【課題】 ２層配線を有するアレイ基板において、第１配線層上に形成される層間絶縁膜に加わる歪み（ストレス）を解消するとともに段差の形成を抑制し、層間絶縁膜におけるクラックの発生や第２配線層のエッチング残りを抑制する。
【解決手段】 表示部と、その周囲に配される額縁部とを有するアレイ基板である。少なくとも第１配線層と、第１配線層上に層間絶縁膜を介して形成される第２配線層とを有する。第１配線層の側壁の傾斜角度θ１は第２配線層の側壁の傾斜角度θ２よりも小さい。第１配線層の側壁の傾斜角度θ１は６５°以下であり、第２配線層の側壁の傾斜角度θ２は７０°以上である。また、第１配線層の膜厚ｄ１は第２配線層の膜厚ｄ２よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で容易に傾斜面を形成することが可能な金属薄膜の形成方法および金属薄膜ならびに薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上の第１領域Ｄ１および第２領域Ｄ２に、無電解めっき処理の触媒材料を含む第１下地層１３Ａを形成したのち、この第１下地層１３Ａ上の第１領域Ｄ１に対応する領域に第２下地層１３Ｂを形成する。第１領域Ｄ１において第２領域Ｄ２よりも、無電解めっき処理の触媒材料の濃度分布が高くなる。よって、これら第１下地層１３Ａおよび第２下地層１３Ｂを形成した基板１１に対して、無電解めっき処理を施すことにより、第１領域Ｄ１において第２領域Ｄ２よりも成膜レートが高くなる。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で容易に傾斜面を形成することが可能な金属薄膜の形成方法および金属薄膜ならびに薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に、触媒材料を含む第１下地層１３Ａを形成したのち、無電解めっき処理を施し、第１下地層１３Ａを覆うように第１めっき層１４Ａを形成する。こののち、基板１１上の第１めっき層１４Ａの近傍領域に、触媒材料を含む第２下地層１３Ｂを形成し、この第２下地層１３Ｂと第１めっき層１４Ａを触媒として、さらに２回目の無電解めっき処理を施す。第１下地層１３Ａ上に堆積した第１めっき層１４Ａと、第２下地層１３Ｂとを覆うように第２めっき層１４Ｂが成膜される。第１下地層１３Ａに対向する領域と第２下地層１３Ｂに対向する領域との間に生じる膜厚差により、金属薄膜１０の端部にテーパ１４Ａ−１が形成される。 （もっと読む）

【課題】 抵抗損失の増加を極力抑制しつつ、機械的強度を向上させた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 第１層間絶縁膜１１上において、第１領域内の所定領域に第１導電膜によって第１配線１７を形成し、第１領域よりも要求される機械的強度が低い第２領域内の所定領域に、第１導電膜よりも融点が低く導電率が高い導電性材料で第２配線２０を形成し、第２層間絶縁膜２４を成膜し、コンタクトプラグを形成し、第２層間絶縁膜２４上において、第１領域内の所定領域に第３導電膜によって第１電極２９を形成し、第２領域内の所定領域に、第３導電膜よりも融点が低く導電率が高い導電性材料で第２電極３０を形成する。 （もっと読む）

