【課題】回路装置における配線の接続信頼性を向上する技術を提供する。
【解決手段】回路装置１０は、回路素子が形成された半導体基板１２と、半導体基板１２の表面Ｓに形成された電極１４と、電極１４の上に設けられた絶縁層１６と、絶縁層１６の上に設けられた第２の配線層１８と、絶縁層１６を貫通して電極１４および第２の配線層１８を電気的に接続する導電性バンプ２０と、を備える。導電性バンプ２０は、電極１４と第２の配線層１８との導通方向の結晶粒のサイズより、半導体基板１２の表面Ｓと平行な方向の結晶粒のサイズが大きい。 （もっと読む）

【課題】カスケード接続用配線に入力される入力信号をより安定化させ、かつ、大きさをより小さくできるドライバＩＣを提供する。
【解決手段】互いにカスケード接続されるドライバＩＣ１において、カスケード接続用第１配線８は、素子層４の上に薄膜として形成されている。カスケード接続用第１配線８の上に、金属メッキによって形成される、カスケード接続用第２配線１６が設けられている。カスケード接続用第１配線８の少なくとも一部は、カスケード接続用第２配線１６に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】動作特性及び信頼性の向上した新規な構造の半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に設けられ、一対の不純物領域の間に設けられたチャネル形成領域を含む島状の半導体層と、半導体層の側面に接して設けられた第１絶縁層と、チャネル形成領域上に設けられ、半導体層を横断するように設けられたゲート電極と、チャネル形成領域及びゲート電極の間に設けられた第２絶縁層と、を有する。半導体層は局所的に薄膜化され、薄膜化された領域にチャネル形成領域が設けられており、第２絶縁層は、少なくともゲート電極が重畳する領域の半導体層の側面に設けられた第１絶縁層を覆う。 （もっと読む）

【課題】信頼性を確保しつつヒューズ素子の配列ピッチを狭くすることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】レーザビームの照射により切断可能な複数のヒューズ素子１０１〜１０５と、平面的に見て複数のヒューズ素子間に位置し、レーザビームを減衰可能な減衰部材１４０とを備える。減衰部材１４０は複数の柱状体によって構成されている。これにより、切断すべきヒューズ素子から半導体基板側へ漏れ出したレーザビームＬは、複数の柱状体によって構成された減衰部材１４０によって吸収されるとともに、フレネル回折によって散乱する。これにより、このため、柱状体が過度のエネルギーを吸収することによって絶縁膜にクラックなどが生じることがなく、効率的にレーザビームを減衰させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の電極部と接続するビアコンタクトを有する半導体モジュールの接続信頼性を向上させる技術を提供する。
【解決手段】半導体モジュールにおける半導体基板１の表面Ｓに半導体素子の電極２が形成される。この電極２のピッチをより広くするために電極２上にガラス繊維４ａを含有する絶縁層４が形成され、その上に再配線パターン８ａが形成される。ここで、電極２と再配線パターン８ａとの間の接続は、電極２に接続する導電性バンプ５ａとこの導電性バンプ５ａと接続するビアコンタクト８ｂからなるビアコンタクト部を介してなされる。導電性バンプ５ａの上面（ビアコンタクト８ｂと接する面）には絶縁層４内のガラス繊維４ａが形成され、ビアコンタクト８ｂはこうしたガラス繊維４ａを含む絶縁層４を貫通して形成される。再配線パターン８ａの所定の領域には外部接続電極９が設けられ、これ以外の領域はソルダーレジスト層１０により覆われる。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板上にパワー素子と非パワー素子とが形成された複合集積回路において、アスペクト比が高い配線を形成するとともに、配線材料が層間絶縁膜中に拡散してデバイス特性の変動などが生じない信頼性の高い配線形成方法を実現する。
【解決手段】 層間絶縁膜形成工程により層間絶縁膜１２を形成し、配線溝形成工程により層間絶縁膜１２をエッチングして配線溝１３を形成し、配線形成工程により配線溝１３の内部にＡｌ−Ｃｕ合金を充填し、配線１８を形成する。これにより、ＣＭＯＳ部３１に要求される微細配線とＬＤＭＯＳ部３２に要求される厚い配線とを両立するアスペクト比が高い配線１８を形成することができる。配線１８にＡｌ−Ｃｕ合金を用いるため、高温環境下で使用しても配線材料が層間絶縁膜１２中に拡散して不具合を生じることがない信頼性の高い配線１８を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、基板との密着性が高い酸化被膜を形成して、配線材料等の酸化を防止できると共に、導電率が高い配線、電極又は端子電極を備えた液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明では、ＴＦＴ型液晶表示装置のＴＦＴ側基板の上に形成されたゲート配線あるいはゲート電極であって、配線あるいは電極は、二つの異なる絶縁層あるいは絶縁物に挟持された構造を有し、これらは銅を主成分とした第一の層と、当該第一の層の外周部を被覆する酸化物からなる第二の層からなり、さらに第二の層の組成式が、ＣｕＸＭｎＹＳｉＺＯ（０＜Ｘ＜Ｙ，０＜Ｚ＜Ｙ）であること、を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 面内応答型液晶表示装置において、引き出し配線から発生する電界を遮蔽し、対向基板の電位変動を防止することで、ゲート端子近傍の表示領域に白抜けを生じない液晶表示装置を得るものである。
【解決手段】 この発明に係る液晶表示装置においては、ゲート配線に電圧を印加するためのゲート端子およびこれに接続するため設置されたテーパーゲート配線部が設けられ、テーパーゲート配線部の上層に絶縁膜を介して導電層を配設したものである。ゲート配線４に電圧を印加するためのゲート端子１６およびこれに接続するため設置されたテーパーゲート配線部１４が設けられ、テーパーゲート配線部１４の上層にゲート絶縁膜５を介して導電層１８を配設する。 （もっと読む）

