【課題】水素を主成分とした還元性ガスを用いた熱還元処理および還元性ガスを用いたプラズマ処理を併用して行うことで、自然酸化膜の除去を可能とする。
【解決手段】基板１０に形成された層間絶縁膜１１に、表面が露出する様に銅を含む導電層１５を形成する工程と、前記導電層１５表面に対して水素を主成分とした還元性ガスを用いた熱還元処理を行う工程と、前記導電層１５表面に対して還元性ガスを含むプラズマ処理を行うことによって前記導電層１５表面に対して還元処理を行うとともに前記熱還元処理により吸着された水素を脱離させる工程と、前記プラズマ処理後の前記導電層１５表面が酸素を含む雰囲気にさらされることなく前記導電層１５表面を被覆する酸化防止膜１７を形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ＭＩＳＦＥＴの微細化を推進することのできる絶縁膜形成技術を提供する。
【解決手段】ＭＩＳＦＥＴ（Ｑｓ、Ｑｎ、Ｑｐ）のゲート電極９上に形成する平坦化絶縁膜として、ＨＳＱ−ＳＯＧ膜を約８００℃の高温で熱処理したＳＯＧ膜１６を使用する。また、上層の配線（５４、５５、５６、６２、６３）間の層間絶縁膜として、上記のような高温の熱処理を施さないＨＳＱ−ＳＯＧ膜５７を使用する。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板上に形成された低誘電率膜のマイクロポア構造やその他の物理特性を変化させることなく、上記低誘電率膜のアニーリングを良好かつ安全に行う。
【解決手段】 液体供給手段２０からの温度制御用液体の供給によって温度が制御されるホットプレート１８により低真空下で半導体基板を加熱するプレキュア部１２と、電気炉２２により高真空下で半導体基板を加熱する本キュア部１６と、プレキュア部１２から本キュア部１６に半導体基板を移送する移送手段とを具備するアニーリング装置を用いる。 （もっと読む）

低誘電率重合体は、一般式I：(Ｒ¹-Ｒ²)_n-Ｓｉ-(Ｘ¹)_4-n（ここで、Ｘ¹はそれぞれ独立して水素及び無機脱離基から選択され、Ｒ²は任意の基であって１〜６個の炭素原子を有するアルキレン又はアリーレンを備え、Ｒ¹はポリシクロアルキル基であり、ｎは整数１〜３である）で表される化合物から誘導された単量体単位を備える。重合体は優れた電気的及び機械的特性を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置及びその製造方法に関し、銅配線上の酸化銅を十分に除去しつつ、水分及びＣｕ拡散防止用の絶縁膜を低誘電率絶縁材料により形成しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表面に酸化銅膜が形成された銅配線上に、銅に対して拡散バリア性を有するシリコン化合物と、酸化銅を還元する有機化合物とを含む絶縁膜形成用組成物を塗布する工程と、熱処理により、有機化合物によって酸化銅膜を還元して除去するとともに、シリコン化合物を硬化してシリコン化合物よりなる絶縁膜を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】表面を含む層の密度を上昇させることなく、表面のダメージをより簡便にかつ効率よく修復することができ、かつ腐食性副生成物が発生することがない表面疎水化用組成物、表面疎水化方法、ならびに半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】表面疎水化用組成物は、（Ａ）ジアセトキシメチルシラン０．１〜１０重量％と、（Ｂ）非プロトン性溶媒とを含む。表面疎水化の方法は、前記表面疎水化用組成物を層の表面に接触させた状態で、該層を加熱することにより疎水成膜２４を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、絶縁膜の信頼性が劣化することを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 外界と隔離された第１の処理室内において、隣り合う凸部の間に形成された凹部１３０を第３の絶縁膜１６０で埋め込むステップと、第１の処理室内において、第３の絶縁膜１６０に対して改質処理を行った後、第１の処理室から半導体基板１０を外界に搬出するステップと、第２の処理室内において、、第３の絶縁膜１６０に対して熱アニール処理を行うステップとを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】不純物が除去されたシリコン窒化膜を備える半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この方法は、半導体基板上にシリコン窒化膜を形成することを具備する。前記シリコン窒化膜を有する半導体基板をアンモニア（ＮＨ_３）気体雰囲気で熱処理して前記シリコン窒化膜内の不純物を除去する。一実施形態によって、前記シリコン窒化膜はシリコン前駆体としてＢＴＢＡＳを用いて形成することができる。