【課題】配線に低抵抗な材料を用いることにより、画素部の大面積化に対応し得る半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】
ゲート電極及び第１の配線上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上にゲート電極と重なって形成された半導体層と、絶縁膜上に形成され、かつ、半導体層に電気的に接続された接続電極と、を有し、接続電極は、絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して第１の配線に電気的に接続され、ゲート電極及び第１の配線は、第１の導電層と、第１の導電層上の第２の導電層と、第２の導電層上の第３の導電層とでなる積層構造を有し、第２の導電層は、第１の導電層及び第３の導電層より低抵抗であり、第１の導電層及び第３の導電層は、第２の導電層より高融点の導電材料からなり、第２の導電層の端部における断面形状はテーパー形状であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】均一性や生産性が高いと共に、高周波性能として、雑音指数が小さく、かつ付随利得の大きい電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、このＦＥＴを備える半導体チップ及び半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明のＦＥＴ１は、ＧａＡｓ半導体基板２の上に、ｉ形ＧａＡｓバッファ層３と、ｉ形ＩｎＧａＡｓ二次元電子ガス層４と、ｎ形ＡｌＧａＡｓ電子供給層５と、が積み上げられ、ｎ形ＡｌＧａＡｓ電子供給層５の上に線状にショットキー性接触するゲート電極１２があり、ゲート電極１２の両横から離れ、かつｎ形ＡｌＧａＡｓ電子供給層５の上に、ｎ形ＩｎＧａＰエッチング停止層６と、続いて同程度の横位置でｎ形ＧａＡｓコンタクト層７とが積み上げられ、ｎ形ＧａＡｓコンタクト層７の上にコンタクト層７の端から離れて帯状にオーム性接触をする電極として各側にソース電極９とドレイン電極１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ−ＬＣＤ用金属配線形成のためのエッチング液組成物を提供する。
【解決手段】組成物全体の質量に対してリン酸５５〜７５質量％、硝酸０.７５〜１.９９質量％、酢酸１０〜２０質量％、Ｍｏエッチング調整剤０.０５〜０.５質量％、含ホウ素化合物０.０２〜３質量％、及び残量の水を含むエッチング液組成物。ゲート及びソース／ドレイン配線材料であるＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜またはＭｏ／Ａｌ／Ｍｏ三重膜を単一工程でウェットエッチングして、アンダーカット及び突出現象なしに優秀なテーパ状のエッチングプロファイルを収得でき、ドライエッチング工程を排除することによって、工程を円滑にして生産性を向上させ、生産コストを低減できる。また、過塩素酸のような環境有害物質、エッチング液の寿命を短縮させる不安定な成分、または基板のガラスを腐蝕させるフッ素系化合物が不要となる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性の向上、特に、配線の低抵抗化、また、配線材料の半導体装置を構成する半導体層への拡散の低減を図る。
【解決手段】半導体装置を、基板上に形成された半導体膜（１３）と、半導体膜上にゲート絶縁膜を介して形成され、第１導電性材料よりなるゲート電極部（Ｇ）と、ゲート電極部と同一層に、ゲート電極部と電気的に接続されるよう配置され、前記前記第１導電性材料とは異なる第２導電性材料を含有する配線部（ＧＬ）と、を有するよう構成する。ゲート電極部と配線部とを異なる材料で構成することで、ゲート電極部および配線部の構成材料を最適化できる。例えば、チャネル領域上のゲート電極（Ｇ）部を拡散し難いＮｉ配線で構成し、チャネル領域とは重ならないゲート配線（ＧＬ）部は、抵抗の低いＡｇ配線を用い、配線の低抵抗化を図る。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ合金中の合金元素を少なくしても、透明酸化物導電膜との接触抵抗を低くすることのできる低接触電気抵抗型電極、およびこうした電極を製造するための有用な方法、並びにこうした電極を備えた表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の低接触電気抵抗型電極は、酸化物透明導電膜と直接接触するＡｌ合金薄膜からなる低接触電気抵抗型電極において、前記Ａｌ合金は、Ａｌよりもイオン化傾向が小さい金属元素を０．１〜１．０原子％の割合で含有し、且つＡｌ合金薄膜の酸化物透明電極と直接接触するＡｌ合金薄膜表面は、最大高さ粗さＲｚで５ｎｍ以上の凹凸が形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム膜やアルミニウム合金膜などの金属膜を制御性よく、かつ、レジスト滲みの発生を抑制、防止しつつエッチングし、意図するテーパー形状と、優れた平坦性を有する金属膜を得ることができるようにする。
【解決手段】リン酸、硝酸、有機酸塩を含有する水溶液を、基板上の金属膜をエッチングするためのエッチング液組成物として用いる。
前記有機酸塩として、脂肪族モノカルボン酸、脂肪族ポリカルボン酸、脂肪族オキシカルボン酸、芳香族モノカルボン酸、芳香族ポリカルボン酸、芳香族オキシカルボン酸からなる群より選ばれる少なくとも１種の、アンモニウム塩、アミン塩、第四級アンモニウム塩、アルカリ金属塩からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いる。
また、前記有機酸塩の濃度を、０．１〜２０重量％の範囲とする。
また、本発明のエッチング液組成物を、前記金属膜がアルミニウムまたはアルミニウム合金である場合に用いる。 （もっと読む）

