【課題】プラズマエッチング装置を構成する石英部品の寿命を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】図５はプラズマエッチング装置の上部電極の周囲を絶縁するシールドリングのエッチングガスによる消耗度を示すグラフである。図５の横軸は同心円状をしたシールドリングの内周部からの距離ａを示しており、縦軸はシールドリングの肉厚ｂを示している。実線（１）は、シールドリングの材料として石英だけを用いた場合の例を示しており、実線（２）は、シールドリングの材料として石英にアルミニウムと希土類金属を添加した場合を示している。実線（１）と実線（２）はそれぞれ３００時間の稼動時間を経過した後の状態を示している。破線（３）は使用前のシールドリングを示している。 （もっと読む）

【課題】基板処理工程の一部を、純水、好ましくは超純水等を用いた電解加工に置き換え、更に高効率で平坦性の高い加工を行うことができるようにする。
【解決手段】イオン交換体４８ｄまたは４８ｅを用いた電解加工で基板表面の導電性配線材料の除去加工を行い、しかる後、イオン交換体４８ｄまたは４８ｅとは異なるイオン交換体４８ｆを用いた電解加工、または電解液を用いた電解加工で基板表面のバリア層の除去加工を行う。 （もっと読む）

【課題】銅または銅合金からなる低抵抗の銅配線の表面に、置換めっきによる触媒付与を行うことなく、無電解めっきによる配線保護膜を選択的に形成する。
【解決手段】基板Ｗに形成した銅または銅合金配線９の基板表面側の界面の全てが、次亜リン酸を還元剤として用いる無電解蓋めっきの際の触媒を含有する、めっきで形成された触媒含有銅合金からなる触媒含有膜１２で選択的に覆われており、触媒含有膜１２の基板表面側の界面の全てが、次亜リン酸を還元剤とした無電解蓋めっきで形成された配線保護膜１０で選択的に覆われている。 （もっと読む）

【課題】ハードマスクを使用して金属膜、絶縁膜等の膜をパターニングする工程を含むＦｅＲＡＭ等の半導体装置の製造方法において、ハードマスクを用いて膜をパターニングした後の基板上の残渣、スカム等をさらに減らす製造方法を提供する。
【解決手段】パターニングの対象となるＩｒＯ2からなる第１の導電膜１５の上に、アルミナ膜の犠牲膜１６を介してＴｉＮなどの窒化物のハードマスク１７ａを形成し、その後に、ハードマスク１７ａに覆われない領域の第１の導電膜１５をパターニングし、その後に、犠牲膜１６をフッ化アンモニウム、アミド、有機酸、有機酸塩類、水の混合液を使用したウェット処理により除去することにより、ハードマスク１７ａを第１の膜１５のパターンの上から剥離してハードマスク１７ａの表面に付着した残渣、スカム等が再付着する防止工程を有している。 （もっと読む）

【課題】 接続プラグにより形成される凹凸の影響を受けることなく、接続プラグの上に形成される配線層のより微細な加工を可能にする、多層配線の製造方法を提供する。
【解決手段】 多層配線接続プラグ１２４を形成し、そのプラグ上に配線層１２５となるバリアメタル層１２５−１とＡｌＣｕ層１２５−２を堆積させる。ＡｌＣｕ層の表面をＣＭＰにより平坦化してから導電性反射防止膜であるＴｉＮ膜１２５−３を形成する。その後、レジスト４１を形成して配線層を加工する。 （もっと読む）

【課題】基板と複数のマイクロ電子デバイスを備える集積回路デバイス及びその方法を提供する。
【解決手段】少なくとも一つのマイクロ電子デバイス150に電気的に接触する導電性相互接続部を備える第１の層と、第１の層のラインに対して直角に整列された導電性のラインを備える第２の層であってかつ第２の層のラインが第１の層のラインと電気的に接触している第２の層と、第２の層のラインに対して直角に整列された導電性のラインを備える第３の層であってかつ第３の層のラインが第２の層のラインと電気的に接触している第３の層とを備え、第１の層を第２の層に相互接続し、かつ第３の層を第２の層に相互接続する複数のバイア224等を備える。 （もっと読む）

