【課題】 モリブデン系金属とアルミニウム系金属を主成分とした金属積層膜を一括エッチング可能で各膜のサイドエッチング量を抑制し、テーパー角度を２０〜７０度に制御可能な優れたエッチング液を提供すること。
【解決手段】 絶縁膜基板上に形成されたアルミニウム系金属およびモリブデン系金属の積層膜をエッチングするエッチング液であって、硫酸、硫酸アンモニウム、硫酸ナトリウム、硫酸カリウム、硫酸水素アンモニウム、硫酸水素ナトリウム、硫酸水素カリウム、硫酸カルシウム、硫酸セリウムアンモニウム、硫酸第二鉄、硫酸銅、硫酸マグネシウム、硫酸鉛、硫酸ヒドロキシルアンモニウム、アミド硫酸、アミド硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、エチレンジアミン硫酸塩、アニリン硫酸塩およびアデニン硫酸塩からなる群から選択されるスルホン酸化合物、燐酸および硝酸を含有する、エッチング液。 （もっと読む）

【課題】ヒューズ上の絶縁膜の厚みの増加を抑制しつつ、最上層の配線による段差を効果的に低減できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、半導体基板１１上に３層の配線１６，２４，３１を備える。最上層の第３層配線３１の側面上に縁部を有する、高密度プラズマＣＶＤで形成された絶縁膜（ＨＤＰ膜）３２と、素子形成領域４１で、第３層配線３１間のＨＤＰ膜３２上に形成され、改質されたＳＯＧ膜から成るシリコン酸化膜３３と、ＨＤＰ膜３２及びシリコン酸化膜３３上を覆って形成されたパッシベーション膜３４とを備える。 （もっと読む）

【課題】良好な半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の作製方法であって、基板上に半導体層を形成し、半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にソース配線を形成し、ソース配線は、誘導結合型プラズマを用いて導電膜をエッチングすることにより形成し、ソース配線は、テーパー形状を有する。半導体層は結晶質半導体膜からなる。エッチングは、ＣＦ_４とＣｌ_２の混合ガスを用いて行う。ソース配線上に層間絶縁膜を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】純アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる単層の配線膜を形成するに際し、側壁のテーパ角度が規定範囲内のテーパ状に良好にエッチングすることのできる配線膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ポストベーク後に、硝酸、リン酸、酢酸および水を含むエッチング液を用いて側壁のテーパ角度が１０〜７０°のテーパ状に純アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜をエッチングするにあたり、上記ポストベーク温度：ｘ（℃）を１１０℃以下にすると共に、該ポストベーク温度と上記エッチング液の硝酸濃度：ｙ（質量％）が下記式（１）を満たすようにすることを特徴とする配線膜の形成方法。
１０≦［（２／３）ｘ−５ｙ］≦７０…（１） （もっと読む）

【課題】工程数を増やすことなく、段切れ不良、及びコンタクト不良を防ぐ方法を提供し、それにより動作性能および信頼性の高い集積回路を作製することを課題とする。
【解決手段】配線の乗り越え部分において、回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルを配線形成用のフォトリソグラフィ工程に適用し、２層構造の下層配線となる導電層を形成し、下層配線が下層配線１層目と、１層目の幅より短い２層目の幅を有するようにレジストパターンを形成し、急峻な段差を緩和することを目的とした下層配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】 配線、これを含む薄膜トランジスタ基板、及びその製造方法が開示される。
【解決手段】 本発明の一実施例による配線は、下部構造物上に形成されたバリア膜、前記バリア膜上に形成された銅又は銅合金を含む銅導電膜、前記銅導電膜上に形成された中間膜、及び前記中間膜上に形成されたキャッピング膜を含むか、又は下部構造物上に形成されたバリア膜、前記バリア膜上に形成された第１中間膜、前記第１中間膜上に形成された銅又は銅合金を含む銅導電膜、前記銅導電膜上に形成された第２中間膜、及び前記第２中間膜上に形成されたキャッピング膜を含む。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ表示板の製造工程を簡素化する製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１０上にゲート電極を含むゲート線を形成する段階、ゲート線１１０上にゲート絶縁膜１４０を形成する段階、ゲート絶縁膜１４０上に半導体層１５０、１６０を形成する段階、半導体層１５０、１６０上にオーミックコンタクト部１６１を形成する段階、オーミックコンタクト部１６１上にソース電極１７３を含むデータ線１７１及びドレイン電極１７５を形成する段階、保護膜１８０を蒸着する段階、保護膜１８０上に感光膜を成膜して露光現像し、第１エッチングマスクとし、前記ゲート絶縁膜１４０及び保護膜１８０をエッチングしてドレイン電極１７５の一部と基板１１０の一部を露出させる段階、選択的蒸着法を利用してエッチングマスクが存在しない部分にドレイン電極１７５と接触する画素電極１９１を形成する段階、感光膜を除去する段階を含む。これによって、表示板の製造時間、製造費用が短縮されて、製品の生産性が向上する。 （もっと読む）

