【課題】本発明の主題は、透過性誘電体膜の製造方法である。
【解決手段】本発明は、
ａ）ケイ素と、炭素と、水素と、酸素と、場合により窒素及び／又はフッ素とを含む材料であり、前記材料はケイ素−炭素結合を過半数含み、ケイ素−酸素結合を前記材料中の酸素が原子数で３０％を超えない程度に一部含む材料の膜を基板に堆積する段階と、
ｂ）段階ａ）において堆積された膜中のケイ素−酸素結合を化学物質によって選択的に分解する段階と、
を含む透過性誘電体膜の製造方法に関する。
応用例：エアギャップの形成、特に集積回路のエアギャップ相互接続の製造のための化学物質を透過する膜を通じた化学物質の拡散による犠牲材料の分解を含む全ての製造方法におけるマイクロエレクトロニクス及びマイクロテクノロジー。 （もっと読む）

【課題】被処理体の表面に堆積される薄膜の膜質を高く維持しつつパーティクルの発生を抑制することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】複数枚の被処理体Ｗが収容されて真空引き可能になされた処理容器４内に、シラン系ガスと窒化ガスとを供給して前記被処理体の表面にシリコン窒化膜よりなる薄膜を形成する成膜処理を行うようにした成膜方法において、前記シラン系ガスを供給するシラン系ガス供給工程と前記窒化ガスを供給する窒化ガス供給工程とを交互に繰り返し行うと共に、少なくとも前記成膜処理の初期の一定の期間及び／又は末期の一定の期間を除いて前記窒化ガス供給工程ではプラズマを立てるようにする。これにより、被処理体の表面に堆積される薄膜の膜質を高く維持しつつパーティクルの発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】低い誘電率、向上したエッチング抵抗性、優れたバリア特性を設けた誘電バリアを形成する方法を提供する。
【解決手段】半導体基板を処理する方法を提供し、この方法は、ケイ素−炭素結合および炭素−炭素結合を備える前駆物質を処理チャンバへ流すステップと、半導体基板上に炭素−炭素結合を有する誘電バリア膜を形成するために、処理チャンバ内において前駆物質の低密度プラズマを生成するステップであって、この前駆物質中の炭素−炭素結合の少なくとも一部は低密度プラズマ中に保存されかつ誘電膜内に組み込まれるステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の配線層の信頼性を高める。
【解決手段】層間絶縁膜３に形成した配線溝４内に、バリアメタル膜５を介して、ＣｕＭｎシード膜６及びＣｕ膜７を有する配線部１を形成した後、ＳｉＨ₄とＮＨ₃のガスに曝し、その配線部１の表面にＯを含有しないＳｉＮの保護層８を形成する。この上にキャップ膜９を形成する。キャップ膜９の形成時には、配線部１のバリアメタル膜５との界面領域にはＭｎＯ層１０が形成される一方、配線部１の上面には保護層８があることでＭｎの析出が抑制される。配線部１のＭｎ含有量を高めても、配線部１とキャップ膜９との間にＭｎを含有するバリア性の低い層が形成されることがなく、エレクトロマイグレーション耐性及びストレスマイグレーション耐性の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】より高い結晶化温度を有する改良型誘電体層の構造及び該構造の製造方法には、誘電体層の等価酸化膜厚を減らすこと並びに界面特性の改良によってデバイス性能を改良する必要が今も残っている。
【解決手段】例えば金属ケイ酸塩又は金属酸窒化ケイ素の膜のような金属含有膜の化学気相成長又は原子層成長による堆積法が本書に開示されている。一実施形態における金属含有膜の堆積法は、金属アミド前駆体、ケイ素含有前駆体、及び酸素源を燃焼室に導入する工程（ただし、パージガスを導入した後に各前駆体を導入する）を含む。 （もっと読む）

【課題】熱プロセスを使用しないで、低誘電率材料である空隙を含む多層配線構造を形成する方法を提供する。
【解決手段】誘電層１０５にトレンチを形成し、トレンチにコンフォーマル誘電バリア膜と金属拡散バリア膜を堆積する。トレンチに導電材料を充填し導電ライン１０９を形成する。誘電層と導電ライン上に多孔性バリア１１１を形成する。フォトレジスト１１２を生成し、そのホール１１３からエッチング液を多孔性バリアを介して誘電層に接触させ、誘電層をエッチング除去して空隙１１４を形成する。コンフォーマル誘電バリア膜が、ウェットエッチング化学薬品に対するバリアとして作用する。 （もっと読む）

