【課題】 スタックコンタクトにおける接触抵抗を抑制させる。
【解決手段】 基板と、基板上に設けられた薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタの上層側に設けられた配線と、該配線と薄膜トランジスタの少なくとも半導体層とを層間絶縁する層間絶縁層と、該層間絶縁層に掘られており且つ基板面上で平面的に見て長手状に延びる第１の穴、及び、夫々、第１の穴の底部から層間絶縁層を貫通して半導体層の表面に至り且つ第１の穴の長手方向に沿って配列された複数の第２の穴を含んでおり、配線と半導体層とを層間絶縁層を介して接続するコンタクトホールとを備える。 （もっと読む）

【課題】生産性の低下を招くことなく、接続孔形成の際のリソグラフィにおける露光マージンを広げることが可能で、これにより歩留まり向上およびさらなる微細化が可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に設けられた下層配線３と、下層配線３を覆う第２層間絶縁膜５と、下層配線３に達する状態で第２層間絶縁膜５に設けられた接続孔５ａ内を導電性材料で埋め込んでなるビア７と、ビア７に接続された状態で第２層間絶縁膜５上にパターン形成された上層配線９とを備えた半導体装置において、接続孔５は、上層配線９の延設方向に長い開口形状を有しており、また上層配線９側から下層配線３側にかけて連続した傾斜角度θを有して開口径が狭くなるテーパ形状に整形されている。 （もっと読む）

【課題】 ボンディング工程、ＣＭＰ工程、熱応力等による機械的衝撃やウエハの変形によるビアの変位を小さく制御できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 第１配線２２と、第１配線２２の上に配置された低誘電率絶縁膜３１０と、低誘電率絶縁膜３１０の中に第１配線２２と接続するように埋め込まれ、第１配線２２の長手方向に測った第１長さＬｘ、第１配線２２が配置された平面で第１配線２２に直交する方向に測った第２長さＬｙ、第１配線２２が配置された平面に垂直な高さＨに対する第１及び第２長さＬｘ，Ｌｙの少なくとも一方との比が１以上である複数の第１扁平ビア３１ａ，３１ｂと、低誘電率絶縁膜３１０の上に配置され、複数の第１扁平ビア３１ａ，３１ｂにそれぞれ接続された第２配線３２とを備える。 （もっと読む）

【課題】 貫通電極を有する半導体装置において、少ない面積で高密度に貫通電極を設ける。
【解決手段】 半導体装置１００において、シリコン基板１０１を貫通する孔に充填された多重貫通プラグ１１１を設ける。多重貫通プラグ１１１は、円柱状で中実の第一の貫通電極１０３、第一の貫通電極１０３の円筒面を覆う第一の絶縁膜１０５、第一の絶縁膜１０５の円筒面を覆う第二の貫通電極１０７、および第二の貫通電極１０７の円筒面を覆う第二の絶縁膜１０９からなり、これらは同じ中心軸を有する。また、第一の絶縁膜１０５、第二の貫通電極１０７および第二の絶縁膜１０９の上断面は円環状とする。 （もっと読む）

【課題】 気密性や耐湿性、耐薬品性に優れた半導体パッケージ構造を得る。
【解決手段】 半導体基材と、該半導体基材の一方の面側に配置された機能素子及び該機能素子に第１の配線を介して電気的に接続されたパッドと、該パッドと電気的に接続され前記半導体基材の一方の面から他方の面に至る微細な孔内に絶縁膜Ａを介して第１の導電体を充填してなる貫通電極とを少なくとも備えてなる第１の基板、及び前記機能素子の周囲に配置された封止材を用いて前記第１の基板の一方の面と接合されてなる第２の基板からなる半導体パッケージであって、前記絶縁膜Ａは、前記半導体基材の他方の面に配置される絶縁膜Ｂ、前記半導体基材の外側面に配置される絶縁膜Ｃ及び前記封止材の外側面に配置される絶縁膜Ｄと連結して形成した半導体パッケージとした。さらに前記絶縁膜の外側を導電体で二重に覆ったものとすればなお良い。 （もっと読む）

【課題】 貫通電極を少ない面積で高密度に設ける。
【解決手段】 半導体装置１００は、シリコン基板１０１と、シリコン基板１０１を貫通する断面矩形の貫通孔中に充填された構造体１２０を設ける。構造体１２０は、筒状貫通電極１０３と、ストライプ状貫通電極１０７と、シリコン１０５と、第一の絶縁膜１０９と、第二の絶縁膜１１１と、第三の絶縁膜１１３と、を備える。筒状貫通電極１０３を、シリコン基板１０１を貫通する筒状の導電体とする。また、ストライプ状貫通電極１０７を、シリコン基板１０１を貫通し、筒状貫通電極１０３の内側に筒状貫通電極１０３から離間して設ける。筒状貫通電極１０３の内側の領域に、複数の貫通電極１０７を互いに略平行に設ける。 （もっと読む）

【課題】 高温で保持されても動作不良を起こさない、信頼性の高い多層配線構造を実現する。
【解決手段】 第１配線１０２Ａと第２配線１１１とは、層間絶縁膜（ＳｉＯ₂ 膜１０４及びＦＳＧ膜１０５）中に形成されたビア１１０Ａを介して接続されている。第２配線１１１におけるビア１１０Ａの接続部分の近傍にダミービア１１０Ｂが接続されている。ダミービア１１０Ｂは、実使用時において閉回路の一部分とはならない。 （もっと読む）

【課題】 パターニングフリーの能動素子基板の提供。
【解決手段】 能動素子基板は、基板上に形成された能動素子１と、能動素子１上に形成された導電膜２とを有する。導電膜２は、能動素子１から出力された電気信号を有限範囲内に伝達する。 （もっと読む）

【課題】 銀を利用する低抵抗配線構造を提供する。
【解決手段】
絶縁基板上に、ゲート配線が形成され、ゲート絶縁膜がゲート配線を覆っており、ゲート絶縁膜上に半導体パターン半導体が形成されている。半導体パターン半導体及びゲート絶縁膜の上には、ソース電極及びドレーン電極とデータ線を含むデータ配線が形成されており、データ配線上には、保護膜が形成されている。保護膜上には、接触孔を通じてドレーン電極と連結されている画素電極が形成されている。この時、ゲート配線及びデータ配線は、接着層、Ａｇ層、及び保護層の３重層からなっており、接着層はクロムやクロム合金、チタニウムやチタニウム合金、モリブデンやモリブデン合金、タリウムやタリウム合金のうちのいずれか一つからなり、Ａｇ層は銀や銀合金からなり、保護層はＩＺＯ、モリブデンやモリブデン合金、クロムやクロム合金のうちのいずれか一つからなっている。 （もっと読む）