【課題】信頼性の低下を抑制しながら、消費電力の上昇および製造プロセスの煩雑化を抑制することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】この表面形状認識用センサ（半導体装置）５０は、シリコン基板１の上面上に積層され、厚み方向に貫通する開口部３ｂを有する複数の層間絶縁膜３と、Ｗ（タングステン）から構成されるとともに、複数の層間絶縁膜３の各々の開口部３ｂ内に形成された複数の導電性プラグ１０と、層間絶縁膜３間に形成されたメタル配線層２とを備え、複数の導線性プラグ１０は、メタル配線層２を介することなく、シリコン基板１の厚み方向に互いに直接接触することにより柱状構造体１１に構成されている。 （もっと読む）

【課題】孔部の少なくとも内壁面に均一な被膜を形成する方法、この方法を利用した、絶縁膜を有する構造体及びその製造方法並びに電子部品を提供する。
【解決手段】本発明の被膜形成方法は、開口部の面積が２５〜１０，０００μｍ^２であり且つ深さが１０〜２００μｍである孔部を有する基板に、溶剤を塗布する溶剤塗布工程と、樹脂成分及び溶剤を含有し、剪断速度６ｒｐｍにおける粘度Ｖ_１（ｍＰａ・ｓ）と、剪断速度６０ｒｐｍにおける粘度Ｖ_２（ｍＰａ・ｓ）との比（Ｖ_１／Ｖ_２）が、１．１以上の樹脂組成物を、該樹脂組成物が上記孔部内の上記溶剤と接触するように、上記基板に塗布する樹脂組成物塗布工程と、塗膜を乾燥する乾燥工程と、を備え、該孔部の内壁面及び底面のうちの少なくとも該内壁面に上記樹脂成分を含む被膜を形成する。 （もっと読む）

コンタクト構造（２３０Ａ，２３０Ｂ）のサイズおよび／または密度を局所的に適合させることによって、例えば、個々のトランジスタ（２１０，２１０Ａ，２１０Ｂ）内で、あるいは、より広い範囲で、高性能の半導体デバイス（２００）の全体的な性能を向上させることができる。このため、コンタクト構造（２３０Ａ，２３０Ｂ）と局所的なデバイス特性との間の相互関係に配慮することができる。一方で、従来のプロセス戦略と高い互換性を維持することができる。
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【課題】従来の半導体装置では、配線層間に形成される酸化膜により、配線層間の接続抵抗値が低減され難いという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置では、第１の配線層３と第２の配線層とを接続する開口領域８〜１２を埋設する第１の金属層１４〜１８上のスピンコート樹脂膜２１に開口部２２が形成されている。開口部２２内では、メッキ用金属層２３を構成するＣｒ層とＣｕメッキ層２４とが接続している。この構造により、第１の金属層１４〜１８上のＣｒ層は、結晶粒子間が広くなり、粗な領域となる。そして、Ｃｒ層の粗な領域には、第２の金属層１９とＣｕメッキ層２４との合金層が形成され、接続抵抗値が低減される。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッドに加わる機械的応力を緩和することができる構造の半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】第２層間絶縁膜９上には、ビアホール１２を有する第３層間絶縁膜１３が第３配線層１１を被覆して形成されている。ビアホール１２内には第３導電層１４が形成されている。第３層間絶縁膜１３は、平面形状が六角形である複数の柱状層間絶縁膜１３ａが集合して構成されている。そして、各柱状層間絶縁膜１３ａの周囲を取り囲むようにしてビアホール１２及び第３導電層１４が形成されている。第３導電層１４を介して第３配線層１１と電気的に接続された第４配線層１５が形成されている。第４配線層１５が本実施形態における最上の配線層であり、ボンディングパッドとして機能する層である。 （もっと読む）

【課題】チップを積層する３次元構造用の貫通電極の製造において、均一の深さのトレンチを形成し、膜厚成長速度を最小化する貫通導電膜を形成することができる構造を有する貫通電極を提供する。
【解決手段】半導体基板１１、２１を貫通し、該半導体基板とは絶縁分離され、内部貫通電極１２、２２とリング状半導体１１ａ、２１ａと外周貫通電極１４、２４とを備えた貫通電極Ｇ_３、Ｇ_４である。内部貫通電極は、複数の柱状半導体１１ｄ、２１ｄと内部貫通導電膜１２ａ、２２ａとを有し、柱状半導体は、４角形もしくは多角形のいずれかの断面形状を２種類以上用いて構成され、リング状半導体および隣接する柱状半導体に対して等間隔で配置され、リング状半導体及び柱状半導体との間には内部貫通導電膜が充填されている。 （もっと読む）

