【課題】微細化されたトランジスタのオン特性を向上させる。微細化されたトランジスタを歩留まりよく作製する。
【解決手段】一対の低抵抗領域及び該低抵抗領域に挟まれるチャネル形成領域を含む酸化物半導体層と、ゲート絶縁層を介してチャネル形成領域と重畳する第１のゲート電極層と、第１のゲート電極層のチャネル長方向の側面及びゲート絶縁層の上面と接し、一対の低抵抗領域と重畳する一対の第２のゲート電極層と、第２のゲート電極層上の、側端部を第２のゲート電極層の側端部と重畳する一対の側壁絶縁層と、を有する半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に形成するインダクタのインダクタンスを大きくすること。
【解決手段】半導体基板上に形成された少なくとも１層からなるコイル配線のコイル中央孔に別基板に形成されたコアを挿入する。コアをコイル中央孔に固定した後、別基板は分離する。コアは別基板に接合材を介してコア材（磁性体）の薄板を付着させて、パターニングする。半導体基板上に形成されたコイル中央孔は流動性接着剤が入っていて、コアを挿入した後に流動性接着剤が硬化してコアが固定される。コアが固定された後に接合剤の接着力を低下させて別基板を分離する。コア材はバルクと同じ高透磁率を有するので、非常に大きなインダクタンスを持つインダクタを形成できる。 （もっと読む）

【課題】 配線の特性の劣化を生じさせることなく、額縁面積を削減することが可能な回路基板、及び、該回路基板を備える表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 支持基板上にトランジスタ及び外部接続端子が載置されたトランジスタ基板と、該トランジスタ基板上に取り付けられた外付け部材とを含んで構成される回路基板であって、上記外付け部材は、導電部材を介して外部接続端子と電気的かつ物理的に接続されており、上記トランジスタは、外部接続端子と横並びに配置されている回路基板である。 （もっと読む）

【課題】短時間で、配線母体の内部に、種々のトポロジーの貫通配線や連結配線を埋め込むことが可能な配線構造物を提供する。
【解決手段】配線母体１１と、配線母体１１の内部に設けられた複数の穴部の内部にそれぞれ配置された、配線子連続体（Ｑ_i1，Ｑ_i2，Ｑ_i3，……，Ｑ_in-1，Ｑ_in；Ｑ_i+11，Ｑ_i+12，Ｑ_i+13，……，Ｑ_i+1n-1，Ｑ_i+1n）からなる複数の貫通配線部とを備える。複数の配線子連続体のそれぞれをなす複数の配線子Ｑ_i1，Ｑ_i2，Ｑ_i3，……，Ｑ_in-1，Ｑ_in；Ｑ_i+11，Ｑ_i+12，Ｑ_i+13，……，Ｑ_i+1n-1，Ｑ_i+1nのそれぞれは、コア部と、コア部を被覆し、コア部より融点の低い導電体からなるシェル部Ｑ_i,shell，Ｑ_i+1,shellを有する。複数の配線子は、それぞれのシェル部を互いに溶融することにより金属学的に接合される。 （もっと読む）

【課題】溝や穴の開口部と深さとの比（開口部／深さ）が１／５〜１／７のような条件を要求されても、又、厚さが１０ｎｍ以下であっても成膜が可能で、かつ、銅の拡散防止（バリア性）に優れ、更には電気抵抗が小さく、銅膜との密着性にも優れた導電性バリア膜形成材料を提供する。
【解決手段】ケミカルベーパーデポジションにより銅膜の下地膜として導電性Ｔａ−Ｚｒ系バリア膜を形成する為の材料であって、Ｔａを持つ金属有機化合物と、Ｚｒを持つ金属有機化合物とを含むことを特徴とする導電性バリア膜形成材料、および、前記Ｔａ有機化合物、前記Ｚｒ有機化合物の一方または双方を溶解する溶媒とを含むことを特徴とする導電性バリア膜形成材料。 （もっと読む）

