めっきを実現することができる。
【0097】
なお、第2の絶縁膜6と第2の銅配線10との間に、第2のバリアメタル膜A2を複数層積層される構成にしてもよい。
【0098】
また、第1の金属酸化物膜7aと金属化合物膜8との密着性を損なわない限りにおいて、第1の金属酸化物膜7aと金属化合物膜8との間に、他の1層以上の膜を設けてもよいし、第2の金属酸化物膜7bと金属膜9との密着性を損なわない限りにおいて、第2の金属酸化物膜7bと金属膜9との間に、他の1層以上の膜を設けてもよい。また、金属化合物膜8と第2の金属酸化物膜7bとの密着性を損なわない限りにおいて、金属化合物膜8と第2の金属酸化物膜7bとの間に、他の1層以上の膜を設けてもよい。
【産業上の利用可能性】
【0099】
以上説明したように、本発明は、機械的強度に優れると共に、低抵抗であって且つ高密着性を実現するバリアメタル膜を備えた半導体装置及びその製造方法に有用である。
【図面の簡単な説明】
【0100】
【図1】(a)及び(b)は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の構造を示す要部断面図である。
【図2】(a)〜(c)は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す要部工程断面図である。
【図3】(a)及び(b)は、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の構造を示す要部断面図である。
【図4】(a)〜(c)は、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す要部工程断面図である。
【図5】(a)及び(b)は、従来例に係る半導体装置の構造を示す要部断面図である。
【符号の説明】
【0101】
1 シリコン基板
2 第1の絶縁膜
3 第1のバリアメタル膜
4 第1の銅配線
5 拡散防止膜
6 第2の絶縁膜
6a ビアホール
6b 配線溝
6c 凹部
7 金属酸化物膜
7a 第1の金属酸化物膜
7b 第2の金属酸化物膜
8 金属化合物膜
9 金属膜
10 第2の銅配線
A1、A2 第2のバリアメタル膜
101 シリコン基板
102 第1の絶縁膜
103 第1のバリアメタル膜
104 第1の銅配線
105 拡散防止膜
106 第2の絶縁膜
106a ビアホール
106b 配線溝
106c 凹部
107、108 第2のバリアメタル膜
109 第3のバリアメタル膜
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜中に形成された埋め込み金属配線と、前記絶縁膜と前記金属配線との間に形成されたバリアメタル膜とを有する半導体装置において、
前記バリアメタル膜は、前記絶縁膜が存在している側から前記金属配線が存在している側へ向かって順に積層されている金属酸化物膜、金属化合物膜及び金属膜よりなり、
前記金属化合物膜の弾性率は、金属酸化物膜の弾性率よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項2】
前記絶縁膜と前記金属酸化物膜とは接合して形成されていると共に、
前記金属膜と前記金属配線とは接合して形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記金属酸化物膜は、導電性を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
【請求項4】
基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜中に形成された埋め込み金属配線と、前記絶縁膜と前記金属配線との間に形成されたバリアメタル膜とを有する半導体装置において、
前記バリアメタル膜は、前記絶縁膜が存在している側から前記金属配線が存在している側に向かって順に積層されている第1の金属酸化物膜、金属化合物膜、第2の金属酸化物膜及び金属膜よりなり、
前記金属化合物膜の弾性率は、前記第1の金属酸化物膜の弾性率及び前記第2の金属酸化物膜の弾性率のそれぞれよりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項5】
前記絶縁膜と前記第1の金属酸化物膜とは接合して形成されていると共に、
前記金属膜と前記金属配線とは接合して形成されていることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記第1の金属酸化物膜及び前記第2の金属酸化物膜のうちの少なくとも一方は、導電性を有することを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記金属化合物膜を構成する金属は、高融点金属であることを特徴とする請求項1又は4に記載の半導体装置。
【請求項8】
前記金属膜を構成する金属は、酸化されても導電性を失わない金属であることを特徴とする請求項1又は4に記載の半導体装置。
【請求項9】
前記金属化合物膜は、金属窒化物膜よりなることを特徴とする請求項1又は4に記載の半導体装置。
【請求項10】
前記金属化合物膜は、金属炭化物膜よりなることを特徴とする請求項1又は4に記載の半導体装置。
【請求項11】
前記金属化合物膜は、金属ケイ化物膜よりなることを特徴とする請求項1又は4に記載の半導体装置。
【請求項12】
基板上の絶縁膜に凹部を形成する工程と、
前記凹部の壁面に沿うように、金属酸化物膜、金属化合物膜、及び金属膜がこの順に形成されてなるバリアメタル膜を形成する工程と、
前記凹部を埋め込むように、前記バリアメタル膜の上に埋め込み金属配線を形成する工程とを備え、
前記バリアメタル膜を形成する工程は、
前記金属酸化物膜の弾性率よりも大きい弾性率を有する前記金属化合物膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項13】
基板上の絶縁膜に凹部を形成する工程と、
前記凹部の壁面に沿うように、第1の金属酸化物膜、金属化合物膜、第2の金属酸化物膜、及び金属膜がこの順に形成されてなるバリアメタル膜を形成する工程と、
前記凹部を埋め込むように、前記バリアメタル膜の上に埋め込み金属配線を形成する工程とを備え、