【課題】配線材料を接続孔に埋め込み易く、線膨張係数差に基づく応力の影響を低減できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下部配線と、下部配線上に配置された絶縁膜と、絶縁膜に形成された配線溝に、配線材料を埋め込んで形成された上部配線と、配線溝の底面から下部配線まで延設して絶縁膜に形成された接続孔に、配線材料を埋め込んで形成された接続部とを有し、上部配線と接続部が同一の配線材料を用いて一括形成され、下部配線と上部配線とが接続部を介して電気的に接続された半導体装置であって、接続孔の壁面のうち、配線溝の底面に至る上端部が配線溝の底面側ほど拡がったテーパ形状とされ、配線溝の壁面のうち、開口部に至る側面の上端部が開口部側ほど拡がったテーパ形状とされ、側面と底面との角部がテーパ形状とされている。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層の省略を可能にすると共に、工程数を増やすことなく簡略化し、Ａｌ合金膜を導電性酸化膜に対し直接且つ確実に接触することだけでなく、Ａｌ合金膜に対し、比較的低い熱処理温度を適用した場合でも、電気抵抗率を低減でき、且つ導電性酸化膜と直接接触したときの接触電気抵抗も低減でき、更には優れた耐熱性と耐食性を達成することのできる技術を提供する。
【解決手段】Ａｌ合金膜の上に導電性酸化膜が直接接触する構成を備えた表示装置において、該Ａｌ合金膜が、Ｎｉを０．０５〜２．０原子％と、Ｉｎおよび／またはＳｎを合計で０．０５〜１．０原子％含有するように調整する。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ合金膜の腐食を抑制できる表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】Ａｌ合金膜上に、フォトリソグラフィー法によって絶縁膜をパターン形成する工程を含む表示装置の製造方法であって、前記Ａｌ合金膜は、Ａｌより貴な金属元素を含むものであり、アミン類を含む有機剥離液で絶縁膜上のフォトレジストを除去し、次いでヒドロキシル基とホルミル基とを有する芳香族化合物および／またはヒドロキシル基とカルボキシル基とを有する芳香族化合物を含む洗浄水で洗浄することを特徴とする表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ合金膜と透明画素電極との接触電気抵抗を低減でき、耐熱性にも優れているため、Ａｌ合金膜を透明画素電極に直接接触させることができ、しかも、Ａｌ合金の電気抵抗率も一層低減され、生産性もより高められたダイレクトコンタクト技術を提供する。
【解決手段】基板上にて、酸化物透明導電膜とＡｌ合金膜が直接接触する構造を備えた表示装置の製造方法である。Ａｌ合金膜は、Ａｇ、Ｚｎ、Ｃｕ、およびＮｉよりなる群から選択される少なくとも一種の合金元素を０．５原子％以下含有し、基板の温度を合金元素の析出温度以上に制御してＡｌ合金膜の形成を行う。 （もっと読む）