【課題】バンクにクラックが発生することを抑制し、膜パターンを良好に形成することが
できる膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 機能液を基板上に供給して膜パターンを形成する際、基板上にバンクを形
成する工程と、バンクによって区画された領域に機能液を供給する工程と、バンクを焼成
する工程とを経て形成する。機能液を供給した後、焼成前及び焼成中の少なくとも一方で
バンク表面の撥液性物質を除去するための処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 フォトマスクの枚数を低減して製造コストの低減が可能なパターニング方法を提供する。
【解決手段】 （ａ）電極層２０およびオーミック接続層３０を順に積層形成する工程と、（ｂ）接続層３０の表面の所定位置にエッチングマスク層４０を形成する工程と、（ｃ）接続層３０のａ−Ｓｉ材料のエッチングレートが、電極層２０のＭｏ材料およびエッチングマスク層４０のレジスト材料のエッチングレートより大きくなる第１エッチングと、（ｄ）電極層２０のＭｏ材料およびエッチングマスク層４０のレジスト材料のエッチングレートが、接続層３０のａ−Ｓｉ材料のエッチングレートより大きくなる第２エッチングとを、繰り返し実施することにより、接続層３０および電極層２０をパターニングするとともに、電極層２０の側面を傾斜面とする工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、プラスチック基板が熱によって変形することを防止して正確な薄膜パターンを形成する方法を提供する。
【解決手段】
本発明による表示板を製造する方法は、可撓性基板を形成する段階、前記基板の上にゲート線を形成する段階、前記基板の上にゲート絶縁膜を積層する段階、前記ゲート絶縁膜の上に半導体層を形成する段階、前記半導体層の上にデータ線及びドレーン電極を形成する段階、そして前記ドレーン電極と電気的に連結されている画素電極を形成する段階を含み、前記ゲート線を形成する段階、ゲート絶縁膜を積層する段階、半導体層を形成する段階、ソース電極を含むデータ線及びドレーン電極を形成する段階、そして画素電極を形成する段階のうち、少なくとも一つは温度８０℃乃至１５０℃及び１×１０^-6乃至９×１０^-6Ｔｏｒｒの真空度でスパッタリングする段階を含む。 （もっと読む）

【課題】 フォトレジストにおいて、より簡便な方法によって、断面が順テーパー形状である露光領域を形成する方法を提供する。
【解決手段】 光源１０から出射される光がフォーカス合致点を結ぶように、光集束手段１１によって、当該光を集束させる。また、基板２をアウトフォーカス領域に載置することによって、フォトレジスト１における露光領域の断面形状が順テーパー形状となる。 （もっと読む）

【課題】配線間分離内における層間絶縁膜にボイドを形成する場合に、層間絶縁膜の上部を平坦にする。
【解決手段】本発明の半導体装置において、配線間分離溝５は、第１の側面６と、第１の側面６よりも深い位置に設けられ、第１の側面６よりもテーパー角の大きい第２の側面７と、第２の側面７よりも深い位置に設けられ、第２の側面７よりもテーパー角の大きい第３の側面８とを有し、ボイド１０が、配線間分離溝５内における第３の側面の深さに形成されている。 （もっと読む）

【課題】配線等のパターンを、材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製した半導体装置を提供することを目的とする。また配線等のパターンを所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】パターン材料を含む組成物からなる複数の第１の液滴を第１の線上に中心を有するように吐出し、第１の液滴の間に複数の第２の液滴を第２の線上に中心を有するように吐出して形成されたパターンを有する半導体装置である。第１の線と第２の線とが一定の距離を有するため、パターンの側端部が波状形状となる。 （もっと読む）

