【課題】配線間に設けられた絶縁膜への電界集中が抑制され、微細化されても、絶縁破壊が抑制され、十分な信頼性を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板上に形成され、ビアホール５０６ｃと、ビアホール５０６ｃの上部に連結された配線溝（上層配線溝）５０５ｃとを有する第１の絶縁膜（第２の層間絶縁膜）５０４と、ビアホール５０６ｃに埋め込まれたビア５０６と、ビア５０６に電気的に接続され、配線溝（上層配線溝）５０５ｃに埋め込まれた金属配線（上層配線）５０５と、ビアホール５０６ｃの側面に設けられ、金属配線（上層配線）５０５の側面と第１の絶縁膜（第２の層間絶縁膜）５０４との間に挟まれて形成された第２の絶縁膜（絶縁膜）５０８とを備えている。平面的に見て、ビア５０６は、隣接する金属配線（上層配線）５０５間の領域に、はみ出す事無く形成されている。 （もっと読む）

ある実施形態によれば、集積回路は、導電性構造体間の望ましくない容量を減少させるためにもろいｌｏｗ−ｋ誘電体材料を使用して製造される。係る誘電体材料への恒久的な損傷を避けるために、ボンド・パッドは、ワイア・ボンディング中の有害な力から誘電体材料を保護するサポート構造体とともに製造される。一実施例では、サポート構造体は、ボンド・パッドと最上部のメタライゼーション層との間にパッシベーション構造体を含む。別の一実施例では、サポート構造体は最上部のメタライゼーション層と上から２番目のメタライゼーション層との間に金属構成物を含む。両方の場合に、ボンド・パッドの下の上から２番目のメタライゼーション層は、異なる信号配線経路に対応する複数の金属配線を有することができる。したがって、配線目的に関する上から２番目のメタライゼーション層の使用についての制限は、ボンド・パッドの下の上から２番目のメタライゼーション層の領域が１つの金属構造体であることを必要とする従来技術のボンド・パッド・サポート構造体と比較して、緩和される。
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【課題】 スクリーン印刷法により微細パターン印刷を可能にする絶縁性ペースト組成物の提供。
【解決手段】 シリカ及び／又はチタニアの微粒子を含む絶縁性充填材と、少なくとも表面はシリカ及びチタニアとは異なる絶縁性粒子と、からなるフィラー並びに樹脂を含有し、前記絶縁性充填材の体積が、前記フィラー全体の体積の２０％以上、８０％以下であることを特徴とするペースト組成物。 （もっと読む）

【課題】高い耐電圧特性、および耐リーク特性を有する配線構造を備える半導体装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施の形態による半導体装置は、半導体素子が設けられた半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第１の導電部材と、前記第１の導電部材と同じ層に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の導電部材の上面の一部と接して形成された第２の導電部材と、前記第１の絶縁膜上に、前記第１の導電部材の上面の一部に接して形成された、前記第１の絶縁膜と実質的に同一の材料からなる第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜上に、前記第２の導電部材の側面の一部と接して形成されたエッチングストッパ膜と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高い耐電圧特性、および耐リーク特性を有する配線構造を備える半導体装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施の形態による半導体装置は、半導体素子が設けられた半導体基板と、前記半導体基板上に形成された、上下層の導電部材を電気的に接続する接続部材と、前記接続部材の側面の下側から一部に接して形成されたスペーサ膜と、前記接続部材と同じ層に形成された第１の絶縁膜と、前記接続部材の上面の一部と接して形成された配線と、前記接続部材の上面の一部、側面の上側から少なくとも一部、および前記配線の側面の一部に接して形成された第２の絶縁膜と、を有する。 （もっと読む）

【課題】耐熱性や絶縁性の劣化などの不良の発生が抑えられた絶縁膜と、金属配線とを備えた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に吸湿性を有する絶縁膜１０２を形成し、絶縁膜にダミーコンタクトホールとコンタクトホールとを形成する。基板を熱処理して絶縁膜に含まれる水分を脱離させた後、金属膜で構成されるコンタクト１０３およびダミーコンタクト１１０をそれぞれ形成する。熱処理により、コンタクトホールおよびダミーコンタクトホールを通して絶縁膜中の水分を脱離させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の貫通接続部において、表面側配線層の貫通孔底部での剥離および破断が防止され、接続不良等が改善された半導体装置と、そのような半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】貫通孔３を有する半導体基板２の表面に、該貫通孔３と同径の開口４ａを有する第１の絶縁層４が被覆され、その上に第１の配線層５が開口４ａを覆い形成されている。また、貫通孔３内および半導体基板２の裏面に第２の絶縁層６が被覆されている。第２の絶縁層６は、第１の配線層５と内接するように形成され、内接部に第１の絶縁層４の開口４ａよりも小径の複数の開口６ａを有している。さらに、貫通孔３内に第２の配線層７が充填・形成され、この第２の配線層７は第２の絶縁層６の複数の開口６ａを介して第１の配線層５に内接している。 （もっと読む）