【課題】レーザ光を用いてウエハを個々のチップに分離する場合に、チップサイズをあまり大きくせずに、レーザ光の照射によって発生する熱がチップ内の回路素子に与える影響を低減する。
【解決手段】この半導体装置は、周辺領域に沿って不純物拡散領域が形成された半導体基板と、半導体基板上に少なくとも１つの層間絶縁膜を介して形成された少なくとも１つの配線層であって、半導体基板の周辺領域に沿って略一定の幅で連続的に設けられ、少なくとも１つの層間絶縁膜に形成されたスルーホールを介して不純物拡散領域に電気的に接続された周回パターンと、周回パターンに周期的に形成された突起パターンとを有する少なくとも１つの配線層と、最上層の配線層上に設けられた保護膜とを具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体プロセスにおけるボンディング又は検査時のプロービングの際に、パッド電極にかかる応力によって、パッド電極の下層の絶縁膜にクラックが発生することを防止する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、第１の絶縁膜と、第１の金属パターンと、第１の金属パターンの上に形成された第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜の上に形成された第２の金属パターンと、第２の絶縁膜中に形成された、第１の金属パターンと第２の金属パターンとを接続する第３の金属パターンとを備える。第３の金属パターンは、ネットワーク形状を有する連続した一つの構造体であり、第１の金属パターンの下方には、第１の絶縁膜を介して第１の金属パターンと電気的に絶縁された第１の配線が形成され、第１の金属パターンと第１の配線との間では電位が異なる。 （もっと読む）

【課題】開口径の異なるコンタクトが混在することによる歩留りの低下を抑えることが可能な半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１に形成された所定パターンの活性領域１２と、半導体基板１１上の所定位置に形成されたゲート電極１４と、半導体基板１１上に形成された層間膜１６ａと、中央部において幅が極小となる開口形状を有し、層間膜１６ａを貫通して活性領域１２およびゲート電極１４と接続されるシェアードコンタクト１７を備える （もっと読む）

【課題】半導体装置に含まれるＥＳＤ保護トランジスタのＥＳＤ耐性を向上できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、ウェル領域１０１の上に形成されたゲート電極１０３と、ウェル領域１０１におけるゲート電極１０３のゲート長方向側にそれぞれ形成されたドレイン領域１０４及びソース領域１０５と、ドレイン領域１０４の上で且つゲート電極１０３のゲート幅方向に互いに間隔をおいて形成された複数のドレインコンタクト１０６Ａ〜１０６Ｃと、ソース領域１０５の上で且つゲート電極１０３のゲート幅方向に互いに間隔をおいて形成された複数のソースコンタクト１０７Ａ〜１０７Ｅとを有している。隣り合うドレインコンタクト同士の間隔は、隣り合うソースコンタクト同士の間隔よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】ソースセルとドレインセルが市松模様状に配置された低オン抵抗の横型ＭＯＳトランジスタを有してなる半導体装置であって、高密度配線に有利なプラグ技術と両立可能で、制御ＩＣ等との複合化に好適な小型の半導体装置を提供する。
【解決手段】ソースセル１０２，１０３とドレインセル１０４，１０５が、それぞれ、コンタクトプラグ３１，３２によって、平坦化された第１配線層４１，４２に接続されてなり、コンタクト３１ｂで示されたソースコンタクトプラグが、コンタクト３２ａで示されたドレインコンタクトプラグのコンタクト面内における最小幅Ｗ２より小さな最小幅Ｗ１を有するコンタクト３１ｂ１〜３１ｂ５で示された小コンタクトプラグの複数個の組み合わせからなる半導体装置１１０とする。 （もっと読む）

【課題】微細化に対して有利であり、コンタクト電極の抵抗を低くすることが可能な半導体装置及びその製造法を提供する。
【解決手段】選択ゲートトランジスタＳＴの選択ゲート電極ＳＧ、及び周辺トランジスタＴＲの周辺ゲート電極ＴＧを有し、ゲート電極ＳＧ、ＴＧ間の不純物拡散層２８上及びゲート電極側面に第１絶縁膜３０、第１バリア膜３１を有し、第１バリア膜３１上にゲート電極ＳＧ、ＴＧ間を埋める第２絶縁膜３２を有する。ゲート電極ＳＧ、ＴＧ間の不純物拡散層２８上の第１絶縁膜３０及び第１バリア膜３１に第１幅Ａ１で第１方向に伸びるコンタクトホール下部３５ａが、第２絶縁膜３２を貫通して底部がコンタクトホール下部３５ａと連接し、第１方向に第１幅Ａ１よりも大きい第２幅Ａ２を有するコンタクトホール上部３５ｂが設けられ、コンタクトホール下部３５ａ及びコンタクトホール上部３５ｂ内にコンタクト電極３６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】パッド表面の平坦性を確保すると共に、十分な電流の導通が可能であり、また、金属配線層間を接続する開口経路の導通不良が少ない信頼性の高い半導体集積回路のボンディングパッドを提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体集積回路のボンティングパッド１０は、金属配線層間を接続する開口経路Ｐが、開口経路の埋め込みに必要な開口幅と、当該開口幅よりも大きい開口幅を有する他の開口幅との少なくとも２つの異なる開口幅を有する開口部分を備え、これら異なる開口幅を有する開口部分が縦横に張り巡らされて構成されている。 （もっと読む）

