【課題】裏面コンタクト構造体及びその構造体を製造する方法を提供する。
【解決手段】表面及び対向する裏面を有する基板１００の表面上に第１誘電体層１０５を形成することと、第１誘電体層を貫通して前記基板の表面にまで延びる導電性の第１スタッド・コンタクト１４０Ｂを第１誘電体層内に形成することと、基板の裏面から基板を薄くして基板の新しい裏面を形成することと、基板の新しい裏面から前記第１誘電体層まで延びるトレンチ１６５を基板内に形成して第１スタッド・コンタクトの底面をトレンチ内に露出させることと、基板の新しい裏面、トレンチの側壁、第１誘電体層の露出面、及び第１スタッド・コンタクトの露出面の上に、トレンチを完全に充填するのに十分には厚くない共形導電層１７０、１７５を形成することと、を含む前記方法。 （もっと読む）

【課題】熱(工程)に耐性のある配線構造を採用し、配線上の析出物の発生を抑制できる半導体素子を実現する。
【解決手段】半導体素子本体に接続する金材を含む配線パターンと、この配線パターンに一端側が接続され金材を含む接続端子と、前記半導体素子本体と前記配線パターンと前記接続端子とを覆う絶縁体と、を具備する半導体素子において、前記配線パターンあるいは接続端子の一方の面に一面が接し他面が前記絶縁体に接する面状のシリサイド体を具備したことを特徴とする半導体素子である。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の特性を損なうことなく微細化に伴うコンタクト不良を低減した、電気的特性の良好な半導体装置を提供する。またこのような半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】半導体層と電気的に接続する金属、又は金属化合物からなる下部電極を設け、この下部電極の一部が露出するように層間絶縁層に形成されたコンタクトホール内に、接続電極となる導電性シリコンウィスカーを形成する。その後、導電性シリコンウィスカーと電気的に接続する上部電極を形成すればよい。またこのように作製したコンタクトを用いて半導体装置を作製すればよい。 （もっと読む）

【課題】 炭化珪素の半導体装置において、電極材料と、内部配線の材料とが異なるとき、これら異種金属の接触界面における不具合のおそれを無くして、長期間使用後にも高い信頼性を得ることができる、半導体装置等を提供する。
【解決手段】 炭化珪素１４，１８に接触する接触電極１６と、該接触電極と導通する配線１９とを備え、接触電極１６が、チタン、アルミニウム、および珪素を含有する合金で形成され、配線１９は、アルミニウムまたはアルミニウム合金で形成され、該配線は接触電極と接触することで該接触電極と導通をとることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】導電プラグの酸化を抑止し、コンタクト抵抗の安定化された信頼性の高い半導体装置を実現する。
【解決手段】下部電極１０１と上部電極１０３とで強誘電体膜１０２を挟持してなる強誘電体キャパシタ構造１００と、導電プラグ１１０との間に、酸化しても導電性を有する導電材料（例えば金属）からなる導電層１１２を形成し、ここでは、導電プラグ１１０の下地膜を導電層１１２（Ａｇ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｉｒ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓから選ばれた少なくとも１種を材料として形成される。）とする。 （もっと読む）

【課題】周辺表面を汚染もしくは乱さずに、スパッタリングした銅シード層を堆積させて、所望の形状に刻設する方法を提供する。
【解決手段】底部５１６と、側壁５１４と、上側開口５２６とを有する複数の凹状のデバイス特徴を含む基板上に銅シード層を堆積させる方法であって、ａ）基板表面からのスパッタリングを引き起こす態様において前記凹状のデバイス特徴の基板表面に衝突することなく前記銅シード層の第１の部分を前記基板上にスパッタ堆積するステップと、ｂ）前記銅シード層の第２の部分を前記基板上にスパッタ堆積すると同時に、銅シード層の前記第１の部分の少なくとも一部を、前記複数の凹状のデバイス特徴のそれぞれの底部から対応する側壁へと再配分するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置とその製造方法において、強誘電体膜を備えたキャパシタの劣化を防止すること。
【解決手段】シリコン基板３０の上方に、下部電極６１、強誘電体膜よりなるキャパシタ誘電体膜６２と、上部電極６３とを有するキャパシタQを形成する工程と、キャパシタQ上に層間絶縁膜７１を形成する工程と、層間絶縁膜７１に、上部電極６３に達するホール５９ａを形成する工程と、ホール５９ａの内面、及びホール５９ａから露出する上部電極６３の表面に第１のバリア膜６７を形成する工程と、第１のバリア膜６７上に、第１のバリア膜６７よりも酸素濃度が高い第２のバリア膜６８を形成する工程と、第２のバリア膜６８の上方に導電膜７４を形成して、ホール５９ａを埋め込む工程とを含む半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】 金属相互接続のための共形接着促進材ライナを提供すること
【解決手段】 誘電体層を少なくとも１つのライン・トラフ及び／又は少なくとも１つのビア・キャビティを有するようにパターン化する。金属窒化物ライナをパターン化誘電体層の表面上に形成する。金属ライナを金属窒化物ライナの表面上に形成する。共形銅窒化物層を、原子層堆積（ＡＬＤ）又は化学気相堆積（ＣＶＤ）によって、金属ライナの直接上に形成する。Ｃｕシード層を共形銅窒化物層の直接上に形成する。少なくとも１つのライン・トラフ及び／又は少なくとも１つのビア・キャビティは、電気めっき材料で充填される。共形銅窒化物層とＣｕシード層との間の直接接触は、強化された接着強度を与える。共形銅窒化物層をアニールして、露出した外側部分を連続的なＣｕ層に変換することができ、このことはＣｕシード層の厚さを減すのに用いることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの基板を貫通するプラグにおいて、微細になるとプラグに接続する電極との接続抵抗が大きくなる、またリーク電流が大きくなる、あるいは絶縁破壊やストレスマイグレーションが生じる、という問題があった。これらの問題の生じにくい貫通プラグの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００の表面に設けられた電極パッド４００と、基板裏面に設けられた接続電極３８０とを電気的に接続する貫通プラグ３５０の端部が、電極パッドおよび接続電極に部分的に食い込んだ構造とする。および、半導体基板から貫通プラグを絶縁する絶縁分離部２１０が、半導体基板表面側の絶縁膜２０５に部分的に食い込んだ構造とする。 （もっと読む）