【課題】対向配置されたウエハ間において電極部同士の接続されない部分が発生しにくい半導体装置を提供する。
【解決手段】貫通配線部９とバンプ２６とが電気的に接続されることにより複数のウエハ間接続部３０ｃが形成されて所望の半導体回路が形成されている半導体装置において、ウエハ間接続部３０ｃが、隣接する別のウエハ間接続部３０ｃと絶縁されたものであり、バンプ２６の貼り合わせ面３０ｂにおける平面形状が、貼り合わされるウエハ同士の位置合わせを行う際の位置合わせマージン寸法の幅で、ウエハ１ＷＡに設けられた貫通配線部９の貼り合わせ面３０ａにおける面積の半分が重なり合う平面形状を取り囲んでなる位置合わせマージン形状よりも大きいものである半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】ウエハ間の電気的な接続において優れた信頼性および安定性が得られる貫通配線構造を提供する。
【解決手段】対向する電気信号接続部９２、２６同士のうち一方が、ウエハの一方の面と他方の面とを導通させる貫通配線部９２であり、貫通配線部９２が、貼り合わせ面３０ａから突出する貫通突出部９２ａを有し、貫通突出部９２ａが、対向配置されて貼り合わせ面３０ａから別のウエハに向かって延びる配線側壁対９２ｂを有し、対向する電気信号接続部同士９２、２６のうち他方が、バンプ２６であり、貫通配線部９２の端部９２ｃが、バンプ２６内に食い込んでおり、配線側壁対９２ｂの間に、バンプ２６が挟み込まれている貫通配線構造とする。 （もっと読む）

【課題】複数枚のウエハを貼り合わせる際に、貼り合わせ面から突出する電気信号接続部が損傷されにくく、電気的導通特性および信頼性に優れ、安定した性能の得られる半導体装置用ウエハの貫通配線構造を提供する。
【解決手段】素子の形成された基板からなる複数枚のウエハを貼り合わせてなる半導体装置のウエハとして用いられる半導体装置用ウエハの貫通配線構造であって、別のウエハと電気的に接続される貫通配線部９が、前記別のウエハとの貼り合わせ面３０ａに前記貼り合わせ面から突出して設けられ、ウエハ表面と平行な面で見た貫通配線部９の断面が、曲線を含む曲線含有形状または異なる方向に延びる２以上の直線を含む複直線含有形状である貫通配線構造とする。 （もっと読む）

【課題】ダイシング工程で発生する膜剥離やクラックがチップ内部に伝播するのを防ぐ。
【解決手段】半導体装置１００は、基板１０２と、ビア層１３０および配線層１３２が形成される素子形成領域であるチップ内部２０２と、平面視においてチップ内部２０２を囲むようにチップ内部２０２の外周に形成されたシールリング部２０４と、を含む。シールリング部２０４において、シールリングは、平面視においてチップ内部２０２を囲むように形成された貫通孔１２２ａを有する第１のメタル層１２２と、第１のメタル層１２２上に第１のメタル層１２２に接して形成された第２のメタル層１２４と、を含み、第１のメタル層１２２の貫通孔１２２ａの下部分には絶縁性材料（層間絶縁膜１０６）が形成され、貫通孔１２２ａの上部分には第２のメタル層１２４を構成するメタル材料がくい込んで形成される。 （もっと読む）

【課題】上層と下層を接続するコンタクトをリソグラフィの解像限界よりも小さい中心間ピッチで形成する集積回路製造方法を提供する。
【解決手段】どちらも標準的な解像度で製造されている上層１の構造物１１および下層２の構造物２５を、リソグラフィの解像限界（サブリソグラフィック）よりも短い間隔で互いに離間された隣接する２つのコンタクト３１、３２で接続する。サブリソグラフィックのコンタクト３を形成するために、第１の開口部（ホール）６１の格子型の規則正しいパターンを有する第１のマスク６をダブルパターニング技術を用いて製造する。第１のマスクに加えて、標準的な解像度を有する第２のマスク（図示していない）で第１の開口部６１のうちのいくつかを選択してコンタクト３１、３２を含むコンタクトを製造する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ不良（例えば、ソース電極とドレイン電極との短絡）の修正、また高速表示への対応および消費電力の抑制の実現を図る。
【解決手段】トランジスタと、該トランジスタの一方の導通電極に接続する画素電極１７と、保持容量配線１８とを備えたアクティブマトリクス基板１０であって、上記トランジスタの一方の導通電極から引き出された引き出し配線７と、上記保持容量配線から引き出された修正用配線１９とを備え、該修正用配線は、絶縁層を介して上記引き出し配線の一部と重なった構成とする。 （もっと読む）