【課題】メモリを有するＲＦＩＤにおいて、プロセスもしくは回路面積を増大させることなくアンテナの配置を行うことを課題とする。
【解決手段】メモリを中央に配置し、メモリ共通電極を囲むようにアンテナの配線を行う。さらに、メモリ共通電極とアンテナの距離は５００μｍ以上、好ましくは１０００μｍ以上離して配置する。このような構成により、メモリ共通電極とアンテナとを共通の絶縁層上に形成することが可能となり、余剰プロセスを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体基板の能動面に形成された金属層に傷が付かないようにすることを目的とする。
【解決手段】集積回路が形成された半導体基板１０の集積回路に電気的に接続された電極１２を有する第１の面１６に応力緩和層２０を形成し、応力緩和層２０及び電極１２を覆うように導電膜２２を形成し、導電膜２２上に導電膜２２の一部が露出する開口２４を有するようにメッキレジスト層２６を形成し、導電膜２２に電流を流して行う電解メッキによって導電膜２２のメッキレジスト層２６からの露出部上に金属層２８を形成する。その後に、メッキレジスト層２６を除去する。その後に、金属層２８をマスクとして、導電膜２２の金属層２８からの露出部をエッチングして除去する。その後に、金属層２８上にソルダレジスト層３０を形成する。その後に、半導体基板１０の第１の面１６とは反対の第２の面３２に保護層３４を形成する。 （もっと読む）

【課題】写真製版工程を増やすことなく、ポリシリコン層と配線層とを安定して低抵抗で接続した薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】本発明の一態様にかかる薄膜トランジスタは、基板１上に形成され、チャネル領域、ソース領域、ドレイン領域を有するポリシリコン層３と、ポリシリコン層３の上層に形成され、ソース領域及びドレイン領域の少なくとも一部を覆う導電層４と、少なくともポリシリコン層３を含む領域を覆う領域に形成される層間絶縁膜７と、層間絶縁膜７を貫通し、導電層４が露出する深さで形成されるコンタクトホール８と、コンタクトホール８の壁面に沿って形成される配線層９とを備えるものである。 （もっと読む）

【課題】間便に所望の形状のパターンを得ることのできる多層薄膜パターン及び表示装置の製造方法を提供すること
【解決手段】本発明にかかる多層薄膜パターンの製造方法は、基板上に金属膜３を形成する工程と、金属膜３上に第２の透明導電性膜４を形成する工程と、第２の透明導電性膜４上にレジストパターン５を形成する工程と、レジストパターン５を介して第２の透明導電性膜４をエッチングする工程と、有機溶媒もしくはＲＥＬＡＣＳ材料を用いてレジストパターン５を変形させ、第２の透明導電性膜４のエッチング後の端面を覆う工程と、第２の透明導電性膜４の端面がレジストパターン５により覆われた状態で、金属膜３をエッチングする工程と、を有するものである。 （もっと読む）

