【課題】配線抵抗が低く、ＥＭ耐性及び信頼性に優れた埋め込み配線の形成方法を提供することにある。
【解決手段】半導体基板１０上に形成された絶縁層１１内に溝１２を形成した後、溝１２の側面及び底面を覆うように、絶縁層１１上にＡＬＤ法でバリアメタル層１３を形成し、その表面に、イオン注入法またはＡＬＤ法により不純物層１４、１７を形成する。その後、バリアメタル層１３と不純物層１４、１７とを合金化した後、溝１２内にＣｕシード層１５及びＣｕメッキ層１６からなる埋め込み配線層を形成し、然る後、合金化されたバリアメタル層１３内の不純物元素を埋め込み配線層内に熱拡散させる。 （もっと読む）

【課題】紫外線キュアの効率を向上させ、キュア済みの低誘電率膜の膜特性を改善する。
【解決手段】低誘電率材料を半導体処理中に処理チャンバ内でキュアする方法が与えられる。該低誘電率材料は紫外線が照射されてキュアされる。処理チャンバ内の雰囲気は、紫外線の照射中、２５から１００００ppmの酸素濃度を有する。酸素は、低誘電率材料中の-Si-H基及び-Si-OH基の形成を制限し、それにより、低誘電率材料中の吸湿及び酸化が減少する。 （もっと読む）

【課題】
ビルディングブロック方式では、電源ライン及びグランドラインの配置によって、半導体集積回路装置の微細化が困難であった。
【解決手段】
アナログ信号処理機能を担う電子回路ブロックが集積化された半導体集積回路装置であって、電源ラインは、電子回路ブロックを構成する半導体素子上の領域を含んで配置され、グランドラインは、電子回路ブロック間に位置する分離領域上に形成され、グランドラインは、コンタクト孔において分離領域とコンタクトされる。 （もっと読む）

【課題】耐熱性や絶縁性の劣化などの不良の発生が抑えられた絶縁膜と、金属配線とを備えた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に吸湿性を有する絶縁膜１０２を形成し、絶縁膜にダミーコンタクトホールとコンタクトホールとを形成する。基板を熱処理して絶縁膜に含まれる水分を脱離させた後、金属膜で構成されるコンタクト１０３およびダミーコンタクト１１０をそれぞれ形成する。熱処理により、コンタクトホールおよびダミーコンタクトホールを通して絶縁膜中の水分を脱離させることができる。 （もっと読む）

【課題】 多層配線を有する半導体装置において配線層内の水分の有無を直接評価することができる配線構造及び多層配線を有する半導体装置の水分検出方法を実現する。
【解決手段】 半導体装置１の多層配線構造において、第３配線層３３より腐食されやすい材料により形成された薄膜抵抗体２０ａ、２０ｂが第３配線層３３に配置され、薄膜抵抗体２０ａ、２０ｂの抵抗値を測定可能に構成されているため、水分の侵入などにより第３配線層３３内に水分が存在する場合には、水分が第３配線層３３内を移動して薄膜抵抗体２０ａ、２０ｂに到達し、薄膜抵抗体２０ａ、２０ｂが腐食されて抵抗が急増するので、薄膜抵抗体２０ａ、２０ｂの抵抗値を測定することにより第３配線層３３内の水分の有無を直接検出することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に貫通配線層を形成する際の貫通孔底部での壁状付着物や有機マスク残渣の発生を防ぐことにより、貫通接続部の接続不良や機械的信頼性が改善された半導体装置を提供する。
【解決手段】貫通孔３を有する半導体基板２の表面に、該貫通孔３よりも小径の開口４ａを有する第１の絶縁層４が被覆され、その上に第１の配線層５が開口４ａを覆い形成されている。また、貫通孔３内および半導体基板２の裏面に第２の絶縁層６が被覆され、その上には拡散防止機能を有する高抵抗金属からなる金属マスク層７が形成されている。第２の絶縁層６および金属マスク層７は、第１の絶縁層４の開口４ａと同径の開口６ａ、７ａを有している。さらに、貫通孔３内に第２の配線層８が充填・形成され、この第２の配線層８は第１の絶縁層４および第２の絶縁層６の開口４ａ、６ａを介して第１の配線層５に内接している。 （もっと読む）

【課題】下地層との密着性に優れた銅膜を製造する方法の提供。
【解決手段】成膜対象物上に下地層を形成した後、この下地層を水素ガス雰囲気中で熱処理し、次いでその上に銅膜を作製する。このように銅膜を作製した後、さらに水素ガス雰囲気中で熱処理を行なう。 （もっと読む）

