【課題】層間絶縁膜と配線金属との間に形成されるバリア膜について配線金属を構成する元素や層間絶縁膜を構成する元素に対して高いバリア性をプラズマにより成膜する技術及びそのバリア膜を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】処理容器内に基板を載置する載置台と周方向に沿って多数のスリットが形成された平面アンテナ部材とを対向して設け、導波管からのマイクロ波を前記平面アンテナ部材を介して処理容器内に供給する。一方処理容器の上部からＡｒガスなどのプラズマ発生用のガスを供給すると共にこのガスの供給口とは異なる位置から原料ガスである例えばトリメチルシランガスと窒素ガスとを供給することでこれらガスをプラズマ化し、更に載置台の上面の単位面積当たりに供給されるバイアス用の高周波電力が０．０４８Ｗ／ｃｍ2以下となるように、前記載置部にバイアス用の高周波電力を印加する。 （もっと読む）

【課題】酸化シリコンなどの被エッチング膜を部分的にドライエッチングする際、有機マスクのリフトオフを防止する。
【解決手段】酸化シリコンなどからなる被エッチング膜１２に界面膜１３を積層する。界面膜１３は、アモルファスシリコンや炭素含有シリコン化合物で構成されている。界面膜１３上に有機マスク２０を設け、無水または加湿したＨＦ（反応剤）とＯ_３（酸化剤）を含むエッチングガスを供給する。界面膜１３は、反応剤単独との反応性が被エッチング膜１２より低く、Ｏ_３との酸化反応を経て反応剤と間接的に反応しエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】低誘電率材料からなる層間絶縁膜の特性を回復することにより、層間絶縁膜中に形成される配線の信号伝達速度の遅延特性やリーク電流特性を向上させる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に低誘電率材料からなる絶縁膜１７を堆積し、ＲＩＥにより配線溝を形成する。この絶縁膜に真空中でＵＶ照射を行い、エッチングにより生じたダメージ層を回復し、誘電率と屈折率を下げる。この溝に拡散防止膜１９ａとＣｕを埋め込み、配線とする。 （もっと読む）

本発明は、フッ素を含有する絶縁膜を有する半導体装置であって、前記絶縁膜の上に直接形成されたＳｉＣＮ膜を有し、前記ＳｉＣＮ膜において、前記絶縁膜との界面から遠ざかる方向に、窒素含有量が低下する半導体装置でもよい。本発明において、ＣＦｘ膜との界面近傍においては耐フッ素性の高いＳｉＣＮ膜であって、ＳｉＣＮ膜全体としては誘電率の低い膜をハードマスクとして形成することができる。

（もっと読む）

【課題】有機物を含むシリコン酸化物系の低誘電率膜に対してエッチング処理やアッシング処理などのプラズマ処理を行った時に、有機物が脱離することによって受けるダメージの少ない低誘電率膜及びこの低誘電率膜を備えた半導体装置を得ること。
【解決手段】フェニル基とシリコンとを含み、窒素を含まないガスを用いて低誘電率膜を形成した後、後処理工程として、この層間絶縁膜に対して熱処理、ＵＶ照射処理あるいはＳＰＡプラズマ処理などによりエネルギーを加えることによって、層間絶縁膜から水分を脱離させて、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ骨格構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】 解像限界以下の幅を持つ微細パターンを、少ない製造工程で形成できる微細パターンの形成方法を提供すること。
【解決手段】 基板１０１上に、薄膜１０２を形成し、薄膜１０２上に、レジスト膜１０３を形成し、レジスト膜１０３を、フォトリソグラフィ技術を用いて、所定の間隔を持つパターン１０３´に加工し、有機シリコンを含むソースガスと活性化された酸素種とを交互に供給し、加工されたレジスト膜１０３´、及び薄膜１０２上に、薄膜１０２及びレジスト膜１０３´とは異なったシリコン酸化膜１０５を形成し、シリコン酸化膜１０５を後退させ、加工されたレジスト膜１０３´の側壁上に側壁スペーサ１０５´を形成し、加工されたレジスト膜１０３´を除去し、側壁スペーサ１０５´をマスクに用いて、薄膜１０２を加工する。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜にプラズマエッチングによりビアホール等の接続用ホールを形成するにあたり、接続用ホールの配列密度の大小に係らず均一性の高いエッチングを行うことの可能な半導体装置の製造方法等を提供する。
【解決手段】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板上の層間絶縁膜１０上にパターンマスク１５を含む上層膜１６を形成し、次いで層間絶縁膜１０の表面が露出した状態で基板に脱水処理用のガスを供給して層間絶縁膜１０から水分を除去し、続いて層間絶縁膜１０をエッチングして、電気的接続部が埋め込まれる接続用ホールを形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の層間絶縁膜などに有用な誘電率が低く、かつ機械的強度が高い絶縁膜を得る。
【解決手段】絶縁膜材料として、ジイソプロピルジビニルシラン、ジアリルジビニルシランなどを用い、プラズマＣＶＤ法によって成膜する。Ｈｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、水素、炭素数２〜６の炭化水素などの水素を含まない同伴ガスを成膜時に同伴させてもよい。１−メチル−４−イソピル−１，３−シクロヘキサジエンなどのポロジエンを添加して成膜してもよく、プラズマ発生用高周波電力、成膜用ガスの流量あるいは成膜圧力を変化させて成膜してもよい。 （もっと読む）