【課題】エッチングされた所望のアスペクト比の提供。
【解決手段】構造を形成するための方法が、基板の表面にわたって少なくとも１つの特徴部を形成するステップを含む。少なくとも１つの特徴部の上には窒素含有誘電体層を形成する。少なくとも１つの特徴部の少なくとも１つの側壁上の窒素含有層の第１の部分を、第１の速度で取り除き、少なくとも１つの特徴部の底部領域に隣接する基板の上の窒素含有層の第２の部分を、第２の速度で取り除く。第１の速度は第２の速度よりも大きい。窒素含有誘電体層の上に誘電体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】配線上の信号遅延を小さくして、配線上の信号遅延特性を所望の状態に改善することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造工程中に、配線溝２６ｃおよびビアホール２７ａの内側表面をポロジェンを含む第４の絶縁膜２５で覆うことで、バリアメタルスパッタ工程などの半導体装置の製造工程において、配線溝２６ｃおよびビアホール２７ａの内側表面の低誘電率膜である第４の絶縁膜２５の比誘電率上昇を抑制する。 （もっと読む）

【課題】プラズマの不均一を改善することにより、プラズマダメージを抑え、得られる半導体素子の性能や製品歩留りの劣化を抑えることが可能な半導体製造方法と半導体製造装置を提供する。
【解決手段】反応室１１内に設けられた下部電極１３にウェハｗを載置し、反応室１１内にプロセスガスを導入し、ウェハｗの被処理面と離間するように磁場を印加し、下部電極１３と、下部電極１３と対向配置された上部電極１２間に高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、プラズマが安定化した後、磁場を除去し、ウェハｗをプラズマ処理することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線パターンの表面に自己形成されるＭｎ酸化物膜よりなるバリア膜を有する多層配線構造において、配線の寿命を向上させる。
【解決手段】Ｃｕ−Ｍｎ合金層を側壁に形成したＣｕ配線パターンの表面に、炭素および酸素源となる炭素含有膜を接触させ、熱処理により、前記Ｃｕ−Ｍｎ合金層中のＭｎ原子と前記炭素源からの炭素原子と酸素原子を反応させ、炭素を含むＭｎ酸化物膜をバリア膜として形成する。 （もっと読む）

【課題】 ＮＢＴＩ劣化を抑制することのできるトランジスタ構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、ｎ型領域を有するシリコン基板と、前記ｎ型領域上に、窒素を含む酸化シリコンを用いて形成されたゲート絶縁膜と、ホウ素を含むシリコンを用いて、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極両側の前記シリコン基板内に形成されたｐ型ソース／ドレイン領域と、酸化シリコンを用いて、前記ゲート電極の側壁上に形成されたサイドウォールスペーサと、前記ゲート電極、サイドウォールスペーサを覆い、平坦化された表面を有する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の平坦化された表面から内部に向って形成された配線用凹部と、前記凹部を埋める、下地のバリア層とその上の銅領域を含む銅配線と、前記銅配線を覆って、前記層間絶縁膜上に形成された炭化シリコン層と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 ＮＢＴＩ劣化を抑制することのできるトランジスタ構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、ｎ型領域を有するシリコン基板と、前記ｎ型領域上に、窒素を含む酸化シリコンを用いて形成されたゲート絶縁膜と、ホウ素を含むシリコンを用いて、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極両側の前記シリコン基板内に形成されたｐ型ソース／ドレイン領域と、酸化シリコンを用いて、前記ゲート電極の側壁上に形成されたサイドウォールスペーサと、前記ゲート電極、サイドウォールスペーサを覆い、平坦化された表面を有する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の平坦化された表面から内部に向って形成された配線用凹部と、前記凹部を埋める、下地のバリア層とその上の銅領域を含む銅配線と、前記銅配線を覆って、前記層間絶縁膜上に形成された炭化シリコン層と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 電子装置及びその製造方法に関し、エッチングストッパ膜となる絶縁膜に過度のダメージを与えることなく、塗布系の低誘電率膜との密着性をバラツキなく改善する。【解決手段】 基板９上に形成されたＳｉ−ＣＨ₂ −Ｓｉ構造を１０〜９０重量％含有するシリコンオキシカーバイドからなる第１の絶縁膜１と、第１の絶縁膜１上に形成されたポーラスシリカ系の第２の絶縁膜３とを有し、第１の絶縁膜１と第２の絶縁膜３の界面において、第１の酸素４と二重結合している炭素５を介して、第１の珪素６と、第２の珪素７と結合した第２の酸素８とが連結された構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低く、且つ、良好な品質を有する絶縁膜を備え、配線間の寄生容量が抑制された半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に形成され、第１の溝（第２の配線溝２８）を有し、高さ方向において組成比が異なる第１の絶縁膜（第３の絶縁膜２４）と、第１の溝（第２の配線溝２８）を埋める第１の金属配線（第２の金属配線２５）とを備えている。第１の絶縁膜（第３の絶縁膜２４）では、上部における機械的強度がその他の部分における機械的強度に比べて大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板内及び上に形成された素子及び素子領域と、上方に形成される配線パターンとを電気的に絶縁するための絶縁膜を研削して平坦化する際に、その残存値の均一化を図った半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板内に形成された素子分離領域上に、ダミーのゲート電極を形成するとともに、前記半導体基板内に形成されたｎＭＯＳＦＥＴ領域及びｐＭＯＳＦＥＴ領域上において、前記ダミーのゲート電極の少なくとも一部を被覆するようにして第１のＳｉＮ応力膜及び第２のＳｉＮ応力膜を形成し、前記ダミーのゲート電極、前記第１のＳｉＮ応力膜及び前記第２のＳｉＮ応力膜で形成された凹部を埋設するようにして形成された絶縁膜を、前記第２のＳｉＮ応力膜をストッパーとして研削する。 （もっと読む）

