【課題】電極の接触抵抗の低減によって高性能化した半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、半導体基板上に第１の金属を堆積する工程と、第１の熱処理により第１の金属と半導体基板を反応させて、前記ゲート電極両側の前記半導体基板表面に金属半導体化合物層を形成する工程と、金属半導体化合物層中に、Ｓｉの原子量以上の質量を有するイオンをイオン注入する工程と、金属半導体化合物層上に第２の金属を堆積する工程と、第２の熱処理により、第２の金属を金属半導体化合物層中に拡散させることで、金属半導体化合物層と半導体基板の界面に、第２の金属を偏析させて界面層を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】抵抗体の高抵抗化を妨げることなくレイアウト面積を小さくできるようにした半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板１にＳＴＩ層３を形成する工程と、ＳＴＩ層３を介してシリコン基板１上に第１ポリシリコン膜を形成する工程と、第１ポリシリコン膜を所定形状にパターニングして抵抗体１１を形成する工程と、抵抗体１１を覆うようにシリコン基板１上にシリコン酸化膜１３を形成する工程と、シリコン酸化膜１３を覆うようにシリコン基板１上に第２ポリシリコン膜を形成する工程と、第２ポリシリコン膜にドライエッチングを施して、抵抗体１１の側面に沿ってバイアス用電極１５を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

本明細書には概して半導体デバイスにおける電気漏れ特性の改善及びエレクトロマイグレーションの抑制を行う方法が記載されている。
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【課題】極めて簡易に動作領域に負荷される応力を制御して、その移動度、さらには特性を制御しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の上方であって、その動作領域を被覆するようにして、前記動作領域に対して引張応力を作用させるための引張応力層を形成し、さらに、前記半導体基板の上方であって、前記引張応力層の上方または下方に前記動作領域を被覆するようにして、前記動作領域に対して圧縮応力を作用させるための圧縮応力層を形成する。次いで、前記圧縮応力層及び前記引張応力層の少なくとも一方に隣接するようにして金属層を形成するとともに、加熱処理を施して、前記金属層中の金属元素を前記圧縮応力層及び前記引張応力層の少なくとも一方内に拡散させて、前記層内に独立して内在する金属領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】 開口部ＴＨの形成時におけるサイドウォールの膜減りにより、共通コンタクトの形成部分で配線層から半導体基板のウェル領域に電流漏れが生じるおそれがある。
【解決手段】 第１トランジスタのゲート電極と第２トランジスタの拡散領域とを第１開口部内で接続する第１配線層を備えるＳＲＡＭセルであって、第１配線層は、第１開口部内において、第１トランジスタ及び第２トランジスタが形成される半導体基板の主面と離間して形成される。 （もっと読む）

【課題】配線溝に埋設された銅膜（銅配線）の抵抗を低減することができる、半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁膜１の表面に、配線溝２が形成された後、その配線溝２の内面を含む絶縁膜１の表面上に、ＣｕおよびＭｎの合金からなる合金膜３が被着される。この合金膜３の被着後、合金膜３（絶縁膜１）上に、Ｃｕ膜４が配線溝２を埋め尽くすように積層される。その後、１回目の熱処理が行われて、合金膜３と絶縁膜１との界面に、Ｍｎ_ｘＳｉ_ｙＯ_ｚ（ｘ，ｙ，ｚ：零よりも大きい数）からなるバリア膜５が形成される。次いで、Ｃｕ膜４およびバリア膜５の配線溝２外の各不要部分が除去される。その後、２回目の熱処理が行われる。この熱処理により、配線溝２上にＭｎが析出する。そして、配線溝２上に析出したＭｎが除去される。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線などの金属配線について、金属配線と金属拡散防止膜との密着性が向上し、金属配線のエレクトロマイグレーション耐性向上により金属配線寿命の長い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成された第１の絶縁膜中の溝部内に設けられ、銅および銅の合金のうち少なくとも１つを含有する第１の金属配線と、第１の金属配線および第１の絶縁膜の露出面を覆う第１の金属拡散防止膜を有する半導体装置において、第１の金属配線は金属シリサイド層を含有しないシリコン含有金属配線であり、第１の金属配線全体にシリコンを含む構成である。 （もっと読む）

【課題】銅膜を含む接続構造において、ＳＩＶ耐性およびＥＭ耐性を良好にする。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体基板と、半導体基板上に形成された第２の絶縁層１１２と、第２の絶縁層１１２上に形成され、銅が第２の絶縁層１１２に拡散するのを防止する第２のバリアメタル膜１１８と、第２のバリアメタル膜１１８上に当該第２のバリアメタル膜１１８に接して形成され、銅と炭素とを含む第２の導電膜１２２と、を含み、第２の導電膜１２２中の積層方向における炭素の濃度分布が第１のピークおよび第２のピークを有する。 （もっと読む）