歪みSiN膜及び該歪みSiN膜を含む半導体デバイスの作製方法。当該方法は、シリコン先駆体を含む気体に前記基板を曝露する工程、第1レベルのプラズマ出力のプラズマ源によって励起されて前記シリコン先駆体と第1反応特性で反応する窒素先駆体を含む気体に前記基板を曝露する工程、及び、前記第1レベルとは異なる第2レベルのプラズマ出力のプラズマ源によって励起されて前記シリコン先駆体と第2反応特性で反応する窒素先駆体を含む気体に前記基板を曝露することで、前記の基板上に作製されたシリコン窒化物膜の特性が前記歪みSiN膜を供するように変化する、工程を有する。
（もっと読む）

【課題】 誘電層または導電層に対する界面力が向上した多孔ＳｉＣＯＨ層を含む半導体電子デバイス構造を提供する。
【解決手段】 機械的強度を向上させたＳｉＣＯＨ層を含む構造を形成するための構造および方法を開示する。この構造は、誘電材料層または導電材料層を有する基板と、誘電材料層または導電材料層上の実質的に炭素を有しない酸化物層と、酸化物層上の傾斜遷移層であって、酸化物層との界面において実質的に炭素を有さず、多孔ＳｉＯＨ層に向かって徐々に炭素が増大していく、傾斜遷移層と、層全体に均質な組成を有する、傾斜遷移層上の多孔ＳｉＣＯＨ（ｐＳｉＣＯＨ）層と、を含む。この方法は、傾斜遷移層において、炭素濃度にピークが存在せず、酸素濃度にディップ（一時的低下）が存在しないプロセスを含む。 （もっと読む）

【課題】比較的低温で成膜しても含有する炭素濃度を多くさせてクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、もってクリーニング時の膜厚の制御性を向上させることができる成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗが収容されて真空引き可能になされた処理容器４内に、シラン系ガスと窒化ガスと炭化水素ガスとを供給して前記被処理体の表面にＳｉＣＮ膜よりなる薄膜を形成する成膜方法において、前記シラン系ガスと前記窒化ガスと前記炭化水素ガスとをそれぞれ一定の供給期間でパルス状に供給する供給工程と供給を停止する停止工程とよりなる１サイクルを複数回繰り返し実行してプラズマを用いることなく前記薄膜を形成する。これにより、比較的低温で成膜しても含有する炭素濃度を多くさせてクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、もってクリーニング時の膜厚の制御性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、配線の断線や容量耐圧の低下などの不具合を低減する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、複数の画素電極（９ａ）と、複数の画素電極に電気的に接続された第１導電膜（１ａ）と、第１導電膜の上層側に配置された第１絶縁膜（４１）と、第１絶縁膜の上側表面に形成された本体部（７１ａ）及びこの本体部から第１絶縁膜に開孔されたコンタクトホール（８３）の内表面に延設された延設部（７１ｂ）を有し、第１導電膜にコンタクトホールを介して電気的に接続された第２導電膜（７１）とを備える。更に、延設部上に且つコンタクトホールの内部を埋めるように形成されると共に、基板上で平面的に見て、本体部に少なくとも部分的に重ならないように形成された第２絶縁膜（６１０）を備える。 （もっと読む）

【課題】銅に対する十分なバリア性を備え、配線間の電気容量を低下させて配線の遅延時間を小さく抑え、かつ配線間の密着性を向上させた積層構造により、半導体装置の信頼性を高め、高性能化を実現する技術を提供する。
【解決手段】銅配線層を有する半導体装置において、半導体装置が、銅配線、バリア層、このバリア層に直接接する酸化ケイ素系ポーラス絶縁層、このケイ素系ポーラス絶縁層に直接接するバリア層、銅配線をこの順に有する積層構造を少なくとも一つ有し、バリア層の少なくとも一つが密度２．４ｇ／ｃｍ^３以上のアモルファス炭素膜であり、このアモルファス炭素膜と銅配線との間にこれらに直接接するケイ素系絶縁層が存在する。 （もっと読む）