【課題】高信頼性の貫通電極を有する半導体基板と半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第１絶縁層（２）を介して第１配線層（３）が形成され、貫通孔（４）の内周に第２配線層（５）を形成し、貫通孔（４）は、第１の開口部（４ａ）と、第１の開口部（４ａ）よりも開口面積が小さい第２の開口部（４ｂ）で形成され、第２の開口部（４ｂ）に第３配線層（１０３ａ）を形成するとともに、第３配線層（１０３ａ）を第１の開口部（４ａ）よりも先に形成することを特徴とする。 （もっと読む）

シリコン基板内のビア内に高純度の銅を電着し、スルーシリコンビア（ＴＳＶ）を形成するプロセスである。本プロセスは、電解銅めっきシステム内の電解槽内にシリコン基板を浸漬するステップと、高純度の銅を電着してＴＳＶを形成するのに十分な時間の間、電圧を印加するステップとを含み、電解槽が酸、銅イオンの発生源、第一鉄イオン及び／又は第二鉄イオンの発生源、及び析出した銅の物理−機械的特性を制御するための少なくとも１つの添加剤とを含み、銅金属の発生源からの銅イオンを溶解することによって電着されることになる付加的な銅イオンを提供するために、前記槽内でＦｅ^２＋／Ｆｅ^３＋レドックス系が、確立される。 （もっと読む）

【課題】微細配線であっても、Ｃｕ配線の配線抵抗上昇の低減と信頼性向上とを両立する。
【解決手段】半導体装置は、絶縁膜２と、絶縁膜２に形成された溝５と、溝５の側壁及び底面に形成された、チタン（Ｔｉ）とタンタル（Ｔａ）との合金からなるバリアメタル膜３と、バリアメタル膜３に積層され、溝５の中に位置する銅（Ｃｕ）配線４と、を有する。バリアメタル膜３のチタン濃度は、０．１ａｔ％以上１４ａｔ％以下である。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置への出し入れ回数を減らした表示装置の製造方法および表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる表示装置の製造方法は、絶縁基板上に第１の電極膜と第２の電極膜とを含む導電層、第１の絶縁層、半導体膜、第２の絶縁層および保護層を形成する工程と、半導体膜の上方の第１の領域に配置される所定の厚さの第１のレジスト膜と、第２の電極膜の上方の第２の領域に配置される開口部と、それら以外の領域に配置される厚い第２のレジスト膜と、を保護層上に形成する工程と、第２の領域下をエッチングする工程と、第１のレジスト膜をアッシングにより除去する工程と、第１の領域下に半導体膜に達する第１の孔を形成し、かつ第２の領域下に第２の電極膜に達する第２の孔を形成する工程と、第２のレジスト膜を除去する工程と、半導体膜および第２の電極膜と接続される配線を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】配線材との密着性が良く、バリア性の高い金属膜をもつ半導体装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に絶縁膜、金属からなるバリアメタル膜、及びＣｕ配線金属膜がこの順で積層された積層構造を具備してなり、バリアメタル膜の酸化物のＸ線回折測定による回折強度が、バリアメタル膜とＣｕ配線金属膜との化合物の回折強度の１０倍以下である。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜とＣｕを含む配線との間に介在する下地膜であって、特に酸素のバリア性が高い下地膜を含む電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置は、凹部の形成された絶縁膜と、凹部内に形成され、Ｃｕを含む配線層と、絶縁膜と前記配線層との間に形成され、Ｔａ及びＭｎを含む下地膜とを有する。 （もっと読む）

【課題】微小ビアでの接続信頼性を確保した信頼性の高い半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板１１と、半導体基板１１上に配されるとともに、少なくとも１以上の第１配線層、少なくとも１以上の第１絶縁層、及び第１ビアを有する第１配線構造体１２と、第１配線構造体１２上に配されるとともに、少なくとも１以上の第２配線層１５、少なくとも１以上の第２絶縁層１４、第２ビア１６、及び第３ビア１９を有する第２配線構造体１７と、第２配線構造体１７上に設けられた外部端子１８と、を備える半導体装置において、第２配線構造体１７の第２配線層１５と外部端子１８に接合される第２ビア１６は、外部端子１８側の端部に接合界面１６ａが配されている。 （もっと読む）

