【課題】 ガードリングの周囲に位置する絶縁膜の側面の傾斜を、従来と比べて緩やかにした半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る半導体装置は、第１領域１ａに形成され、第１領域１ａと第２領域１ｂを分離するダイシングライン１ｃに隣接する第１のガードリング８ｂと、第１のガードリング８ｂ上に形成された第１の絶縁膜１１と、第１の絶縁膜１１上に形成され、該第１のガードリング８ｂより幅が狭い第２のガードリング１３ｂと、第２のガードリング１３ｂ上及び第１の絶縁膜１１上に形成された第２の絶縁膜１４とを具備する。第２の絶縁膜１４のダイシングライン１ｃに面する側面は、第１の絶縁膜１１のダイシングライン１ｃに面する側面より第１領域１ａ側に位置している。 （もっと読む）

【課題】 銅や銅を含む材料に対しても、サイドエッチングや表面荒れ等の問題を発生させることなく、かつ充分な速度でドライエッチングできるエッチング方法を提供する。
【解決手段】 Ｃｕ又はＣｕ合金から成る層３，４をドライエッチングする際に、ハロゲン化合物を含むガスと酸素とをエッチングガスとして使用する。 （もっと読む）

【課題】ゲート配線または第一の電極配線間の短絡による歩留りの低下を防止すると共に、比抵抗が小さい材料を用いてゲート配線または第一の電極配線を構成することによりそのパターンを細線化し、高開口率化による低消費電力の液晶表示装置と、それを高歩留りで製造する製造方法、およびそれに用いられるＴＦＴアレイ基板を提供することを目的とする。
【解決手段】ゲート電極とゲート配線、または第一の電極、第一の電極配線、第二の電極が、ＡｌまたはＡｌ合金と、その表面側のＡｌより硬度の高い金属層との二層膜、または多層膜で構成され、それらは、Ａｌより硬度の高い金属膜をブラシ洗浄し、パターニングすることができ、それらの配線間短絡を防止できる。 （もっと読む）

【課題】 製造工程の途中で発生するダストを効率よく自動的に回収できる半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板１０上に設けられた配線エリア２０と、配線エリア２０の周囲に配置され、配線エリア２０のパターン密度と同等もしくは類似のパターン密度を有し、配線エリアのパターンにおける回路動作とは関係のない複数のダミーパターンからなるダミーエリアとを備え、ダミーパターン３１相互の間隙がなす凹部の断面形状が、凹部に侵入したダストを捕獲可能な開口部と、開口部よりも広い幅からなる開口部よりも奥の領域とを有する。 （もっと読む）

