【課題】半導体装置の性能を向上させる。また、半導体装置の信頼性を確保する。また、半導体装置のチップサイズの縮小を図る。特に、ＳＯＩ基板上に形成されたＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置の信頼性を損なわずにゲート電極の下部のウエルの電位を制御し、寄生容量の発生を防ぐ。また、ＭＯＳＦＥＴにおける欠陥の発生を防ぐ。
【解決手段】ゲート電極配線３に形成された孔部２７内を通るウエルコンタクトプラグ８により、ゲート電極２の下部のウエルの電位を制御することで寄生容量の発生を防ぐ。また、ゲート電極２に沿って素子分離領域４を延在させることで、ゲッタリング効果によりゲート絶縁膜における欠陥の発生を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル膜の酸化を十分に抑制することができる半導体装置の製造方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】基板１の上方に導電膜５を形成し、導電膜５を覆う絶縁膜７を形成し、絶縁膜７のエッチングを行って、絶縁膜７に導電膜５の少なくとも一部を露出する開口部５１を形成する。また、還元ガス雰囲気中で開口部５１に紫外線を照射し、開口部５１内に絶縁膜７及び導電膜５に接するバリアメタル膜９を形成し、バリアメタル膜９上に導電膜１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】誘電率の低い絶縁膜であって、半導体装置の製造においてＣＭＰ法により当該絶縁膜上の膜を好適に除去することができるとともに、キャップ層を備えておらず、かつ、信頼性に優れた半導体装置の製造に好適に用いることができる絶縁膜を提供すること。
【解決手段】本発明の絶縁膜は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造と、重合反応に寄与する重合性反応基とを有する重合性化合物および／または当該重合性化合物が部分的に重合した重合体を含む組成物を用いて形成された絶縁膜であって、０．０３〜２０μｍの膜厚を有し、ナノインデンターを用いて、膜厚の２分の１以上の最大押し込み深さにおいて、弾性率測定変位を膜厚の１０分の１とする測定から求められる弾性率が、４．０ＧＰａ以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は半導体素子デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適し、誘電率などの特性に優れた膜を効率よく製造することができる絶縁膜形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】２つ以上の不飽和基を置換基として有するカゴ型シルセスキオキサン化合物を重合させて得られる高分子化合物と、空孔形成剤とを含有する膜を基板上に形成する膜形成工程と、該膜に電子線を照射する電子線照射工程と、電子線照射工程後に膜を加熱して、絶縁膜を形成する加熱工程とを備える、絶縁膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】薄い樹脂層を形成可能で、多孔質の層間絶縁層への金属成分の拡散を抑制することができ、配線材料の密着性に優れる半導体用シール組成物を提供する。
【解決手段】ナトリウムおよびカリウムの含有量がそれぞれ元素基準で１０重量ｐｐｂ以下である半導体用シール組成物に、２以上のカチオン性官能基を有する重量平均分子量が２０００〜１０００００である樹脂を含有せしめ、動的光散乱法で測定された体積平均粒子径が１０ｎｍ以下となるように構成する。 （もっと読む）

【課題】シリサイド化反応を十分に行わせることによってコンタクト抵抗を低減化させることが可能な成膜方法である。
【解決手段】真空排気が可能になされた処理容器２２内で被処理体Ｗの表面に対して薄膜を形成する成膜方法において、原料ガスを用いて処理容器内でプラズマＣＶＤ法により薄膜としてチタンを含む金属膜８を形成する金属膜形成工程と、処理容器内で金属膜に対してアニール処理を行うアニール工程とを有する。これにより、シリサイド化反応を十分に行わせることによってコンタクト抵抗を低減化させる。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜にＬｏｗ−ｋ材を使用した基板であっても、層間絶縁膜の経時劣化や変質の可能性を低くできる基板の処理方法を提供すること。
【解決手段】 シリコン酸化膜よりも低い誘電率の誘電体層を含む基板を処理する基板の処理方法であって、不活性ガスの雰囲気中で、前記誘電体層を脱水縮合処理するために加熱する脱水工程と、少なくとも水素原子を含むガスの雰囲気中で、前記基板をアニールする工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】主にアルミニウム系通常配線を有するＬＳＩの製造工程ＢＥＯＬプロセスでは、配線の信頼性に関して、ＥＭ耐性およびＳＭ耐性の向上が特に重要である。アルミニウム系配線に関する不良の中でも、配線メタル膜の膨張や欠けの発生は、ＥＭ耐性およびＳＭ耐性を大きく劣化させる要因となる。
【解決手段】本願発明は、層間絶縁膜を成膜するプラズマＣＶＤチャンバのウエハ・ステージ上に於いて、アルミニウム系配線メタル膜のパターニングの後であって層間絶縁膜の成膜前に、ウエハのデバイス面に対して、不活性ガスを主要な成分の一つとして含む雰囲気下、アルミニウム系配線メタル膜および層間絶縁膜の成膜温度よりも高いウエハ温度において、プラズマ・アニール処理を実行することにより、配線メタル層の側壁部の付着物が完全に除去され、膨張不良の原因が取り除かれ、更に、不動態化の進行、ストレス開放等により、欠け不良を抑制するものである。 （もっと読む）