前記バリアメタル膜を形成する工程は、
前記第1の金属酸化物膜の弾性率及び前記第2の金属酸化物膜の弾性率のそれぞれよりも大きい弾性率を有する前記金属化合物膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項14】
前記バリアメタル膜を形成する工程よりも後であって前記埋め込み金属配線を形成する工程よりも前に、前記バリアメタル膜の上にシード層を形成する工程をさらに備え、
前記埋め込み金属配線を形成する工程は、前記凹部を埋め込むように、前記シード層の上に前記埋め込み金属配線を形成する工程を含むことを特徴とする請求項12又は13に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項1】
基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜中に形成された埋め込み金属配線と、前記絶縁膜と前記金属配線との間に形成されたバリアメタル膜とを有する半導体装置において、
前記バリアメタル膜は、前記絶縁膜が存在している側から前記金属配線が存在している側へ向かって順に積層されている金属酸化物膜、金属化合物膜及び金属膜よりなり、
前記金属化合物膜の弾性率は、金属酸化物膜の弾性率よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項2】
前記絶縁膜と前記金属酸化物膜とは接合して形成されていると共に、
前記金属膜と前記金属配線とは接合して形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記金属酸化物膜は、導電性を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
【請求項4】
基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜中に形成された埋め込み金属配線と、前記絶縁膜と前記金属配線との間に形成されたバリアメタル膜とを有する半導体装置において、
前記バリアメタル膜は、前記絶縁膜が存在している側から前記金属配線が存在している側に向かって順に積層されている第1の金属酸化物膜、金属化合物膜、第2の金属酸化物膜及び金属膜よりなり、
前記金属化合物膜の弾性率は、前記第1の金属酸化物膜の弾性率及び前記第2の金属酸化物膜の弾性率のそれぞれよりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項5】
前記絶縁膜と前記第1の金属酸化物膜とは接合して形成されていると共に、
前記金属膜と前記金属配線とは接合して形成されていることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記第1の金属酸化物膜及び前記第2の金属酸化物膜のうちの少なくとも一方は、導電性を有することを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記金属化合物膜を構成する金属は、高融点金属であることを特徴とする請求項1又は4に記載の半導体装置。
【請求項8】
前記金属膜を構成する金属は、酸化されても導電性を失わない金属であることを特徴とする請求項1又は4に記載の半導体装置。
【請求項9】
前記金属化合物膜は、金属窒化物膜よりなることを特徴とする請求項1又は4に記載の半導体装置。
【請求項10】
前記金属化合物膜は、金属炭化物膜よりなることを特徴とする請求項1又は4に記載の半導体装置。
【請求項11】
前記金属化合物膜は、金属ケイ化物膜よりなることを特徴とする請求項1又は4に記載の半導体装置。
【請求項12】
基板上の絶縁膜に凹部を形成する工程と、
前記凹部の壁面に沿うように、金属酸化物膜、金属化合物膜、及び金属膜がこの順に形成されてなるバリアメタル膜を形成する工程と、
前記凹部を埋め込むように、前記バリアメタル膜の上に埋め込み金属配線を形成する工程とを備え、
前記バリアメタル膜を形成する工程は、
前記金属酸化物膜の弾性率よりも大きい弾性率を有する前記金属化合物膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項13】
基板上の絶縁膜に凹部を形成する工程と、
前記凹部の壁面に沿うように、第1の金属酸化物膜、金属化合物膜、第2の金属酸化物膜、及び金属膜がこの順に形成されてなるバリアメタル膜を形成する工程と、
前記凹部を埋め込むように、前記バリアメタル膜の上に埋め込み金属配線を形成する工程とを備え、
前記バリアメタル膜を形成する工程は、
前記第1の金属酸化物膜の弾性率及び前記第2の金属酸化物膜の弾性率のそれぞれよりも大きい弾性率を有する前記金属化合物膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項14】
前記バリアメタル膜を形成する工程よりも後であって前記埋め込み金属配線を形成する工程よりも前に、前記バリアメタル膜の上にシード層を形成する工程をさらに備え、
前記埋め込み金属配線を形成する工程は、前記凹部を埋め込むように、前記シード層の上に前記埋め込み金属配線を形成する工程を含むことを特徴とする請求項12又は13に記載の半導体装置の製造方法。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【公開番号】特開2006−19325(P2006−19325A)
【公開日】平成18年1月19日(2006.1.19)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2004−192653(P2004−192653)
【出願日】平成16年6月30日(2004.6.30)
【出願人】(000005821)松下電器産業株式会社 (73,050)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成18年1月19日(2006.1.19)
【国際特許分類】
【出願日】平成16年6月30日(2004.6.30)
【出願人】(000005821)松下電器産業株式会社 (73,050)
【Fターム(参考)】
[ Back to top ]