【課題】 アライメントマークや埋め込み配線等に形成される段差部に研磨材が残存して半導体装置の特性を悪化させるのを良好に防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 第１材料で形成された第１材料層１２内に所定の第１平面視パターン２１で掘り込まれた溝内に、第１材料とは異なる第２材料の第２材料層１５’が埋め込み形成された構造を有し、第２材料層１５’上の一部または全部の第１平面視パターン２１の中央付近に、第１材料層１５’の表面の高さから半導体基板１１側に向けて所定の段差を有する段差部１６が形成される半導体装置１０であって、段差部１６の第２平面視パターン２２における内角の角度が１８０度未満である第１角部２２ａ夫々が曲線状となるように、第１角部２２ａ夫々に対応する第１平面視パターン２１の第２角部２１ａ夫々が、曲線状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 配線形成方法及び半導体装置に関し、ケミカルメカニズムとメカニカルメカニズムの少なくとも一方の要素を強化してＣｕ研磨レートを向上させる。
【解決手段】 化学的機械的に研磨して埋込配線７を形成する際に、研磨されるＣｕまたはＣｕを主成分とするＣｕ合金からなるＣｕ系導電材料３或いは研磨剤６の少なくとも一方に研磨速度を向上させる効果をもたらす物質４を含有させる。 （もっと読む）

【課題】自己形成バリア膜を有するＣｕ配線中に残留する不純物金属の濃度を下げることにより、配線抵抗の低い半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上のＳｉ含有絶縁膜に凹部を形成し、この絶縁膜の表面にＣｕＭｎからなる前駆体膜を形成する。前駆体膜上にＣｕ膜を堆積し、酸化雰囲気下で熱処理することにより、前駆体膜と絶縁膜を反応させ、その境界面にＭｎＳｉＯからなる自己形成バリア膜を形成する。未反応のＭｎを配線形成膜内に拡散移動させ、さらに配線形成膜表面で雰囲気中の酸素と反応させ、ＭｎＯ膜として析出させる。ＭｎＯ膜を除去し、Ｃｕ膜上にさらにＣｕを堆積し、配線形成膜を積み増す。凹部外の絶縁膜が露出するまでＣｕ膜をＣＭＰ法により平坦化してＭｎ濃度の低いＣｕ配線構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】生産性を低下することなく、接続信頼性の高い貫通電極を備えた半導体装置とその製造方法、および電子機器提供する。
【解決手段】基体２の能動面３上に形成された電極パッド５，６と、基体２の裏面７から電極パッド５，６に向けて形成された貫通電極８，９とが、電極パッド５，６から貫通電極８，９に向けて立設された先細形状のプラグ１５，１６を介して電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を製造する際の銅配線の電解腐食および研磨液に起因するスクラッチを防止する。
【解決手段】半導体基板101上の絶縁膜102に第1の溝103を形成する工程と、前記第1の溝103内を含む絶縁膜102上にバリア膜104と配線金属膜である銅膜105とを順次形成する工程と、前記第1の溝103外のバリア膜104が露出するまで銅膜105を研磨により除去する第1の研磨工程と、前記第1の溝103内の銅膜105を後退させる工程と、前記後退させた銅膜105上に選択的に合金層をキャップ膜107として形成する工程と、前記キャップ膜107の上部と前記第1の溝103外のバリア膜104とを研磨により除去する第2の研磨工程とを行う。 （もっと読む）

【課題】トレンチ内の障壁金属層の上部にのみ化学気相蒸着方法を用いて選択的に比抵抗が低い金属層を蒸着し、熱処理を実施した後、平坦化して低抵抗金属配線を形成することができる半導体素子の金属配線形成方法を提供する。
【解決手段】RFエッチング方法でトレンチ１０８の底面と絶縁膜パターンの下部側壁にのみ障壁金属層１２０を残留させる。ＭＰＡソースを前駆体として用いるＣＶＤ法を用い、障壁金属層１２０の上部にのみ選択的に比抵抗が低い金属層１３０を蒸着し、熱処理を実施した後、平坦化して金属配線１４０を形成する。熱処理を実施して金属物質でトレンチ１０８を完全に満たすことで平坦化する。かくして脆性のアルミニウム膜によるディッシングとスクラッチなどは発生せず、金属配線１４０としての高い信頼性が確保されて、低抵抗金属配線を形成する。 （もっと読む）

【目的】多層配線の容量低減を図る半導体装置の製造方法或いは半導体装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、基体上に犠牲膜を形成する犠牲膜形成工程（Ｓ１０４）と、犠牲膜上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程（Ｓ１０６）と、犠牲膜と絶縁膜とに複数の第１の開口部を形成する第１の開口部形成工程（Ｓ１０８）と、複数の第１の開口部に導電性材料を堆積させる導電性材料堆積工程（Ｓ１１４）と、複数の第１の開口部に堆積した各導電性材料間の領域のうち、導電性材料のピッチが最小となる最小寸法領域とは異なる絶縁膜の所定の領域に第２の開口部を形成する第２の開口部形成工程（Ｓ１１６）と、第２の開口部を介して最小寸法領域に位置する犠牲膜を含む犠牲膜を除去する犠牲膜除去工程（Ｓ１１８）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＴｉＮ膜の改質のために過剰に行っていたプラズマ処理を基板が窒化されない範囲に抑制して低抵抗なコンタクトプラグを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００の上に絶縁膜１０２を形成する工程と、絶縁膜１０２に半導体基板１００と接続するコンタクトホール１０３を形成する工程と、コンタクトホール１０３の内側に第１の金属を含む第１の導電膜１０４を堆積する工程と、第１の導電膜１０４の上に化学気相堆積法により第１の金属の窒化物を含む第２の導電膜１０５を堆積する工程と、半導体基板１００に水素および窒素を含む雰囲気中でプラズマ処理を行う工程と、前記工程の後にコンタクトホール１０３を埋めるように第３の導電膜１０７を堆積する工程を含み、プラズマ処理を行う工程は半導体基板１００を窒化させない所定の条件下で行う。 （もっと読む）

