【課題】本発明は、接着力が改善されて、良好な側面プロファイルを有する銅配線構造を提供する。本発明はまた、前記構造を有する配線形成方法を提供する。本発明はさらに、前記配線構造を含む薄膜トランジスタ基板を提供する。本発明はさらに、前記したような薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】配線構造と配線形成方法及び薄膜トランジスタ基板とその製造方法が提供される。配線構造は下部構造物上に形成された銅窒化物を含むバリヤ膜及びバリヤ膜上に形成された銅または銅合金を含む銅導電膜を含む。 （もっと読む）

【課題】レジスト間あるいはレジストとリフトオフ材料間が混ざり合って寸法精度やパターン精度が劣化することを防止すると共に、リフトオフ時に容易に有機溶剤に溶解し、安定した製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に非水溶性フォトレジスト材料１１を塗布形成する工程と、上記非水溶性フォトレジスト材料１１の上面に中間層として水溶性フッ化物含有溶液２０を塗布形成する工程と、上記中間層２０上に非水溶性フォトレジスト材料１２を塗布形成する工程とを有する製造方法。 （もっと読む）

【課題】コーナーラウンディング現象に起因するゲート電極寸法の変化及びトランジスタ特性の劣化を防止することができるゲート電極を備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、素子分離領域１０２と、素子分離領域１０２に囲まれた活性領域１０３と、素子分離領域１０２及び活性領域１０３上に形成されたゲート電極１０５とを備える。素子分離領域１０２上のゲート電極１０５における上面のゲート長方向の線幅ＬｂＴは、活性領域１０３上のゲート電極１０５における上面のゲート長方向の線幅ＬａＴとほぼ等しく、素子分離領域１０２上のゲート電極１０５における下面のゲート長方向の線幅ＬｂＢは、活性領域１０３上のゲート電極１０５における下面のゲート長方向の線幅ＬａＢよりも長い。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗及び不良が減少したアレイ基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板１２０上にバリア層を形成する。その後、バリア層上に銅または銅合金を含むゲートライン１３１及びゲートラインに電気的に接続されるゲート電極１１８を形成する。その後、ゲートライン１３１及びゲート電極１１８の表面を窒化プラズマ処理する。続いて、絶縁基板１２０上にゲートライン１３１及びゲート電極１１８をカバーするゲート絶縁膜１２６を蒸着する。続いて、ゲート絶縁膜１２６上にデータライン１３３、データライン１３３に電気的に接続されるソース電極１１７、ソース電極１１７と離隔されて配置されるドレイン電極１１９、及びゲート電極１１８上でソース電極１１７とドレイン電極１１９との間に配置される半導体パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】 電気的特性や信頼性等に優れたスタック型ＤＲＡＭのキャパシタを得る。
【解決手段】 ＭＩＳトランジスタのソース又はドレインの一方に接続された下部電極と、前記下部電極の上面及び側面上に形成されたキャパシタ絶縁膜と、前記キャパシタ絶縁膜上に形成された上部電極とからなる電荷保持用のキャパシタを有する半導体装置であって、前記下部電極の底部近傍の側面は凹んでおり、この凹んだ部分は前記キャパシタ絶縁膜とは異なる絶縁膜に接している。 （もっと読む）

【課題】再配線層のエッジ部付近に界面剥離やクラックが生じることを防止することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体基板１００と、半導体基板１００上に形成され、開口１１０ａ（第１開口）を有する第１層間絶縁膜１１０（第１絶縁膜）と、第１層間絶縁膜１１０（第１絶縁膜）上の一部から開口１１０ａ（第１開口）内にかけて形成され、最上面の大きさが第１層間絶縁膜１１０（第１絶縁膜）と接する面の外周に囲まれた領域の大きさよりも小さい第１再配線層１１と、第１再配線層１１上及び第１層間絶縁膜１１０（第１絶縁膜）上に形成された第２層間絶縁膜１２０（第２絶縁膜）とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、多層導電体層からなる電極または配線を備えた半導体装置において、その上の保護用絶縁膜に、空隙を生じさせないようにして、高い信頼性を有する半導体装置およびその製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明のＧａＡｓＦＥＴ１００は、ＧａＡｓ基板２上に形成された高融点金属層６と、その上に積層形成された低抵抗金属層７とを備えたゲート電極１０１を有し、ＧａＡｓ基板２上方から見て、低抵抗金属層７領域が高融点金属層６領域に含まれる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高いＴＦＴ構造を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１０１上に形成されたＣＭＯＳ回路において、Ｎチャネル型ＴＦＴにサブゲート配線（第１配線）１０２aとメインゲート配線（第２ゲート配線）１０７aを設ける。ＬＤＤ領域１１３は第１配線１０２aとは重なり、第２配線１０７aとは重ならない。このため、第１配線にゲート電圧を印加すればＧＯＬＤ構造となり、印加しなければＬＤＤ構造となる。回路仕様に応じてＧＯＬＤ構造とＬＤＤ構造とを使い分けることができる。 （もっと読む）