【課題】
互いにパターン（平面形状）の異なる２種類以上の薄膜を積層した積層構造を形成する工程にて、１回のフォトリソグラフィ工程で夫々の薄膜形状を画定すること。
【解決手段】
基板１上に２層の薄膜３，２を順次成膜し、次に薄膜２の上面に形成された第１マスクパターン４を用いて薄膜２のエッチングを行い、第１の薄膜パターン６を形成する。その後、第１マスクパターン４を残した状態で第１マスクパターン４及び薄膜２の上に、有機材料のオフセット印刷、インクジェット印刷、又はディスペンサノズルによる追加塗布で第２マスクパターン５を形成する。最後に、薄膜３を第１マスクパターン４及び第２マスクパターン５を用いて第２の薄膜パターン７に成形し、続いて２つのマスクパターン４，５を除去する。以上の工程により、フォトリソグラフィが第１マスクパターン４を形成する１回のみに制限されるも、基板１の主面に所望の積層構造が形成される。 （もっと読む）

【課題】フォト工程の低減を図った表示装置の製造方法。
【解決手段】第１導電型ＴＦＴと第２導電型ＴＦＴの各形成領域に、半導体層、第１絶縁膜、ゲート電極が形成され、前記半導体層のチャネル領域の各外側に第１導電型不純物領域が形成されている基板上に第２絶縁膜を形成し、前記第１導電型ＴＦＴの形成領域において当該ゲート電極を露出させることなく、前記第２導電型ＴＦＴの形成領域において当該ゲート電極のうち半導体層と交差する各辺の一部を露出させるようにして、ドレインおよびソースの各電極の接続用のコンタクトホールを形成し、多層導電層によって、前記第１導電型ＴＦＴの形成領域における前記各コンタクトホール、前記第２導電型ＴＦＴの形成領域において前記各コンタクトホールのゲート電極の一部を被うようにして、ドレインおよびソースの各電極を形成し、第２導電型不純物をドープして、半導体層に第２導電型不純物領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子及びその形成方法を提供する。
【解決手段】半導体素子は、半導体素子の下部コンタクト領域（ｕｎｄｅｒｌｙｉｎｇ ｃｏｎｔａｃｔ ｒｅｇｉｏｎ）上に配置され、上部面を有する第１層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜を貫通する第１開口部１１０ａ、１１０ｂ内に配置され、第１幅Ｗ１ａの上部を有する第１導電パターン１１３ａ、１１３ｂと、第１導電パターン１１３ａ、１１３ｂの上部面と接触され、第１幅Ｗ１ａより狭い第２幅Ｗ２ａの下部を有する第２導電パターン１２５ａ、１２５ｂと、を含み、第１導電パターン１１３ａ、１１３ｂの上部面は、前記第１層間絶縁膜の上部面に対して相対的にリセスされて、第１導電パターン１１３ａ、１１３ｂの上部面の前記下部コンタクト領域に相対的な高さは、前記第１層間絶縁膜の上部面の前記下部コンタクト領域に相対的な高さより低い。第２導電パターン１２５ａ、１２５ｂが第１導電パターン１１３ａ、１１３ｂの上部面と接続される。第２導電パターンの下部は、第１幅より狭い第２幅を有する。 （もっと読む）

【課題】微細かつ高精度なパターンを含む半導体装置を高い生産効率で製造することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】露光装置Ａを用いて所定の寸法精度内に転写可能なマスクＡを準備し（ｓ１）、マスクＡでの転写パターンにおいて、所定の寸法精度内に転写すべき複数のクリティカルパターン部を選定し、各クリティカルパターン部の近傍領域に関する開口率をそれぞれ算出する（ｓ２）。複数のクリティカルパターン部のうち、開口率が最大となるクリティカルパターン部αおよび開口率が最小となるクリティカルパターン部βをそれぞれ特定する（ｓ３，ｓ４）。露光装置Ｂを用いてマスクＡを転写した場合、クリティカルパターン部α，βの各寸法が所定の許容範囲に収まるかを評価し（ｓ５）、各寸法が所定の許容範囲に収まる場合、露光装置ＢとマスクＡの組合せにより露光を実施する（ｓ６）。 （もっと読む）