【課題】Ｐ型ＭＯＳＦＥＴの閾値のバラつきを抑制して高品質の半導体装置を形成することができ、また、製品開発のコストを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板上１００にゲート絶縁膜１０２を形成する第１の工程と、ゲート絶縁膜１０２上に、ゲート電極１０４を構成する導電体膜１０３を、有機材料を用いた形成法によって形成する第２の工程と、導電体膜１０３が形成されたシリコン基板１００を、酸化性雰囲気である水蒸気と、還元性雰囲気である水素との混合雰囲気中で加熱する第３の工程と、を備えた半導体装置の製造方法であって、第３の工程における水蒸気に対する水素の分圧比が、炭素が酸化され、かつ、導電体膜１０４を構成する金属材料が還元される分圧であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】コンタクトパッドを備える半導体装置の製造方法であって、リセス近傍のＰＮ接合の接合リーク電流を抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、隣接する２つのゲート電極構造１８間に形成されゲート電極構造１８によって縁部が規定されるコンタクトパッド２２を備え、コンタクトパッド２２が半導体基板１１のＮ⁺拡散領域２１に接続する。コンタクトパッド２２から露出するＮ⁺拡散領域２１の部分に、コンタクトパッド２２と自己整合的に不純物を導入する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】 プログラム中にシリサイド層に形成されるギャップの長さに依存しない抵抗を有するｅヒューズおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 電気的プログラム可能ヒューズ（ｅヒューズ（ｅＦｕｓｅ））は、基板の絶縁酸化物層の上の（１）半導体層、この半導体層に形成された（２）ダイオード、および、ダイオード上に形成された（３）シリサイド層を含む。ダイオードは、Ｎ＋、ｐ−、Ｐ＋、またはＰ＋、ｎ−、Ｎ＋構造を含む。 （もっと読む）

【課題】製造工程の簡素化及び製造コストの低減が図れる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１からなる活性領域上にゲート絶縁膜１３ａ、１３ｂを介してゲート電極１４ａ、１４ｂを形成する。その後、ゲート電極１４ａ、１４ｂの側面上にサイドウォール１６ａ、１６ｂを形成する。そして、半導体基板１１上の全面に、絶縁膜１７を形成した後、絶縁膜１７にソース・ドレイン形成領域に到達するコンタクトホール１８ａ、１８ｂ、１８ｃを形成する。その後、絶縁膜１７及びサイドウォール１６ａ、１６ｂをマスクにして、Ｎ型不純物のイオン注入を行い、Ｎ型ソース領域１９ａ、１９ｃ及びＮ型ドレイン領域１９ｂを形成する。そして、コンタクトホール１８ａ、１８ｂ、１８ｃ内にコンタクトプラグ２０ａ、２０ｂ、２０ｃを形成する。 （もっと読む）

【課題】 ビアプラグとＣｕ配線層間におけるボイドの発生を抑制し、配線層相互間の電気的接続を良好にし得る半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１１と、半導体基板１１上に第１の層間絶縁膜１２を介して形成され、Ｃｕを主材料とする第１の配線層１５と、第１の層間絶縁膜１２及び第１の配線層１５上に第２の層間絶縁膜２１を介して形成された第２の配線層２５と、第２の層間絶縁膜２１を貫通して形成され、第１の配線層１５と第２の配線層２５間を電気接続するビアプラグ２６とを有し、第１の配線層１５に存在する複数のＣｕの結晶粒界の内、ビアプラグ２６の真下に存在する結晶粒界（５１の位置）に選択的に、Ｃｕとは異なる第１の材料を含有する。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜と金属配線層との間に厚さが５〜５００〔Å〕のＴｉから成る密着層を形成する事によって、金属配線層としてのアノード配線層及びカソード配線層と層間絶縁膜とのコンタクト特性が良好となり、アノード配線層及びカソード配線層とを同一の工程で同時に形成する事ができる半導体装置、ＬＥＤヘッド及びそれを用いた画像形成装置を提供する。
【解決手段】半導体基板２１と、該半導体基板上に形成され、該半導体基板へのコンタクトホールが開口された層間絶縁膜２３と、一端が前記コンタクトホールに接続され、他端がボンディングパッドを構成する金属配線層１３と、前記層間絶縁膜と金属配線層との間に設けられ、厚さが５〜５００〔Å〕のＴｉから成る密着層３１とを有する。 （もっと読む）

【目的】ＴＥＯＳ酸化膜形成後における酸素雰囲気での熱処理による膜質改善効果の及ばない膜厚以上に厚膜や、深いトレンチ構造に酸化膜を埋め込む場合であっても、膜質を改善できる半導体装置の製造方法を提供すること。
【構成】ＴＥＯＳガスを用いて化学的気相成長法によりＴＥＯＳ酸化膜を半導体基板上に堆積形成する成膜工程と前記ＴＥＯＳガスの排気後、酸素ガスを供給して前記ＴＥＯＳ酸化膜上に酸素含有層を積層形成する酸素含有層形成工程との後、前記ＴＥＯＳ酸化膜成膜工程と酸素含有層形成工程とを所要の酸化膜厚さになるまで複数回繰り返す工程と、加熱により前記ＴＥＯＳ酸化膜中に酸素を熱拡散させる工程を備える半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム合金膜と透明電極が直接コンタクトすることを可能とし、バリアメタルの省略を可能にするアルミニウム合金膜を用いた表示デバイスとその製造技術を提供すること。
【解決手段】ガラス基板上に配置された薄膜トランジスタと、透明電極によって形成された画素電極と、これら薄膜トランジスタと画素電極を電気的に接続するアルミニウム合金膜によって形成された接続配線部を主たる構成要素として備えた表示デバイスとその製法を開示する。 （もっと読む）

【課題】 接触抵抗の小さい電子部品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 下層金属配線４と、下層金属配線４上に形成された層間絶縁膜６と、層間絶縁膜６上に形成され、かつ層間絶縁膜６に形成された貫通孔５を介して下層金属配線４と電気的に接続された上層金属配線７と、を備える電子部品であって、下層金属配線４が少なくとも第１の金属と第２の金属とが拡散されてなり、第１の金属は第２の金属より酸化物の標準生成自由エネルギーが大きく、第２の金属は前記第１の金属より波長３５０〜４４０ｎｍの光線の少なくとも一点で反射率が高く、かつ、上層金属配線８と下層金属配線４との間に、第１の金属より酸化物の標準生成エネルギーが小さい金属で形成される密着層７を備える。 （もっと読む）