【課題】配線溝への埋め込み特性が良好で、信頼性の高い半導体装置を作製することができる半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板１０１上に、配線溝１０３が設けられた絶縁膜１０２を形成する工程（ａ）と、絶縁膜１０２上に導電性バリア膜１０４およびシード膜１０５を順次形成する工程（ｂ）と、シード膜１０５上に電解めっき法により電解めっき膜１０６を形成する工程（ｃ）とを備えている。工程（ｃ）では、半導体基板１０１の基板面に対して７０度以上９０度以下の方向から光を照射しながら、電解めっきを行う。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕへの防食性を向上して、Ｃｕ又はＣｕ合金からなる配線が腐食するのを防止する配線形成方法の提供。
【解決手段】本発明の配線形成方法は、開口部が形成された絶縁膜上にバリアメタルを堆積するバリアメタル堆積工程と、前記堆積されたバリアメタル上にＣｕ及びＣｕ合金のいずれかからなる配線材料を堆積する配線材料堆積工程と、前記堆積された配線材料を研磨液を用いて化学機械的研磨して平坦化する平坦化工程と、前記平坦化された配線材料を、防食剤を含むｐＨが７以上の研磨液を用いて化学機械的研磨して前記堆積されたバリアメタルを表出させるバリアメタル表出工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】下層配線と上部配線とのリークを防ぎつつ、かつ、ボンディングによるクラック発生も防止する。
【解決手段】パッド部の溝１０および配線部の溝１１を形成する際のエッチングストッパーとして第３絶縁膜に相当するＳｉＮ膜５を第２絶縁膜に相当する酸化膜４と第４絶縁膜に相当する酸化膜８の間に配置する。これにより、パッド部の溝１０と配線部の溝１１の幅が異なっているためにエッチングレートが異なったとしても、パッド部の溝１０と配線部の溝１１の深さを均一にすることが可能となる。このため、配線部の溝１１が深く形成され過ぎることにより下層配線３とバリアメタル１４およびＣｕ層１５で構成される上部配線とのリークを防ぐことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】微細化してもキャパシタ上に形成される絶縁膜の平坦性が良好な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０１の上方に設けられた開口部１０８に沿って断面凹形状に形成された下部電極１０９と、下部電極１０９の内面および上面上に形成された容量絶縁膜１１０と、容量絶縁膜１１０上に形成された上部電極１１１とを有するキャパシタを備えている。上部電極１１１は、容量絶縁膜１１０の内面上に形成され、開口部１０８を埋める第１の導電性膜１１１ａと、第１の導電性膜１１１ａの上面から容量絶縁膜１０９の上面にわたって形成された第２の導電性膜１１１ｂとから構成される。 （もっと読む）

【課題】 高容量のＭＩＭキャパシタを有する半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体装置内部に、第一のキャパシタ電極１０３と、第一のキャパシタ電極１０３表面に形成された薄膜かつ膜質の良好な絶縁性の窒素含有銅シリサイド膜１０４ａを有するキャパシタ絶縁膜１０４と、キャパシタ絶縁膜１０４上に形成された第二のキャパシタ電極１０８により構成されるＭＩＭキャパシタを備えることにより、半導体装置のＭＩＭキャパシタの容量を向上する。 （もっと読む）

【目的】多層配線の容量低減を図る半導体装置の製造方法或いは半導体装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、配線が形成された配線層上に第１の絶縁性材料膜を形成する絶縁膜形成工程（Ｓ１０８）と、前記絶縁性材料膜に前記配線層まで貫通する複数の孔を形成する開口工程（Ｓ１１２）と、前記複数の孔のうち、前記配線上に位置する孔内にヴィアコンタクト膜を選択的に形成するヴィアコンタクト膜形成工程（Ｓ１１６）と、前記複数の孔のうち前記ヴィアコンタクト膜が形成されずに残った孔にふたをするように、第２の絶縁性材料膜を形成する絶縁膜形成工程（Ｓ１２０）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）