説明

Fターム[5F033RR12]の内容

半導体集積回路装置の内部配線 (234,551) | 絶縁膜の材料 (22,565) | 無機材料 (16,592) | 不純物を含むもの (1,419)

Fターム[5F033RR12]の下位に属するFターム

BSG (148)
PSG (436)
BPSG (694)

Fターム[5F033RR12]に分類される特許

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窒化タンタル/タンタルバリア層を堆積させるための方法および装置が、集積処理ツールでの使用のために提供される。遠隔発生プラズマによる洗浄ステップの後、窒化タンタルは原子層堆積法で堆積され、タンタルはPVDで堆積される。窒化タンタル/タンタルは、堆積された窒化タンタルの下の導電性材料を露呈するために、誘電体層の部材の底部から除去される。場合によって、さらなるタンタル層が、除去ステップの後に物理気相堆積法で堆積されてもよい。場合によって、窒化タンタル堆積およびタンタル堆積は同一の処理チャンバで生じてもよい。シード層が最後に堆積される。 (もっと読む)


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