【課題】低誘電率材料からなる層間絶縁膜の特性を回復することにより、層間絶縁膜中に形成される配線の信号伝達速度の遅延特性やリーク電流特性を向上させる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に低誘電率材料からなる絶縁膜１７を堆積し、ＲＩＥにより配線溝を形成する。この絶縁膜に真空中でＵＶ照射を行い、エッチングにより生じたダメージ層を回復し、誘電率と屈折率を下げる。この溝に拡散防止膜１９ａとＣｕを埋め込み、配線とする。 （もっと読む）

【課題】ビアの径を調節するスペーサ膜と、ビア間絶縁膜上に形成されたエッチングストッパ膜を有し、スペーサ膜とエッチングストッパ膜の界面におけるリーク電流の発生を抑えた半導体装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施の形態による半導体装置は、表面に半導体素子を有する半導体基板と、前記半導体基板上に形成された配線と、前記配線の下側に接続されるビアと、前記ビアと同じ層に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜と前記配線との間、および前記第１の絶縁膜と前記ビアとの間に一体に形成された第２の絶縁膜と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ダマシンゲートプロセスにおいて、ゲート電極用溝形成時に層間絶縁膜が後退せず、短絡の原因となる導電層の残渣が発生しない半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域を有する半導体基板１０にダミーゲート絶縁膜１２とダミーゲート電極１３を形成し、ダミーゲート電極をマスクとして基板にソース・ドレイン領域１９を形成し、酸化シリコンよりフッ酸耐性を有する絶縁性材料によりダミーゲート電極より厚い膜厚でダミーゲート電極を被覆して第１絶縁膜２１を形成し、その上に第１絶縁膜と異なる絶縁性材料で第２絶縁膜２２を形成し、第２絶縁膜の上面から第１絶縁膜の頂部、さらにダミーゲート電極が露出するまで第１絶縁膜と第２絶縁膜とを平坦化除去し、ダミーゲート電極及びダミーゲート絶縁膜を除去し、得られるゲート電極用溝の底部にゲート絶縁膜を形成し、その上にゲート電極を形成し、電界効果トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッドの下の層間絶縁膜にクラックが入るのを防ぎ、ボンディングパッドと同層に形成された上層配線を微細化することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜１７上に第１金属膜２０を形成する。第１レジストをマスクとして第１金属膜２０を異方性エッチングする。残された第１金属膜２０を覆うように層間絶縁膜１７上に、第１金属膜２０よりもヤング率が低い第２金属膜２４を形成する。層間絶縁膜１７上に第１金属膜２０が存在する領域及び第１金属膜２０が存在しない領域の一部において第２金属膜２４上に第２レジストを形成する。第２レジスト３３をマスクとして第２金属膜２４を異方性エッチングして、第１金属膜２０と第２金属膜２４とを有するボンディングパッドと、第２金属膜２４を有するが第１金属膜２０を有しない上層配線２２とを形成する。 （もっと読む）

【目的】多層配線において配線層間の剥がれ耐性を向上させた装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置は、基板２００上に多層配線構造で形成され、最上層に電極パッド３０を有する実効配線１０と、多層配線構造内で実効配線１０の周囲を取り囲むように形成されたビアリング２０と、多層配線構造の最終表面を保護する積層保護膜ＰＦと、積層保護膜ＰＦと接する位置であって実効配線１０が形成される領域とチップ領域端との間に形成された、電極パッド３０を構成する導体とビアリング２０を構成する導体とのいずれよりもヤング率が大きい膜パターンで構成されるクラックストッパ膜４０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｍｎ含有膜やＣｕＭｎ含有合金膜等を、ＣＶＤ等の熱処理によって形成することにより、微細な凹部でも、高いステップカバレッジで埋め込むことができ、しかも、同一の処理装置で連続的な処理を行うようにして装置コストを大幅に低減化することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器１４内で、遷移金属を含む遷移金属含有原料ガスと酸素含有ガスとにより被処理体Ｗの表面に、熱処理により薄膜を形成する。これにより、例えばＭｎ含有膜やＣｕＭｎ含有合金膜等を、ＣＶＤ等の熱処理によって形成する際に、微細な凹部でも、高いステップカバレッジで埋め込むことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ハードマスク除去プロセスにおいて、低誘電率絶縁膜の誘電率の上昇を伴うダメージを低減させると共に加工形状を安定させることを目的とする。
【解決手段】ハードマスクを用いて配線溝を形成するプロセスからなる半導体装置の製造方法において、メタルハードマスク１０７を用いて配線溝１１１の形成を行うことで配線溝１１１の形状を安定化させることができると共に、配線溝１１１にＴａＮやＣｕを形成する前にあらかじめメタルハードマスク１０７の一部または全てを除去することで低誘電率膜表面の誘電率の上昇を伴う損傷が低減されて配線間のリーク電流を低減させることができ、信頼性の高い半導体装置を実現できる。 （もっと読む）