【課題】コンタクト構造物の形成方法及びこれを利用した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】コンタクト領域１０３を有する対象体１００上に絶縁層１０６を形成した後、絶縁層１０６をエッチングしてコンタクト領域１０３を露出させる開口を形成する。露出されたコンタクト領域１０３上にシリコン及び酸素を含む物質膜を形成した後、シリコン及び酸素を含む物質膜上に金属膜を形成する。シリコン及び酸素を含有する物質膜と金属膜を反応させて、少なくともコンタクト領域１０３上に金属酸化物シリサイド膜１２１を形成した後、金属酸化物シリサイド膜１２１上の開口を埋める導電膜を形成する。コンタクト領域とコンタクトとの間に金属、シリコン、及び酸素が三成分系を成す金属酸化物シリサイド膜を均一に形成することができるため、改善された熱安定性及び電気的特性を有する。 （もっと読む）

サブリソグラフィック寸法又は高アスペクト比を含む小寸法を有する開口内に均一で均質に電極材料を形成する方法を提供する。この方法は、内側に形成された開口を有する絶縁層を提供し、開口上及び開口内に均質な導電又は準抵抗材料を形成するステップを含んでいる。この方法は、金属窒化物、金属アルミニウム窒化物及び金属ケイ素窒化物電極組成を形成するＣＬＤ又はＡＬＤプロセスである。この方法は、アルキル、アリル、アルケン、アルキン、アシル、アミド、アミン、イミン、イミド、アジド、ヒドラジン、シリル、アルキルシリル、シリルアミン、キレーティング、ヒドリド、サイクリック、カルボサイクリック、シクロペンタジエニル、ホスフィン、カルボニル又はハライドから選択された１以上のリガンドを含む金属前駆体を利用する。公的な前駆体は、一般式ＭＲｎを有し、Ｍは金属、Ｒは上述のリガンド、ｎは主要な金属原子に結合したリガンドの数に対応している。Ｍは、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｐｒ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ又は他の遷移金属である。
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【課題】二重ダマシン構造を有する集積回路および余分な工程を削減し二重ダマシン構造を形成できる製造方法を提供する。
【解決手段】
二重ダマシン構造を製造する工程である。この工程は、スタックの上方に２個のマスクが形成される絶縁体層とストップ層を含むスタックを形成するものである。マスクのうちの１個は、絶縁体層のビアあるいはコンタクト開口を形成するのに用いられ、第ニのマスクは集積回路に相互接続のための凹部を形成するのに用いられる。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤプロセスを使用して、均一性が良好で、ほとんどまたは全く汚染がなく、かつ導電率が高いつまり抵抗率が低いタングステン含有材料を堆積するための改良されたプロセスを提供する。
【解決手段】一実施形態では、プロセスチャンバ内に基板を位置決めするステップであって、該基板がこの上に配置されている下地層を含有するステップと、該基板をタングステン前駆体および還元ガスに順次曝してＡＬＤプロセス時に該下地層上にタングステン核形成層を堆積するステップであって、該還元ガスが約４０：１、１００：１、５００：１、８００：１、１，０００：１以上の水素／ハイドライド流量比を含有するステップと、該タングステン核形成層上にタングステンバルク層を堆積するステップとを含む、基板上にタングステン含有材料を形成するための方法が提供される。該還元ガスはジボラン、シランまたはジシランなどのハイドライド化合物を含有している。 （もっと読む）