【課題】低誘電率で、かつ、強度に優れ、膜厚の不本意なばらつきが抑制された絶縁膜を提供すること、前記絶縁膜の形成に好適に用いることができる膜形成用組成物を提供すること、また、前記絶縁膜を備えた半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の膜形成用組成物は、重合性の官能基を有する重合性化合物および／または当該重合性化合物が部分的に重合した重合体を含むものであり、前記重合性化合物は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造Ａと、重合反応に寄与する２つの重合性反応基とを有するものであり、前記重合性反応基は、芳香環と、当該芳香環に直接結合する２つのビニル基とを有するものであり、前記重合性化合物は、前記部分構造Ａを中心に、前記重合性反応基が対称的に結合した構造を有するものである。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブと電極をなす金属とを強い結合力でかつ十分な密着性を持って接合できるカーボンナノチューブへの金属接合方法及びＣＮＴを用いた配線構造を提供する。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブへの金属接合方法は、カーボンナノチューブを成長させる工程と、成長させたカーボンナノチューブの欠陥に硫黄原子を導入する工程と、前記硫黄原子を介して、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｈｇ、Ｓｉ、Ｇａ及びＡｓの中から選択された少なくとも１つの金属またはこれらの合金を接合する工程とを、含む。 （もっと読む）

【課題】 ゾル−ゲル法を用いて、硬化時の収縮率が小さく低誘電率である塗布型シリカ系被膜を得ることが可能な、塗布型シリカ系被膜形成用組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】 下記一般式（１）、（２）及び（３）にて表される化合物を含む（Ａ）成分を必須成分とし、２００〜３００℃での一段目硬化から、６００℃の二段目硬化迄の膜収縮率が５％以下であり、二段目硬化温度が４００℃の場合の、シリカ系被膜の比誘電率が２．５以下である、前記（Ａ）成分の加水分解・重縮合反応を経て得られる塗布型シリカ系被膜形成用組成物。


［Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３は炭素数１〜３の有機基を示し、同一でも異なっていてもよい。Ｒ_４は炭素数６〜２０の直鎖状アルキル基を示す。］ （もっと読む）

【課題】疎水性機能を損なうことなく、かつ比誘電率への影響が小さく、機械的特性の向上を可能とする疎水性多孔質ＳＯＧ膜の作製方法の提供。
【解決手段】ＳＯＧ膜の熱処理を酸素含有ガスの存在下で行って疎水性多孔質ＳＯＧ膜を作製する。この熱処理を、そのプロセスの所定の時期に導入した酸素分圧５Ｅ＋３Ｐａ以上の酸素含有ガス中で、３００℃〜１０００℃の温度で行う。 （もっと読む）