【課題】低抵抗値のアルミニウム系導電性薄膜、あるいは該アルミニウム系導電性薄膜やモリブデン系導電性薄膜を備えた積層導電性薄膜を、効率よくエッチングして、良好な順テーパ形状の側面が形成されるようにする。
【解決手段】アルミニウム系導電性薄膜１２と、モリブデン系導電性薄膜１１，１３を備えた積層導電性薄膜１５を、(ａ)リン酸と、(ｂ)硝酸塩と、(ｃ)有機酸と、(ｄ)水とを含有するエッチング液、またはさらに硝酸を含有するエッチング液と接触させる。
硝酸塩としては、硝酸のアンモニウム塩、アミン塩、第４級アンモニウム塩、アルカリ金属塩などを用いる。
また、有機酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フマル酸、安息香酸、フタル酸、トリメリット酸、ヒドロキシ酢酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸などを用いる。 （もっと読む）

【課題】回路素子にダメージをあまり与えることなく配線を形成する技術を提供する。
【解決手段】半導体モジュールの製造方法において、絶縁層１６の一方の面上に導電性バンプ２０を形成する第１の工程と、絶縁層１６の他方の面から導電性バンプ２０を露出させる第２の工程と、導電性バンプ２０の露出した箇所および絶縁層１６の他方の面上に第１の配線層１８を設ける第３の工程と、回路素子が形成された半導体基板であって、基板の表面に電極が形成されている半導体基板を用意する第４の工程と、第３の工程により第１の配線層１８が設けられた導電性バンプ２０と、電極とを対向させた状態で、絶縁層１６と半導体基板とを圧着して導電性バンプ２０を絶縁層１６に埋め込む第５の工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】狭いピッチの半導体装置の配線およびその形成方法を提供する。
【解決手段】基板１１に形成され、基板１１側から上方に向かって末広がり状に傾斜した側面を有する第１配線１３と、絶縁膜１４によって第１配線１３と分離され、上方から基板１１側に向かって末広がり状に傾斜した側面を有する第２配線１５と、を具備する。マスクパターンピッチの１／２の配線ピッチＬ１を得る。 （もっと読む）

【課題】積層膜をウェットエッチングする場合のサイドエッチング量を制御し、膜端を均一化する。
【解決手段】提供される積層膜のエッチング方法は、基板３１上に順次成膜された、互いに膜質の異なるＡｌ膜（Ａｌ合金膜）３２とＭｏ膜（Ｍｏ合金膜）３３とを少なくとも含む積層膜を、複数種類のウェットエッチング手法を組み合わせて、一括エッチングするウェットエッチング方法であって、複数種類のウェットエッチング手法には、Ａｌ膜（Ａｌ合金膜）３２のサイドエッチングをＭｏ膜（Ｍｏ合金膜）３３のサイドエッチングよりも促進させるスプレーエッチングと、Ｍｏ膜（Ｍｏ合金膜）３３のサイドエッチングをＡｌ膜（Ａｌ合金膜）３２のサイドエッチングよりも促進させるパドルエッチングとが、少なくとも含まれている。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線撮像表示装置等に用いられるフォトセンサーの出力を安定化させる為には、フォトセンサーに備えられるＴＦＴアレイ基板におけるゲート配線およびデータ線、バイアス線の抵抗を低くする必要がある。またその後の絶縁膜形成に用いるプラズマＣＶＤの熱履歴に耐える為に耐熱性が必要、およびコンタクト特性に優れた材料が必要である。
【解決手段】 この発明にかかるフラットパネルのフォトセンサーにおいては、データ線およびバイアス線を低抵抗で耐熱性が良く、他の導電性膜とのコンタクト特性に優れたＮｉを含むＡｌ合金を含む単層あるいは積層膜で形成する。 （もっと読む）

【課題】積層構造の金属膜を湿式エッチングする際に、テーパ角度が極端な低角度とならないようにして、断線が生じ難いパターンが得られるエッチング液組成物及びこのエッチング液組成物を使用した基板上に所定のパターンを形成する方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたアルミニウム又はアルミニウム合金膜の表面にモリブデン膜が積層された積層構造の金属膜をエッチングして所定のパターンを形成するためのエッチング液組成物であって、リン酸濃度４０〜７０質量％、硝酸濃度０．５〜１０質量％、酢酸濃度５０〜１５質量％、残部が水からなる。
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