【課題】低誘電率の材料の露出表面への損傷を最小化しながら、露出した低誘電率の材料を有する基板からマスキング材料を取り除く方法が提供される。
【解決手段】一実施形態において、基板からマスキング材料を取り除くための方法は、露出した低誘電率の材料及びマスキング材料を有する基板を提供し、第１の期間、還元化学反応物質から形成された第１のプラズマに前記マスキング材料を曝し、第２の期間、酸化化学反応物質から形成される第２のプラズマにマスキング材料を曝すことを含む。これらのステップは必要なだけ繰り返され、また、反対の順序に行われるかもしれない。選択的に、少なくとも１つの希釈ガスが酸化化学反応物質に追加されるかもしれない。 （もっと読む）

【課題】ｎチャネル型電界効果トランジスタとｐチャネル型電界効果トランジスタを有する半導体装置において、ｎチャネル型電界効果トランジスタ、ｐチャネル型電界効果トランジスタ共にドレイン電流特性に優れた半導体装置を実現する。
【解決手段】ｎチャネル型電界効果トランジスタ１０と、ｐチャネル型電界効果トランジスタ３０とを有する半導体装置において、ｎチャネル型電界効果トランジスタ１０のゲート電極１５を覆う応力制御膜１９には、膜応力が引張応力側の膜を用いる。ｐチャネル型電界効果トランジスタ３０のゲート電極３５を覆う応力制御膜３９には、膜応力が、ｎチャネル型トランジスタ１０の応力制御膜１９より、圧縮応力側の膜を用いることにより、ｎチャネル型、ｐチャネル型トランジスタの両方のドレイン電流の向上が期待できる。このため、全体としての特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に貫通配線層を形成する際の貫通孔底部での配線層の薄膜化が防止され、貫通接続部の接続不良が改善された半導体装置を提供する。
【解決手段】貫通孔３を有する半導体基板２の表面に、該貫通孔３と同径の開口４ａを有する第１の絶縁層４が被覆され、その上に第１の配線層５が形成されている。また第１の配線層５の近傍に、貫通孔３とその内壁面等に形成された第３の絶縁層８および貫通孔３内に充填・形成された第３の配線層９から成る貫通接続部が形成されている。そして、この貫通接続部に内接された第２の配線層７と第１の配線層５とが電気的に接続され、貫通孔３の内壁面と第１の配線層５との間に第２の絶縁層６が介在し、第１の配線層５と貫通孔３内に充填・形成された第３の配線層９とが離間されるように構成されている。 （もっと読む）

それぞれ固有応力が異なる誘電ライナ（２３０、２４０）をパターニングした後に、窒化シリコンなどの付加的誘電材料（２６０）を形成することによって、Ｐチャネルトランジスタ（２２０Ｂ）のパフォーマンスを実質的に低下させずにＮチャネルトランジスタ（２２０Ａ）のパフォーマンスを著しく向上させることができる。
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【課題】半導体基板の貫通配線部において、貫通孔底部での絶縁層の被覆性が向上され、電気的絶縁性の低下や接続不良が改善された半導体装置を提供する。
【解決手段】貫通孔３を有する半導体基板２の表面に、該貫通孔３と同径の開口４ａを有する第１の絶縁層４が被覆され、その上に第１の配線層５が開口４ａを覆い形成されている。また、貫通孔３内および半導体基板２の裏面に第２の絶縁層６が被覆されている。第２の絶縁層６は、第１の配線層５と内接するように形成され、内接部に第１の絶縁層４の開口４ａよりも小径の開口６ａを有している。さらに、貫通孔３内に第２の配線層７が充填・形成され、この第２の配線層７は第２の絶縁層６の開口６ａを介して第１の配線層５に内接している。 （もっと読む）

【課題】 ｎチャネル導電型電界効果トランジスタ及びｐチャネル導電型電界効果トランジスタの電流駆動能力の向上を図る。
【解決手段】 半導体基板の一主面の第１の領域にチャネル形成領域が構成されたｎチャネル導電型電界効果トランジスタと、前記半導体基板の一主面の第１の領域と異なる第２の領域にチャネル形成領域が構成されたｐチャネル導電型電界効果トランジスタとを有する半導体装置であって、前記ｎチャネル導電型電界効果トランジスタのチャネル形成領域に発生する内部応力と、前記ｐチャネル導電型電界効果トランジスタのチャネル形成領域に発生する内部応力とが、各々で異なっている。前記ｎチャネル導電型電界効果トランジスタのチャネル形成領域に発生する内部応力は引っ張り応力であり、前記ｐチャネル導電型電界効果トランジスタのチャネル形成領域に発生する内部応力は圧縮応力である。 （もっと読む）