【課題】配線間の耐圧低下を防止できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、ダマシン法により層間膜ＩＬの配線溝ＴＲおよび接続孔ＶＨに埋め込まれた配線ＷＲを有する半導体装置の製造方法であって、以下の工程を備えている。層間膜ＩＬ上に、少なくとも配線溝ＴＲおよび接続孔ＶＨの位置が開口されている第１開口パターンを有する第１マスクが形成される。接続孔ＶＨの位置において第１開口パターンとの重複部分が存在する第２開口パターンを有する第２マスクが形成される。第１および第２マスクをマスクとして層間膜ＩＬがエッチングされることにより、上記重複部分に位置する層間膜ＩＬが基板の厚み方向に少なくとも一部エッチングされる。第２マスクが除去される。第１マスクをマスクとして用いて層間膜ＩＬの一部がエッチングされ、層間膜ＩＬに接続孔ＶＨおよび配線溝ＴＲが形成される。 （もっと読む）

【課題】低抵抗コンタクトを維持しつつ、より微細化された半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２と、第１コンタクト１３と、第２コンタクト１０とを具備する。トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２は、半導体基板１上に設けられ隣接している。第１コンタクト１３は、トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２間にセルフアライメント構造で設けられ、トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２の共通のソースに接続され、金属を含んでいる。第２コンタクト１０は、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２のドレインにそれぞれ接続され、金属を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】特に、横方向および斜め上方向からの光の進入を低減でき、特性の変動が抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体層に設けられた半導体素子と、
前記半導体素子の周囲に設けられた遮光壁５０と、
前記半導体素子に電気的に接続された配線層２６であって、前記遮光壁５０の設けられていない開孔５２から該遮光壁５０の外側に延伸された配線層２６と、を含み、
前記配線層２６は、前記開孔５２に位置している第１部分２６Ａと、該開孔５２の外側に位置し、該配線層２６の延伸方向と交差する分岐部２８を有することで該開孔５２の幅と同一以上の幅を有する第２部分２６Ｂと、を含むパターンを有し、
前記分岐部２８において、前記遮光壁５０の外側を向いた面は、その表面に凸部を有する。 （もっと読む）

【課題】特に、横方向および斜め方向からの光の進入を低減でき、特性の変動が抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体層１０に設けられた半導体素子と、
前記半導体素子の周囲に設けられた遮光壁５０と、
前記半導体素子に電気的に接続された配線層２６であって、前記遮光壁５０の設けられていない開孔５２から該遮光壁５０の外側に延伸された配線層２６と、を含み、
前記配線層２６は、前記開孔５２に位置している第１部分２６Ａと、該開孔の外側に位置し該第１部分２６Ａと比して大きい幅を有する第２部２６Ｂ分と、を含むパターンを有し、
前記第２部分２６Ｂの幅は、前記開孔５２の幅と同一以上の幅である。 （もっと読む）

【課題】ビアを用いた多層配線相互間の接続において、電流容量が十分に確保でき、多層配線相互間の信号遅延を防ぐことができ、かつ加工も容易なビアを形成する半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】第１の配線１１、及び第１の配線１１とは異なる層に形成された第２の配線１２、を相互に接続するビア１３を具備し、このビアの平面形状は、円形と方形とを組み合わせた長円パターンとする。これにより大きな接続面積が得られ電流容量が十分に確保できるとともに、フォーカスマージンと加工マージンが上がり形成が容易となる。 （もっと読む）

【課題】特に、横方向および斜め方向からの光の進入を低減でき、特性の変動が抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体層１０に設けられた半導体素子と、
前記半導体素子の周囲に設けられた遮光壁５０と、
前記半導体素子に電気的に接続された配線層２６であって、前記遮光壁５０の設けられていない開孔５２から該遮光壁５０の外側に延伸された配線層２６と、を含み、
前記配線層２６は、前記開孔５２に位置している第１部分２６Ａと、該開孔の外側に位置し該第１部分２６Ａと比して大きい幅を有する第２部２６Ｂ分と、を含むパターンを有し、
前記第２部分２６Ｂの幅は、前記開孔５２の幅と同一以上の幅である。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】チューブを絶縁層の開口形成領域上に絶縁層に接して配置し、そのチューブを通して処理剤（エッチングガス又はエッチング液）を絶縁層に吐出する。吐出（された処理剤（エッチングガス又はエッチング液）によって、絶縁層を選択的に除去し、絶縁層に開口を形成する。従って、導電層上に開口を有する絶縁層が形成され、絶縁層下の導電層が開口の底面に露出する。露出された導電層と接するように開口に導電膜を形成し、導電層と導電膜を絶縁層に設けられた開口において電気的に接続する。 （もっと読む）