【課題】応力耐性のより高いシールリング構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】複数の半導体素子を含む半導体層と、半導体層の上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜を貫通し且つ半導体素子の全体を囲む筒状体と、を含む半導体装置であり、筒状体は、その周方向において各々が互いに離間し且つ平行な複数の筒状プラグと、筒状プラグの各々と交差する複数の壁部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高耐圧デバイスにおいて、ボンディング・パッドが高耐圧構造となっているものが望まれていた。
【解決手段】ボンディング・パッド２２を構成する３層の金属膜層３７、３８、３９の下方の半導体領域２５が、その周囲の半導体領域２５から絶縁された状態となっている。そのために、ボンディング・パッド２２の下方の半導体領域周囲は、ＤＴＩ３６により取り囲まれている。
【効果】ボンディング・パッド２２の下方の半導体領域２５の周囲をＤＴＩ３６で取り囲むことにより、ボンディング・パッド２２が周囲の半導体領域２５に対して電気的に遮断されたフローティング状態になっており、ボンディング・パッドは高耐圧構造となっている。 （もっと読む）

【課題】レーザー照射によるヒューズの切断の確実性を向上させる。
【解決手段】ヒューズは、レーザー照射されて溶断される溶断用メタル５−３と、溶断用メタル５−３の両端の下面にそれぞれ接続されたメタルビア７−２と、メタルビアメタルビア７−２に接続された下層側配線５−２を備えている。メタルビア７−２，７−２は、照射されるレーザーのスポット径の内側に配置されている。メタルビア７−２は溶断用メタル５−３の側面とは間隔をもって配置されている。溶断用メタル５−３の平面サイズは照射されるレーザーのスポット径１１よりも小さい。溶断用メタル５−３はメタルビア７−２の材料よりも融点及び沸点が低い材料によって形成されている。 （もっと読む）

【課題】多層の配線構造を有する場合において、上層配線による開口部のカバレッジが低下するのを抑制することが可能な配線構造を提供する。
【解決手段】この配線構造１００は、配線３と、配線３上に形成されるとともに、ビア４ａを有する層間絶縁膜４と、層間絶縁膜４を覆うように形成されるとともに、ビア４ａと対応する領域に凹部６ａが形成された配線６と、配線６を覆うように形成されるとともに、ビア７ａを有する層間絶縁膜７と、層間絶縁膜７を覆うように形成された配線８とを備えている。そして、ビア７ａの内側面７ｂは、ビア４ａと対応する領域に配置されるとともに、上端部近傍７ｃの幅Ｗ３が下方から上方に向かって大きくなるような形状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を有するＤＲＡＭの半導体素子、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子は、基板１００上のワードラインとなるゲート電極１１５と、ゲート電極１１５の側壁スペーサ１１８と、側壁スペーサ１１８によってゲート電極１１５から分離され、基板の不純物領域１２０と電気的に連結されたコンタクト１６０と、コンタクト１６０に電気的に連結されたコンタクトパッド１６５と、コンタクトパッド１６５の側面と接し、コンタクトパッド１６５の間に配置された保護パターン１４５と、コンタクトパッド１６５上のストレージノード１７０と、を含む。コンタクトパッド１６５は、対向するストレージノード１７０の底表面１７０ｂｓより広い面積を有する上部表面１６５ｔｓを有するように形成できるので、コンタクトパッド１６５の上部表面１６５ｔｓは、ストレージノード１７０に対して十分なアライメントマージン。 （もっと読む）

【解決手段】 本発明は、基板（４）と、基板に配設されている少なくとも１つの長尺状の第１の電極（１ａ、１ｂ、１ｃ）と、基板に配設されている少なくとも１つの第２の電極（２ａ、２ｂ）とを備え、第１および／または第２の電極は、長手方向に閉じている半導体部品に関する。 （もっと読む）

【課題】 微小なコンタクトホールを狭いピッチで形成することができ、且つ露光装置に対する要求（高ＮＡ）の緩和及びチップ面積の縮小をはかる。
【解決手段】 半導体装置の製造方法であって、被処理膜１１上に、複数のコンタクトパターンのパターン開口を有し、且つ隣接するパターン開口を括れた状態で接続する接続開口を有するマスク材料膜２２を形成した後、マスク材料膜２２の各開口の側壁に側壁膜２５を形成することにより、パターン開口の径を小さくすると共に隣接するパターン開口を分離し、次いでマスク材料膜２２及び側壁膜２５をマスクとして被処理膜２１を選択的にエッチングしてコンタクトホールを形成する。 （もっと読む）