ビア開口部とトレンチとが共通に形成されるインプリント技術に基づいてメタライゼーションを形成することによって、従来のプロセス技術に求められたような少なくとも１つのさらなる位置合せプロセスを省略することができることから、プロセスの複雑性を実質的に軽減することができる。さらに、適切に設計されたインプリントモールドを提供することによりインプリントリソグラフィのフレキシビリティおよび実効性が向上し、これにより、信頼性、エレクトロマイグレーションに対する抵抗などの点から、最終的に得られるメタライゼーション構造のパフォーマンスもまた向上する。
（もっと読む）

【課題】再配線層を複層構造とすることなく、再配線の引き廻し自由度を高め、複雑な外部端子配置や外部端子密度の増加に対応でき、メタルポストと外部端子の接合強度にも優れ、信頼性に優れたＷＬ−ＣＳＰ型半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置１は、パッド電極１５に接続された再配線層２７上に、周囲を樹脂封止されたメタルポスト３０が形成され、メタルポスト３０の表面に外部端子３１が接合されたＷＬ−ＣＳＰ型半導体装置であり、メタルポスト形成用フォトレジストを特性の異なる２層構成として、その上部の溶解度を下部より大きくし、全体を同一条件で現像することで、前記メタルポスト形成用フォトレジストに上端側を拡径した開孔部を形成し、この上端側を拡径した開孔部により、外部端子側面３０ｂの面積が、再配線層側面３０ａの面積より大きいメタルポスト３０を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】下地に対する選択比が大きく、テーパー形状の配線を形成するドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】基板上に導電性材料からなる膜を形成し、ＩＣＰエッチング装置を用いて前記導電性材料からなる膜をドライエッチングして、テーパー角が６０°以下の配線を形成する。また、基板上に導電性材料からなる膜を形成し、ＩＣＰエッチング装置を用いて前記導電性材料からなる膜をドライエッチングして、テーパー角が６０°以下のゲート配線を形成し、前記ゲート配線上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に活性層を形成する。 （もっと読む）

【課題】同一の組成物を使用して薄膜トランジスタ液晶表示装置のＴＦＴを構成するゲート配線材料のＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜またはＭｏ／ＡｌＮｄ／Ｍｏ三重膜を単一工程で下部膜のＡｌＮｄまたはＭｏのアンダーカット現象がなく湿式エッチングして優れたテーパを収得することができ、同時にソース／ドレイン配線材料のＭｏ単一膜とＭｏ／ＡｌＮｄ／Ｍｏ三重膜でも優れたプロファイルを形成することができる薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物を提供する。
【解決手段】本発明は薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物に関するものであって、特にａ）燐酸；ｂ）硝酸；ｃ）酢酸；ｄ）リチウム系化合物；ｅ）燐酸塩系化合物；およびｆ）水を含む薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物に関する。 （もっと読む）