【課題】 配線と封止樹脂層との接触面積を増加させることにより、配線と封止樹脂層との間の密着性を向上させることができ、その結果、配線の絶縁性の低下を防止することができる配線とそれを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の再配線層は、断面形状が正テーパ状（台形状）の銅メッキ層からなる再配線層１１であり、その両側面１１ａ、１１ｂは、底面１１ｃに対して角度θの傾斜面とされ、この底面１１ｃの幅は上面１１ｄの幅より幅広とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信号歪曲を最小化することができる薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【解決手段】ゲート線と、前記ゲート線と交差するデータ線と、各々の前記ゲート線及び前記データ線に連結されている薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに連結されている画素電極と、前記データ線上に形成される保護膜と、前記データ線と少なくとも一部分が重なり、前記データ線を露出する切開部を有する遮蔽電極とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 特定の金属を含有する透明導電材料を透明導電膜に使用することにより、Ａｌ配線を設けた積層回路基板の製造方法を簡略化する。
【解決手段】 酸化亜鉛−酸化スズを主成分とする酸化物であって、
３０℃のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）２．４％水溶液中のＡｇ／ＡｇＣｌ標準電極を基準とした起電力が−０．６Ｖ以下であることを特徴とする非晶質酸化物透明導電膜材料。この材料を用いてＡｌ配線を備えた透明基板上に透明導電膜を成膜すれば、バリヤーメタル等を用いなくても、ＴＭＡＨを用いた現像処理を行っている最中にＡｌ配線が溶出することがない。さらに、Ａｌ配線と透明導電膜との接触抵抗を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】金属配線を定義するエッチング工程の際に、下部膜に加えられる損傷を最小化する。
【解決手段】半導体基板上に第１エッチング停止膜、第１層間絶縁膜、第２層間絶縁膜、第２エッチング停止膜、バッファ酸化膜、ハードマスク用第１導電膜を順次形成する工程と、第１エッチング停止膜を露出させるコンタクトホールを形成する工程と、第１エッチング停止膜を除去する工程と、ハードマスク用第１導電膜と同一の導電膜を形成し、平坦化を行ってコンタクトプラグを形成する工程と、第３層間絶縁膜、ハードマスク用第２導電膜、反射防止膜を順次形成する工程と、反射防止膜をパターニングする工程と、反射防止膜をエッチングマスクとしてハードマスクをパターニングする工程と、第２エッチング停止膜が露出するまでエッチングしてトレンチを形成する工程と、ハードマスク用第２導電膜と同一の導電膜を形成し、平坦化を行って金属配線を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】新規な構成を有する薄膜トランジスタを提供する。またコンタクトホールの形成を、容易かつ確実に実施する方法を提供する。
【解決手段】断面がテーパー形状であるアルミニウムゲイト電極と、前記ゲイト電極上のゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜上のチャネル形成領域を構成するＩ型のアモルファスシリコン膜と、前記Ｉ型のアモルファスシリコン膜上の保護膜と、前記Ｉ型のアモルファスシリコン膜及び保護膜上のｎ型のアモルファスシリコン膜からなるソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域に電気的に接続されたアルミニウムソース電極と、前記ドレイン領域に電気的に接続されたアルミニウムドレイン電極と、前記ゲイト絶縁膜上の画素電極と、前記ゲイト電極に電気的に接続されたアルミニウムゲイト配線と、を有し、前記ドレイン領域と前記画素電極とはアルミニウムを介して電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】不揮発性であって、作製が簡単であり、追記が可能な記憶回路を有する半導体装置の提供を課題とする。
【解決手段】本発明の半導体装置は、複数のトランジスタと、前記トランジスタのソース配線又はドレイン配線として機能する導電層と、前記複数のトランジスタのうちの１つの上に設けられた記憶素子及びアンテナとして機能する導電層とを有し、前記記憶素子は、第１の導電層と、有機化合物層又は相変化層と、第２の導電層とが順に積層された素子であり、アンテナとして機能する前記導電層と前記複数のトランジスタのソース配線又はドレイン配線として機能する導電層とは、同じ層上に設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】銅を主導体層とする配線間の絶縁破壊耐性を向上させる。
【解決手段】埋込第２層配線Ｌ２に対して還元性プラズマ処理する際に、ウエハを保持する第１電極に印加する電力を、ウエハに対向する第２電極よりも低くするか零にする。これにより、埋込第２層配線Ｌ２の導電性バリア膜１７ａの露出面が窒化されるので、その後の配線キャップ用の絶縁膜１５ｂの成膜時に導電性バリア膜１７ａの露出部が酸化されてしまうのを抑制または防止することができる。また、酸化バリア用の絶縁膜１５ｂ１を、酸素を用いないガス条件、特に酸化性の高いＮ_２Ｏガスを用いない条件でのプラズマＣＶＤ法等によって堆積する。これにより、導電性バリア膜１７ａの酸化を抑制または防止できる。 （もっと読む）

【課題】少ない工程数で大面積基板に微細な形状を有する配線を形成する方法を提供する。また、少ない工程数及び原料の削減により、コスト削減及びスループットの向上が可能であり、かつ微細構造の半導体素子を有する半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】金属粒子と有機樹脂とで形成される液状物質にレーザ光を照射し、金属粒子の一部を溶融した後、レーザ光が照射されない液状物質を除去して、配線、電極等に代表される導電層を基板上に形成することを特徴とする。また、本発明は、上記焼結された導電層を配線又は電極として有する半導体装置を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上するＴＦＴ基板の提供。
【解決手段】ゲート電極上でゲートパッドを露出の絶縁膜パターン、ゲート電極及び絶縁膜パターン上に形成の半導体膜パターン、ゲート電極上の半導体膜パターンと接触の不純物注入半導体膜パターン、半導体膜パターン上に形成のソース及びドレイン電極とデータライン、ソース及びドレイン電極上且つゲートパッド領域で絶縁膜パターン上に形成の保護膜パターン、保護膜パターン上でドレイン電極に連結の第１画素電極パターンと、ゲートパッドに連結の第２画素電極パターンを備え、絶縁膜及び保護膜パターンはゲートパッド領域で重なり、ゲート電極、パッド及びラインは第１金属膜パターンと第１金属膜パターン上の第２金属膜パターンを含み、第２金属膜パターンの厚さは第１金属膜パターンに対し同じ又は薄く、第１金属膜パターンの幅は第１金属膜パターンの底から狭くなる。 （もっと読む）

