【課題】開口部の間口部分の拡大を抑制しつつ、開口部内に埋め込み導体を埋め込みやすくする。
【解決手段】半導体ウェハＷ１の中心から左側に離れたチップ領域Ｃ１ａ、Ｃ１ｂでは、開口部１３ａ、１３ｂ内の左右の壁面のうち右側の壁面にのみ深さ方向に沿って傾斜面を設け、半導体ウェハＷ１の中心から右側に離れたチップ領域Ｃ１ｄ、Ｃ１ｅでは、開口部１３ｄ、１３ｅ内の左右の壁面のうち左側の壁面にのみ深さ方向に沿って傾斜面を設け、半導体ウェハＷ１の中心の近傍のチップ領域Ｃ１ｃでは、開口部１３ｃ内の左右の壁面には傾斜面を設けないようにする。 （もっと読む）

【課題】銅、銅／モリブデンまたは銅／モリブデン合金の食刻組成物を提供する。
【解決手段】組成物の総重量を基準に、１２〜３５重量％の過酸化水素、０．５〜５重量％の硫酸塩、０．５〜５重量％のリン酸塩、０．０００１〜０．５重量％のフルオロイオンを提供できるフッ化物、０．１〜５重量％の第１水溶性環状アミン、０．１〜５重量％のキレート剤、０．１〜５重量％の第２水溶性環状アミン、０．１〜５重量％のグリコール、及び全体組成物の総重量が１００重量％となるようにする脱イオン水を含む銅膜、銅／モリブデン膜または銅／モリブデン合金膜の食刻組成物。 （もっと読む）

【課題】 厚膜銅のパタン加工した断面を順テーパ形状にエッチングすることができ、配線パタンの上に積層する絶縁膜などのカバレッジを良くし、層間短絡などの不良発生を大きく低減可能な液晶表示装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 ガラス基板やインジウムを主成分とする透明導電膜を形成した基板上に、第一層を下層とし、第二層を上層とする積層膜から構成され、第一層は純銅、第二層は銅よりもウェットエッチング加工における溶解度が大きい銅を主成分とする合金で形成する。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ系薄膜と導電膜が直接接続する構造を備えたものであって、該Ａｌ系薄膜と導電膜の接触抵抗の安定的低減が可能な表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にて、純ＡｌまたはＡｌ合金からなる薄膜（以下「Ａｌ系薄膜」という）と導電膜が直接接続する構造を有する表示装置の製造方法であって、前記Ａｌ系薄膜を形成する工程、該Ａｌ系薄膜上に絶縁膜を形成する工程、該絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程、および前記導電膜を形成する工程を含み、前記コンタクトホールを形成する工程の後であって前記導電膜を形成する工程の前に、または、前記導電膜を形成する工程において、前記Ａｌ系薄膜の急速加熱および／または急冷を行って該Ａｌ系薄膜上の自然酸化膜に亀裂を生じさせる工程を含むようにする。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ系材料の特徴である低電気抵抗を維持しつつ、ガラス基板との密着性に優れた、表示装置用Ｃｕ合金膜を提供する。
【解決手段】基板上にて、ガラス基板と直接接触する表示装置用Ｃｕ合金膜であって、該Ｃｕ合金膜は、Ｔｉ、ＡｌおよびＭｇよりなる群から選択される１種以上を合計で０．１〜１０．０原子％含有することを特徴とする。本発明は、前記表示装置用Ｃｕ合金膜が薄膜トランジスタに用いられている点に特徴を有する表示装置も含むものである。該表示装置としては、該薄膜トランジスタがボトムゲート型構造を有するものであって、前記表示装置用Ｃｕ合金膜が、該薄膜トランジスタのゲート電極および走査線に用いられ、ガラス基板に直接接触されている態様が好ましい。 （もっと読む）

【課題】特性が向上した半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置の製造方法では、まず、絶縁性基板１上にゲート電極２を形成し、ゲート電極２上にゲート絶縁膜３を成膜する。そして、ゲート絶縁膜３上に非晶質半導体膜１４を成膜し、非晶質半導体膜１４に対して、レーザーアニールを行い、非晶質半導体膜１４を微結晶半導体膜４に変換する。その後、微結晶半導体膜４に対してフッ酸処理を施し、フッ酸処理が施された微結晶半導体膜４上に、パターン端が微結晶半導体膜４のパターン端より外側に配置され、パターン端近傍においてゲート絶縁膜３と接するように非晶質半導体膜１４を形成する。 （もっと読む）

【課題】低温での熱処理を適用した場合でも十分に低い電気抵抗率を示すと共に、直接接続された透明画素電極とのコンタクト抵抗が十分に低減され、かつ耐食性に優れた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、該Ａｌ合金膜は、Ｃｏを０．０５〜０．５原子％、およびＧｅを０．２〜１．０原子％含み、かつＡｌ合金膜中のＣｏ量とＧｅ量が下記式（１）を満たすことを特徴とする表示装置用Ａｌ合金膜。
［Ｇｅ］≧−０．２５×［Ｃｏ］＋０．２ …（１）
（式（１）中、［Ｇｅ］はＡｌ合金膜中のＧｅ量（原子％）、［Ｃｏ］はＡｌ合金膜中のＣｏ量（原子％）を示す） （もっと読む）