【課題】
導電層の損傷を防ぐことができる配線基板とその製造方法並びに表示装置を提供すること。
【解決手段】
本発明の一態様にかかる配線基板の製造方法は、Ａｌを含む下層３１、及びＭｏを含む上層３２とをサイドエッチングするよう、レジストパターン３３を介して下層３１、及び上層３２をエッチングする第１のエッチング工程と、第１のエッチング工程の後、上層３２の側端部の表面を露出させるよう、レジストパターン３３を後退させるアッシング工程と、アッシング工程の後、上層３２の断面が順テーパ形状となるよう、後退されたレジストパターン３３を介してエッチングする第２のエッチング工程とを備えるものである。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、且つ、工程数を減らし、従来よりも歩留まりよく良好な電気特性を有する薄膜トランジスタ及びこれを搭載した表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】透光性を有する基板上にマスクを形成し、基板及びマスク上に光触媒膜を有する第１の領域を形成し、基板に光を通過させて光触媒膜に照射し、第１の領域の一部を改質して第２の領域を形成し、第２の領域にパターン形成材料を含む組成物を吐出してパターンを形成する。マスクは光を通過させないものを用いる。改質後には光触媒膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】孔の中や溝の中などに金属材料を埋め込んだ際のカバレッジ性を向上させること
ができる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置９１の製造方法は、まず、基板５１上に低透過率のレジスト膜２
２を形成する。次に、ホログラフィック露光装置１１を用いてレジスト膜２２を露光及び
現像する。これにより、ホログラフィック露光装置１１側が広いテーパ状の開口孔６２ａ
を有する第１レジストパターン６１ａを形成することができる。この第１レジストパター
ン６１ａをマスクとしてシリコン酸化膜５３を異方性にエッチングするとともに、第１レ
ジストパターン６１ａも異方性にエッチングする。これにより、第１レジストパターン６
１ａの形状から第２レジストパターン６１bの形状にすることができ、口元が広いテーパ
状のコンタクトホールを形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】めっき層形状時に、レジスト層とウエハ表面による角部にもめっき層を好適に形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、一方の面側に電極が設けられた半導体基板上に、該電極に対応する位置に第一開口部が設けられた絶縁樹脂層を形成するＡ１工程と、前記絶縁樹脂層上にシード層を形成するＡ２工程と、前記シード層上に、テーパーを有する第二開口部が設けられたレジスト層を形成するＡ３工程と、前記シード層上にめっき層を形成するＡ４工程と、前記レジスト層および露出しているシード層を除去するＡ５工程と、を順に備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】隔壁により区画領域を設けて液滴吐出法により液滴を配置する際に、液滴吐出しない細線部にコンタクトホールなどの孔や段差があるとその部分に機能液がぬれ広がらない。
【解決手段】液滴吐出のために設けられる幅広部とコンタクトホールなどの孔や段差がある部分を一致させて、コンタクトホールの場合には上下導通の信頼性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】ＭＩＳトランジスタを有する半導体装置の歩留りを向上することが可能な技術を提供する。
【解決手段】半導体層８０における半導体基板１の上面１ａ上には、ＭＩＳトランジスタのゲート構造４ｃが形成されている。また、半導体層８０における半導体層８の上面８ａ内にはソース・ドレイン領域９が形成されている。半導体層８０上には、ゲート構造４ｃを覆って層間絶縁膜２０が形成されている。層間絶縁膜２０内には、ゲート構造４ｃに含まれるゲート電極６の上面６ａと、半導体層８の上面８ａとの両方に接続されたコンタクトプラグ２３が形成されている。そして、半導体層８の上面８ａは、活性領域１００ｃにおける半導体基板１の上面１ａよりも上方に位置している。 （もっと読む）

【課題】応力印加膜の膜厚の増大が容易な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置が，半導体基板，ゲート絶縁膜，ゲート電極，ゲート側壁絶縁膜，層間絶縁膜，配線層，層間接続部，応力印加膜と，を具備する。この応力印加膜は，半導体基板と層間絶縁膜との間に配置される第１の部分と，ゲート電極と層間絶縁膜との間に配置される第２の部分と，ゲート側壁絶縁膜と層間絶縁膜との間に配置される第３の部分と，貫通孔の内面と層間接続部との間に配置される第４の部分と，を有し，かつ半導体基板に応力を印加する。 （もっと読む）

【課題】金属配線自身の幅が狭くなることにより対接地容量は小さくなっても、金属配線
間でのクロストークの発生は何ら低減されなかった。
【解決手段】相互に隣接して延在する第１、第２の金属配線であって、相互に対向する、
前記第１の金属配線の第１の面及び前記第２の金属配線の第２の面の、前記延在方向に交
差する断面形状が、実質的に八の字状、又は、逆八の字状である前記第１、第２の金属配
線を含む。 （もっと読む）