【課題】シロキサンを含む層を選択的にエッチングする技術について提供することを課題とする。また、本発明は、エッチングの際に生じる不具合に起因した動作不良等の低減された半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】トランジスタに電気的に接続する導電層と、その導電層を覆う絶縁層とを形成した後、さらに絶縁層の上にマスクを形成する工程を有する。そしてマスクを形成した後、臭化水素ガスを含む処理用ガスを用いて絶縁層をエッチングすることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの表示装置を構成する配線等を、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】導電層を有する基板に対して裏面からの光照射によって、選択的に基板表面を改質し、ぬれ性を制御する。改質された表面上に、導電性材料又は絶縁性材料を吐出（噴出なども含む）などによって、付着させ、導電層、絶縁層を形成する。また、光触媒物質の光吸収、エネルギー放射作用によって、光による処理効率を向上させることができる。また、導電層上にも選択的にマスク層を形成し、非照射領域である導電層上の領域のぬれ性も制御する。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕ電極層と有機樹脂膜との密着性寿命を、従来よりも向上させることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 パワーデバイスと、パワーデバイス上の厚いＣｕ電極層２と、Ｃｕ電極層２を覆う有機樹脂膜３とを備える半導体装置において、Ｃｕ電極層２の表面（上面２ａと側面２ｂ）の全領域を覆うように、Ｃｕ窒化膜８を配置する。ここで、Ｃｕ電極層２と有機樹脂膜３との密着性を低下させる主原因は、有機樹脂膜３を通過した酸素がＣｕ電極層２と反応して、Ｃｕ電極層２の表面に酸化膜が生成することである。そこで、Ｃｕ電極層２と有機樹脂膜３との間の領域に、酸素の透過を抑制することができるＣｕ窒化膜８を配置することで、Ｃｕ電極層と有機樹脂膜との密着性寿命を、従来よりも向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 有機樹脂膜全体を特に厚膜化しなくても、Ｃｕ電極層の上面コーナ部における有機樹脂膜のカバレッジを良好にできる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 最上部に、２ｎｄＡｌ膜５４と、Ｐ−ＳｉＮ膜５５とが順に形成され、Ｐ−ＳｉＮ膜５５のうち、２ｎｄＡｌ膜５４の上方部分に開口部５５ａが形成されている半導体基板を用意する。次に、その開口部５５ａにめっき法によりＣｕ電極層２を形成する。このとき、Ｃｕ電極層２の上面２ａの位置がＰ−ＳｉＮ膜５５の上面よりも高い位置となるように、Ｃｕ電極層２を形成する。この場合、Ｃｕ膜を等方的に成長させるので、Ｃｕ電極層の形状を上面コーナ部２ｇが丸みを有する形状とすることができる。この結果、Ｃｕ電極層２の表面に有機樹脂膜３を形成したとき、有機樹脂膜３のＣｕ電極層２の上面コーナ部２ｇにおける膜厚３ｂを厚くすることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、無線チップのコストを下げることを課題とする。また、無線チップの大量生産を可能として、無線チップのコストを下げることを課題とする。さらに、小型・軽量な無線チップを提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、ガラス基板や石英基板から剥離された薄膜集積回路が第１の基体と第２の基体に設けられた無線チップを提供する。本発明の無線チップは、シリコン基板からなる無線チップと比較して、小型、薄型、軽量を実現する。本発明の無線チップが含む薄膜集積回路は、少なくとも、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ ｄｒａｉｎ）構造のＮ型の薄膜トランジスタと、シングルドレイン構造のＰ型の薄膜トランジスタと、アンテナとして機能する導電層とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置製造の費用減少、生産性向上。
【解決手段】ＴＦＴ部及びゲート−パッド連結部に第１及び第２金属膜を蒸着しそれら金属膜をパターニングしゲート電極及びゲートパッドを形成する段階、全面に絶縁膜を形成する段階、第１及び第２非晶質シリコン膜パターンをＴＦＴ部の絶縁膜上に形成する段階であって第２非晶質シリコン膜全体の下部表面が第１非晶質シリコン膜表面と当接するようそれらのパターンを形成する段階、ソース及びドレイン電極をＴＦＴ部上に形成しソース及びドレイン電極間の第２非晶質シリコン膜を除去する段階、ドレイン電極及びゲートパッドの一部が露出されるよう保護膜を形成しゲートパッドの一部上の絶縁膜を除去する段階、第１及び第２画素電極パターンを形成する段階を含み、第１金属膜はＣｒ、Ｍｏ、Ｔａ及びＴｉのうち１つの金属膜であり、第２金属膜はＡｌ又はＡｌ合金である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、アクティブマトリクス型の表示装置において、配線の断面積を増大
させることなく、相性の悪い２つの膜（ＩＴＯ膜とアルミニウム膜）からなる配線や電極
等を接続し、且つ、大画面化しても低消費電力を実現することを課題とする。
【解決手段】 本発明は、配線または電極をアルミニウム合金膜の単層とし、そのアルミ
ニウム合金膜の組成を調節してＩＴＯとの良好なオーミック接合を目指すのではなく、３
層構造とすることで課題を解決する。本発明は、アルミニウム原子のチャネル形成領域へ
の拡散を防止するために、ＴｉまたはＭｏからなる第１導電層を設け、その上に電気抵抗
値の低いアルミニウム単体（純アルミニウム）からなる第２導電層を設ける。さらに、そ
の第２導電層の上に、ＩＴＯと反応しないアルミニウム合金からなる第３導電層を設け、
配線又は電極を３層構造としてＩＴＯと接合させる。 （もっと読む）