【課題】導電層上に形成された光触媒反応層を除去する工程を経ることなく、導電性を有し、かつ濡れ性の高い領域を簡便に形成する方法を提案する。
【解決手段】光触媒導電層上に光触媒反応層を形成し、該光触媒導電層に紫外光を照射することにより、紫外光が照射された領域の光触媒導電層表面に導電性を有し、かつ該光触媒反応層に比べて濡れ性の高い領域を形成する。なお、ここで、該光触媒導電層として抵抗率が１×１０^−２Ωｃｍ以下で光触媒性を有する層を用いることができる。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】チューブを絶縁層の開口形成領域上に絶縁層に接して配置し、そのチューブを通して処理剤（エッチングガス又はエッチング液）を絶縁層に吐出する。吐出（された処理剤（エッチングガス又はエッチング液）によって、絶縁層を選択的に除去し、絶縁層に開口を形成する。従って、導電層上に開口を有する絶縁層が形成され、絶縁層下の導電層が開口の底面に露出する。露出された導電層と接するように開口に導電膜を形成し、導電層と導電膜を絶縁層に設けられた開口において電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層を省略しても優れたＴＦＴ特性を発揮し得、ソース−ドレイン配線をＴＦＴの半導体層に直接かつ確実に接続することができる技術を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの半導体層３３と、ソース−ドレイン電極２８，２９とを有する薄膜トランジスタ基板において、ソース−ドレイン電極２８，２９は、窒素を含有する窒素含有層、または窒素及び酸素を含有する酸素窒素含有層２８ａ、２９ａと、純Ｃｕ又はＣｕ合金の薄膜２８ｂ、２９ｂとからなっている。窒素含有層を構成する窒素の一部若しくは全部、または、酸素窒素含有層を構成する窒素または酸素の一部若しくは全部は、薄膜トランジスタの半導体層３３のＳｉと結合している。また、純ＣｕまたはＣｕ合金の薄膜２８ｂ、２９ｂは、窒素含有層または酸素窒素含有層２８ａ、２９ａを介して薄膜トランジスタの半導体層３３と接続している。 （もっと読む）

【課題】低電気抵抗配線を実現すると共に微細加工性に優れ、且つ製造工程で加わる熱履歴にも十分耐える耐熱性を有するアルミニウム合金配線を備えた表示装置を提供すること。
【解決手段】ガラス基板上に、透明導電膜と薄膜トランジスタを電気的に接続するアルミニウム合金配線膜が配置された表示装置において、該アルミニウム合金配線膜は、Ｎｉ，Ａｇなど特定の元素群Ｑから選ばれる１種以上の元素と、希土類元素やＭｇなど特定の元素群Ｒから選ばれる１種以上の元素を特定量含むアルミニウム合金からなる第一層（Ｘ）と、該第一層（Ｘ）よりも電気抵抗率の低いアルミニウム合金からなる第二層（Ｙ）とを含む積層構造を有し、第一層（Ｘ）が透明電極膜と直接接している表示装置である。 （もっと読む）

【課題】有機薄膜トランジスタ、それを備えた平板ディスプレイ装置、該有機薄膜トランジスタの製造方法及びその製造に使われるシャドーマスクを提供する。
【解決手段】それぞれドレイン電極と、ソース電極と、ゲート電極と、ドレイン電極とソース電極との間の半導体要素のチャンネルと、を備えた複数個の薄膜トランジスタを備えた基板が提供されるが、一トランジスタのドレイン電極とソース電極との間の最小距離は、隣接したトランジスタの電極間の最小距離または基板の他の配線と電極との間の最小距離より小さく、薄膜トランジスタの半導体要素のチャンネルは、規則的なパターンの半導体要素で形成されるが、半導体要素の最大サイズは、隣接した対の電極間の最小距離（または基板の他の配線と電極との間の最小距離）より小さいが、一対のドレイン電極とソース電極との間の最小距離とは少なくとも同じある薄膜トランジスタを有する基板である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程において、フォトレジストを用いたリソグラフィー工程の回数を削減・簡略化する製造技術を提供し、スループットを向上させる。
【解決手段】導電層、半導体層等の被加工層をパターン形成するためのエッチングマスクを、フォトレジストを用いたリソグラフィー技術を用いることなく作製する。エッチングマスクは、光吸収層と絶縁層の積層構造からなり、フォトマスクを介したレーザビームの照射によるレーザアブレーションを利用して形成する。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上に選択的に光吸収層を形成し、絶縁表面上及び光吸収層上に絶縁層を形成し、絶縁表面、光吸収層及び絶縁層にレーザ光を照射し、絶縁層のレーザ光照射領域において光吸収層上の絶縁層のみを選択的に除去し絶縁層に光吸収層に達する開口を形成し、開口に光吸収層と接するように導電膜を形成する。露出した光吸収層と接するように開口に導電膜を形成することによって、光吸収層及び導電膜は絶縁層を介して電気的に接続することができる。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ系合金からなる配線回路と透明電極とが直接接合された素子に関し、配線回路への腐食などのダメージを極力抑制し、信頼性の高い素子を実現可能とする製造技術を提供する。
【解決手段】透明電極と、該透明電極に直接接合されるＡｌ系合金からなる配線回路とを備えた素子の接合構造において、配線回路側面のテーパ角度が２０°〜７５°であるものとした。このＡｌ系合金は、Ａｌ−Ｎｉ系合金であることが好ましく、さらにＡｌ−Ｎｉ−Ｂ合金であることがより好ましい。 （もっと読む）