【課題】耐マイグレーションに強い積層構造体を提供する。
【解決手段】基板と、基板上において、エネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化し、低表面エネルギー状態から高表面エネルギー状態へと変化する材料を含むものであって、エネルギーの付与により、第１の高表面エネルギー領域及び第２の高表面エネルギー領域と、低表面エネルギー領域とが形成されている濡れ性変化層と、第１の高表面エネルギー領域上に導電性材料により形成された第１の導電層と、第２の高表面エネルギー領域上及び第１の導電層上に形成された第２の導電層を有し、第１の導電層を第２の導電層により覆われた積層構造の導電層が形成されているものであることを特徴とする積層構造体を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ同士を導通させる。
【解決手段】本発明にかかる配線形成方法は、半導体基板１２に対しインクジェットヘッド７０から導電性のインク滴Ｒを吐出して、導電層１６による配線を形成するための方法である。当該方法は、半導体基板１２の表面１２ａから側面１２ｂにかけて第１の導電層を形成する工程と、半導体基板１２の裏面１２ｃに第２の導電層を形成して前記第１の導電層と前記第２の導電層とを繋ぎ合わせる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＭＦＩ型以外のゼオライト結晶を主成分とする場合であっても、ゼオライト薄膜の十分な強度を確保でき、誘電率低減、表面の平坦性向上、また疎水性向上をも実現し、さらに作成工程の簡略化による低コスト化も可能となるようにする。
【解決手段】ＳｉＯ結合を構造主成分とするＭＥＬ型のゼオライト薄膜は、前記ゼオライト薄膜は、ゼオライト骨格中の二重５員環構造に起因する波数５５０ｃｍ^−１の赤外吸収ピークを有し、表面平坦性を有し、可視光域における１．０７から１．１４の範囲内の屈折率と、周波数１００ｋＨｚにおける２．０５以下の比誘電率を有する。 （もっと読む）

【課題】有機絶縁膜を被覆した無機絶縁膜のエッチング時にエッチング残渣が生成せず、金属配線や金属層などの銅及び銅合金の腐食を抑制する半導体装置及びその製造方法、感光性樹脂組成物並びに電子部品を提供する。
【解決手段】半導体装置は、パッド電極２が形成された半導体基板１と、少なくとも前記パッド電極２上に形成された無機絶縁膜３と、無機絶縁膜３上に形成された第１の有機絶縁膜４とを備える。第１の有機絶縁膜４は、樹脂構造にフッ素を含まないポリイミド系樹脂と、複素環状化合物、チオ尿素類及びメルカプト基を有する化合物から選択される少なくとも１種の化合物とを含有する樹脂組成物から形成される。 （もっと読む）

【課題】所定の形状に精度よくパターニングすることができる導電膜の形成方法を提供することである。
【解決手段】電気絶縁性を有する被成膜体の表面上に、金属微粒子を含む導電膜用の塗布液を塗布して導電膜用の膜を形成し、被成膜体に塗布された前記導電膜用の膜を第１の温度で加熱し、前記低電気抵抗の導電膜よりも電気抵抗が高い高電気抵抗の導電膜を形成し、前記高電気抵抗の導電膜の一部を除去し、高電気抵抗の導電膜を所定の形状にパターニングし、パターニングされた高電気抵抗の導電膜を第２の温度で加熱して電気抵抗を低下させ、低電気抵抗の導電膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法に関し、光吸収膜を利用して実行する新たな製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に光吸収膜を堆積し、前記光吸収膜を加工して、第１の膜厚の前記光吸収膜で覆われた第１領域と、前記第１の膜厚よりも薄い第２の膜厚の前記光吸収膜で覆われた第２領域と、前記第２の膜厚よりも薄い第３の膜厚の前記光吸収膜で覆われた第３領域とを形成し、前記基板に光を照射することにより、前記基板をアニールすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、半導体基板に接合領域を形成するにおいて、イオン注入工程を行って不純物を注入した後、活性化段階である熱処理工程を第１の熱処理工程及び第２の熱処理工程で行うが、第１の熱処理工程は、Ｎ_２ガス雰囲気で行い、第２の熱処理工程は、ＮＨ_３ガス雰囲気で行うことにより、後続工程を行っても接合領域の不純物が流出される現象を防止することができる半導体素子の接合領域形成方法を提供する。
【解決手段】 接合領域を含むトランジスタが形成された半導体基板が提供される段階と、接合領域を含む半導体基板の上部に保護膜を形成する第１の熱処理工程を行う段階と、保護膜を含む半導体基板上に層間絶縁膜を形成する段階とを含む構成としたことを特徴とする。 （もっと読む）