【課題】５００℃以下の低温でシリコン酸化膜またはシリコンを含んだ金属酸化膜であるシリケート膜を化学気相成長法（ＣＶＤ法）により形成する。
【解決手段】基板を処理室内に搬入する工程と、処理室内の基板上に薄膜を形成する工程と、基板を処理室内から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法において、前記基板上に薄膜を形成する工程では、少なくともシリコン原子を含み、且つ、その組成にＯＣ（ＣＨ_３）_２ＣＨ_２ＯＣＨ_３を含む液体原料を気化したガスを基板に対して供給する工程と、前記液体原料が自己分解しない温度において自己分解して水分を発生する添加剤を基板に対して供給する工程と、を交互に複数回繰り返すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良質の多孔性有機シロキサン膜を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、炭素を主成分とするポロジェン成分を有する多孔性有機シロキサン膜２１ｂを形成する工程と、多孔性有機シロキサン膜上に、多孔性有機シロキサン膜とは膜密度又は膜組成が異なる上層絶縁膜２２を形成する工程と、多孔性有機シロキサン膜及び上層絶縁膜に電子線又は紫外線を照射して、多孔性有機シロキサン膜中のポロジェン成分の重合反応を促進させる工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 膜強度の強化と、膜中の水分或いはＯＨ基の脱離とを効率的に実行可能な絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 所定の原料ガス雰囲気下で第２低誘電率絶縁膜８を所望膜厚より薄い膜厚分成膜し、その後、大気暴露することなく、第２低誘電率絶縁膜８の成膜工程と同一基板温度、同一圧力下でＯ_２ガス処理を施し、第２低誘電率絶縁膜８中の残存未反応原料の脱離処理、終端化処理、或いは膜中に吸着形成されたＯＨ基の脱離処理を行う。その後、第２キャップ絶縁膜１１を成膜する。以下、第２低誘電率絶縁膜と第２キャップ絶縁膜との膜厚合計が所望膜厚になるまで、第２低誘電率絶縁膜成膜工程、残存未反応原料脱離工程、及び第２キャップ絶縁膜成膜工程を複数回繰り返して行う。 （もっと読む）

【課題】 基板上の膜を処理する方法の提供。
【解決手段】 一態様において、方法は、シリコンと、炭素とを含み、所望により酸素及び/又は窒素を含んでもよい薄層を膜上に堆積させることによりフォトレジストが膜から除去された後のパターン形成された低誘電率膜を処理するステップを含む。薄層は、パターン形成された低誘電率膜に炭素を多く含む疎水性表面を与える。薄層は、また、続いての湿式洗浄プロセスと、低誘電率膜上に続いて堆積される層の前駆物質による浸透から低誘電率膜を保護する。 （もっと読む）

【目的】多孔質絶縁膜の吸着サイトの修復と共に表面に露出した空孔を塞ぐ両プロセスを効率よく行なう半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、基板上に多孔質絶縁材料を用いた多孔質絶縁膜を形成するｌｏｗ−ｋ膜形成工程（Ｓ１０４）と、ｌｏｗ−ｋ膜に開口部を形成する配線溝形成工程（Ｓ１１６）と、前記開口部にＳｉ−ＯＨ基を置換する所定のガスを供給して、前記開口部表面のｌｏｗ−ｋ膜の膜質を修復する膜質修復工程（Ｓ１２２）と、前記膜質の修復を行なった後に、膜質修復に用いたガスと同じ前記所定のガスを用いて前記開口部表面のポアシーリングを行なうポアシーリング工程（Ｓ１２４）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、合金層（シード層）中のＭｎを高濃度化せずに、導電層の膜剥がれを防止する半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】まず、基板１１上に設けられた層間絶縁膜１５に配線溝１６を形成し、配線溝１６の内壁を覆う状態で、多孔質膜２０を形成する工程を行う。次に、配線溝１６の内壁を覆う状態で、多孔質膜２０上にＣｕＭｎ合金からなる合金層１７を形成する工程を行う。次いで、合金層１７が設けられた配線溝に、Ｃｕを主成分とする導電層１８を埋め込む工程を行う。その後、熱処理を行い、合金層１７中のＭｎを多孔質膜２０の構成成分と反応させて、合金層１７と多孔質膜２０との界面に、銅の拡散バリア性を有するＭｎ化合物からなる自己形成バリア膜１９を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法および半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】合金層（シード層）中の自己形成バリア膜の生成に寄与しない余剰なＭｎを除去することで、配線抵抗を低減する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、基板１１上に設けられた層間絶縁膜１５に配線溝１６を形成する。次に、配線溝１６の内壁を覆う状態で、ＣｕＭｎからなる合金層１７を形成する。次いで、合金層１７が設けられた状態の基板１１の表面に、Ｃｕに対してＭｎを選択的に溶解する洗浄液を供給し、自己形成バリア膜の形成に寄与しない合金層１７中のＭｎを、洗浄液に溶解させて選択的に除去する。続いて、熱処理を行い、合金層１７中のＭｎを層間絶縁膜１２、１５の構成成分と反応させて、合金層１７と層間絶縁膜１２、１５の界面に、Ｃｕの拡散防止性を有するＭｎ化合物からなる自己形成バリア膜を形成する。続いて、自己形成バリア膜が設けられた配線溝１６にＣｕを主成分とする導電層を埋め込む。 （もっと読む）