【課題】外部ストレスによる亀裂などの破損による形状不良や特性不良などの半導体装置の不良を低減することを目的の一とする。よって、信頼性の高い半導体装置を提供することを目的の一とする。また、作製工程中においても上記不良を低減することで半導体装置の製造歩留まりを向上させることを目的の一とする。
【解決手段】一対の第１の耐衝撃層及び第２の耐衝撃層に挟持された半導体集積回路において、半導体集積回路と第２の耐衝撃層との間に衝撃拡散層を有する。外部ストレスに対する耐衝撃層と、その衝撃を拡散する衝撃拡散層とを設けることで、半導体集積回路の単位面積あたりに加えられる力を軽減し、半導体集積回路を保護する。衝撃拡散層は弾性率が低く、破断係数が高い方が好ましい。 （もっと読む）

【課題】低温での熱処理後も十分に低い電気抵抗率を示し、かつ直接接続された透明画素電極とのコンタクト抵抗が十分に低減されると共に、耐食性および耐熱性に優れた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、該Ａｌ合金膜は、Ｎｉを０．０５〜０．５原子％、Ｇｅを０．４〜１．５原子％、および希土類元素群から選ばれる少なくとも１種の元素を合計で０．０５〜０．３原子％含有すると共に、ＮｉおよびＧｅの合計量が１．７原子％以下である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置とその製造方法において、エッチング生成物を直接観察することなくその有無を判断すること。
【解決手段】シリコン基板１の上方に、第１の導電膜１９、強誘電体膜２０、及び第２の導電膜２１を形成する工程と、第２の導電膜２１をパターニングして上部電極２１ａにする工程と、強誘電体膜２０をパターニングしてキャパシタ誘電体膜２０ａにする工程と、レジストパターン３０をマスクにして、該レジストパターン３０の側面を後退させながら、第１の導電膜１９をエッチングし、下部電極１９ａを形成する工程と、上部電極２０ａの上面のうち、レジストパターン３０の後退を反映して他の領域よりも高位となった段差面２１ｘの幅を測定する工程と、段差面２１ｘの幅C₁に基づいて、キャパシタ誘電体膜２０ａの側面に付着したエッチング生成物の有無を判断する工程とを有する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ法を用いずに、配線部２６とコンタクト部２５とを同時に形成する。
【解決手段】コンタクトホール２７及び配線溝２８を形成した層間絶縁膜２３の表面に第２膜２４を上記各表面に沿って所定の厚みで形成することにより、コンタクトホール２７内の第２膜２４によって穴部３１を形成すると共に、配線溝２８内の第２膜２４によって溝部３２を形成する。次に、穴部３１及び溝部３２の開口端を塞ぐように、レジストを第２膜２４上に形成した後に、エッチバックにより穴部３１及び溝部３２の周囲で露出した第２膜２４をエッチングして除去し、コンタクトホール２７にコンタクト部２５を形成すると共に、配線溝２８に配線部２６を形成する。 （もっと読む）

【課題】生産性が向上し、かつ寸法精度が良い金属配線の製造方法、ＴＦＴの製造方法、及びそれを用いて製造されたＴＦＴを提供すること。
【解決手段】本発明にかかる金属配線の製造方法では、まず、主成分金属に、主成分金属より酸化物の生成エネルギーが低い添加金属が添加された第２の金属膜３０を成膜する。そして、第２の金属膜３０を酸化させて金属酸化物を形成し、第２の金属膜３０の表面に酸化層３２を形成する。次に、酸化層３２上にフォトレジスト３１を形成して、第１のドライエッチング条件により、酸化層３２をエッチングする。そして、第１のドライエッチング条件の場合と比較して、主成分金属の金属酸化物に対する選択比が高い第２のドライエッチング条件により、下層の第２の金属膜３０をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】端部の勾配が急峻であり、所望の膜厚を確保することができ、マスクパターンとの形状の差が抑えられる導電膜を、エッチングを用いて作製する。
【解決手段】膜厚１μｍ以上１０μｍ以下のアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜を、ウェットエッチングを用いて所定の膜厚となるまでエッチングした後、残りをドライエッチングでエッチングすることで、サイドエッチングを抑え、なおかつマスクの膜厚が減少するのを抑える。サイドエッチングを抑え、なおかつマスクの膜厚が減少するのを抑えることで、膜厚１μｍ以上１０μｍ以下といった厚膜のアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜であっても、端部の勾配が急峻であり、所望の膜厚を確保することができ、マスクパターンとの形状の差が抑えられるようにエッチングすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ液晶表示装置用の金属配線形成のためのエッチング液組成物を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ液晶表示装置（ＴＦＴ−ＬＣＤ）の電極用金属層のエッチングに使われるエッチング液組成物に係り、全体エッチング液組成物重量に対して、リン酸４５〜７０重量％、硝酸１．５〜６重量％、酢酸１０〜３０重量％、Ｍｏエッチング調整剤０．０１〜３重量％、スルホン酸化合物０．１〜１．９９９重量％及び組成物総重量を１００重量％にする量の水を含むエッチング液組成物。 （もっと読む）