【課題】微小構造を有するマイクロマシンの量産に際して、微小構造体と微小構造体を制御する半導体素子を同一基板上に形成し、コストを低減する方法を提供する。
【解決手段】マイクロマシンの作製に際して、膜のパターン形成を行うためのマスク材料を用いて犠牲層を形成し、半導体素子を形成する領域におけるマスクの除去と、微小構造体を形成する領域における犠牲層とマスクの除去を同一の工程にて行う。具体的には絶縁性基板上に選択的に犠牲層１０３を形成し、犠牲層を覆って半導体層１０４を形成し、半導体層上にマスク１０５を形成し、マスクを用いて半導体層をエッチングし、マスク及び犠牲層の除去を同時に行う微小電気機械式装置の作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】幅の異なるＬＤＤ領域を自己整合的に形成し、それらの幅を個々の回路に応じて精密に制御する作製方法を提供する。
【解決手段】回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルを用いることによって、ゲート電極の膜厚の薄い領域の幅を自由に設定でき、そのゲート電極をマスクとして自己整合的に形成できる２つのＬＤＤ領域の幅を個々の回路に応じて異ならせることができる。なお、一つのＴＦＴにおいて、幅の異なる２つのＬＤＤ領域は、両方ともゲート電極と重なる構造である。 （もっと読む）

【課題】 幅の異なる幾つかの領域を有するパターン形成領域に機能液を配置する場合等において、形成される膜パターン間での膜厚さを無くした該膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 基板４８上に設けられたバンク３４によって区画されるパターン形成領域５５，５６に、機能液を配置して膜パターンを形成する方法であって、基板４８上に、その断面形状が基板側に向けて漸次拡径する逆テーパ状のバンク３４を形成するバンク形成工程と、形成したバンクに対して撥液化処理を施す撥液化処理工程と、撥液化処理後、バンク３４に区画されたパターン形成領域５５，５６に機能液を配置する機能液配置工程と、配置した機能液を乾燥させる工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜におけるクラックの発生による不純物汚染の防止と、配線間隔の狭小化を両立する。
【解決手段】 基板上に半導体層が形成され、半導体層上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成されている。また、ゲート電極と同一レイヤーで配線が形成されている。そして、ゲート電極の側壁のテーパ角度と、配線の側壁のテーパ角度が異なっている。具体的には、ゲート電極の側壁のテーパ角度が基板面に対して３０°〜８５°であり、配線の側壁のテーパ角度が基板面に対して８５°以上である。ゲート電極のエッチングと配線のエッチングとを異なるエッチングプロセスにより行い、ゲート電極のエッチングにおいては、レジストマスクの基板面全体に対する被覆率を４５％以上とする。 （もっと読む）

【課題】 コンタクトホールの目外れによる不具合を防止する。
【解決手段】 半導体基板１上に形成された補助ゲート電極の幅広領域１５ａの周囲に幅広領域１５ａよりも高いダミー浮遊ゲート電極４２を形成し、ダミー浮遊ゲート電極４２の上面の端部が、幅広領域１５ａの端部の直上に一致する位置か、または直上を超えて幅広領域１５ａ側の位置にあるようにする。ダミー浮遊ゲート電極４２は、不揮発性メモリの電荷蓄積用の浮遊ゲート電極と同層の導電体層により形成されている。コンタクトホール６２ａに目外れが生じた場合は、コンタクトホール６２ａの側面でダミー浮遊ゲート電極４２を露出させてエッチングストッパとして機能させ、底部で幅広領域１５ａを露出させる。補助ゲート電極の幅広領域１５ａと接続するプラグ６３は、ダミー浮遊ゲート電極４２とも接続される。 （もっと読む）

【課題】モリブデン／銅／窒化モリブデン多重膜配線用エッチング液を提供すること。また、前記エッチング液を利用する配線形成方法を提供すること。さらに、前記エッチング液を利用する薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】エッチング液、これを利用する配線形成方法及び薄膜トランジスタ基板の製造方法が提供される。モリブデン／銅／窒化モリブデン多重膜配線用エッチング液は過酸化水素１０ないし２０重量％、有機酸１ないし５重量％、トリアゾール系化合物０．１ないし１重量％、ふっ素化合物０．０１ないし０．５重量％及び残量の超純水を含む。 （もっと読む）

【課題】 同一の組成物を使用して薄膜トランジスタ液晶表示装置のＴＦＴを構成するゲート配線材料であるＡｌ−Ｎｄ／Ｍｏ二重膜またはＭｏ／Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ三重膜を、単一工程で、下部膜であるＡｌ−ＮｄまたはＭｏのアンダーカット現象なしに湿式エッチングして、優れたテーパを収得することができ、同時にソース／ドレイン配線材料であるＭｏ単一膜でも優れたプロファイルを形成することができるエッチング組成物を提供する。
【解決手段】 本発明による薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物は、燐酸、硝酸、酢酸、燐酸塩、陰イオン界面活性剤及び水を含む。 （もっと読む）