【課題】コンタクト抵抗をより一層低減することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】コンタクトホール２２の側面及び下面並びに層間絶縁膜２１上にバリアメタル膜２３を形成する。次に、バリアメタル膜２３を覆うニッケル膜２４をスパッタリング法により形成する。次に、ニッケル膜２４を覆うと共に、コンタクトホール２２を埋め込むタングステン膜２５を熱ＣＶＤ法により形成する。そして、ＣＭＰ法により層間絶縁膜２１上のバリアメタル膜２３、ニッケル膜２４及びタングステン膜２５を除去する。 （もっと読む）

【課題】
オーバーエッチングを大きくしても、問題発生を抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体装置は、複数の活性領域にサイドウォール絶縁膜を備えたゲート電極を持つ電界効果トランジスタを有し、素子分離領域上にゲート電極と同一材料を用いて形成された配線を有し、素子分離領域上ではサイドウォール絶縁膜が選択的に除去され、ゲート電極のシリサイド層より厚いシリサイド層が形成される。ｎチャネル電界効果トランジスタを覆って引張応力絶縁膜を、ｐチャネル電界効果トランジスタを覆って圧縮応力絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ構造を有する半導体装置において、高性能化、低消費電力化を目的の一とする。また、より高集積化された高性能な半導体素子を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に複数の電界効果トランジスタがそれぞれ層間絶縁層を介して積層している半導体装置とする。複数の電界効果トランジスタの有する半導体層は半導体基板より分離されており、該半導体層は絶縁表面を有する基板、又は層間絶縁層上にそれぞれ設けられた絶縁層に接して接合されている。複数の電界効果トランジスタはそれぞれ前記半導体層に歪みを与える絶縁膜で覆われている。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造方法に関し、トレンチ形成層或いはビア形成層の低誘電率性と機械的強度を確保するとともに、膜剥がれを防止する。
【解決手段】 基体上に所定の原料ガスを用いてＳｉＯＣを主成分とする第１の多孔質絶縁膜２を予め定めた所定の膜厚まで気相成長させたのち、同一チャンバー内において連続して所定の原料ガスにポロジェン前駆体を添加してポロジェン４を包含するＳｉＯＣを主成分とする第２の多孔質絶縁膜３を気相成長させ、次いで、第１及び第２の多孔質絶縁膜３に２００ｎｍ〜４００ｎｍの波長の紫外線５を照射する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ構造を有する半導体装置において、高性能化、低消費電力化を目的の一とする。また、より高集積化された高性能な半導体素子を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上にｎチャネル型及びｐチャネル型電界効果トランジスタがそれぞれ層間絶縁層を介して積層している半導体装置とする。ｎチャネル型及びｐチャネル型電界効果トランジスタの有する半導体層は半導体基板より分離されており、該半導体層は絶縁表面を有する基板、又は層間絶縁層上にそれぞれ設けられた絶縁層に接して接合されている。応力を有する絶縁膜によって半導体層へ与えられる歪み、半導体層の面方位、又はチャネル長方向の結晶軸を制御することによって、ｎチャネル型とｐチャネル型電界効果トランジスタとの移動度の差を軽減し、電流駆動能力及び応答速度を同等とする。 （もっと読む）