【課題】絶縁耐圧が高い高品質のＴＦＴ基板を提供する。
【解決手段】本発明によるＴＦＴ基板は、ゲート電極５２、ソース電極、ドレイン電極５６を有するＴＦＴ３２と、前記ゲート電極５２に電気的に接続された走査線と、前記ソース電極に電気的に接続された信号線とを備え、前記ゲート電極５２、前記ソース電極、前記ドレイン電極５６、前記走査線、及び前記信号線の少なくとも一つが、主配線層７０と、前記主配線層７０の上に形成されたバリア層７２とを有し、前記バリア層７２の少なくとも一部が窒化チタンからなり、前記バリア層７２の前記主配線層７０に接する下面の近傍における窒化率が、前記バリア層７２の上面の近傍における窒化率よりも低い。 （もっと読む）

【課題】低抵抗物質からなると同時に低抵抗の接触特性を有する配線の接触構造及びその製造方法の提供にある。本発明の他の課題は、接触特性の良い配線の接触構造を含む薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【手段】基板上に開口部を有する配線を形成する工程、前記配線を覆う絶縁膜を積層する工程、前記絶縁膜をパターニングし前記開口部を露出する接触孔を形成する工程、及び前記絶縁膜上に前記接触孔を通じて前記配線と接触する第１導電層を形成する工程を含む配線の接触構造形成方法。 （もっと読む）

【課題】高集積化された半導体装置において、配線層間の容量を低減し耐圧を向上させた配線構造を提供する。
【解決手段】配線構造の製造方法が、基板上に層間絶縁層を形成する工程と、層間絶縁層をエッチングしてトレンチを形成する工程であって、トレンチは、その側壁が平坦面と外方に傾斜したファセット面とを有するように形成される工程と、トレンチを埋めるように、層間絶縁層上に配線層を堆積する工程と、ＣＭＰ法を用いて、層間絶縁層上の配線層を除去し、トレンチ内に配線層を残す工程と、トレンチのファセット面が無くなるまで層間絶縁層の膜厚を減じる第１エッチング工程と、トレンチの平坦面を含む平面より外方に飛び出した配線層を部分的に除去する第２エッチング工程と、配線層を覆うように拡散防止膜を形成する拡散防止膜形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】工程を増やすことなく、１枚のマザーガラス基板上に所望の部分にそれぞれ精密に配線の側面の角度を異ならせた配線を提供することを課題とする。
【解決手段】多階調マスクを用いることで１つのフォトレジスト層を１枚のマザーガラス基板から遠ざかる方向に向かって断面積が連続的に減少するテーパ形状を有するフォトレジスト層を形成する。１本の配線を形成する際、１枚のフォトマスクを用い、金属膜を選択的にエッチングすることで、場所によって側面形状（具体的には基板主平面に対する角度）が異なる１本の配線を得る。 （もっと読む）

【課題】熱プロセスを使用しないで、低誘電率材料である空隙を含む多層配線構造を形成する方法を提供する。
【解決手段】誘電層１０５にトレンチを形成し、トレンチにコンフォーマル誘電バリア膜と金属拡散バリア膜を堆積する。トレンチに導電材料を充填し導電ライン１０９を形成する。誘電層と導電ライン上に多孔性バリア１１１を形成する。フォトレジスト１１２を生成し、そのホール１１３からエッチング液を多孔性バリアを介して誘電層に接触させ、誘電層をエッチング除去して空隙１１４を形成する。コンフォーマル誘電バリア膜が、ウェットエッチング化学薬品に対するバリアとして作用する。 （もっと読む）

【課題】電気抵抗率が従来のＣｕ合金膜よりも低く、且つ、バリアメタルを形成せずとも透明導電膜との間で低コンタクト抵抗の直接接続を実現でき、液晶ディスプレイなどに適用した場合に高い表示品質を与えることのできる表示装置用Ｃｕ合金膜を提供する。
【解決手段】基板上にて、透明導電膜５，４１に直接接続する表示装置用Ｃｕ合金膜２５，２６，３４であって、該Ｃｕ合金膜は、Ｇｅを０．１〜０．５原子％含有し、かつＮｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、及びＣｏよりなる群から選択される１種以上を合計で０．１〜０．５原子％含有することを特徴とする表示装置用Ｃｕ合金膜。 （もっと読む）