【課題】配線信頼性が向上される。
【解決手段】半導体基板上に配線層１１と層間絶縁膜１２とが順に形成され、層間絶縁膜１２にトレンチ溝１３とトレンチ溝１３中に配線層１１に達するビア孔１４とが形成され、トレンチ溝１３とビア孔１４と層間絶縁膜１２との表面に金属膜１５が成膜され、スパッタ法を用いて、ビア孔１４の底部の金属膜１５をエッチングするとともに、全面に金属膜１６が成膜されて、さらに、ビア孔１４の側壁にそれぞれの金属によって新たな金属膜が生成され、ビア孔１４とトレンチ溝１３とを導電性材料１７ａで埋め込んだ配線層が形成されるようになる。 （もっと読む）

【課題】蓄積容量素子の占有面積を小さくすることが可能な薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、及び表示装置を提供すること
【解決手段】本発明にかかる薄膜トランジスタアレイ基板は、基板１上に形成され、ソース／ドレイン領域を有する半導体層３と、ゲート絶縁膜４と、ゲート電極５と、層間絶縁膜６ａと、ソース／ドレイン領域に接続する配線電極７１、７２と、保護膜８と、配線電極７２に接続する画素電極９と、半導体層３より延在して形成された下部容量電極３ａと、ゲート電極５と同じ層によって形成され、ゲート絶縁膜４を介して下部容量電極３ａの対面に配置された共通配線電極５ａと、層間絶縁膜６ａより膜厚の薄い誘電体膜（保護膜８）を介して共通配線電極５ａの対面に配置された上部容量電極９ａと、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを用いた配線構造を備える電子デバイスの製造方法について、炭素元素円筒型構造体からなるビアを歩留まり良く形成すること。
【解決手段】基板１上の第１絶縁膜２上に導電パターン５を形成する工程と、第１絶縁膜２と導電パターン５を覆う第２絶縁膜７を形成する工程と、第２絶縁膜７のうち導電パターン５の上にホール７ａを形成する工程と、少なくともホール７ａ内の底面と第２絶縁膜７の上面に金属膜９を形成する工程と、金属膜９の表面に触媒粒子又は触媒膜からなる触媒面１０を形成する工程と、触媒面１０から炭素元素円筒型構造体１１の束を成長する工程と、炭素元素円筒型構造体の束１０の間隙に埋込膜１２を形成する工程と、炭素元素円筒型構造体の束１１及び埋込膜１２及び金属膜９を研磨して第２絶縁膜７の上面から除去するとともに、埋込膜１２及び炭素元素円筒型構造体の束１１をホール７ａ内に残してビア１３を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】金属抵抗素子の形成位置を画定するための写真製版技術における露光時にレジスト膜中に定在波が発生するのを防止して金属抵抗素子の寸法バラツキを低減する。
【解決手段】金属抵抗素子２７の下地絶縁膜２３は、金属抵抗素子２７の長手方向において、金属抵抗素子２７の接続孔２５，２５間における上面の４０％以上の部分を占める上側に凸の１つの曲面を備えている。金属抵抗素子２７はその長手方向において下地絶縁膜２３の曲面に起因して、コンタクト、コンタクト間における上面及び下面の４０％以上の部分を占める上側に凸の１つの曲面を備えている。金属抵抗素子２７の形成位置を画定するための写真製版技術における露光時に、金属抵抗素子２７を形成するための金属膜の上面及び下面で露光光の反射光は上記曲面により散乱されるので、反射光と入射光によるレジスト膜中での定在波の発生が防止される。 （もっと読む）