前記シリコン窒化膜が前記ＢＴＢＡＳを用いて形成する場合でも前記シリコン窒化膜内の不純物は有効に除去できる。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、作製工程を簡略化した半導体装置の作製技術を提供することを目的とする。また、それらの半導体装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で密着性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】第１の導電層上に第１の絶縁層を形成し、第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成し、第２の絶縁層上に第１の開口を有する第１のマスク層を形成し、第１の絶縁層及び第２の絶縁層をエッチングすることにより、第１の導電層に達する第１の開口部を形成し、第１のマスク層除去後、第１の開口よりも開口面積が広い第２の開口を有し、且つ、導電性材料を含む組成物に対してぬれ性の低い第２のマスク層を第２の絶縁層上に形成し、第１の絶縁層上面の一部が露出するように第２の絶縁層をエッチングし、第２の開口部を形成し、第１の開口部及び第２の開口部に導電性材料を含む組成物を充填し、第２の導電層を形成する。 （もっと読む）

本発明は、絶縁膜形成用コーティング組成物、その組成物を使用する低誘電絶縁膜の製造方法、その組成物から製造される半導体素子用低誘電絶縁膜およびその絶縁膜からなる半導体素子に関する。とくに、低誘電率を有し、かつ優れた機械的強度（弾性率）を有する絶縁膜を製造することができる絶縁膜形成用コーティング組成物、その組成物を用いる低誘電率絶縁膜の製造方法、その組成物から製造される半導体素子用低誘電絶縁膜およびその絶縁膜からなる半導体素子に関する。本発明のコーティング組成物は、低分子量の有機シロキサン樹脂および水からなり、そして、絶縁膜の低誘電率および機械的強度を顕著に向上させることができる。
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【課題】外部接続用配線の要素であるクロム層とＩＴＯ層との間のコンタクト抵抗を低く維持し、駆動用ＩＣが誤動作するのを防止する。
【解決手段】ＴＦＤ素子の第１金属膜及び外部接続用配線の第１導電層を夫々クロムにて形成し、次にその上に酸化タンタルを形成する。次に、アニール処理Ａを約３００℃（保持時間６０分）で実行する。次に、第２金属膜を形成し、その直後に、データ線及びＴＦＤ素子の上にオーバーレイヤーを形成する。これにより、ＴＦＤ素子の第２金属膜の表面及び外部接続用配線の第１導電層の表面に酸化膜が形成されるのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置のシリサイド膜の製造方法が開示される。
【解決手段】 まず、第１シリサイド膜を形成する。そして、前記第１シリサイド膜のうち、不連続部分がある場合、前記不連続部分に金属物質を選択的蒸着して、前記金属物質によって電気的に連結された第２シリサイド膜を形成する。前述した方法は、８０ｎｍ以下のデザインルールを有する半導体ゲート電極上に不連続部分を含まないシリサイド膜を形成することができるのみならず、不連続部分を連結する工程で追加熱処理工程を行わなくても良いので、トランジスタの特性劣化を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 段差のある部位に電極又は配線等を形成する工程を含む薄膜トランジスタの製造方法において、該段差部位に簡便且つ確実に積層膜或いは連結膜を形成することが可能な方法を提供する。
【解決手段】 本発明の製造方法は、半導体層８４上であって当該半導体層８４の略中央部に位置する第１バンク部３１ｂと、半導体層８４の周縁であって、該半導体層８４を取り囲む形にて形成される薄膜部３２と該薄膜部３２を取り囲む形にて形成される厚膜部３３とを有する第２バンク部３１ａと、を含むバンクを形成する工程と、薄膜部３２と第１バンク部３１ｂとに取り囲まれた領域内に、導電材料を含む第１機能液６０を、半導体層８４を覆う形にて配置する工程と、該第１機能液を乾燥させて第１導電膜を得る工程とを含み、その後、薄膜部３２を除去して、該除去領域に第２導電膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 セルトランジスタの拡散層に接続された多結晶シリコン電極と、周辺回路トランジスタの拡散層に接続された金属電極とを備え、多結晶シリコン電極が形成された拡散層の接合リーク電流が抑制され、これによって、良好な情報保持特性を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、多結晶シリコン電極に接続された拡散層を有するトランジスタを形成する工程と、９８０〜１０２０℃の基板温度で熱処理する第１の高温熱処理工程（工程Ａ２）と、７００〜８５０℃の基板温度で熱処理する第１の低温熱処理工程（工程Ａ３）とをこの順に有する。 （もっと読む）