【課題】無線信号から生成できる電流値及び電圧値の範囲内で駆動できるメモリを搭載した半導体装置を提供することを課題とする。また、半導体装置製造後にデータの書き込みを行える追記型のメモリを提供することも課題とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上にアンテナと、アンチヒューズ型のＲＯＭと、駆動回路とを形成する。アンチヒューズ型のＲＯＭを構成する一対の電極の間に、シリコン膜とゲルマニウム膜との積層を設ける。この積層を有するアンチヒューズ型のＲＯＭは、書き込み電圧のバラツキを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】高温処理を行った場合でも素子の信頼性の劣化を抑制する。
【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリは、磁化方向が固定された固定層１１と磁化方向が反転可能な記録層１３と固定層及び記録層の間に設けられた非磁性層１２とを有する磁気抵抗効果素子ＭＴＪを具備するメモリセルアレイであって、磁気抵抗効果素子の下方に配置された前記メモリセルアレイ内の全ての導電層２、４、５は、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｃｏ、Ｎｉからなる群の中から選択された元素を含む材料で形成されている。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホール内に形成される銅プラグの接合リークの増加を抑制し、銅プラグの良好なコンタクトを達成できる半導体装置の製造方法を提供することである。
【解決手段】シリサイド層３２を有する半導体基板１の上に絶縁膜３８を形成し、さらに、シリサイド層３２上の絶縁膜３８にホール３８ｆを形成し、ホール３８ｆ内とシリサイド層３２の表面をクリーニングし、ホール３８ｆの底面及び内周面に化学気相成長法によりチタン層４１を形成し、銅拡散防止用のバリア層４２をホール３８ｆ内のチタン層４１上に形成し、銅層４４をホール３８ｆ内に埋め込む工程を含む。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、以下の工程を有している。層間絶縁膜１内に下部配線５を備えた第一層を準備する。第一層上にライナー膜１１を設ける。層間絶縁膜１２をライナー膜１１上に設ける。層間絶縁膜１２およびライナー膜１１を貫通して下部配線５に達するトレンチ１４を形成する。トレンチ１４の側壁に沿った層間絶縁膜１２上及びライナー膜１１上と、下部配線５上に位置するトレンチ１４の底部とにバリアメタル１３を形成する。トレンチ１４底部を物理エッチングすることにより、トレンチ１４底部のバリアメタル１３と下部配線５とを削り、円錐形状又は半球形状の孔６をトレンチ１４の下側に設ける。トレンチ１４の側壁上のバリアメタル１３上及び孔６内に導電膜１５を形成する。トレンチ１４及び孔６内にＣｕ膜１９を埋め込む。 （もっと読む）

最終メタライゼーション層のコンタクト領域（２０２Ａ）上にアンダーバンプメタライゼーション層（２１１）を直接形成することによって、アルミニウムおよび対応する密着／バリア層などのほかの終端金属の形成を省略することができる。この結果、得られるバンプ構造（２１２）の熱的挙動および電気的挙動を向上させることができ、プロセスを大幅に簡略化することができる。
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【課題】外部から曲げ等の物理的な力が加わり応力が生じた場合であってもトランジスタ等の素子の損傷を抑制する半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に設けられ、チャネル形成領域と不純物領域とを具備する半導体膜と、チャネル形成領域の上方にゲート絶縁膜を介して設けられた第１の導電膜と、第１の導電膜を覆って設けられた第１の層間絶縁膜と、第１の層間絶縁膜上に、少なくとも不純物領域の一部と重なるように設けられた第２の導電膜と、第２の導電膜上に設けられた第２の層間絶縁膜と、第２の層間絶縁膜上に、開口部を介して不純物領域と電気的に接続するように設けられた第３の導電膜とを設ける。 （もっと読む）

【課題】界面破壊現象が発生しない炭素ナノチューブ配線の形成方法及びこれを利用した半導体素子配線の形成方法が開示されている。
【解決手段】基板上に酸化金属膜を形成した後、前記酸化金属膜上に前記酸化金属膜の表面を露出させる開口を含む絶縁膜パターンを形成する。前記開口に露出された前記酸化金属膜を炭素ナノチューブの成長が可能な触媒金属膜パターンに形成する。前記触媒金属膜パターンから炭素ナノチューブを成長させて炭素ナノチューブ配線を形成する。前述した炭素ナノチューブ配線の形成方法は、前記絶縁膜パターンと触媒金属膜パターンとの間で炭素ナノチューブが成長する現象を防止することができる。 （もっと読む）